【課題】 素子部分に損傷を与えず、ウェハのベベルの汚れを効果的に除去し得るウェハ処理装置を提供する。
【解決手段】 チャンバ１と、チャンバ１の内部に配設されて処理対象であるウェハ７が載置されるステージ６と、チャンバ１の内部にプラズマ９を形成するプラズマ発生手段と、プラズマ９とウェハ７とを隔離するようチャンバ１の内部に配設された隔離部材１０と、プラズマ９によって生成されるラジカル９Ａをウェハ７の外周部に選択的に回り込ませるよう隔離部材１０の外周部に形成した貫通孔１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】基板処理状態でのウェーハ周辺部の温度低下を防止し、膜厚の均一性の向上を図る。
【解決手段】基板８を処理する処理室３１と、該処理室内で基板を支持する基板支持部３６とを具備し、該基板支持部は基板の中心に向って延出する基板支持ピン３８を有し、基板は該基板支持ピンに載置される。 （もっと読む）

【課題】基板の異物が保持層に転写され、この保持層の異物が別の基板に付着して汚染を招くのを抑制し、基板の両面に回路パターン等が形成されている場合でも、容易に検査できる基板保持治具を提供する。
【解決手段】中空の支持板１と、この支持板１の表面を被覆して支持板１の中空２を覆う半導体ウェーハＷの周縁部を着脱自在に保持する可撓性の保持層４と、支持板１表面の凹み穴３に配列形成されて保持層４を支持する複数の支持突起５と、支持板１に穿孔されて保持層４に被覆された凹み穴３に連通する排気孔６とを備える。保持層４に半導体ウェーハＷの周縁部のみを密着保持させ、半導体ウェーハＷの接触面積を減少させるので、基板保持治具を繰り返し使用しても、半導体ウェーハＷの異物が保持層４に転写され、残留するのを低減できる。 （もっと読む）

熱ウェーハ処理工程の間、半導体ウェーハを保持するウェーハホルダ。ウェーハホルダは、少なくとも３つのウェーハ支持部を含んでいる。各ウェーハ支持部は、直立軸及びウェーハがウェーハ支持部の上に載っている時に繊維の少なくとも幾つかが半導体ウェーハと係合するような適所に軸によって支持される複数の可撓性の繊維を含んでいる。
（もっと読む）

【課題】特殊な構造の反射板を必要とせずに、半導体基板の有無を確実に検出する。
【解決手段】照射光（６）が反射板（５）で反射されたときの反射光（６ａ）から得られる反射点（Ｒａ）の位置と、照射光（６）が半導体基板（Ｓ）で反射されたときの反射光（６ｃ）から得られる反射点（Ｒｃ）の位置の違いを検出して、半導体基板（Ｓ）の有無を判定する。
【効果】特殊な構造の反射板を必要とせずに、半導体基板の有無を確実に検出できる。特殊な反射板を必要としないから、コスト高にならず、容易に実施できる。 （もっと読む）

半導体ウェハの支持体は、ウェハを支持するためのサポート表面と、上記サポート表面から離れて形成されそれにより上記ウェハから離間される窪んだ表面と、を有するプレートを含む。複数のホールが、上記窪んだ表面から延び、サポート表面には、ウェハの汚染を防止するため、ホールが存在しない。
（もっと読む）

少なくとも１つのウエハ支持体が設けられているウエハ移送アーム（３０）と、ウエハの対向する縁部をつかむように構成される２つのリモートリム（１８、１９）を有するウエハグリッパ（１５）であって、前記グリッパ（１５）はおおよそ水平方向位置とおおよそ垂直方向位置との間でウエハを回転させるために軸上で回転するように取付けられたグリッパと、前記ウエハの一方側および他方側に、おおよそ垂直方向位置で前記ウエハを通る平面に対して対称的に配置された少なくとも２つの検査システムとを備える半導体ウエハ検査装置（１）。 （もっと読む）

【課題】基板面を傷つけることなく、また、パーティクルの発生を抑制させ得る基板支持装置を提供すること。
【解決手段】各基板支持部４の上部面の一部が、基板載置部に載置される基板の平滑面（裏面）８と該平滑面８の外周に設けられた面取部（面取面）９との境界領域に形成される稜部１０に当接して基板を保持するように基板載置部内に配置されている。つまり、本発明の装置では、基板支持部４は基板外周近傍の平滑面８には接することがない。従って、基板平滑面を傷つけることなく、また、パーティクルの発生も抑制される。 （もっと読む）

基板を装填するための装填チャンバ、基板を処理するためのプロセスチャンバ、プロセスチャンバを装填チャンバから分離する封止面、および基板を垂直に装填チャンバからプロセスチャンバに移動させるための手段を含む、基板を処理するためのプロセス装置、ならびに、基板を処理するための方法を提供する。装填チャンバはプロセス装置の下部および上部の一方に位置し、プロセスチャンバはプロセス装置の下部および上部の他方に位置する。この発明のプロセス装置および方法は、基板を装填するための移動数を低減することにより容易なメンテナンスおよびコストの低減を達成する。
（もっと読む）

本発明は、基板背面のエッチング均一度と工程効率を高めるための基板ホルダ、基板支持装置、基板処理処置、及びこれを利用する基板処理方法に関する。本発明の基板ホルダは、基板の端が配置されるリング状の配置部と、前記配置部の下部面に連結されて前記配置部の下部面を支持する側壁部と、前記側壁部に形成された排気孔とを含む。本発明の基板支持装置は、電極部と、前記電極部の外縁部に設けられる緩衝部材と、前記緩衝部材上に位置され、基板の端を支持して基板を前記電極部から離隔させる基板ホルダと、前記電極部と前記基板ホルダを昇降させる昇降部材とを含む。本発明の基板処理処置は、チャンバと、前記チャンバ内に設けられる遮蔽部材と、前記遮蔽部材と対向して設けられる電極と、前記遮蔽部材と前記電極の間に設けられる基板ホルダとを含み、前記基板ホルダは基板の端が配置されるリング状の配置部と、前記配置部の下部面に連結されて前記配置部の下部面を支持する側壁部と、前記側壁部に形成された排気孔とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板保持回転機構に精密に芯合わせされた状態で基板を保持させることができる基板処理装置を提供すること。基板保持回転機構に基板を精密に芯合わせすることができる基板の芯合わせ方法を提供すること。
【解決手段】基板Ｗは、基板搬送ハンド６０から位置決めガイド５５および位置決め時用基板支持ピンに受け渡される。その後（図（ａ），図（ｂ）参照）、基板搬送ハンド６０は、基板搬入方向Ｘ１側に向けて移動させられる。基板搬送ハンド６０の移動に伴ってコイルばね５４が圧縮されて、当接部材５２が基板Ｗを位置決めガイド５５に向けて押圧する。これにより、基板Ｗが初期位置に位置決めされる（図（ｃ）参照）。次に、ロッド７５が進出させられる（図（ｆ）参照）。このロッド７５の進出量は、スピンチャックに搬入される前に予め計測される基板Ｗの径に基づいて定められる。 （もっと読む）

【課題】基板を搬送する間や基板の位置合わせを行う間にその基板の温度調整を行うこと。
【解決手段】基板の裏面に対向する基板保持面を備えた基板保持部と、各々基板の裏面を支持し、基板との摩擦力によって当該基板の前記基板保持面に対する横滑りを防止する凸部と、前記基板保持面に開口し、基板の裏面に向けてガスを吐出するガス吐出口と、その一端が前記ガス吐出口に接続されたガス流路を流通するガスを温度調整する温度調整部と、を備え、基板の裏面に吐出された前記ガスは基板保持面と基板との隙間を流れ、その隙間の圧力が低下するベルヌーイ効果により、当該基板が基板保持部へ向けて吸引されることにより基板を保持するように基板保持装置を構成する。この基板保持装置は基板搬送手段や基板位置合わせ手段にも適用することができる。 （もっと読む）

本発明は、概して、静電チャックベース、静電チャックアセンブリ及び静電チャックアセンブリのためのパックを含む。プラズマチャンバ内での基板の精密なエッチングは難題であるが、これはチャンバ内のプラズマによって基板全体の温度が不均一になるからである。基板全体に亘って温度勾配があることから、基板の縁の温度は、基板の中心の温度とは異なってしまう。基板の温度が均一でないと、基板上に配置された構造体の様々な層に特徴部が均一にエッチングされない。デュアルゾーン静電チャックアセンブリは、基板表面全体での温度勾配を相殺する。
（もっと読む）

【課題】処理部に対して高い位置精度にて基板を搬送することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】搬送ロボットＴＲ１は、熱処理タワー２２，２３に設けられた冷却ユニットから第１下地塗布処理部２１および第２下地塗布処理部１２１に設けられた塗布処理ユニットに基板Ｗを搬送する。また、搬送ロボットＴＲ２は、熱処理タワー３２，３３に設けられた冷却ユニットからレジスト塗布処理部３１およびレジストカバー膜塗布処理部１３１に設けられた塗布処理ユニットに基板Ｗを搬送する。冷却ユニットには、位置決め機構が設けられており、水平面内における基板Ｗの位置が基準位置に合わせ込まれる。基準位置に合わせ込まれた基板Ｗを搬送ロボットＴＲ１，ＴＲ２の吸着搬送アームが吸着保持して塗布処理ユニットに搬送するため、高い位置精度にて基板Ｗを搬入することができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板が基板保持機構によって適切に保持されているかを誤検知することなく正確に判断することができ、製造コストを低く抑えることができ、さらに、処理中に被処理基板が破損したとしても直ちにその破損を検知することができる。
【解決手段】処理装置１は、ウエハＷを保持する基板保持機構２０と、ウエハＷに処理液を供給する処理液供給機構３０と、ウエハＷを周縁外方から覆うとともに、基板保持機構２０と一体となって回転可能な回転カップ６１と、を備えている。基板保持機構２０は、一端２２ａでウエハＷを保持しているときには他端２２ｂが上方位置に位置し、他方、一端２２ａでウエハＷを保持していないときには他端２２ｂが下方位置に位置する保持部材２２を有している。当該保持部材２２の他端２２ｂの下方に、保持部材２２の他端２２ｂが下方位置に位置しているときに当該保持部材２２の他端２２ｂに接触可能な接触式センサー１０が配置されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体チップの移送，実装効率を改善することを目的とする。
【解決手段】ＸＹＺ方向に移動可能なボンディングヘッド２１と突き上げユニット２５とＸＹテーブルステージ３４を具備し、ボンディングヘッドは、ＸＹ方向に移動可能なボンディングヘッド軸２２とボンディングヘッド軸に取り付けられた複数個のコレットホルダー２３と複数個のコレット２３を備え、突き上げユニットは、複数の半導体チップからなるウェハが貼り付けられたリング状のシート２８とシート上でかつウェハの外側に配置されたリング２９と半導体チップを突き上げる突き上げピンを有したピンホルダー３１を備え、ＸＹテーブルステージはリングをＸＹ方向に移動する機能を備え、突き上げユニットの突き上げピンにより特定の半導体チップを突き上げ、その半導体チップをコレットにより吸着し、リードフレームに移送して実装することを特徴とするダイボンダー装置。 （もっと読む）

【課題】マスクの重力によるたわみを効果的に抑制する。
【解決手段】チャック１０は、基板１の下面を真空吸着して、基板１を水平に保持する。マスクホルダは、マスク２の周辺部を保持する複数の独立したホルダ部２４ａ，２４ｂを有し、マスク２をチャック１０に保持された基板１へ向き合わせて保持する。マスク２の周辺部を保持するホルダ部２４ａ，２４ｂを傾斜させて、マスク２に重力によるたわみと逆方向へ湾曲を与える。この湾曲によって、マスク２の重力によるたわみが打ち消され、マスク２のたわみが効果的に抑制される。 （もっと読む）

【課題】真空吸着状態が切れても基板の健全性を維持し、検査時に発見した基板の裏面の汚れ等をクリーニングすることを可能にする。
【解決手段】基板Ａの少なくとも裏面の目視検査を行うための基板検査装置１であって、基板Ａの裏面を真空吸着する吸着保持部６と、該吸着保持部６により吸着された状態の基板Ａの外周縁に接触して半径方向に挟む複数の接触部１０を有する押圧保持部８とを備える基板検査装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、水晶素子、セラミック素子、半導体素子等の電子部品に対して、たとえば、蒸着またはスパッタ等の処理を行う際にこれらを搬送する搬送装置および搬送装置の作製方法に関するものである。
【解決手段】本発明に使用する３層部材は、エッチング不可能な部材の両側からエッチング可能な部材によって挟まれている。また、前記３層部材には、一方の側に多数の被搬送部材を収納する収納部が形成されている。前記３層部材の上に載置される上部板は、前記収納部の開口とほぼ同じ大きさのテーパー状開口部を備えている。前記被搬送部材を収納する収納部は、垂直な側壁からなり、搬送中に被搬送部材がガタツクことがない。また、テーパー状開口部を備えた上部板は、前記被搬送部材を前記収納部に収納する際にガイドとなり、収納が容易になる。 （もっと読む）

【課題】粘着テープからチップを吸引コレットで真空吸着して剥離する場合において、割れや欠けの少ないピックアップ・プロセスを提供する。
【解決手段】コレット１０５がチップ１のデバイス面に向けて真空引きしながら降下し、着地する。ここで、吸着駒１０２の主要部である突き上げブロック１１０が上昇すると、チップ１はコレット１０５と突き上げブロック１１０に挟まれたまま上昇する。この時、チップ周辺は下側に応力を受け、湾曲することになる。そうするとコレット下面との間に隙間ができ、空気がコレット１０５の真空吸引系１０７に流入する結果、真空吸引系１０７に設けられたガス流量センサ２１の吸引量出力が増加する。ここで、ピックアップ部制御系１４４の指令により、突き上げブロック１１０の上昇を停止し待機状態を維持すると、ダイシングテープ４の剥離が進行して、チップ１の湾曲状態が緩和して許容範囲に戻る。 （もっと読む）