【目的】基板面内の温度分布をより均一に保つような支持台と熱源との構成を有する気相成長装置を提供することを目的とする。
【構成】ガスを供給する流路１２２及び排気する流路１２４が接続されたチャンバ１２０内でシリコンウェハ１０１に成膜する本発明の気相成長装置において、裏面に環状の凸部１１２を有し、シリコンウェハ１０１を支持するホルダ１１０と、表面位置が凸部１１２の先端よりもホルダ１１０側に位置するように凸部１１２の外周端より外側に配置されたアウトヒータ１５０と、さらに離れて配置されたインヒータ１６０と、を備えたことを特徴とする。本発明によれば、基板面内の温度分布を良好にすることができる。 （もっと読む）

【目的】シリコンウェハを支持するホルダへのシリコンウェハの貼り付きを低減することを目的とする。
【構成】チャンバ１２０内にはホルダ１１０上に載置されたシリコンウェハ１０１が収容され、前記チャンバ１２０には成膜するためのガスを供給する流路１２２及びガスを排気する流路１２４が接続されたエピタキシャル成長装置１００において、ホルダ１１０は、前記シリコンウェハ１０１に対しシリコンウェハ１０１面と同方向の移動を拘束する複数の凸部１１２を有し、前記シリコンウェハ１０１裏面と接触する面で前記シリコンウェハ１０１を支持することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体部品の加工を行っているときなど必要なときだけ半導体部品を保持することを可能にする。
【解決手段】保持部材３０３は、基板１５０の加工が行われる際に、装置本体の磁気発生器（図示省略）が発生する磁力の作用により案内溝３０２ｂに沿って基板１５０側へと摺動し、開口部３０２ａに収容されている基板１５０の側面に当接することで、基板１５０をそれ自体と対向する開口部３０２ａの内側面との間に保持する。また、保持部材３０３は、基板１５０の加工が終了した後は、装置本体の磁気発生器（図示省略）が発生する磁力の作用が及ばない領域に位置されることで、基板１５０を解放する。 （もっと読む）

【課題】マスク等の平面板を複数の支持体により支持するに際し、自重によるたわみを補償し、平面板を平面を保った状態で支持できるようにすること。
【解決手段】ステージベース１１上に高さが不変の固定式の支持体１と、高さが可変の変位式の支持体２とを合計４個以上設ける。固定式の支持体１は台座の上に回転軸受けを介して取り付けられた真空吸着部を有する。変位式の支持体２は、シャフトを上下動させるエアシリンダと、シャフトの先端に回転軸受けを介して取り付けられた真空吸着部と、シャフトの動きを規制し高さを固定する手段を有する。固定式の支持体１の真空吸着部でマスク２０を裏面から保持してマスク２０を３点で支持するとともに、変位式支持体２のエアシリンダにマスク２０の自重によるたわみをキャンセルするだけの推力を加えてマスク２０を押し上げてその位置で固定し、真空吸着部でマスク２０を裏面から保持する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理内容に応じて基板を良好に処理することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２が基板裏面に当接して基板を支持しながら基板表面に供給される窒素ガスによって基板Ｗを保持する第１保持モードと、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２が、基板Ｗが水平方向に移動した際に基板Ｗの端面に当接して基板Ｗの水平方向の移動を規制しつつ、基板裏面に当接して基板を支持しながら基板表面に供給される窒素ガスによって基板を保持する第２保持モードと、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２が基板裏面に当接して基板を支持しながら基板表面に供給される窒素ガスによって基板を保持する第３保持モードを有し、基板の処理内容に応じて保持モードを選択的に切り換える。 （もっと読む）

【課題】複数の基板処理装置を用いることなく、同一基板処理装置で複数種の被処理基板を逆汚染無く処理でき、又処理液に応じたローラー溝を使用することにより処理液の回収効率を向上させる基板処理装置及び基板処理方法を提供すること。
【解決手段】円板状の被処理基板Ｗの周縁部をチャックする平面上に配置された３個以上のローラー部材１１と、少なくとも１以上の前記ローラー部材を回転させるローラー回転駆動機構１２と、被処理基板Ｗの表面及び／又は裏面に処理液を供給する基板面処理ノズル１６等を具備する基板処理装置において、ローラー部材１１に被処理基板Ｗの周縁部が係合するローラー溝１１ａを上下方向に複数個所定のピッチで設けるか又は該ローラー溝１１ａを有するローラー部材１１を上下方向に複数個所定のピッチで設け、各溝を洗浄する洗浄ノズル１７と該各溝内に付着した液を吸引する吸引ノズル１８を設けた。 （もっと読む）

【課題】より高精度な検査面の位置を保つ基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板１０１を検査する基板検査装置において、水平方向に移動するＸＹステージ１２１と、ＸＹステージ１２１上に配置され、上下方向に移動するＺステージ１０３と、Ｚステージ１０３を３箇所で上下方向に移動させる圧電素子を有する３つのアクチュエータ機構１０７ａ、１０７ｂ、１０７ｃ、およびＺステージ１０３を支持する弾性ヒンジ１０８を備えた。また、Ｚステージ１０３上には基板１０１の中心を仮想中心軸として回転方向に移動するθステージ１０６が配置され、直線方向に移動するロッド３０８と、ロッド３０８に接続され弾性変形しながらθステージ１０６を回転させる弾性部材１１３とを備える。 （もっと読む）

【課題】ダイのサイズ変更やウェーハシートの変更又は経時変化に対して複数の突き上げ部材を最適な上昇量に容易に設定することができる。
【解決手段】ダイ２が貼り付けられたウェーハシート１の下面を吸着保持する吸着体１０の内側には突き上げ手段２０が配設されている。突き上げ手段２０は、外側から内側へ順次配設された３個の突き上げ部材２１、２２、２３からなり、突き上げ部材２３は上下駆動手段で上下駆動される連結上下動軸３０に連結され、連結上下動軸３０が上昇することにより、外側の突き上げ部材２１から順次内側の突き上げ部材２２、２３が上昇する。突き上げ部材２１には、吸着体１０に接触して上昇が停止させられるストッパ２４が上下位置調整可能に設けられ、突き上げ部材２２には、突き上げ部材２１に接触して上昇が停止させられるナット２７よりなるストッパが上下位置調整可能に設けられている。 （もっと読む）

【課題】精密基板の洗浄を行う洗浄装置において、汚染因子再付着防止、自然酸化形成の防止、ウォータマーク防止が可能な洗浄装置を提供する。
【解決手段】被洗浄基板２を容器３内に配置し、容器３内の雰囲気を測定する雰囲気計測器４と雰囲気を制御するガス供給手段５およびガス排気手段６、７を配置した洗浄装置１において、被洗浄面に対向した部位からガスを均一に供給するガス供給手段５、筒状固定軸１６、流体軸受け１７および回転支持部材１８からなる回転保持機構にガスを供給するガス供給手段２１、排水機構にガスを排気するガス排気手段７、洗浄液噴射時の雰囲気を制御するガスを供給するガス供給手段３１のいずれか一つ以上の手段を具備する。洗浄装置１内の雰囲気を測定する雰囲気計測器４は、任意のタイミングで計測可能であり、引火性成分、可燃性成分、または支燃性成分のいずれか１つ以上の成分を検出可能なものとする。 （もっと読む）

【課題】 基板の中央部と周辺部との間で精度良く温度勾配をつけつつ、熱処理を行うことができる基板熱処理装置を提供する。
【解決手段】 熱処理プレート１上の基板Ｗが中央支持部材５、周辺支持部材７、およびリップ部１９に当接することで、基板Ｗと熱処理プレート１との間に形成される微小空間は気密になる。この状態で微小空間の気体を排出することにより、基板Ｗを熱処理プレート１の上面側に吸引する。このとき、圧電素子１１を下方向に微小変位させて、中央支持部材５を下降させる。これにより、基板Ｗの中央部は熱処理プレート１の上面側に近づくように湾曲させることができる。この結果、基板Ｗの中央部のギャップは周辺部に比べて小さくなる。したがって、基板Ｗを加熱処理する際に、このギャップ差に応じた温度勾配を付けることができる。 （もっと読む）

【課題】粘着シートから半導体チップを確実にピックアップすることができるようにしたピックアップ装置を提供することにある。
【解決手段】粘着シートの上面に貼られた半導体チップを吸着ノズルによってピックアップする半導体チップのピックアップ装置であって、
上面が粘着シートの下面を吸着保持する保持面に形成されたバックアップ体１と、吸着ノズルによってピックアップされる半導体チップを粘着シートを介して突き上げる突き上げ部材１３と、バックアップ体に設けられ粘着シートの突き上げ部材によって突き上げられる半導体チップが貼着された部分を加熱するヒータ２４とを具備する。 （もっと読む）

【課題】接触部近傍隅部に洗浄水が残ることがないスピン乾燥機のためのワーク把持装置を提供する。
【解決手段】スピン軸、支持枠、複数の回動駒４２、ワーク載置面４２１、ワーク挟持面４２２、コイルバネ４１４、および、押圧手段を兼ねる飛散防止カバーを備えており、飛散防止カバー上部６４１によって押圧受け部４２５が押圧されたとき、ワーク載置面４２１が窪んだ円錐面に沿うように傾斜した状態となることによって、この状態のワーク載置面４２１にワークＷがそのエッジ部にて載置され、飛散防止カバー上部６４１が押圧受け部４２５の押圧を解除するとき、ワークＷのエッジ部がワーク載置面４２１に沿ってせり上がり、ワーク挟持面４２２に接触して停止し、ワークが把持される。 （もっと読む）

【課題】 被処理基板を挟持部材付近からの液跳ねを最少にして被処理基板の処理能力を上げると共に、高品質の処理ができる枚葉式基板処理装置を提供すること。
【解決手段】
枚葉式基板処理装置は、被処理基板を挟持する複数本のチャックピン１５が外周囲に所定間隔で配設された円盤状の回転テーブル３と、この回転テーブル３に挟持された被処理基板Ｗを覆う回り込み防止部材１６と、回転テーブル３に連結されてこのテーブルを回転させる駆動回動機構４と、被処理基板に処理液を供給する処理液供給管６とを備えている。
チャックピン１５は、被処理基板Ｗを挟持するクランプ部１５ｂと、このクランプ部１５ｂの頂部から延びた円錐状に尖った針状部１５ｃとで形成されている。 （もっと読む）

【課題】 可動部分に直接冷媒を供給することなく、可動部分の温度を高精度に調節することが可能な温調機能付きステージを提供する。
【解決手段】 基準ベース（２）がＸＹＺ直交座標系の基準となる。基準ベースに第１のテーブル（１０）が支持されている。Ｘ移動機構（２１、２２）が、Ｘテーブル（２０）を、Ｘ方向に移動可能に、第１のテーブルに支持する。Ｘテーブルに保持機構（５０）が支持されている。保持機構は、対象物（５１）を保持してＸテーブルと共にＸ方向に移動する。温調機構（６０、６１）が第１のテーブルの温度を調節する。第１のテーブルが、ＸＹ面に平行な第１の受熱表面（１０Ｂ）を含み、Ｘテーブルが、第１の受熱表面に間隙を隔てて対向する第１の放熱表面（２０Ｔ）を含む。Ｘ移動機構は、ＸＹ面内方向に関して、前記第１の受熱表面と第１の放熱表面とが重なる領域よりも外側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】 ウエハを機械的に授受しつつサセプタを回転可とする。
【解決手段】 処理室１１内でウエハ１を保持するサセプタ４０と、サセプタ４０を回転させる回転ドラム３５と、回転ドラム３５内で回転しない支持軸２６に支持されサセプタ４０の下からウエハ１を加熱する加熱ユニット２７とを備えており、回転ドラム３５と加熱ユニット２７とが処理室１１を昇降するように構成されており、処理室１１内にはウエハ１をサセプタ４０に対して昇降させるウエハ昇降装置５０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 ガードリングの均熱性を保つことによって、基板の均熱性を保つことを可能とする。
【解決手段】 熱処理装置は、ウェハＷを収容する加熱容器１０と、加熱容器１０外に設けられ、加熱容器１０内に収容されるウェハＷを加熱するランプユニット３０と、加熱容器１０内に設けられ、加熱容器１０内に収容されるウェハＷを保持するためのサセプタ２２とを備える。熱処理装置は、さらに、サセプタ２２に保持されて、ウェハＷの周縁部を支持するリング状のガードリング２５と、サセプタ２２に保持されて、ガードリング２５の外周部に、ガードリング２５と同じ材料で構成され、ガードリング２５に対して近接させてリング状に配設されるガードリングガード２６とを備える。 （もっと読む）

【課題】ウエハ押え蓋を半導体ウエハ上に載せるときに、ウエハ押え蓋の先端部が半導体ウエハ上を擦り、この部分に傷が発生しやすい。
【解決手段】リング状のフランジ部４およびこのフランジ部４の内側に形成された半導体ウエハ載置用の段部５を有するウエハホルダ２と、このウエハホルダ２に載置された半導体ウエハＷを押さえるウエハ押え蓋３とを備えたウエハ保持治具であって、 前記フランジ部４の内側面には、半導体ウエハＷの外周面の一部をガイドするガイド部４aを有し、前記フランジ部４には、前記ガイド部４a付近においてその厚みを他の部分より厚くした肉厚部９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】フラッシュランプを用いて急速加熱する半導体ウエハが割れることなく、且つ、該半導体ウエハが飛び跳ねることが無い半導体ウエハ急速加熱装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ急速加熱装置は、複数本配列されたフラッシュランプ５と、該フラッシュランプ５から放射される光を被加熱物側に反射する反射板６と、からなる光源部２、半導体ウエハＷを支持する支持用台１０を配置した加熱処理チャンバ３、を具備し、前記支持用台１０は、該支持用台上に凹部が設けられ、該凹部を覆うように該半導体ウエハＷを配置した場合に、該支持用台１０と該半導体ウエハＷとの間に空間が形成される。 （もっと読む）

【課題】基板の平面度を維持したまま裏面を非接触状態で保持する。
【解決手段】チャック本体２は基板を保持するものである。リム３は、基板５０の形状に従ってチャック本体２に設けられる。吸着口３１〜３３は、リム部の上面に設けられ、支持部材５１〜５３を吸着することによって基板５０を保持する。エア供給口７１〜７６は、基板５０に対して下側からエアを吹きつける。エア排気口４１〜４６，９１〜９６は、基板５０とチャック本体２とリム３とによって形成される空間内の空気を排出する。エア供給口７１〜７６から基板５０にエアが吹きつけられるので、基板５０の裏面はチャック本体２に接触しなくなる。基板５０とチャック本体２とリム３とによって形成された空間には所定量の圧力（エア）が供給され、排出されるので、空間内は所定の気圧に保たれる。この気圧によって基板５０の自重によるたわみが矯正され、基板のたわみは減少し、平面度が維持されるようになる。 （もっと読む）

【課題】電気研磨および／または電気めっきプロセスにおいて、ウェーハを移動させるロボットアセンブリにおいて、エンドエフェクタ真空カップ内の粒子を取除き、真空通路に酸などが入るのを防止する装置および方法を提供する。
【解決手段】エンドエフェクタ３０６は、真空弁３２２を介して真空源と、窒素弁３２０を介して加圧窒素源と連結されている。真空弁３２２がオンされると、ウェーハをエンドエフェクタ３０６に押し付けて保持するように、真空カップ３０２内の圧力を低下させる。真空弁３２２がオフされ、かつ、窒素弁３２０がオンされると、エンドエフェクタ３０６は、真空カップ３０２内の圧力が増大されウェーハを開放する。ウェーハが保持されていない時、または移動されていない時は窒素弁３２０をオン状態のままにして、真空カップ３０２内において周囲環境圧力に近いか、またはこの周囲環境圧力よりも高い圧力を維持する。 （もっと読む）