【課題】レーザー照射により捺印を形成する工程における半導体ウェハの搬送を容易にする固定治具およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の固定治具１は、平面視でＣ字形状を呈するクランパ３と、クランパ３に配置された半導体ウェハの周囲に接触するクランプリング２とから主に構成されている。更に、クランパ３の内側端部を厚み方向に窪ませて段差部６が設けられており、半導体ウェハはこの段差部６に収納された状態で、クランプリング２により固定される。この様に固定治具１により半導体ウェハを固定することにより、捺印工程における半導体ウェハのハンドリングが容易になる利点がある。 （もっと読む）

【課題】スライド機構により被加工物を収納する際に、被加工物が収納手段から飛び出してしまうのを確実に防止する。
【解決手段】搬送手段が収納手段３１から被加工物Ｗ１を搬出して保持手段に搬送し、保持手段に保持された被加工物Ｗ１が加工される加工装置において、収納手段３１は、搬送手段側に開口する第一の搬送口３２０とオペレータ側に開口する第二の搬送口３２１とを有する枠体３２と、第二の搬送口３２１を介して枠体３２から引き出し可能な被加工物載置台３３と、被加工物載置台３３を第二の搬送口３２１を介して引き出された状態から枠体３２の中に押し込む際の慣性力によって被加工物載置台３３０に載置された被加工物Ｗ１が第一の搬送口３２０から飛び出すのを一定の力で防止する掛止部３３４とを有し、搬送手段が被加工物Ｗ１を第一の搬送口３２０を介して搬出入する際には掛止部３３４による掛止を解除する。 （もっと読む）

【課題】エキスパンド状態を保持するための部品を設ける必要を無くし、製造コストおよび工数の低減を図ったウエハ加工用テープ及びウエハ加工用テープを用いて半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハ加工用テープ１０は、基材フィルム１１とその上に形成された粘着剤層１２とからなる粘着フィルム１３と、粘着フィルム１３上に積層された接着剤層１４とを有する。粘着剤層１２は、上層粘着剤層１２ａと下層粘着剤層１２ｂとが積層された２層構造の粘着剤層である。上層粘着剤層１２ａは、放射線重合性化合物と、第１の波長λ１の光に反応する第１の光重合開始剤とを含む。下層粘着剤層１２ｂは放射線重合性化合物と、第２の波長λ２の光に反応する第２の光重合開始剤とを含む。下層粘着剤層１２ｂを硬化させることにより、特別な部品を用いずにエキスパンド状態を維持することができる。 （もっと読む）

【課題】処理チャンバの気密性を維持しながら、チャンバ内部での基板の保持およびその解除をチャンバ外から行う。
【解決手段】基板を保持する爪部材３４５から上方にリフタ３４４および縦ロッド３７２が延設される。縦ロッド３７２はバネ３７１が取り付けられたスライダ３７０によって内側に付勢されている。爪部材３４５が第１プレート３４の直下まで上昇した状態では、縦ロッド３７２と横ロッド３７４とが互いに係合している。横ロッド３７４は、処理チャンバの上板１１の上部に突出するハウジング３７３の側面にベローズ３７６を介して取り付けられた隔壁形成部材３７５に接続されており、エアシリンダ３７７の作動により隔壁形成部材３７５が水平方向に移動すると、これに伴って爪部材３４５が左右に動き、基板の保持・解除を切り換える。 （もっと読む）

【課題】 狭持に基づく基板の歪みを低減する基板ホルダーを提供する。
【解決手段】 ホルダー本体１の凹部に設けられたプレート５の三箇所に、それぞれ、バネ９ａ，９ｂ，９ｃの弾性力によりガラス乾板１０を押し上げる為のピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃとピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃが設けられている。ピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃの各ピン支持部は筒状に成してあり、ピン支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃの各筒状部と各ピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃの下方側面それぞれとの間にオーリング６２ａ，６２ｂ，６２ｃが挿入されており、ピン６０ａ，６０ｂ，６０ｃがそれぞれピン支持体支持体６１ａ，６１ｂ，６１ｃ上で回転可能に成してある。 （もっと読む）

【課題】真空中で迅速に基板を反転させる技術を提供する。
【解決手段】本発明の基板反転装置２０は、真空槽であるチャンバー２１内において、基板５０を昇降させる昇降機構６０と、基板５０を挟んで保持する把持部４１ａ、４２ａを有する基板保持機構４Ａ〜４Ｄと、基板保持機構４Ａ〜４Ｄの把持部４１ａ、４２ａを回転させて基板５０の上下関係を反転させる基板回転機構３０とを有する。本発明においては、基板５０を保持した状態で、水平方向に延びる直線を回転軸として基板回転機構３０を１８０°回転させる。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングにおいて、サイドエッチングの発生を抑制する。
【解決手段】半導体素子を形成する領域に溝を形成するためのマスクを半導体膜の一方に備え、絶縁膜をその半導体膜の他方に備える半導体基板をドライエッチング装置の下部電極上にマスクを備える面が被加工面になるように置き、前記半導体基板の外周部を前記下部電極と略同電位となる金属性のクランプにて押さえ、前記絶縁膜をエッチングストッパ層とするドライエッチングを開始し、すくなくとも、前記領域の周囲に形成される溝の底面が前記絶縁膜に達した後は、前記領域と前記クランプとを電気的に絶縁状態にする。 （もっと読む）

【課題】ドライエッチングを行う際のサイドエッチングを抑制する。
【解決手段】半導体素子の形成のための溝に対応するマスクを半導体膜の一方に備え、絶縁膜をその半導体膜の他方に備えるＳＯＩ基板などの半導体基板をドライエッチング装置の下部電極に置き、下部電極との間にコンタクトなどが配置されて下部電極と略同電位となる金属性のクランプにより絶縁部材を介して前記半導体基板を押さえて半導体基板を下部電極に固定し、前記絶縁膜をエッチングストッパ層としてドライエッチングを行う。 （もっと読む）

【課題】永電磁石を有するキャリヤの温度を制御する技術を提供する。
【解決手段】磁性材料を含むマスクを基板を介して磁気吸引することにより前記マスクおよび前記基板を保持するキャリヤは、支持体と、前記支持体に組み込まれた永電磁石と、前記支持体に設けられた温調流路と、前記温調流路を外部の温調装置の管路と接続するためのジョイントと、前記ジョイントの内部又は付近に設けられて、前記温調流路に温調媒体が充填された状態で前記温調流路を閉塞するための弁とを備える。 （もっと読む）

【課題】 カーフチェックを行っても生産性を低下させることのない切削装置を提供することである。
【解決手段】 被加工物を保持するチャックテーブルと、該チャックテーブルに保持された被加工物を切削する切削ブレードを回転可能に支持した切削手段と、該チャックテーブルに保持された被加工物を撮像する撮像手段と、被加工物に対して該チャックテーブルをＸ軸方向に相対的に移動して該切削手段と該撮像手段とに該チャックテーブルを位置付けるとともに加工送りするＸ軸送り機構とを備えた切削装置であって、前記撮像手段は、撮像領域に対面する対物レンズと、該対物レンズの光軸上に配設された撮像カメラと、該撮像領域にストロボ光を照射するストロボ光源と、該撮像カメラで撮像された画像を処理する画像処理部とを含んでいることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】空気のかみ込みを解消でき、しかも一対の平板状のワークを高い精度で平行に貼合して、製品の歩留まりを向上できるワーク貼合装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー２の内部に、ワークホルダー８を支持するテーブル４と、貼合ダイヤフラム５を設ける。ワークホルダー８は、貼合台２２と、第１・第２の両ワークＷ１・Ｗ２を所定の対向隙間をあけた状態で支持するワーク保持構造２３を備えている。貼合ダイヤフラム５は、貼合台２２の側へ向かって突弧状に膨張変形できる金属製のダイヤフラム膜１４と、圧力室１５を備えている。真空チャンバー２内の空気を真空源３で排気し、圧力室１５に作動流体を供給してダイヤフラム膜１４を膨張変形させた状態でテーブル４を駆動して、第２ワークＷ２を第１ワークＷ１に対して中央部分から周辺部へ向かって貼合する。 （もっと読む）

【課題】複雑な減圧制御を必要とすることなく減圧下で接着シートを介して被着体をリングフレームに一体化させることのできるマウント装置及びマウント方法を提供すること。
【解決手段】リングフレームＲＦと、半導体ウエハＷとを支持するテーブル１１と、リングフレームＲＦに接着シートＳを貼付する貼付手段１３と、前記テーブル１１を収容して内部に単一の減圧室Ｃを形成するケース１２と、テーブル１１に相対する位置に配置された挟込手段３７とを含み、挟込手段３７は、減圧室Ｃを減圧した状態でテーブル１１と相互に作用して半導体ウエハＷの外周部のみを接着シートＳと共に挟み込む。そして、減圧室Ｃの減圧を解除することで、接着シートＳに半導体ウエハＷが貼付され、当該半導体ウエハＷとリングフレームＲＦとが一体化される。 （もっと読む）

【課題】チャンバ内部の上下温度差による熱帯流の発生を根本的に抑える金属有機化学気相蒸着装置を提供する。
【解決手段】反応チャンバ１１０と、上、下部蓋１１１，１１２に備えられる上、下部サセプタ１２１，１２２を備え、上部蓋１１１と上部サセプタ１２１間、および下部蓋１１２と下部サセプタ１２２間に備えられる加熱部１３１，１３２と、上、下部中空軸を回転中心にし上、下部サセプタ１２１，１２２を一方向に回転させる動力を提供する回転駆動部１４０と、上、下部中空軸に連結され、上、下部中空軸間を連結する中央ガス供給ノズル１５３を通じ対向する上、下部サセプタ１２１，１２２の対応面間に反応ガスを供給するガス供給部１５０と、上、下部蓋１１１，１１２の外枠に接するよう配置され、反応チャンバ１１０の内部空間と連結されウェーハと反応が完了した反応ガスを外部に排出するガス排気部１６０とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高速回転時にウェーハを確実に支持し、ウェーハ上に均一な成膜を行うことが可能な半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体製造装置は、反応室１１内の所定位置でウェーハｗを下面側より支持する第１の支持部材１７と、この第１の支持部材１７の上方に設けられ、ウェーハｗの外周縁部を上面側より全周に亘って支持する第２の支持部材１８を備え、ウェーハｗを第１および第２の支持部材と共に回転させながら加熱し、均一に成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】成膜処理工程において、成膜領域を限定することなくウエハとクランプリングの癒着を防止し、チッピングを防止した上でウエハを確実に固定することのできるクランプリングを提供する。
【解決手段】ウエハの主面上に膜を堆積する際に、前記ウエハを前記主面側から押さえつけて固定するウエハ用クランプリングであって、前記ウエハの固定時に、前記主面の外周部の全周に当接する当接部と、前記当接部の上部から前記ウエハの内側に延び、前記ウエハの固定時においても前記主面と接しないように設けられた、ひさし部と、を具備し、前記当接部は、第１当接部と第２当接部とからなり、前記当接部における内外方向の幅は、前記第１当接部の方が前記第２当接部よりも広い。 （もっと読む）

【課題】粘着テープからチップを吸引コレットで真空吸着して剥離する場合において、割れや欠けの少ないピックアップ・プロセスを提供する。
【解決手段】コレット１０５がチップ１のデバイス面に向けて真空引きしながら降下し、着地する。ここで、吸着駒１０２の主要部である突き上げブロック１１０が上昇すると、チップ１はコレット１０５と突き上げブロック１１０に挟まれたまま上昇する。この時、チップ周辺は下側に応力を受け、湾曲することになる。そうするとコレット下面との間に隙間ができ、空気がコレット１０５の真空吸引系１０７に流入する結果、真空吸引系１０７に設けられたガス流量センサ２１の吸引量出力が増加する。ここで、ピックアップ部制御系１４４の指令により、突き上げブロック１１０の上昇を停止し待機状態を維持すると、ダイシングテープ４の剥離が進行して、チップ１の湾曲状態が緩和して許容範囲に戻る。 （もっと読む）

このクランプデバイスは、第１の力を使用して、強制的にオブジェクトとサポートを互いに離すように構成された第１のデバイスと、第２の力を使用して、強制的にオブジェクトとサポートを互いに近づけるように構成された第２のデバイスとを備え、第１のデバイスおよび第２のデバイスは、それぞれ第１の力および第２の力を同時に加え、オブジェクトを所望の形状に整形してからサポート上でのオブジェクトのクランプを完了する。
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【課題】基板のクランプおよび解除を自動化するとともに、大型化に伴う基板の持つたわみ量を減少させて固定保持させることと、これに伴い成膜時に成膜面側に凸となる変形を阻止することのできる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板保持枠１１に基板１２を保持して搬送を行うための基板搬送装置であって、基板保持枠１１に回動可能に支持されたクランプ軸１３と、クランプ軸１３に取り付けられ基板１２周辺を押圧保持するクランプアーム１４と、クランプ軸１３を基板押圧方向に付勢するバネ１５とから成る保持機構１６を備えた。 （もっと読む）

【課題】 挟持すべき基板等の厚さに依存せず、略一定の締付力で基板等を挟持できるようにした簡単な構造のチャック装置を提供する。
【解決手段】 被処理物Ｔが設置される設置面２ａから突設され、この設置面との間で被処理物に締付力を付与して被処理物を挟持するチャック手段１３と、この被処理物の挟持位置及び被処理物から離間した解放位置の間でこのチャック手段を駆動するエアーシリンダ１４と、エアーシリンダ内を摺動するピストンに作用する空気圧を切り換える切換手段１６とを備える。チャック手段の挟持位置でピストンに作用する空気圧を独立して変更する空気圧変更手段２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】基板の中心とステージの中心が一致しない場合であっても、基板を確実にクランプすることができる基板クランプ機構を提供すること。
【解決手段】基板クランプ機構を、４本のクランプバー４１Ａ〜４１Ｄと、各クランプバーに対応した移動ユニット４２Ａ〜４２Ｄとから構成する。移動ユニット４２Ａは、クランプバー４１Ａを上下移動させるエアシリンダ５２と、クランプバー４１ＡをＸ方向に移動させるタイミングベルトと、クランプバー４１Ａと共に移動して基板端縁を検出するフォトセンサ５９とを有する。 （もっと読む）