【課題】ウエーハが位置ずれを起こして搬送された場合には意図的に正常時と同様なウエーハの吸引保持ができないようにして、ウエーハが位置ずれを起こしたままでの洗浄動作等のその後の動作への移行を未然に防止できるようにする。
【解決手段】回転テーブル２０の回転によって生ずる遠心力で外周側に揺動する重り部２８１ｂと該重り部２８１ｂの外周側への揺動に追従して内周側に揺動しフレームＦをフレーム保持部２６とで挟持する押さえ部２８１ａとを有する振り子２８１を備えるとともに、押さえ部２８１ａが初期状態から外周側へ揺動しないように振り子２８１の揺動を規制する規制部３３を備えることで、ウエーハＷが位置ずれを起こして搬送された場合には該ウエーハＷと一体となったフレームＦが押さえ部２８１ａ上に載っても規制部３３によって振り子２８１の揺動を規制し、意図的に吸着エラーを生じさせるようにした。 （もっと読む）

【課題】基板をチャックするチャック部材を提供する。
【解決手段】チャック部材は、基板の側部をチャックし、回転中心から偏心されたチャックピンを備える。チャックピンは流線形（ｓｔｒｅａｍｌｉｎｅ ｓｈａｐｅ）からなり、基板の回転により発生する気流の流れに対して前端に位置する第１前端部と、後端に位置する第１後端部を含む。第１前端部は第１尖端部を備え、第１後端部は丸い形状を有する。 （もっと読む）

【課題】高精度の位置決めと強力な基板の押し付けとが可能な基板保持装置を提供する。
【解決手段】基板５の外周側面５１の下側５２を支える傾斜面９を有し、基板５の法線を回転軸２９として基板５と一体になって回転する回転台４と、回転台４と一体になって回転し、回転に先立って外周側面５１の上側５３の周上の複数の場所を押して、基板５を回転台４上の所定の位置に拘束する位置拘束手段１１と、回転台４と一体になって回転し、回転中に上側５３の周上の複数の場所を押して、基板５を傾斜面９に押し付ける押付手段１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】予め設定された大きさよりも小さい試料基板を装置内の試料基板保持部で保持することができる保持治具を提供する。
【解決手段】半導体処理装置内で予め設定された大きさの試料基板を保持する試料基板保持部に取り付けられる保持冶具１００であって、試料基板と略同じ大きさを有し、試料基板の大きさよりも小さい試料基板８００の一面を露出した状態で小さい試料基板８００の一面に対する裏面を支持する冶具本体２００を備え、冶具本体２００には、小さい試料基板の裏面を露出する穴２１０が設けられた。 （もっと読む）

処理チャンバ及び処理チャンバ内において基板支持アセンブリ上に位置決めされた基板の温度を制御するための方法を提供する。基板支持アセンブリは、熱伝導体と、この熱伝導体の表面上に在り且つその上で大面積基板を支持するように適合された基板支持表面と、熱伝導体内に埋設された１つ以上の加熱要素と、１つ以上の加熱要素と同一平面となるように熱伝導体内に埋設された２つ以上の冷却チャネルを含む。冷却チャネルを、２つ以上の長さの等しい冷却路に分岐してもよく、分岐冷却路は単一の流入口から単一の流出口に延びており、等しい抵抗冷却が得られる。
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【課題】基板を正確に位置合わせして保持する。保持を開放するときの衝撃を緩和する。
【解決手段】スピンチャック１は、ウエハＷの周縁部の異なる位置にそれぞれ当接してウエハＷほぼ水平姿勢に保持）する３個の位置決め保持部材Ｆ１〜Ｆ３および３個の補助保持部材Ｓ１〜Ｓ３を備えている。位置決め保持部材Ｆ１〜Ｆ３は第１動作変換機構ＦＴ１によって連動して動作させられ、補助保持部材Ｓ１〜Ｓ３は第２動作変換機構ＦＴ２によって連動して動作させられる。ウエハＷを保持するとき、まず位置決め保持部材Ｆ１〜Ｆ３によってウエハＷを位置決めして保持し、その後に補助保持部材Ｓ１〜Ｓ３によってウエハＷを補助的に保持する。ウエハＷの保持を開放するとき、まず、補助保持部材Ｓ１〜Ｓ３による保持を解除し、その後に位置決め保持部材Ｆ１〜Ｆ３による保持を解除する。 （もっと読む）

【課題】ウエハをステージに確実に安定して固定できるようにしたウエハ固定装置を提供する。
【解決手段】ウエハ固定ねじ２０の頭部２０ＢをウエハＷに当接させる。そして、ウエハ固定ねじ２０のねじ部２０Ａにウエハ固定ナット３０を締結する。これにより、ウエハ固定ねじ２０とウエハ固定ナット３０とによる締結力を頭部２０ＢとウエハＷとの間に直接伝え、ウエハＷをウエハ固定ねじ２０の頭部２０Ｂとステージ１０のウエハ収容凹部１２の溝底との間で挟持した状態でウエハＷを確実に固定する。 （もっと読む）

【課題】パターニングデバイスの改良された曲げ機構によってパターニングデバイスの望ましくない曲がりを補正することができるリソグラフィ装置を提供する。
【解決手段】パターニングデバイスを支持するように構成された支持体を有するリソグラフィ装置が開示される。パターニングデバイスはパターン化された放射ビームを形成するために放射ビームの断面にパターンを与えることができ、支持体はパターニングデバイスを支持体にクランプするように構成された支持クランプを含む。リソグラフィ装置はさらに、クランプされたパターニングデバイスに曲げトルクを加えるように構成された曲げ機構を有し、曲げ機構は支持クランプによってパターニングデバイスに加えられたクランプ力を実質的に減少させることなしにクランプされたパターニングデバイスに作用するよう構成された力／トルクアクチュエータを備える。 （もっと読む）

【課題】装置のイニシャルコスト、ランニングコストを低くでき、広い設置スペースを必要とせず、短い処理時間で銅又は銅合金による回路配線を形成でき、且つクロスコンタミネーションの原因となるエッジ・ベベル部に銅膜が残ることのない半導体基板処理装置を提供する。
【解決手段】回転軸線を中心に回転する回転部材と、回転部材の前記回転軸線を中心とした同一円周方向に沿って配置され該回転部材の回転に伴って公転する保持部材とを有し、保持部材は、該保持部材の軸心を中心に回動するように構成された回転保持装置で保持した半導体基板を洗浄する洗浄ユニットを有する。 （もっと読む）

【課題】ノッチ位置とウエハ端部把持機構の相対位置によらずノッチの検出が行える高速でスループットの安定したウエハプリアライメント装置を提供する。
【解決手段】ウェハ外周を把持するウェハ端部把持機構１と、ウェハのノッチ位置をセンサによって検出するノッチ位置検出部３と、ウェハを所望の角度へ回転させるウェハ搭載ステージ１００と、を備えたウェハプリアライメント装置において、ウェハ端部把持機構１のウェハの外周に接触する爪部１１を、爪部１１のウェハの外周方向の幅が、ウェハのノッチの開口幅よりも小さく形成されるようにした。 （もっと読む）

【課題】真空吸着した基板がこの真空吸着力によって撓むことなく、且つシール材の材質に関係なく確実に基板の引き剥がしができる基板保持装置を提供する。
【解決手段】吸着ヘッド２０８９の下面に基板の裏面を吸着保持する基板保持装置において、基板保持装置には、吸着ヘッド２０８９の下面外周に位置して、基板の裏面をリング状に真空吸着するとともに基板の裏面の真空吸着した部分より内側への処理液の浸入を防止してシールするリング状の基板吸着部２０９５と、基板吸着部２０９５に吸着した基板を吸着ヘッド２０８９から引き離す方向に押圧するプッシャ２１００が取り付けられている。 （もっと読む）

【課題】コストを抑制しながらも、基板保持回転機構に精密に位置決めされた状態で基板を保持させることができ、これにより、安定な基板処理を実現できる基板処理装置および基板搬送方法を提供する。
【解決手段】この基板処理装置は、基板Ｗを保持して回転するためのスピンチャック４と、このスピンチャック４に設けられ、所定の基板保持位置に基板Ｗを位置決めするための位置決めガイド５５と、スピンチャック４に基板Ｗを渡す基板搬送ロボット５２とを備えている。基板搬送ロボット５２の基板保持ハンド６０には、シリンダ７０に結合された落とし込みガイド７５が後方に設けられている。ハンド駆動機構５３およびシリンダ７０は、基板他を位置決めガイド５５の位置決め面５７に押し付けることにより、基板Ｗを位置決めする。 （もっと読む）

【課題】大気圧に戻した時のバルーンのたるみを防止することができるクランプ構造を提供する。
【解決手段】円環平板状上壁２と、上壁２の内周縁３に起立状に連設される外周壁４と、外周壁４の上端縁５に倒立Ｕ字型折返壁６を介して連設される内周壁７と、内周壁７の下端縁８に内周縁９が連設される円環平板状下壁10を有するゴム製バルーン１を、備え、バルーン１内に圧縮ガスを供給してバルーン１を膨張させてウエハクランプ状態とするクランプ構造に於て、バルーン１が、自由状態では、外周壁４と内周壁７が相互に平行かつ鉛直状となるとともに、外周壁４と内周壁７の間に円筒状隙間Ｓを形成し、取付非膨張状態では、外周壁４の下端縁18が内周壁７へ接近して外周壁４が傾斜状になり円筒状隙間Ｓの間隔寸法Ｗが下方へ減少するように、下保持治具13及び上保持治具14に取付けられている。 （もっと読む）

【課題】 基板裏面を汚染することなく、基板を安定的に位置保持できる基板搬送・処理装置を、簡単低コストに提供する。
【解決手段】 基板が搭載されたときに、基板の自重により回転する基板把持手段１１０を備え、基板の自重により発生した力により確実に安定的に基板を把持することができる。 （もっと読む）

【課題】外気の流入を抑えることができるワーククランプ装置を提供する。
【解決手段】搬送レール２の側面３１にアーム挿入穴４１を開設し、アーム挿入穴４１にクランプアーム３２を挿入する。クランプアーム３２にシャッター５１を設け、シャッター５１を搬送レール２の側面３１に密接する。クランプアーム３２にワーククランプ８１を固定し、ワーククランプ８１を搬送部１３内配置する。このワーククランプ８１をプロセス用開口部２１の下方領域８３まで延出し、搬送部１３内のリードフレームＲを押さえられるように構成する。 （もっと読む）

【課題】例えば半導体部品の加工を行っているときなど必要なときだけ半導体部品を保持することを可能にする。
【解決手段】保持部材３０３は、基板１５０の加工が行われる際に、装置本体の磁気発生器（図示省略）が発生する磁力の作用により案内溝３０２ｂに沿って基板１５０側へと摺動し、開口部３０２ａに収容されている基板１５０の側面に当接することで、基板１５０をそれ自体と対向する開口部３０２ａの内側面との間に保持する。また、保持部材３０３は、基板１５０の加工が終了した後は、装置本体の磁気発生器（図示省略）が発生する磁力の作用が及ばない領域に位置されることで、基板１５０を解放する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理内容に応じて基板を良好に処理することができる基板処理装置および方法を提供する。
【解決手段】第１支持ピンＦ１〜Ｆ１２が基板裏面に当接して基板を支持しながら基板表面に供給される窒素ガスによって基板Ｗを保持する第１保持モードと、第２支持ピンＳ１〜Ｓ１２が、基板Ｗが水平方向に移動した際に基板Ｗの端面に当接して基板Ｗの水平方向の移動を規制しつつ、基板裏面に当接して基板を支持しながら基板表面に供給される窒素ガスによって基板を保持する第２保持モードと、第１および第２支持ピンＦ１〜Ｆ１２、Ｓ１〜Ｓ１２が基板裏面に当接して基板を支持しながら基板表面に供給される窒素ガスによって基板を保持する第３保持モードを有し、基板の処理内容に応じて保持モードを選択的に切り換える。 （もっと読む）

【課題】電気めっきおよび／または電解研磨プロセス中にはウェーハを保持し、電荷をウェーハに印加することのできるウェーハチャックの提供。
【解決手段】ウェーハ１６０２の電気めっきおよび／または電解研磨中にウェーハを保持するためのウェーハチャックアセンブリ１６００が、ウェーハ１６０２を受容するためのウェーハチャック１６０４を有している。ウェーハチャックアセンブリ１６００はさらに、第１の位置と第２の位置との間でウェーハチャック１６０４を運動させるためのアクチュエータアセンブリ１８６０をも有している。第１の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は開かれている。第２の位置にあるとき、ウェーハチャック１６０４は閉じられている。 （もっと読む）

【課題】研磨対象のウエハをより均一な状態で基板フォルダに貼り付ける。
【解決手段】貼り付け室１１１及びダイヤフラム室１２１を排気し、例えば、１０００Ｐａ程度に減圧し、貼り付け室１１１及びダイヤフラム室１２１が同様に減圧された状態で、温度制御機構１０６を動作させ、基板ホルダー１０３が１５０℃程度に加熱された状態とする。この後、ダイヤフラム加圧部１２５を動作させ、ダイヤフラム室１２１にエアを送り込み、ダイヤフラム１０４を真空チャンバー下部１０１の側に張り出させ、変形したダイヤフラム１０４によりウエハＷを基板ホルダー１０３の側に押し付ける。 （もっと読む）

【課題】板状ワークの周縁を正確にクランプしてターンテーブルに固定することができるとともに、ターンテーブルが回転中にワーク周縁のクランプ位置を変更することができ、洗浄残しや乾燥不十分な箇所が生ずることのないスピン処理装置を提供すること。
【解決手段】ターンテーブルの外周部に、支点部材を中心に揺動して前記ワークの周縁部をクランプする複数のクランパを配置し、クランパを揺動させる複数の流体シリンダをターンテーブル内部に設け、歯車等を介さずに直接クランパを駆動できるようにし、単純な機構で確実にワークをクランプすることができるとともに、複数の流体シリンダを独立して制御できるようにした。 （もっと読む）