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Fターム[5F031HA32]の内容

ウエハ等の容器、移送、固着、位置決め等 (111,051) | 処理時の固着、保持 (16,861) | ステージ、チャック、サセプタ (15,090) | 固着力の解除、保持面からの離脱 (1,052)

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【課題】 本発明は、ガラス基板やフィルム基板等の基板どうしを貼り合わせる際に、両基板の間隔が不均一にならず、液晶表示のコントラストが不均一になる等の問題が生じにくい粘着チャック装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 粘着チャック装置1は、図1(a)、(b)に示すように、ベース部材11上に、粘着部材12を有する。ベース部材11には貫通孔13を複数有し、該貫通孔13は後述するように、ガラス基板やフィルム基板等の基板を粘着部材12から剥離する際に使用する気体等を供給するためのものである。実施形態においては、粘着部材12は凹部14を有し、上記剥離する際に使用する気体等が供給しやすいようになっている。基板を保持する前記粘着部材12が伸縮する。前記粘着部材12は、粘着部と非粘着部を有し、ウレタンゲルを含むことが好ましい。また、前記粘着部材12内に押圧部材を有することが好ましい。 (もっと読む)


基板支持構造体(13)が、周囲環境よりも低い圧力を有する液体のクランプ層(11)によって創られた毛細管力によって基盤(12)をクランプする。前記基板支持構造体は、基板を保持するための複数の基板支持要素(17)が設けられた表面(16)を有し、この表面は液体のクランプ層の範囲内に所定の毛細管流動を誘発するための異なる毛細管ポテンシャルを有する複数の部分(51、52;83)をさらに有する。
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【課題】基板とクランプ準備ユニットをクランプする方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板支持構造体(23)の表面に基板(22)をクランプする方法に関する。最初に、基板支持構造体の表面上に液体が塗布される。表面には、複数の接触要素が設けられている。液体は、接触要素が液体層によって完全に覆われるように塗布される。それから、基板が、液体層上に提供され配置される。最後に、基板が複数の接触要素にもたれ、基板と基板支持構造体の表面との間の液体の毛細管層によって及ぼされる毛細管クランプ力によってクランプされるように、基板の下の液体が除去される。 (もっと読む)


【課題】 狭持に基づく基板の歪みを低減する基板ホルダーを提供する。
【解決手段】 ホルダー本体1の凹部に設けられたプレート5の三箇所に、それぞれ、バネ9a,9b,9cの弾性力によりガラス乾板10を押し上げる為のピン60a,60b,60cとピン支持体61a,61b,61cが設けられている。ピン支持体61a,61b,61cの各ピン支持部は筒状に成してあり、ピン支持体61a,61b,61cの各筒状部と各ピン60a,60b,60cの下方側面それぞれとの間にオーリング62a,62b,62cが挿入されており、ピン60a,60b,60cがそれぞれピン支持体支持体61a,61b,61c上で回転可能に成してある。 (もっと読む)


【課題】複数の発光源を有する発光手段において、その一部の発光源の照度が照度したり、発光しなくなったりしても、他の発光手段からの光で補填できるようにし、光反応型の接着剤層の部分的な未反応を回避することのできる発光装置及び光照射方法を提供すること。
【解決手段】半導体ウエハWに貼付された光反応型の接着剤層を有する接着シートSに光を照射する光照射装置10であって、前記半導体ウエハWを支持するテーブル11と、このテーブル11の上方に配置された複数の発光ダイオード16を有する発光手段12と、当該発光手段12から発せられる光を拡散させて接着シートSに照射する拡散手段13とを備えて構成されている。 (もっと読む)


【課題】半導体ウェーハの金属汚染を防止し、かつ半導体ウェーハの内外において損傷を防止する。
【解決手段】気相成長装置100は、加熱した半導体ウェーハ1を金属製の円板状の冷却プレート11に近接して、半導体ウェーハ1を冷却する冷却チャンバ10を備える。冷却チャンバ10は、冷却プレート11に取り付けて、半導体ウェーハ1の周縁を周方向に間隔をあけて支持する複数の支持部材13を備える。支持部材13は、半導体ウェーハ1が載置される円弧状の頂部が冷却プレート11の中心に向かう支持面131と、支持面131から突出して半導体ウェーハ1の外周を部分的に囲う段差132を有する。円弧状の頂部は、半導体ウェーハ1が冷却プレート11に接触しない所定の高さを設けると共に、冷却プレート11の中心に向かって下り傾斜している。 (もっと読む)


【課題】基板支持装置の提供をする。
【解決手段】下部電極(20)を間に置いてその両側に備えられる1対のフレーム(31a,31b)と、フレーム(31a,31b)の上面から突出した複数のシャフト(32a,32b)と、下部電極(20)の両側に備えられたシャフト(32a,32b)に両端部が連結されるワイヤー(33)と、フレーム(31a,31b)を昇降させる昇降手段と、を含む。また、第1及び第2シャフトを昇降させる昇降手段をさらに含む。 (もっと読む)


【課題】永電磁石を有するキャリヤの状態を検知することにより確実な基板操作可能な基板保持装置を提供する。
【解決手段】基板保持装置は、磁性材料を含むマスク200を基板300を介して磁気吸引することによりマスクおよび基板を保持するキャリヤと、永電磁石101から出る磁界を検知する磁気センサ180によりキャリヤの状態を検知する検知部185とを備える。キャリヤは、永電磁石を含み、永電磁石は、極性が可変の極性可変磁石と、極性可変磁石の極性を変更するための磁界を発生するコイルと、極性が固定された極性固定磁石とを含み、キャリヤの状態は、コイルが発生する磁界によって極性可変磁石の極性を制御することによって、極性可変磁石および極性固定磁石が発生する磁界によってマスクおよび基板を保持する第1状態と、マスクおよび基板を保持しない第2状態とのいずれかに設定される。 (もっと読む)


【課題】
迅速かつ安定して吸着対象物を吸着することができる動作弁を提供する。
【解決手段】
本発明の動作弁は、基板を真空吸着するための差圧動作弁100であって、外部から内部へ空気を吸引する吸引側に対向し、内部から外部へ空気を排出する排出側に設けられた開口部を有するボディ4と、弁8、一端がボディ4の吸引側に接続され、他端が弁8に接続されたばね9とを備え、ばね9は、吸引側と排出側における差圧に応じて伸縮する。 (もっと読む)


ウエハを支持デバイス(17)から分離する分離方法において、ウエハは接着剤によって支持デバイス(17)に固着されたウエハブロック(40)を切断して形成され、ウエハ自体はその一側において支持デバイス(17)に依然として接着されており、ウエハを伴う支持デバイス(17)は、一定の運動面に沿って接着剤除去デバイス(47)へと駆動される。支持デバイスは接着剤除去デバイス(47)内に留まるとともに、接着剤除去容器(55,55a,55b)において可動壁部(52a,52b)によって包囲される。接着剤除去容器(55,55a,55b)を形成してこれを閉塞した後、接着剤を除去するための溶剤が接着剤除去容器内およびウエハに対して供給され、接着剤を溶解し、そしてウエハを支持デバイス(17)から除去する。
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【課題】本発明は、成膜工程における金属汚染を抑え、ウェーハ上に均一に成膜することができ、歩留の低下を抑えるとともに、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能なサセプタ、半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のサセプタは、ウェーハwを載置する環状の第1のサセプタパーツ21と、ウェーハを保持するための円状の第1の凹部22aと、第1の凹部22a中に形成され、第1のサセプタパーツ21を突出あるいは陥没させることなく収納する環状の第2の凹部22bと、この第2の凹部22b中に形成され、第1のサセプタパーツ21により遮蔽される複数の開口部22cを有する第2のサセプタパーツ22を備える。 (もっと読む)


【課題】真空プラズマ・プロセッサ中で、工作物を静電的にチャッキングおよびデチャッキングするための確実な方法、および装置を提供する。
【解決手段】真空プラズマ加工チャンバ10中で加工されるガラス工作物32が、工作物を締め付けるために十分に高い電圧を維持しながら加工中にチャッキング電圧を徐々に下げることによってモノポーラ静電チャック30からデチャッキングされる。加工中のチャッキング電圧は、チャッキング力および流量をほぼ一定に維持するために、チャックに流れる伝熱流体の流量に応答して制御される。又加工の終了時にチャックに印加される逆極性電圧が、デチャッキングを援助する。 (もっと読む)


【課題】表面処理中に接着力が低下せず、表面処理後に基板から容易に剥離させることができる静電吸着用の基板固定部材及びそれを用いた基板の表面処理方法を提供する。
【解決手段】静電気力を用いて基板を載置部に静電吸着させるためにその基板に貼り付けられる基板固定部材10に、導電性を有する導電部材12と、所定温度以上で接着力が低下する、導電部材12を基板に接着させる熱剥離接着部材14とを設ける。基板と基板固定部材10の接着に熱剥離接着部材14が用いられているため、基板の温度をその所定温度よりも低く保っておけば、表面処理中に接着力が低下することがない。また、表面処理後に基板を所定温度以上に加熱するだけで、基板から基板固定部材10を容易に剥離させることができる。 (もっと読む)


【課題】電気的ノイズやヒートスポットを発生することなく信頼性の高い検査を高精度に行うことができる被検査体の受け渡し機構を提供する。
【解決手段】本発明の受け渡し機構10は、互いに所定の間隔を空けて載置台20(載置体22)上を横切って配置された2本の絶縁性及び耐熱性のある線材11と、これらの線材11それぞれを載置体22の載置面に対して平行に張設し且つ載置体22の水平方向外側にそれぞれ配置された2対の支持体12と、これらの支持体12によってそれぞれ張設された各線材11を収納するように載置体22の載置面にそれぞれ形成された2本の溝13と、各線材11を載置体22の上方と各溝13間で昇降させる昇降駆動機構23と、を備え、2本の線材11を介してウエハ搬送機構40と載置体22との間で半導体ウエハWを受け渡すように構成されている。 (もっと読む)


【課題】テーブル部上に載置する基板収納用トレイの個数が増加しても、昇降ユニットの駆動系が大掛かりにならず、基板移載装置が占める容積の増大しない基板移載装置を提供する。
【解決手段】1)積重された基板収納用トレイ10を水平搬送するコンベアCV、2)a)最上部の基板収納用トレイのみを保持して上方に取りはずし、b)水平搬送し、下降させて、収納されたガラス基板を基板収納用トレイから支持ピン34上に取り出し移載し、空となった基板収納用トレイを架台51上に載置するトレイ搬送ユニット80、3)支持ピンが垂直に備え、空となった基板収納用トレイを載置する架台51、4)支持ピン上のガラス基板を水平搬送するロボットRBが設けられていること。 (もっと読む)


【課題】 基板処理装置及び基板処理方法に関し、被処理基板を破壊することなく確実に剥離するスライド方式の被処理基板剥がし機構を安価に構成する。
【解決手段】 支持基板を吸着する加熱機構付き真空チャックと被処理基板を吸着する真空チャックの内の一方の真空チャックを水平方向に稼動するアーム状支持部材に伸縮可能な部材で接続する。 (もっと読む)


基板を装填するための装填チャンバ、基板を処理するためのプロセスチャンバ、プロセスチャンバを装填チャンバから分離する封止面、および基板を垂直に装填チャンバからプロセスチャンバに移動させるための手段を含む、基板を処理するためのプロセス装置、ならびに、基板を処理するための方法を提供する。装填チャンバはプロセス装置の下部および上部の一方に位置し、プロセスチャンバはプロセス装置の下部および上部の他方に位置する。この発明のプロセス装置および方法は、基板を装填するための移動数を低減することにより容易なメンテナンスおよびコストの低減を達成する。
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【課題】収納容器に収納されている半導体ウエハを取り出す際に半導体ウエハとスペーサを確実に分離できるウエハ取り出し装置を提供する。
【解決手段】本発明のウエハ取り出し装置は、半導体ウエハ16、17と層間紙18が交互に重ねられ、その重ねられた半導体ウエハ16から層間紙18の一部が露出した状態で収納されている収納容器から半導体ウエハ16を取り出す装置において、半導体ウエハ16を吸着するウエハ吸着機構4と、ウエハ吸着機構4を移動させる移動機構と、層間紙18の一部を押さえるスペーサ押さえ機構21と、を具備し、スペーサ押さえ機構21は、収納容器に収納されている半導体ウエハ16をウエハ吸着機構4によって吸着しながら、前記移動機構によってウエハ吸着機構4を上昇させるときに、層間紙18の一部を押さえる機構であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】基板構造体を接着テープで保持枠に固定する工程を自動化する。
【解決手段】保持枠13の内側に基板構造体14を所定の位置関係で配置した後、磁力を用いた保持枠クランプ(固定手段)27gにより保持枠13を保持する。次にダイシングテープ(接着シート)12を保持枠13および基板構造体14とに貼り付けた後、保持枠13に沿って切断し、使用部(第1接着シート)12aと余り部(第2接着シート)12bとに分離する。次に、ダイシングテープ12の余り部12bを、保持枠13から引き剥がした後、保持枠クランプ27gが保持枠13を固定する固定力を弱くしてから保持枠13を基板構造体14とともに取り出して搬送する。保持枠クランプ27gは保持枠13を載置する貼り付けステージ27の保持枠13と対向する面に保持枠13と交差する方向に移動可能な状態で配置された永久磁石とする。 (もっと読む)


【課題】カラーフィルタの多面取り露光等ワークが大型化した状態においも、カラーフィルタの露光パターンにおける色むら等を防止して、高精度、高スループットの露光を達成するためのワークチャック、ワーク保持方法及び露光装置を提供する。
【解決手段】仕切り壁811と突起812との間隔Lは、突起812同士の間隔Lに等しくなるので、保持したワークWの下面WVの撓み量は、仕切り壁811と突起812との間、及び隣接する突起812同士の間でほぼ等しくなる。これにより仕切り壁811と突起812と、突起812同士の間隔とをほぼ等しく調整することができ、ワークWの平面度を向上させて、露光ムラを抑制することができる。 (もっと読む)


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