【課題】半導体チップ同士の位置精度を確保することで、高精度の加工が可能な半導体チップの加工方法を実現する。
【解決手段】本発明の半導体チップの加工方法では、粘着テープ２上に配置された複数の半導体チップ１上に接合用樹脂４を形成し、接合用樹脂４を半導体チップ１間に入り込ませて、半導体チップ１間に入り込んだ部分以外の不要な接合用樹脂４を除去する。これにより、半導体チップ１の相対位置は固定されるため、位置ズレが生じることなく、半導体チップ１に対して高精度の加工が可能となる。 （もっと読む）

【課題】水平円盤型サセプタ上のウェハーを取り外す際に、ウェハーとサセプタの貼り付き現象が発生していてもウェハーと共にサセプタが持ち上がらないようにすることにより、ウェハー、サセプタおよびその他の周辺部品が破損する怖れを軽減するエピタキシャル成長膜形成装置を提供することを目的とする。
【解決手段】気相成長膜を形成するウェハーＷを収容する水平円盤型のサセプタ５と、前記サセプタ５を保持して回転させる回転胴６と、を備え、前記サセプタ５の周縁部に設けられた複数の突起部５ｂと、前記回転胴６の上部に設けられた複数の鍵型突起部６ａと、を係合させる構成を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】水平円盤型サセプタを使用し、エピタキシャル成長膜を形成する際に、ウェハーとサセプタに跨った貼り付き現象の発生を十分に防止することを可能とするエピタキシャル成長膜形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】水平円盤型のサセプタ５上の略中央部に、前記サセプタ５よりも小径のウェハーＷをほぼ水平に収容し、前記ウェハーＷ上に気相成長膜を形成する方法であって、前記ウェハーＷの周縁部よりも内側の底面に隣接する円周状凹部段差と、前記サセプタ５の周縁部よりも内側の上面円周上に設けられた凸部と、を当接させて、前記ウェハーＷ上に気相成長膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板の中心を回転テーブルの回転中心に精度よく位置決めする。
【解決手段】基板トレイ４０に形成された円形開口４１ａ〜４１ｃに、回転テーブル３２に設けられた固定ロックピン５０Ａ,５０Ｃ、及び移動ロックピン５０Ｂが挿入した状態で、基板トレイ４０を回転テーブル３２に載置し、その後、回転テーブル３２の移動ロックピン５０Ｂを、半径方向に沿って、回転テーブル３２の中心から離れる方向へ移動することで、基板トレイ４０の円形開口４１ａ〜４１ｃが内接する円Ｃ１の中心を、回転テーブル３２の回転中心に位置決めする。これにより、基板Ｗの中心を、回転中心に精度よく位置決めすることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ワークに力が加わるような処理を行う場合にもワークを確実に密着固定できると共に、処理後のワークの脱離も容易な固定治具並びにこの固定治具を用いたワークの処理方法を提供する。
【解決手段】治具本体２に、密着層３側の外面に開口する、区画空間６に連通しない吸着孔８が形成される。そして、吸着孔８に連通する貫通孔９を密着層３に形成し、吸着孔８の真空引きによりワークＷに吸着力を作用させる。 （もっと読む）

【課題】バックグラインド工程を経て極薄に研削されたウエハの研削面に、塗布剤を滴下し、平滑化させて所定の膜を形成する際、ウエハを破損しないようになされた塗布方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの片面に固定治具を密着固定した状態で搬送し、塗布装置で保持する。固定治具として、板状の治具本体と、当該治具本体の片面に設けられた、半導体ウエハを着脱自在に密着保持する密着層とから構成する。治具本体は、片面に前記密着層を支持する複数の支持突起を有すると共に、片面の外周部に前記支持突起と同等高さの側壁を有し、この側壁の端面に前記密着層が接着されて、前記密着層と前記治具本体との間に前記側壁で囲われた区画空間が画成され、前記治具本体に前記区画空間に連通する通気孔７が形成され、この通気孔を介して前記区画空間内の空気を吸引することにより、前記密着層が変形されるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 ウエハの両面を順次処理する場合、ウエハを確実に保持して所定の処理や搬送をできるようにする。
【解決手段】ウエハの一面に第１の固定治具３ａを密着固定し、その他面に対し所定の処理を行った後、ウエハの他面に第２の固定治具３ｂを密着固定し、第１の固定治具３ａを脱離して第２の固定治具３ｂにウエハを受け渡す。両固定治具は、治具本体３１と、その片面に設けた密着層３２とからなる。治具本体は、密着層を支持する複数の支持突起３３及び側壁３４を有し、側壁の端面に密着層が接着されて密着層と治具本体との間に側壁で囲われた区画空間３５が画成され、区画空間に連通する通気孔３６が形成され、区画空間内の空気の吸引により密着層が変形される。脱離の際、第１の固定治具の密着層を変形させ、両固定治具を相互に離間する方向に相対移動させる。 （もっと読む）

【課題】破砕中のネガの破損数を著しく制限することを可能にする方法を提案すること。
【解決手段】本発明は、２つの層により画定される脆化面に沿って複合構造（１００）を破砕する方法に関する。破砕の間、この複合構造は、ボートハウジング（１２０）内に配置され、また、この構造の両側に配置され、かつ互いに平行に整列された硬化剤（１１８）と接触した状態に保たれる。 （もっと読む）

【課題】使用時のコストを低下することができる塗布装置、基板の受け渡し方法及び塗布方法を提供すること。
【解決手段】基板搬送部の搬入側ステージ及び搬出側ステージに外部搬送機構との間で基板を受け渡す際に当該外部搬送機構の一部を収容する収容部がそれぞれ設けられているので、外部搬送機構の一部を収容させる際に基板の受け渡しを行うことができる。これにより、昇降ピンを設けなくても基板の受け渡しを行うことができるので、その分のコストを低下させることができる。また、昇降ピンを設けなくても基板の受け渡しを行うことができるので、処理タクトを短縮化することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】従来の基板処理装置の基板処理性能を維持しながら、製造コストを抑え、さらに基板の処理時間時間を短縮する。
【解決手段】基板保持装置３に可動部材６を設ける。可動部材６は、プランジャー６０を備え、その上端部には、ガスケット６１およびＯリング６２が固設されている。可動部材６の上側は、基板保持装置３の基板載置ステージ３０の下側から、基板載置ステージ３０に設けられた孔３７に向けて挿管される。このような構成とすれば、従来のような長い配管が不要となり、製造コストを抑えられる。また、基板９０の下面と孔３７とガスケット６１およびＯリング６２の上面とで、閉空間６６１，６６２が形成される。この状態で、可動部材６のプランジャー６０を上下駆動（進退駆動）すれば、閉空間６６１，６６２の容積を変更でき、基板９０を迅速に吸着あるいは剥離でき、基板の処理時間を短縮できる。 （もっと読む）

【課題】ステージを駆動する駆動機構に対する負荷量を調整して安定した負荷量とし、これによって、ステージ駆動を安定化させる。
【解決手段】ステージ３に設けた微細な孔を通して吸気することによって、ステージを定盤２に対して吸引させ、ステージを駆動する駆動機構に対する負荷を発生させる。これにより、ステージは定盤に対して非接触となるため、摩耗による負荷力や静止特性の変動や、摩耗物による汚染の問題を解消する。定盤上に配置するステージを２次元平面内で駆動機構によりステージ駆動する方法であり、定盤面と対向する面から定盤面に対して気体を放出することによってステージを定盤上に浮上支持するとともに、定盤面との対向面から吸気することによってステージを定盤に対して吸引させる。この吸引を調整することによって、ステージを駆動する駆動機構の負荷を調整する。 （もっと読む）

【課題】チップの突き上げを不要とするともに、ピックアップの進行でピックアップされていないチップの保持力が変動するようなことのないピックアップを伴う接着剤付きチップの製造方法を提供する。
【解決手段】固定ジグ３の密着層３１上に切断されたダイボンド接着剤層２４及びウエハ１が積層された状態とし、固定ジグの密着層を変形することにより、チップ１３をダイボンド接着剤層とともに固定ジグからピックアップすることを特徴とする接着剤付きチップの製造方法である。固定ジグは、密着層がジグ基台３０の突起物３６を有する面上に積層され、側壁３５の上面で接着され、ジグ基台の突起物を有する面には区画空間３７が形成され、ジグ基台には、外部と区画空間とを貫通する少なくとも１つの貫通孔３８が設けられてなり、固定ジグの貫通孔を介して区画空間内の空気を吸引することにより密着層を変形させる構造とする。 （もっと読む）

【課題】装置の大型化を抑止でき、また、基板の大型化に対応することができる加熱装置および基板処理装置を提供する。
【解決手段】平板状のヒータ２１と、ヒータ２１の表面に立設された複数の基板支持ピン２３とを有する基板加熱ユニット２４と、複数の基板加熱ユニット２４が上下方向に積層され、固定配置されてなる基板加熱部３０と、基板加熱部３０に隣接配置され、基板加熱部３０に対して基板１１を出し入れ可能であって、上下方向に昇降可能に構成された基板搬送ロボット５０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】熱処理工程全体として均一な熱処理を行うことができる基板搬送装置および熱処理装置を提供する。
【解決手段】基板に加熱処理を行う加熱プレートに対して基板の搬出入を行うチルドアームＣＡの内部には流路配管が形成されており、その流路配管に冷却水を循環供給することによって保持する基板と対向する保持領域ＥＡの全体を所定の基準温度に冷却する。また、保持領域ＥＡには６枚のポリイミドヒータ７４１〜７４６が貼設されており、保持領域ＥＡの少なくとも一部を基準温度とは異なる温度に温調する。これら２つの温調機構によって保持領域ＥＡに意図的に温度分布を与えておけば、加熱プレートでの熱処理の前後に意図的な温度分布を基板に与えることができ、加熱プレートにて不可避的に生じる温度分布の不均一を解消し、熱処理工程全体として均一な熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

高スループットの非プラズマ処理を行う装置及び方法の実施例(100)が一般的に本明細書において記載されている。他の実施例も記載及び主張されている。
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【課題】フレーム上部からの押し下げを不要にしてチャックテーブルよりも低い位置でフレームを保持することができ、切削水の流れの滞りを防止できるとともに、フレーム離脱を自動的かつ確実に行えるようにする。
【解決手段】ウエーハＷを保持したフレームＦをフレーム支持手段４１によって下部から磁力で支持することで、フレームＦを上部から把持することなく一定量の押し下げ支持を可能とし、切削加工に際して切削水がウエーハＷ上面に滞留する等の不具合を生ずることなく切削加工を行うことができ、また、切削加工後のフレーム離脱時にはフレーム押し上げ手段４２でフレームＦをフレーム支持手段４１から磁力に抗して強制的に押し上げることで、フレーム離脱を自動的かつ確実に行えるようにした。 （もっと読む）

【課題】静電チャックからウエハを確実に離脱するウエハ離脱方法、ウエハ離脱装置および露光装置を提供する。
【解決手段】ウエハＷの外周部を搬送アーム４３により所定距離Ｈだけ上昇させる。所定距離Ｈは、静電チャック２７に残留している状態のウエハＷが跳ね上がらない距離である。ウエハ検出センサ３５によりウエハＷが静電チャック２７に残留吸着していることが検出された場合には、ウエハＷの中央部を強制離脱手段２９の駆動部３３を駆動し、押圧部材３１を上方に移動する。最大移動量は押圧部材３１の上端が静電チャック２７の吸着面２７ｂから高さＨだけ突出する移動量とされている。 （もっと読む）

【課題】電圧印加停止後に被吸着物に対する優れた離脱性を有する静電チャック装置を提供する。
【解決手段】被吸着物と接する最表層が、フッ素樹脂を含むことを特徴とする静電チャック装置１０。基板上２０に、接着剤層２１、絶縁層３１、絶縁性接着剤層２２、内部電極４１、４２、絶縁性接着剤層２３、および被吸着物を設置する面を有する最表層３３を順次積層させた積層構造を有することを特徴とする静電チャック装置１０。上記最表層中のフッ素含有量が０．０２５〜１００質量％であることを特徴とする静電チャック装置１０。本発明によれば、電圧印加停止後に被吸着物に対する優れた離脱性を有する静電チャック装置を提供できる。 （もっと読む）

【課題】 静電チャックと基板間の残留吸着力の判定を慎重に行ってスループットの低下を抑えることができ、しかもセンサ系や基板状態等に異常がある場合にそれを検出することができる装置を提供する。
【解決手段】 この基板保持装置６０は、基板２の押し上げの際に押し上げ部材３４に加わる力を検出する力センサ３６と、制御装置５０とを備えている。制御装置５０は、力センサ３６が検出する力Ｆを測定して、測定した力Ｆが、下限値Ｆ_L 以上かつ上限値Ｆ_H 以下のときは正常信号Ｓ_N を出力し、下限値Ｆ_L より小さいときは異常信号Ｓ_L を出力し、上限値Ｆ_H より大きいときは、所定時間Ｔ待機した後に、力センサ３６が検出している力Ｆを再測定して、再測定した力Ｆが、下限値Ｆ_L 以上かつ上限値Ｆ_H 以下のときは正常信号Ｓ_N を出力し、下限値Ｆ_L より小さいときは異常信号Ｓ_L を出力し、上限値Ｆ_H より大きいときは異常信号Ｓ_H を出力する機能を有している。 （もっと読む）

【課題】基板を吸着保持する方式の処理装置における吸引通路に存在する塵埃やパーティクル等によって基板が汚染されるのを防止する。
【解決手段】被処理基板であるウエハＷを回転可能に保持するスピンチャック１０に、ウエハを吸着するための吸引口１４を設けると共に、この吸引口に真空ポンプ２０を接続してなる基板処理装置において、スピンチャックにおける吸引口と真空ポンプとを連通する吸引通路１５ａの汚れを防止するための汚れ防止手段４０を設ける。この汚れ防止手段を、吸引通路における吸引口側に配設されるフィルタ部材４１にて形成する。 （もっと読む）