【課題】高い確率において基板トレイを吸着できる搬送装置を提供することにある。
【解決手段】搬送装置２は、吸着体２２に基板トレイ３２を吸着させて搬送することによって、載置台１０への基板トレイ３２の載置、および該載置台１０からの基板トレイ３２の載置解除の少なくとも何れかをおこなう搬送手段１４と、吸着体２２の吸着状態を検知する検知手段と、吸着体２２が基板トレイ３２に吸着していないことが上記検知手段によって検知された場合に、基板トレイ３２に対する複数の吸着体２２のうちの少なくとも１つの位置が変わるように載置台１０を回転させて該載置台１０上の基板トレイ３２を回転させる回転機構１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】高いシール性を確保し、ケース素材を原因とした半導体ウェーハの有機物汚染を解消可能で、航空輸送時の気圧変化によるウェーハやケースの変形、破損を防止できるウェーハケースを提供する。
【解決手段】各金属製の容器本体と蓋とを、第１，第２の波形シール部を有したシール構造で密閉するウェーハケースとし、第１，２の波形シール部を含む容器本体および蓋の各シール面の表面粗度を０．８Ｓ〜１．６Ｓとした。そのため、高いシール性を確保しながら、ウェーハケースの素材を原因とした半導体ウェーハの有機物汚染を解消できる。 （もっと読む）

【課題】ワークの浮上高さのバラツキを抑えた浮上ユニット及び浮上装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明に係る浮上ユニットは、空気が吸引される負圧室を形成しているチャンバと、チャンバの天井壁６０に形成された横溝６４及び縦溝６２と、横溝６４の溝底を貫通する気体供給管５６と、天井壁６０を貫通し負圧室と連通するように配設された吸気孔７０と、天井壁６０に固定され吸気孔７０と連通する吸引孔を有する多孔質板と、を備えている。横溝６４には、天井壁６０の外周部６０Ｅに向けて延び出して閉じている横閉溝６４Ｓが配設されている。横閉溝６４Ｓの溝先端６４Ｔは他の溝には繋がっていない。本発明に係る浮上装置は、この浮上ユニットを並列に複数配置してなるものである。 （もっと読む）

【課題】電子部品の被吸着面に反りや傾きがあっても、電子部品を精度よく吸引・押圧できる電子部品移送装置用吸着ヘッドを提供する。
【解決手段】電子部品移送装置用吸着ヘッド１０は、電子部品移送装置８に装着されて移動し、電子部品２を真空吸着する。電子部品移送装置用吸着ヘッド１０は、（ａ）電子部品移送装置８に固定される固定部１２と、（ｂ）固定部１２とは反対側に、電子部品２を真空吸着するための吸着孔が形成された先端面２０ａを有し、先端面２０ａと平行な軸ｘを中心に揺動自在に、固定部１２との間に間隔を設けて、固定部１２に支持された先端部２０と、（ｃ）間隔が設けられた固定部１２と先端部２０との間に配置され、先端部２０の揺動に伴って弾性変形する圧力分散材３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板処理装置の基板テーブルを軽量化できるとともに、基板テーブルを平坦形状に調節し、その平面度を維持することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板を載置する載置面を有する基板テーブルと、前記基板テーブルの載置面に載置された基板に対し、所定の処理を行なう基板処理部と、前記基板テーブルを支持するテーブル調整支持ユニットとを備え、前記テーブル調整支持ユニットは、前記基板テーブルの載置面が平坦形状になるように前記基板テーブルの平面度を調整する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の搭載のためにホルダーが装着されるバッチ型半導体の製造装置のボートにおいて、製造が簡単な半導体基板ホルダーの製造方法及びこのホルダーを通じてよりコンパクトな半導体基板のボート搭載を遂行してその生産性が向上するバッチ式ボートとそれを用いた半導体基板のローディング／アンローディング方法並びにこれらが含まれた半導体の製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の底部が安着される外周と内周大きさを有するパイプ形状のホルダー基材１０を成形し、ホルダー基材１０を半導体基板のローディング用ボートで半導体基板の配置間隔に合わせてリング形状に切断してホルダーリング１２を製作する。 （もっと読む）

【課題】高い吸着力を持ちながら、脱着時間が短く、製造時に反りが発生しにくく、熱サイクル後の機械的強度の劣化が少ない静電チャックを提供する。
【解決手段】セラミックス製の静電チャックは、誘電体層と、その誘電体層の裏面に接する支持体層とを備え、静電電極が埋設されたものである。誘電体層は、表面にウエハーを載置可能であり、Ｓｍを含む窒化アルミニウム焼結体からなり、室温における体積抵抗率が４×１０⁹〜４×１０¹⁰Ωｃｍである。支持体層は、ＳｍとＣｅを含む窒化アルミニウム焼結体からなり、室温における体積抵抗率は１×１０¹³Ωｃｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】搬送中に基板の位置ずれを生じにくく、且つ、パーティクルの発生を抑制可能な基板搬送装置及びこれを備えた基板処理装置を提供する。
【解決手段】基板搬送装置は、基板Ｗを保持して水平方向に移動可能な保持部材１０を備え、この保持部材１０は基板Ｗの下面側の周縁部を保持するために基板Ｗの載置領域の周方向に沿って複数設けられ、垂直方向の断面が円弧状の凹曲面である保持面１３、１４を備えている。 （もっと読む）

【課題】基板収容孔に基板を収容したトレイを基板サセプタ上に配置するプラズマ処理装置において、基板サセプタに対して基板を高い密着度で保持する。
【解決手段】トレイ１５の厚み方向に貫通する基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに基板２が収容される。チャンバ３内の誘電体板２３は、トレイ１５の下面１５ｃを支持するトレイ支持面２８と上向きに突出する基板載置部２９Ａ〜２９Ｄを備え、静電吸着用電極４０を内蔵している。基板載置部２９Ａ〜２９Ｄはトレイ１５の下面側から基板収容孔１９Ａ〜１９Ｄに挿入され、その上端面である基板載置面に反りを有する基板２が載置される。基板載置面は曲面状である。 （もっと読む）

【課題】例えば成膜により堆積した膜の応力などに起因するトレーの変形を防止することができるとともに、例えば堆積した膜のクリーニングの頻度が少なくてすみ、さらに、大型の基板に対応するときにも寿命が短くなるおそれを防止することのできる基板搬送トレーを提供すること。
【解決手段】トレー５は、長方形板状本体部５ａと、本体部５ａの周囲に設けられた周縁部５ｂと、周縁部５ｂが部分的に外方から内方へ向かって切り欠かれてなる切欠部５ｃとを備えてなる。本体部５ａは、成膜のために搬送すべき基板６が搭載される部分である。周縁部５ｂは、基板６が搭載されない部分である。切欠部５ｃは、成膜時における膜応力を緩和するための部分である。切欠部５ｃは、周縁部５ｂのそれぞれの長辺部分に６箇所ずつ、それぞれの短辺部分に４箇所ずつ、周縁部５ｂの全周にわたって設けられている。 （もっと読む）

【課題】 多数の基板を搭載できる大型のトレイを用いた場合にも、温度調整によるトレイの反りを低減して、トレイや基板の位置ズレを防ぐことができる真空処理装置を提供する。
【解決手段】 基板を保持可能なトレイを真空容器内の所定位置に保持可能なチャックは、上下動可能なフレーム部と、フレーム部からトレイ側に向かって張り出したトレイを支持可能なアーム部と、を有して構成され、アーム部にはトレイと当接する支持部と支持部のフレーム部側に形成されたザグリ部を備えることで、トレイの反りを軽減することができる。 （もっと読む）

【課題】 基板を真空中で均一且つ急速に加熱すること、または、加熱した基板全体を速やかに冷却すること。
【解決手段】 基板熱処理装置は、輻射率の高いカーボン又はカーボン被覆材料で構成した基板ステージを備えた基板ホルダユニットを昇降可能に真空チャンバ内に設け、真空チャンバ内の基板ホルダユニットの上方に、基板ステージと対向する放熱面を備えた加熱ユニットを設け、基板ステージを放熱面に接近させて、基板ステージ上に載置された基板と非接触状態で、放熱面からの輻射熱で基板を加熱できるようにすると共に、基板ホルダユニットに輻射版、金属炭化物、金属窒化物、ニッケル合金のいずれかで構成される反射板を備える。 （もっと読む）

複合構造体を形成する方法であって、マイクロコンポーネント（１１０）の第１の層を第１の基板（１００）の１つの面に形成するステップであり、第１の基板が、前記マイクロコンポーネント（１１０）を形成する間第１の支持体（１２１）の保持表面（１２１ａ）に対して平坦に保持される、ステップと、マイクロコンポーネント（１１０）の層を含む第１の基板（１００）の面を第２の基板（２００）上に接合するステップとを含む。接合するステップの間、第１の基板（１００）は第２の支持体（２２１）に対して平坦に保持され、第２の支持体（２２１）の保持表面（２２１ａ）は、マイクロコンポーネント（１１０）の第１の層を形成する間使用された第１の支持体（１２０）の平坦度以下である平坦度を有する。 （もっと読む）

【課題】薄板化のため支持基板に貼り付けたウエーハを損傷しないように確実かつ短時間で剥離できるようにしたウエーハの剥離方法及び装置を提供する。
【解決手段】加熱により発泡・分解して接着力が低下する接着剤を用いてウエーハ２を支持基板３に貼り付ける。このウエーハと支持基板の貼り合わせ体１をデマウントステージ５に載置し、接着剤が発泡・分解しない程度の温度まで昇温する。その後、上記ウエーハの上にデマウントチャック６を降下し、ウエーハをチャックに吸着する。このデマウントチャック６は接着剤が発泡・分解する温度まで予め加熱されており、デマウントチャックからの伝導熱により接着剤は発泡・分解し接着力が低下する。その後デマウントチャックを垂直方向に上昇させ、ウエーハを垂直剥離する。 （もっと読む）

【課題】底面を簡便に密閉および開放できるカセット構造を提供する。
【解決手段】基板４０を収納するカセット１００であって、内部に基板４０が配置されるカセット本体部１０と、カセット本体部１０の側面に形成されたカセット開口部１２と、カセット本体部１０の底面１５に形成された底面開口部１４と、底面開口部１４を塞ぐ底板２０とを備え、底板２０とカセット本体部１０とは互いに分離可能であり、カセット本体部１０は、底面開口部１４の下方に凹部３２を有する置台３０の上に配置され、凹部３２は、カセット本体部１０が置台３０の上に配置された際に底板２０を収納可能であり、且つ、凹部３２の一部には、底板台３４が形成されている、カセット１００である。 （もっと読む）

【課題】
プラズマ処理システムの加工室において基板を保持する基板ホルダーと共に使用する磁気クリップを提供する。
【解決手段】磁気クリップは、締め付け面及び磁石をそれぞれが有する第１の本体部材及び第２の本体部材を含む。第１の本体部材は、基板ホルダーと機械的に接続されるように構成される。第２の本体部材は、閉位置と開位置との間で第１の本体部材に対して移動するようにヒンジによって第１の本体部材と枢着される。閉位置では、第１の締め付け面と第２の締め付け面との間に基板の縁領域が位置決めされる。開位置では、縁領域は解放される。第２の本体部材の磁石は、第２の本体部材が閉位置にあるときに第１の本体部材の磁石を磁気的に引き付け、第１の締め付け面及び第２の締め付け面に対する基板の縁領域の移動を拘束する力を加える。 （もっと読む）

【課題】、生産コストの高騰や、装置の大型化を招来することなく、サセプターの品質や生産性を飛躍的に向上させることができるＣＶＤ装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 炭素質基材５を支持部材により支持した状態で、内部にガスを導入することにより、炭素質基材５の表面にＳｉＣ被膜を形成するＣＶＤ装置において、上記支持部材は、上記炭素質基材５が載置されて炭素質基材の下部を支持する下部支持部材６と、上記炭素質基材５の上部を支持する上部支持部材１３とを有し、この上部支持部材１３は上記炭素質基材５の外周縁に設けられると共に、この上部支持部材１３にはＶ字状の溝１３ｄが形成され、このＶ字状の溝１３ｄにより構成される炭素質基材配置空間１７内には、十分な遊びを有する状態で上記炭素質基材５が配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェハチャックに吸着保持された半導体ウェハの反りをより効果的に防止し、半導体ウェハの全面で高い平坦度を実現することのできる技術を提供する。
【解決手段】外周壁１２に囲まれた吸引室１３を負圧にすることによって支持ピン１５に支持された半導体ウェハ１１を平坦に吸着保持するためのウェハチャックにおいて、外周壁１２の上面が支持ピン１５の上面よりも低く形成され、外周壁１２上面が半導体ウェハ１１に押付力を及ぼさず、外周壁１２と最寄りの支持ピン１５ａの距離Ｌ１が１．８ｍｍ以内であり、外周壁１２と最寄りの支持ピン１５ａの内側に向かって並ぶ支持ピン１５の配列ピッチＬ２は、外周壁１２と最寄りの支持ピン１５ａの距離Ｌ１の１．５倍以下とした。 （もっと読む）

【課題】チップ搭載基板に対する半導体チップの載置と加圧を別々の工程及び装置で行なわなくても、半導体チップの反りを矯正した状態でチップ搭載基板に半導体チップを搭載することができる仕組みを提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造装置は、半導体チップを吸着して保持するコレット２７を有し、コレット２７で保持した半導体チップをチップ搭載基板に搭載するチップ移載部を備える。コレット２７は、半導体チップを吸着するための吸着孔３０，３１を有する第１コレット部材２８と、第１コレット部材２８の外側に当該第１コレット部材２８とは独立してコレット中心軸方向に移動可能に設けられるとともに、半導体チップを押さえるためのチップ押さえ部３４を有する第２コレット部材２９とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハ垂れ下がりを防止して搬送することができるようにすること。
【解決手段】搬送装置１０は、半導体ウエハＷを保持する保持手段１１と、この保持手段１１を移動することで半導体ウエハＷを搬送可能な移動手段１２とを備えて構成されている。保持手段１１は、半導体ウエハＷを厚み方向に挟み込み可能な一対のトレイ１５を介して当該半導体ウエハＷを搬送可能に設けられている。 （もっと読む）