【課題】半導体ウエハの搬送や裏面研削等の加工を施す際に、半導体ウエハを安定して保持でき、しかも所要の処理が終了した後には、半導体ウエハを破損することなく剥離することができ、厚み精度の高い半導体ウエハの処理方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体ウエハの処理方法は、厚みが３００〜１５００μｍであり、Ｎａイオンおよび／またはＫイオンによりイオン交換処理して化学強化された圧縮応力層を有し、３０度以上曲がる可撓性ガラス基板１上に、半導体ウエハ３を再剥離可能に固定する工程、半導体ウエハ３に処理を行う工程、半導体ウエハ３側を支持手段１１により固定する工程、および可撓性ガラス基板１を湾曲させて半導体ウエハ３から剥離する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 加熱された被処理体を、この被処理体が反ることを抑制しつつ冷却することが可能な冷却装置を提供すること。
【解決手段】 下部冷却部材１０１と、下部冷却部材１０１の上方に設けられた上部冷却部材１０２と、加熱された被処理体Ｗを、下部冷却部材１０１と上部冷却部材１０２との間で昇降させる被処理体昇降機構１０３と、を具備し、被処理体Ｗと下部冷却部材１０１との間隔ｄ１と、被処理体Ｗと上部冷却部材１０２との間隔ｄ２とを互いに等しくしながら、被処理体Ｗを下部冷却部材１０１に近づける。 （もっと読む）

【課題】ウェハに貼付けられた保護テープを確実に剥離することができる保護テープの剥離方法および剥離装置、ならびに前記保護テープの剥離方法を用いる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ウェハ２１表面に貼付けられた保護テープ２１の表面に剥離テープ２４を貼付けた後、ウェハ２１を加熱部２３ａで加熱するとともに、保護テープ２２の剥離始端部に貼付けられた剥離テープ２４を冷却こて２８で冷却する。この冷却こて２８で冷却された剥離始端部を起点として、保護テープ２２を剥離テープ２４と共にウェハ２１から剥離する。 （もっと読む）

【課題】ワークが保持される状態において、ワークの姿勢の安定性を高めつつワークと他の部材との接触を防止するチャック装置を提供する。
【解決手段】ワークＷに対向する保持面３２に開口する旋回室３３を有した保持部材１２を備え、旋回室３３に流入した圧縮空気の旋回流によって旋回室３３とワークＷとの間に負圧を形成するとともに、旋回室３３から流出した圧縮空気によって保持面３２とワークＷとの間に正圧を形成することによって、支持台４０に支持されたワークＷを浮上させて保持部材１２から保持距離ＨＤだけ離れた保持位置でワークＷを保持するチャック装置１０において、ワークＷの浮上方向において保持面３２から保持位置よりも保持部材１２の領域である規制領域に配置されるとともに、ワークＷとの接触によって浮上方向におけるワークＷの進路を規制領域の支持台４０側に規制する浮上規制部材４５を備えている。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェーハの強度を向上させ、設備やコストの削減を図ることのできる半導体ウェーハ用治具及び半導体ウェーハの加工方法を提供する。
【解決手段】 半導体ウェーハ１に剛性を付与する治具で、バックグラインドされた薄い半導体ウェーハ１の周縁部に耐熱性を有する剛性確保リング２を沿わせて接着する。バックグラインドされた薄い半導体ウェーハ１の周縁部に剛性確保リング２を接着することにより、半導体ウェーハ１の強度を増大させるので、半導体ウェーハ１の周縁部を残しながらその内側領域をバックグラインドする必要がなく、専用の装置を省略したり、設備やコストの削減を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の移送時に、基板表面を損傷することなく安全に移送するための基板移送ロボットを提供すること。
【解決手段】基板（１１）を移送するためのロボットアーム（１０）と、当該ロボットアーム（１０）から前記基板（１１）を浮上させる浮上部（２０）と、当該ロボットアーム（１０）に装着されて前記基板（１１）の重量を支持する基板支持部（３０）とを含み、ガラス基板の移送時に、基板表面を損傷することなく安全に移送するための基板移送ロボットが提供される。 （もっと読む）

【課題】一対の基板を精度よく位置合わせして接合する。
【解決手段】接合装置であって、対向しつつ接近して個別に保持した一対の基板を接合する一対のステージと、基板を支持する複数の支持部材と、複数の支持部材を駆動して、基板の傾きを変化させながら、一対のステージの一方に基板を当接させ、当該ステージに基板を保持させる当接駆動部とを備える。上記接合装置において、個別に保持した一対の基板を接合する場合に、一対のステージの一方を他方に接近させる接合駆動部を更に有してもよい。 （もっと読む）

【課題】ウェハーの中央領域の特異な洗浄を補償する手段を取る新しいスクラバータイプ装置を提供する。回転ブラシをローラーで置換したスクラバータイプの洗浄装置を提供する。
【解決手段】ウェハー等は、基板の中央領域に面する区画に配置された一つ以上の非接触部分を有する回転ブラシを用いるか、またはウェハー及び回転ブラシの相対位置を切り換えるか、またはウェハーの中央領域の方へ優先的に洗浄液を向けることによって洗浄される。洗浄材のウェブ１１６を各ローラー１１０と基板との間に介装する。洗浄材の様々の異なるウェブ、例えば一つの織物、表面が各洗浄パスで再生された洗浄材の連続ループ、キャリアテープ等に設けた接着剤等を用いることができる。 （もっと読む）

【課題】被処理基板、若しくはチャック上に異常が発生した場合、大掛かりな装置を使用することなく、効率良く異常の要因及び場所を特定する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板保持装置１０であって、基板Ｗを吸着して保持する保持ユニットと、基板Ｗが保持ユニットに搭載された状態で、保持ユニットの吸着力に関する物理量を計測する計測部１５と、第１の条件と計測部１５の計測結果とに基づく第１の判定と、第１の条件とは異なる第２の条件と計測部１５の計測結果とに基づく第２の判定とを行い、第１及び第２の判定の結果に基づいて、予め設定された少なくとも３つの動作のうち１つを選択し、選択された動作に応じた処理を実行する制御部１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】基板の汚染を排除し、基板を高精度に支持でき、しかも、基板に関する作業の簡素化や容易化を図り得る基板収納容器を提供する。
【解決手段】ガラスウェーハＷ収納用の容器本体１と、ガラスウェーハＷをサポートするサポート治具３０とを備え、容器本体１の内部両側に、ガラスウェーハＷとサポート治具３０を水平支持可能な支持体５を配設したもので、支持体５は、ガラスウェーハＷ用の支持片７を備え、支持片７の前部に、ガラスウェーハＷの飛び出しを規制する段差部８を形成し、支持片７の後部に、ガラスウェーハＷの収納位置を規制する位置規制壁９を形成する。サポート治具３０は、ガラスウェーハＷに対向する治具本体３１と、治具本体３１に形成されて容器本体１の上下方向に湾曲する屈曲支持部３２・３２Ａと、治具本体３１の両側端部に突出形成されて支持片７に支持される平坦なレール３６とを備え、段差部８と位置規制壁９に挟持される。 （もっと読む）

【課題】作業効率の低下を招くことなく、基板における露光領域の変形に関する情報を容易に計測する。
【解決手段】露光光の照射処理が行われる基板Ｂ上の複数の照射領域ＳＡにそれぞれ設けられ、各照射領域における変形に関する情報を計測する変形計測装置Ｇと、温度による基板の変形に関する情報を、変形計測装置とは独立して計測する第２変形計測装置Ｇ２とを有し、変形計測装置及び第２変形計測装置は、露光光の照射処理によりパターニング形成されてなる。 （もっと読む）

【課題】 半導体プロセス用ウエハを把持した後、素早く移動させることができるエッジグリップ装置を提供する。
【解決手段】 チャックハンド１は、半導体プロセス用ウエハ３をフロントガイド１２に向かって押圧して半導体プロセス用ウエハ３を把持するプッシャー２５を有する押圧機構１４を備えている。押圧機構１４は、プッシャー支持体２２と、緩衝部材２８とを更に有している。プッシャー支持体２２は、進退できるよう構成され、前後にスライドできるようにプッシャー２５に設けられている。プッシャー支持体２２は、その前方に隙間２６ａがあいている。隙間２６ａには、反発力が小さく弾性変形可能な緩衝部材２８が介在している。プッシャー支持体２２は、前進すると、緩衝部材２８を介してプッシャー２５を押されて前方に移動させる。プッシャー２５は、半導体プロセス用ウエハ３に当たって押し付けられる。 （もっと読む）

【課題】内部応力を有する膜を基板の裏面にのみ形成することにより、基板の反り量を抑制し、その際に基板の表面にダメージを与えず、裏面に対する成膜と表面に対するパターン形成とを一貫して行う半導体製造装置を得られるようにする。
【解決手段】基板に薬液を塗布する薬液塗布部１０２と、基板を加熱する加熱処理部１０４と、基板の表面にレジストを塗布するレジスト塗布部１０７と、そのレジストに所定のパターンを露光する露光部１０５と、そのレジストを現像することにより所定のパターンを得る現像部１０８とを備えている。薬液塗布部１０２は、基板を浮遊した状態で、基板を回転させながら基板の裏面にのみ薬液を塗布する薬液塗布手段を有し、加熱処理部１０４は、基板に熱処理を行うことにより、内部応力を有する応力印加膜を成膜する熱処理手段を有し、裏面に応力印加膜の成膜を行うことと、表面に所定のパターンを形成する処理とを一貫して行う。 （もっと読む）

【課題】 剛性の確保及び振動減衰特性の向上を図ることができるサポートバー、及びそのようなサポートバーを備える基板収納カセットを提供する。
【解決手段】 サポートバー１０においては、繊維強化プラスチックからなる内側層１１と外側層１３との間に、内側層１１の周方向において連続し且つ基端１０ａから先端１０ｂに渡って延在するように制振弾性層１２が配置されている。これにより、振動減衰時間の短縮化等、振動減衰特性の向上を図ることができる。しかも、繊維強化プラスチックからなる内側層１１が円管状であり、繊維強化プラスチックからなる内側層１１と外側層１３とで制振弾性層１２が挟まれている。これにより、制振弾性層１２の適用に起因した剛性の低下を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】発塵が抑制されるウエハキャリアを提供する。
【解決手段】ウエハキャリア１０は、半導体ウエハが載置される下部ユニット３０と、下部ユニット３０が着脱可能であり、取り付けられた下部ユニット３０との間に半導体ウエハ２００を収容する密閉空間を形成する上部ユニット２０を備えている。下部ユニット３０には、載置された半導体ウエハ２００の外周縁に当接する位置決め部材４０が、周方向に沿って複数設けられている。各々の位置決め部材４０は、例えば一軸回りに回転可能なローラ部材であって、回転可能に支持されている。 （もっと読む）

【課題】撓み易い基板を高い寸法精度で支持し、蓋体のフロントリテーナに基板を適切に保持させ、基板のローディング等に支障を来たしたり、基板損傷のおそれを払拭できる基板収納容器を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハＷ収納用の容器本体１と、容器本体１を開閉する蓋体２０を備え、容器本体１に、半導体ウェーハＷを水平に支持する支持体３０を配設し、蓋体２０に、半導体ウェーハＷの前部周縁両側を保持する一対のフロントリテーナ３４を装着する。半導体ウェーハＷをローディング・アンローディングする方向における半導体ウェーハＷの中心線を中心線Ｙとし、中心線Ｙと直交する中心線を中心線Ｘとした場合、容器本体１の側壁７に対する支持体３０の配設領域を、中心線Ｘに対して前部３２側が２０°〜３０°、中心線Ｘに対して後部３３側が２０°〜５３°の範囲になるよう設定する。中心線Ｙを挟んで蓋体２０に装着する一対のフロントリテーナ３４の取り付け領域を、４０°〜１１０°の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】容器本体に装着可能であり、基板支持部の寸法精度の向上を図り、基板支持部によって支持された基板の撓みを抑制することができる支持部材、及び支持部材を備えた基板収納容器を提供する。
【解決手段】開口を有し基板を収納する容器本体と、容器本体の開口を閉鎖する蓋体と、容器本体の内面に設けられ基板を支持する支持部材５と、支持部材を容器本体に固定する支柱部材５１Ａ，５１Ｂとを有する基板収納容器であって、支持部材５は、基板を載置可能な複数の支持片６１を有し、支柱部材５１Ａ，５１Ｂは、支持片６１を所定間隔で挟持する複数の棚部５２を有し、支持片６１は、棚部５２間に嵌入されている。これにより、複数の支持片６１が支柱部材５１Ａ，５１Ｂとは、別部材として形成されているため、支持片６１の成形が容易となり寸法精度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板の搬送に用いる基板トレイ上に基板を平面度良く載置する。
【解決手段】複数の第１支持ピン６２上に載置された基板Ｐは、複数の第２支持ピン６３によりその下面が押圧されることにより、その撓みが抑制される。そして、撓みの抑制された基板Ｐが、基板トレイ９０上に載置されるので、基板を基板トレイ９０上に基板を平面度良く載置できる。基板Ｐは，基板Ｐの端部を下方から支持する基板搬送ロボットにより複数の第１支持ピン６２上に載置されるために、複数の第１支持ピン６２は、基板Ｐの端部を支持することができず、基板Ｐは、複数の第１支持ピン６２に載置された状態で、その端部が自重により垂れ下がっているが、複数の第２支持ピン６３によりその垂れ下がりが抑制される。 （もっと読む）

【課題】小型でかつストロークが大きくとれ、適用に制限がないアクチュエータ素子を提供すること。
【解決手段】アクチュエータ素子１０は、シリコーンを含むエラストマーとイオン液体との混合物からなり、電圧が印加されることにより変位する変位子１１ならびに変位子１１に電圧を印加するための電極１２、１３とを有する素子本体１４と、変位子１１の変位によって面外方向に変位する変位伝達部１５とを具備する。 （もっと読む）

【課題】不良デバイスの発生を抑制でき、デバイスの生産性の低下を抑制できる基板処理方法を提供する。
【解決手段】保持部に搬送された基板に対して第１手順に対応した第１処理を実行する基板処理方法は、保持部に搬送された基板の歪みに関する情報を検出することと、歪みに関する情報に基づいて、基板に対して第１処理と異なる第２処理の要否を判断することと、を含む。 （もっと読む）