【課題】基板に対して液浸法を利用した高精度な露光を行う。
【解決手段】 投影露光装置１００は、基板Ｗが載置されるとともに、その基板を保持して移動可能な基板テーブル３０と、基板テーブルの位置情報を計測する位置計測系（１８等）と、液体の供給に起因して基板と基板テーブルとの少なくとも一方に生じる位置ずれを補正する補正装置１９とを備えている。この場合、補正装置により、液体の供給に起因して基板と基板テーブルとの少なくとも一方に生じる位置ずれが補正される。これにより、基板に対して液浸法を利用した高精度な露光を行う。 （もっと読む）

【課題】 被処理体が大型化しても真空処理容器の大きさを極力抑制できる真空処理装置を提供すること、および大型の搬送アームを使用せずに真空処理装置への被処理体の搬送が可能な真空処理システムを提供すること。
【解決手段】 第１の真空搬送装置２００ａ内からプラズマ処理装置１００内へ向けて基板Ｓを浮上搬送するには、基板Ｓの裏面側に搬送ステージ２０３の浮上用ガス噴射孔２０７から浮上用ガスを噴射して浮上させた状態で基板Ｓを一対のガイド装置２０５の保持部材２１３によって保持し、可動支持体２１７をレール２１５上でプラズマ処理装置１００へ向けて移動させる。次に、保持部材２１３による保持を解除し、載置台１０３のガス噴射孔１０３ｂからのガスにより基板Ｓを静止浮上させて、プラズマ処理装置１００へ基板Ｓを受け渡す。 （もっと読む）

【課題】自重で撓み変形する程度に薄型化されたウエハの周縁の位置を正確に計測し、ウエハ位置決めを正確な行うことができるアライメント装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハＷの外形以上の大きさを有する保持ステージ１と、保持ステージ１に載置されて吸着保持された半導体ウエハＷの周縁位置を光学的に検知する光センサ２とを備えている。保持ステージ１は、例えば、その周縁に載置された半導体ウエハＷの外周部に臨むスリット１０を上下に貫通して形成する。このスリット１０を上下から挟んで対向配備された投光器２ａと受光器２ｂとからなる透過型の光センサ２でスリット１０の部分で保持ステージ１から露出するウエハＷの周縁を計測する。 （もっと読む）

【課題】フラットなワークエリアを確保して安全な加工やフラットな矯正に資する簡易な基板保持具及び半導体ウェーハの加工方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェーハ１用の自己粘着層２を保持するグリップ枠１０と、このグリップ枠１０と嵌合する加工支持ステージ２０とを備え、この加工支持ステージ２０の自己粘着層２に対向する表面２１を平坦に形成し、この表面２１の周縁部には、グリップ枠１０が嵌入するエンドレスの嵌入溝２２を穿孔する。加工支持ステージ２０の平坦な表面２１が半導体ウェーハ１用のワークエリアとして機能するので、半導体ウェーハ１が１００μｍ以下に薄化され、割れ易い場合でも、半導体ウェーハ１に加工を安全に施すことができる。また、半導体ウェーハ１が弓なりに反っている場合でも、平坦な表面２１を利用してフラットに矯正できる。 （もっと読む）

【課題】真空を供給する凹部を有する基台と、この凹部上に取り付ける複数の貫通孔を形成した吸着板とを備えたワークを吸着保持するワークステージにおいて、反りが生じているワークを吸着保持するために吸着板の周辺部にシール用弾性体を設けた安価で加工の容易なワークステージおよびそのワークステージを使った露光装置を提供すること。
【解決手段】シール用弾性体を吸着板とは別体であり基台に対して取り外し可能なシール用弾性体取り付け板に固定し、このシール用弾性体取り付け板を、吸着板を取り囲むように基台に取り付ける。 （もっと読む）

【課題】大型のウェーハの裏面を真空吸着して保持する吸着ハンドにおいて、ウェーハの自重による変形および真空吸着力による局所的な変形を抑制する。
【解決手段】ウェーハを吸着するための吸着部を有し、この吸着部と前記ウェーハの裏面との間に減圧部を生じさせることにより前記ウェーハを吸着して保持する吸着ハンドであって、前記吸着部を３か所以上設け、これらの吸着部の中心を頂点とする多角形の内側に前記ウェーハの中心が位置し、且つ前記吸着部が前記ウェーハの外周の内側に位置するように前記ウェーハを保持する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの反り、傷及びパーティクルの発生を抑制できる気相成長用サセプタ及び気相成長装置並びにエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】ウェーハ表面に薄膜を気相成長させるための気相成長装置においてウェーハを支持するための気相成長用サセプタであって、該サセプタにはウェーハを収容可能なザグリ部が形成され、該ザグリ部の底面にはメッシュパターンの溝により頂上部分が平面である多数の凸部が形成されており、前記それぞれの凸部の間隔が０．４ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であり、前記凸部の頂上部分の平面の面積が０．０１５６ｍｍ^２以上、０．０３０６ｍｍ^２以下であることを特徴とする気相成長用サセプタ。 （もっと読む）

【課題】基板の振動や変形を抑制しつつ基板を高速度で搬送する。
【解決手段】基板ハンドリングシステム１は、ガラス基板Ｇを搬送するための搬送路２０を備え、搬送路２０は、エアの吹出及び吸引によって搬送路２０上でガラス基板Ｇを浮上保持する基板浮上装置２５と、ガラス基板Ｇを保持し当該ガラス基板Ｇを移動させる駆動機構２４と、を有しており、ガラス基板Ｇを浮上保持しながら搬送方向Ｘに搬送する。この基板ハンドリングシステム１では、ガラス基板Ｇを高速度で搬送しても、ガラス基板Ｇの主面が傷付くのを確実に抑制できると共に、高い保持剛性によって、ガラス基板Ｇの振動を抑制し且つガラス基板Ｇに変形があってもこれを搬送路２０に倣った状態にすることができる。 （もっと読む）

【課題】板状部材を厚み方向に沿った線を中心として回動させる場合にもタクトを短縮できる板状部材の搬送装置および板状部材の搬送方法を提供する。
【解決手段】搬送装置１０は、上方に向かって複数の噴射口から気体を噴射することによりガラス基板１１を浮上させる浮上部材２１を有する浮上手段２０と、浮上手段２０によりガラス基板１１が浮上部材２１から浮上した状態でガラス基板１１を保持するとともに搬送方向に沿って下流側に向かってガラス基板１１を搬送する搬送手段３０とを備える。搬送手段３０は、搬送方向に沿って移動可能であるとともにガラス基板１１の厚み方向に沿った線を中心として軸回転可能な吸着パッド３４を有する。パッド３４は、ガラス基板１１の平面中央部に吸着する。 （もっと読む）

【課題】基板搬送装置、基板検査装置及び基板搬送方法において、基板との不要な接触を防ぐ。
【解決手段】ウエハ搬送装置１は、ウエハＷが載置されるウエハ載置面２ａ，３ａを有し互いに平行に設置された２本のアーム部２，３と、ウエハ載置面２ａ，３ａ（アーム部２，３）をアーム部２，３の長手方向を回動軸Ａ２，Ａ３として水平面に対し傾斜させる傾斜手段としてのバランサ（錘）４，５と、アーム支持部６と、吸引用チューブとしてのアーム側吸引用チューブ７，８と、支持部側吸引用チューブ９と、傾き検出手段としての透過型センサ１０，１１と、を備える。 （もっと読む）

【課題】シート状体へのレジスト液塗布時の飛散による問題を解決した搬送具を提供する。
【解決手段】シート状体１１を載置するための針状の複数の支持体１２と、その基部を固定するベース部１３とから構成する。ベース部１３は三角錐状の支持体受け部１４を有する。針状の支持体１２は、尖端がほぼ一線をなすように、かつ適宜間隔及び適宜配置で直立させて設ける。支持体受け部１４は、シート状体１１への塗布物が付着しにくいポリテトラフルオロエチレン等の樹脂製とする。塗布物（例えばレジスト）が飛散しても拭い取りやすい。ベース部１３の皿状の受け基部１５の隅部に、シート状体１１に塗布されずに支持体受け部１４上に落ちた塗布物を外へ引き出すための真空引き口１６を備える。レジスト等の塗布物は、針状の支持体１２、特にその尖端には付着、再付着しにくく、良好な搬送状態を実現できる。 （もっと読む）

【課題】被浮上体の回転時にその角部近辺の下面に流体が当たるようにし、被浮上体が撓まないようにして、被浮上体と流体噴出体30との接触防止を図る。
【解決手段】浮上装置10は、複数の通常流体噴出体31（30）が所定の配列で配置されて構成される通常浮上領域40と、浮上した状態の被浮上体の下面に吸着されるものであって通常浮上領域40内の所定位置に配置される吸着体60と、回転軸72を中心に吸着体60を回転させる回転機構70とを備える。回転軸72を中心とし少なくとも一部が通常浮上領域40外を通過する領域外通過円50を設定する。通常浮上領域40外における領域外通過円50の円周上に、円周上流体噴出体32（30）を配置し、被浮上体における、回転に伴って通常浮上領域40から外れた部分を、円周上流体噴出体32（30）から噴出させた流体により浮上させる。 （もっと読む）

【課題】例え基板の撓み量が大きい場合でも、容器本体の大型化や基板の破損を抑制することができ、しかも、基板の位置ずれを防いで円滑に取り出すことのできる基板収納容器、クランプハンド、及び基板の取り出し方法を提供する。
【解決手段】複数枚の丸く薄い半導体ウェーハ１を整列収納する容器本体１０を正面が開口したフロントオープンボックスに形成してその内底面には半導体ウェーハ１の周縁部２の下方を縦に支持する第一の支持ブロック１６を設け、容器本体１０の背面壁２４内面には、半導体ウェーハ１の周縁部２の上部後方を縦に支持する第二の支持ブロック２３を設ける。容器本体１０内に半導体ウェーハ１が起立して支持されるので、例え半導体ウェーハ１が撓み量の大きいφ４５０ｍｍタイプの場合でも、半導体ウェーハ１の撓みを防ぎ、容器本体１０の大型化を防止してスペースの有効利用を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】作製される窒化物系化合物半導体素子の発振波長のバラツキを抑え、一枚の半導体基板から良品の割合が高い窒化物系化合物半導体素子を複数作製することが可能な気相成長装置を提供する。
【解決手段】この気相成長装置１０１は載置した半導体基板１０７を保持する基板ホルダー１０８と、基板ホルダー１０９の下方から半導体基板１０７を加熱する加熱ヒータと、を有し、基板ホルダー１０８の半導体基板１０７と対向する面が、半導体基板１０７の基板ホルダー１０８と対向する面の反りの形状と略同一の形状に形成されている。 （もっと読む）

【課題】薄くて大きい面積であり、重量が大きなガラス板の中央部における大きな撓みを確実に防止してガラス板を支承し、移送時または保管時において、ガラス板の破損、亀裂を生ぜず、歩留まりが良く、またトレイ自体の薄形化がはかれ、小型化、軽量化がはかれ、構造簡単であり、製作および組付けが容易な板状物品搬送用トレイを提供する。
【解決手段】ガラス板１、または自重により撓み易い金属薄板よりなる板状の被搬送物品Ｇを移送、運搬し、積み重ね可能に設けられるトレイＴが、被搬送物品の周囲を囲むフレーム枠２と、複数本の線条部材３と、フレーム枠に線条部材の両端を固定してフレーム枠の内域に線条部材を張設する固定手段と、により構成される。 （もっと読む）

【課題】 基板の反り状態に応じて適切な吸着電力で基板を吸着して、加熱冷却時に基板温度をその面内で均一にできる基板保持装置を提供する。
【解決手段】 基板保持装置ＥＣは、正負の電極３ａ、３ｂとを有するチャック本体１と、基板Ｓの外周縁部が面接するリブ部２ａ及びリブ部で囲繞された内部空間２ｂに所定の間隔を存して立設された支持部２ｃを有するチャックプレート２と、内部空間に所定のガスを導入するガス供給手段とを備え、両電極間への直流電圧の印加で基板を吸着した後、加熱冷却により所定温度に基板を制御する。チャックプレートの静電容量を通る交流電流を流し、その電流値を測定する第１の測定手段Ｍと、ガス流量を測定する第２の測定手段９と、両測定手段で測定した電流値及びガス流量のうち少なくとも一方が所定の範囲内となるよう直流電圧を制御する制御手段Ｃとを備える。 （もっと読む）

【課題】基板への静電気の誘引を抑えることができると共に、基板を確実に吸着することができる基板吸着装置及び基板検査装置を提供する。
【解決手段】基板（Ｇ）を吸引するための吸引孔１１ｃが形成された吸着パッド１１と、この吸着パッド１１の基部１１ｂを収容し吸引孔１１ｃに連通する収容凹部１２ａ及びこの収容凹部１２ａに連通する吸引路１２ｂが形成されたパッド支持部材１２と、吸着パッド１１を基板（Ｇ）側に付勢する弾性部材（１３）と、を備える基板吸着装置１０において、吸着パッド１１は、この吸着パッド１１の揺動軸Ａ１と交差する中心軸Ａ２を有する係止ピン１６がこの係止ピン１６と略同一の幅で且つ係止ピン１６よりも高さ方向（Ｚ軸方向）に長い係止孔１７ｄ内を移動することで、高さ方向に移動し、吸着パッド１１は、係止ピン１６が係止孔１７ｄにより係止孔１７ｄの幅方向への移動を規制されることで、揺動軸Ａ１回りの回転が規制される。 （もっと読む）

【目的】 半導体ウェーハＷ等の下面周縁部のみを吸着しても撓みが発生し難い回転処理装置を提供する。
【構成】 吸引チャック５の上部形状は周縁部が内側部よりも高くなった皿状をなし、周縁部の上面には半導体ウェーハＷの製品とならない外縁部分を吸着するための吸引溝９が形成されている。この吸引溝９上に半導体ウェーハＷの下面周縁部の製品にならない部分が載置されるようにする。そして、吸引溝９を介して半導体ウェーハＷの下面周縁部を吸引する。吸引溝９は平面視で円形状をなすように形成されているため、半導体ウェーハＷの下面周縁部の全周が吸引され、撓みが発生し難い。 （もっと読む）

【課題】ＣＶＤ装置により薄膜を成膜する基板を、昇温してある成膜プレート上に載置した時の基板の反りを防止することにより、膜質や歩留りの低下を防ぐ。
【解決手段】連続式平行平板型ＣＶＤ装置に用いる成膜プレートへの基板載置方法において、基板を前記成膜プレート上に載置する前および／または載置した後に、基板の略中央部に対し加熱を行う。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハに形成された凸部以外の領域にマウント用テープが付着することを防止できるようにすること。
【解決手段】リングフレームＲＦとウエハＷとを支持するテーブル１１と、このテーブル１１上に向かってマウント用テープＭＴを繰り出す繰出手段１２と、この繰出手段１２で繰り出されたマウント用テープＭＴをリングフレームＲＦとウエハＷの凸部Ｗ２とに押圧する押圧手段１４と、マウント用テープＭＴとウエハＷとの間に気体を噴出し、ウエハＷの凸部Ｗ２以外の領域にマウント用テープＭＴが貼付されることを防止する付着防止手段１５とを備えてマウント装置１０が構成されている。 （もっと読む）