集積回路デバイス製造のための半導体基板のような基板上への、超臨界流体を利用した物質の蒸着。蒸着は、基板表面に蒸着される物質の前駆体を含む、超臨界流体をベースとする組成物を使用して行われる。そのようなアプローチにより、気相蒸着工程に必要な揮発性および搬送性がないために、蒸着への適用には全く不適切であった前駆体の使用が可能になる。 （もっと読む）

基板、基板上の導電パッド、および基板上の絶縁層を含む電子デバイスを形成する方法であって、上記絶縁層は導電パッドの一部を露出するバイアホールを有する。詳細には、絶縁層上であり導電パッドの露出部分上に導電構造体を形成できる。導電構造体は、チタン・タングステン（ＴｉＷ）のベース層と、アルミニウムおよび／または銅のうちの少なくとも１つの導電層とを含みうる。さらに、導電構造体のベース層を、導電層と絶縁層との間に形成できる。関連デバイスについても説明する。

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本発明は、ビア内にポリマーメモリデバイスを製造する方法に関する。この方法は、少なくとも１つの金属を含む層をその上に備える半導体基板を提供するステップと、この金属を含む層中に少なくとも１つの銅コンタクトを形成するステップと、銅コンタクト上に少なくとも１つの絶縁層を形成するステップと、絶縁層に少なくとも１つのビアを形成し、銅コンタクトの少なくとも一部を露出するステップと、ビアの下側部分にポリマー材料を形成するステップと、ビアの上側部分にトップ電極材料層を形成するステップとを含む。
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本発明の実施形態は、基板表面に、通常はバリヤ層に銅シード層を堆積させる方法を教示している。その方法は、基板表面を銅溶液に入れるステップであって、該銅溶液が錯体形成銅イオンを含んでいる、前記ステップを含んでいる。電流又はバイアスを基板表面に印加し、錯体形成銅イオンを還元してバリヤ層に銅シード層を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】低抵抗且つ高バリア性を有するバリアメタルを提供する。
【解決手段】バリアメタル２０₁ が、配線溝１６の底面及び側壁の表面に沿って形成された膜厚１６ｎｍのＴａＮ_0.87膜３１と、ＴａＮ_0.87膜上に形成され、配線溝１６に埋め込み形成されたＣｕダマシン配線１７に接する膜厚４ｎｍのＴａＮ_1.19膜３２とから構成されている。 （もっと読む）

【課題】 高速情報処理用デジタル集積回路チップ内およびそのチップを搭載するためのパッケージ、モジュール、ボードなどの実装系内における多層配線の作製方法に関する新しい多層微細配線構造およびその作製方法を提案する。
【解決手段】 高解像感光性ポリイミドを絶縁層として、銅、銀、金、アルミニウム、パラジウム、ニオブなどの金属を配線層として用いて、ストリップライン、マイクロストリップライン、同軸ラインなどの伝送線路構造を有する多層微細配線構造を実現するため、広い周波数帯域について、インピーダンスが一定に制御され、デジタル高速信号伝送に適する線路を実現することができる。高解像特性を有する感光性ポリイミドを絶縁層として用いることにより、絶縁層へのビア穴加工がリソグラフィ工程のみで達成され、また、金属配線層をリフトオフ法によりパターン形成することにより、従来の多層配線技術に比べて、高密度の配線構造が実現でき、大幅に工程が簡略化される。 （もっと読む）

【課題】 配線構造と他の電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】 ＳｉＯ_２により構成されたゲート絶縁膜１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールに、高融点金属により構成された第１の保護金属層１７０と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線層１７２と、および高融点金属により構成され、ゲート絶縁膜１２よりも厚く形成された第２の保護金属層１７４とがこの順で積層された電極５３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＭＯＳ製造技術を利用し、フォトマスキングを使用しないバック・エンド処理を利用する三次元ソレノイドの製造方法を開示する。
【解決手段】 この方法では、異なる残留応力ないし熱膨張係数を有する金属からなる二重層金属構造で各々形成された二つのサスペンド・アームが、二つのアームの中間にＡｌＣｕに形成された誘導コイルに結合されるように利用される。二酸化シリコンの絶縁層がサスペンド・アームから除去されると、アームの自由端が上方に湾曲し、誘導コイルが半導体基板の表面から三次元構造に立ち上がる。 （もっと読む）

【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０の一方の面１０ａに少なくとも孔１０ｂを形成する工程と、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上と、孔１０ｂの内面上とに、めっき給電層１４を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層１４を介して、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上に形成され、かつ孔１０ｂを埋め込む金属層１８を形成する工程と、金属層１８を研磨することにより、孔１０ｂに金属層１８が埋め込まれた金属層のパターン１７ａ，１７ｂを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造を提供する。
【解決手段】 半導体素子が形成された基板上に絶縁膜１０３が多層形成され、絶縁膜１０３に形成された配線溝およびビアホールに金属配線剤が充填されて、配線および接続プラグが形成された配線構造において、絶縁膜１０３のうち少なくとも一層が対電子線感光性を有する材料から形成されており、絶縁膜１０３の層間にはバリア絶縁膜１０４を有し、前記金属配線剤は銅を含むものである。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体チップを配線基板に積層しても、半導体チップを積層した半導体装置の厚みおよび基板面積の増大および半導体チップ間の配線長の増加を招かない半導体チップ、その製造方法および半導体装置等を提供する。
【解決手段】半導体基板１３と、半導体基板１３の第１の面１４に形成された第１の外部電極２１と、半導体基板１３の第２の面１７に形成された第２の外部電極２２と、半導体基板１３に形成された貫通孔１６とを有し、貫通孔１６は第２の面１７となす内角が鈍角をなして形成された斜面１５に設けられ、第１の外部電極２１と第２の外部電極２２とは、貫通孔１６の内壁および斜面１５を経由して形成された導電パターン１９により電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 銅を配線材として用いても、微細な配線構造の形成が可能で、製造の工程数が少なく、低コスト化が可能な配線構造の製造方法を提供する。
【解決手段】 配線構造の製造方法が、半導体素子２０１の上にＷプラグ２０３（下層配線）が形成された基板上に、対電子線感光性を有する材料を含む第二層間絶縁膜２０４（絶縁膜）を形成する工程と、第二層間絶縁膜２０４に電子線を照射して、第二層間絶縁膜２０４を露光する工程と、第二層間絶縁膜２０４を現像して未露光部を除去し、配線溝および／またはビアホールおよび／またはコンタクトホールを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 比抵抗の低い半導体基板の上であっても、その上に形成した高周波用伝送線路の伝送損失を抑制できるようにする。
【解決手段】 信号線１０３およびグランド線１０４と半導体基板１０１との間に介在する絶縁膜１０２と、信号線１０３の両側の半導体基板１０１に形成された溝１０５とを備え、信号線１０３およびグランド線１０５は、半導体基板１０１に接している辺より半導体基板１０１に垂直な隣辺の方が長い長方形状の断面を有する。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層１１，１３に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層１２に電気的に導通するように絶縁層１３と下層の導体層１２とを覆って形成された金属薄膜１４上に形成された配線層１７の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層１８で覆うように構成する。この被覆層１８を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム、又はニッケル／パラジウム／金が用いられる。 （もっと読む）

【課題】 抵抗の低い半導体基板の上であっても、その上に形成した伝送線路の伝送損失を抑制できるようにする。
【解決手段】 半導体基板１０１上に信号線１０２とグランド線１０３とからなる伝送線路が形成され、その信号線１０２の両脇の半導体基板１０１に溝１０４を備え、また、信号線１０２およびグランド線１０３は、半導体基板１０１主面に平行な底面に対し、隣接する側面の方が面積が広くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 銀を利用する低抵抗配線構造を提供する。
【解決手段】
絶縁基板上に、ゲート配線が形成され、ゲート絶縁膜がゲート配線を覆っており、ゲート絶縁膜上に半導体パターン半導体が形成されている。半導体パターン半導体及びゲート絶縁膜の上には、ソース電極及びドレーン電極とデータ線を含むデータ配線が形成されており、データ配線上には、保護膜が形成されている。保護膜上には、接触孔を通じてドレーン電極と連結されている画素電極が形成されている。この時、ゲート配線及びデータ配線は、接着層、Ａｇ層、及び保護層の３重層からなっており、接着層はクロムやクロム合金、チタニウムやチタニウム合金、モリブデンやモリブデン合金、タリウムやタリウム合金のうちのいずれか一つからなり、Ａｇ層は銀や銀合金からなり、保護層はＩＺＯ、モリブデンやモリブデン合金、クロムやクロム合金のうちのいずれか一つからなっている。 （もっと読む）

【課題】その中にマイクロトレンチを含まない低誘電体層間絶縁膜金属導体配線構造およびそのような構造の形成方法を提供する。
【解決手段】導体抵抗に対する制御は、第１の原子組成を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜の線とバイア誘電体層との間に位置する第２の原子組成を有する埋込みエッチング停止層により行われる。本発明の配線構造は、また、二重波形模様タイプの配線構造を形成する際に助けになるハードマスクを含む。第１および第２の組成は、エッチング選択性が少なくとも１０：１またはそれ以上になるように選択され、特定の原子組成および他の発見できる量を有する多孔性の低誘電体層間絶縁膜有機材料または無機材料の特定のグルーブから選択される。 （もっと読む）

ノイズ分配器を導入することによってノイズの抑制が得られる差動集積回路または平衡集積回路を備えた大きな抵抗率の基板の中において、ノイズ分配のための方法が開示される。典型的には２個の集積されたトランジスタＡ、Ｂまたはトランジスタの群によって形成される差動集積回路または平衡集積回路に隣接して小さな抵抗率の経路を生成することにより、外部のノイズ・ソース５からのノイズが差動集積回路または平衡集積回路の分岐に関して等方的にされる。通常の場合には小さな抵抗率の経路は集積されたトランジスタに関して対称的に作成され、それによりノイズを均等に分配するノイズ分配器が形成される。この時、ノイズ分配器は基板またはウエルと同じ種類の不純物が添加された浮動基板接触体１０として作成される。この基板またはウエルの中に、差動回路または平衡回路が備えられる。さらに、ノイズを分配する小さな抵抗率の経路の構造をシミュレーションすることによって、ノイズ分配器の形状が最適化されるであろう。ノイズを分配する小さな抵抗率の経路の構造体は、小さな抵抗率の経路が維持される限り、連続である必要はない。 （もっと読む）