【課題】初期電気特性の向上及びストレスマイグレーション信頼性の向上を両立させた半導体装置及びそのような半導体装置を製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成された層間絶縁膜２と、層間絶縁膜２上に形成された層間絶縁膜と、層間絶縁膜２内に形成され、プラグ接続部３ａを有する配線３と、層間絶縁膜内に形成され、プラグ接続部３ａに接続されたビアプラグと、層間絶縁膜２内かつプラグ接続部３ａの近傍に形成された複数の第１のダミー配線４と、層間絶縁膜２内かつプラグ接続部３ａを除く配線３の部分の近傍に形成され、第１のダミー配線４より小さい幅及び第１のダミー配線４より大きい１つのダミー配線の単位当たりのパターン被覆率の少なくともいずれかを有する複数の第２のダミー配線５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】基板を貫通するバイアホールとその内壁の縦型金属層によって、基板の第１主面のスイッチング素子と、第２主面の電極パッドを接続したスイッチＭＭＩＣにおいて、隣接する縦型金属層に異なる高周波信号が伝搬する場合、基板に伸びる空乏層によって、縦型金属層間に高周波信号が漏れる問題があった。
【解決手段】異なる高周波信号が印加される縦型金属層間に縦型ｎ＋型領域を設ける。これにより一方の縦型金属層から伸びる空乏層が他方に到達することを防止し、高周波信号の漏れを抑制する。また制御抵抗の一部に、縦型ｎ＋型領域による縦型抵抗を接続することにより、制御抵抗のチップ上の占有面積を小さくできる。 （もっと読む）

【課題】 より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、電子デバイス、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 本発明のパターン形成方法は、基板Ｐ上に隔壁３０を形成する隔壁形成工程と、隔壁３０に囲まれたパターン形成領域３０ａに導電層８０を形成する導電層形成工程と、導電層８０上にめっき核２６を配置するめっき核配置工程と、導電層８０上に、無電解めっき法によりめっき核２６を触媒として拡散防止層８２を形成する拡散防止層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板の表面上に特徴画成部を形成する改良された方法を提供する。
【解決手段】 基板の表面にネガティブマスク材料を堆積し、そのネガティブマスク材料を基板表面へとエッチングしてネガティブマスク特徴画成部を形成し、ネガティブマスク特徴画成部に耐エッチング材料を堆積し、その耐エッチング材料を研磨してネガティブマスク材料を露出させ、ネガティブマスク材料をエッチングして耐エッチング材料に特徴画成部を形成することにより、基板を処理する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】工程が容易で、厚膜を高速で形成することができ、且つムラなく、所望の領域に選択的にめっき層を形成することができるめっき方法を提供する。
【解決手段】基材の少なくとも一部に、表面に活性化された硫黄が存在する被めっき層を設け、この基材に無電解めっき処理を施すことにより前記被めっき層上に選択的にめっき層を形成することを特徴とするめっき方法。 （もっと読む）

【課題】
導電層の損傷を防ぐことができるを配線基板とその製造方法並びに表示装置を提供すること。
【解決手段】
本発明の一態様にかかる配線基板は、ガラス基板１０と、ガラス基板１０上に設けられた庇状のソース配線と、ソース配線２を覆うように設けられた層間絶縁膜８と、層間絶縁膜８の上に設けられ、ソース配線２の庇状の箇所の上に配置された画素電極６と、前記第１の導電層の庇状の部分に対応する箇所に設けられたテーパー状の塗布絶縁膜２１とを備えるものである。 （もっと読む）

マイクロ電子アセンブリの製作方法が提供される。第１の厚さを有する半導体基板（２０）が、低温接着剤で支持基板（２８）に装着される。半導体基板は第１の厚さから第２の厚さまで薄化される。半導体基板上に少なくとも１つの接点構造（５０）が形成され、少なくとも１つの接点構造をリフローするために少なくとも１つの接点構造に高エネルギー電磁放射線（５６）が向けられる。
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【課題】 液晶表示装置の作製工程におけるプラズマ工程による問題、ゲイト電極等におけるヒロック等の問題、液晶パネルの取り出し部におけるコンタクト不良の問題のうち、少なくとも一つを解決する。
【解決手段】 本発明に係る、液晶パネル内に薄膜トランジスタを有する液晶表示装置の作製方法は、Ｓｃ、Ｙ、ランタノイド及びアクチノイドから選ばれた一種又は複数種類の元素が含まれたアルミニウム膜を有するゲイト電極を形成し、前記ゲイト電極に電気的に接続される、パルス電流が放電しやすい形状を有する第１の配線を形成し、前記薄膜トランジスタの不純物領域に接続される第２の配線を形成し、前記第２の配線から延在した前記液晶パネルの取り出し部に、透明導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 多層配線構造を含む半導体装置のマイグレーション耐性を高めて歩留まりを向上させる。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板（不図示）上の第１の層間絶縁膜１０６中に設けられた第１の配線１１２と、第１の配線１１２上に、第１の配線１１２に接続して設けられたビア１２８と、第１の配線１１２の上部において、ビア１２８の底部との接続箇所に選択的に形成され、第１の配線１１２を構成する主成分の金属と当該金属と異なる異種元素とを含む異種元素含有導電膜１１４とを含む。 （もっと読む）

ある実施形態においては、ウエハレベルチップスケール（ＷＬＣＳ）パッケージ（３００）において回路パターン（３０５）を有する集積回路デバイス（ＩＣ）をパッケージするための方法である。この方法は、金属層を第１誘電層（３１５）上に堆積させ（ステップ５，１０，１５）、ボンドパッド開口（３１０）およびバンプパッド開口（３３０）に充填させ（ステップ２０）、金属層（３６０）は頂部側層（３４０）および底部側層（３６０）を備えるものとする。金属層（３６０）において、ボンドパッド開口または接続部（３１０）およびバンプパッド開口または接続部（３３０）は、ボンドパッド開口（３１０）およびバンプパッド開口（３３０）以外の区域における頂部側金属層を除去し、ボンドパッド接続部またはバンプパッド接続部がない区域における底部側金属層（３６０）を残すことステップ（３０）によって画定する（ステップ２５，３０）。底部側金属層に、接続配線をボンドパッドおよびバンプパッド間に画定する（ステップ３５、４０）。第２有機誘電層（３２５）をシリコン基板（３０５）上に堆積させ（ステップ４５）、回路パターンを覆う。第２有機誘電層をバンプパッド接続部から除去し（ステップ５０）、バンプパッド（３３０）を露出させるものとする。
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【課題】Ｔｉ及びＡｌを含有するほかに、Ｎを任意成分として含むことがあるアモルファス膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉ及びＡｌを含むほかに任意成分としてＮを含むことがあるアモルファス膜であって、電気抵抗率が、６×１０^２Ω・ｃｍ以下の当該アモルファス膜を、スパッタリングターゲットとしてＴｉＡｌ合金を用い、下記のスパッタ条件で基板上に成膜する。（１）ＤＣパワーは、１ｋＷ以上かつ３ｋＷ以下である、（２）成膜室内の気圧は、６ｍＴｏｒｒ以上かつ１２ｍＴｏｒｒ以下である、（３）基板温度は、１００℃以上かつ３００℃以下である、及び（４）Ｎ_２ガスとＡｒガスとの混合スパッタガス中におけるＮ_２ガスの体積比率が０％以上かつ７０％以下である。 （もっと読む）

【課題】シリコン層における構造的な欠陥を不活性化し、低接触抵抗である金属被着膜、その製造方法、及び金属被着膜を含む集積回路を提供する。
【解決手段】集積回路上に、電気的配線などのために形成される金属被着膜構造は、集積回路の最上層の上に堆積されるチタン層３２と、チタン層上に堆積されるアルミニウム層３４とを有する。これらのチタン層及びアルミニウム層は、加熱等により少なくとも部分的に合金化される。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ表示板の製造工程を簡素化する製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１０上にゲート電極を含むゲート線を形成する段階、ゲート線１１０上にゲート絶縁膜１４０を形成する段階、ゲート絶縁膜１４０上に半導体層１５０、１６０を形成する段階、半導体層１５０、１６０上にオーミックコンタクト部１６１を形成する段階、オーミックコンタクト部１６１上にソース電極１７３を含むデータ線１７１及びドレイン電極１７５を形成する段階、保護膜１８０を蒸着する段階、保護膜１８０上に感光膜を成膜して露光現像し、第１エッチングマスクとし、前記ゲート絶縁膜１４０及び保護膜１８０をエッチングしてドレイン電極１７５の一部と基板１１０の一部を露出させる段階、選択的蒸着法を利用してエッチングマスクが存在しない部分にドレイン電極１７５と接触する画素電極１９１を形成する段階、感光膜を除去する段階を含む。これによって、表示板の製造時間、製造費用が短縮されて、製品の生産性が向上する。 （もっと読む）

【課題】ボンディング衝撃による不具合を改善するとともに、フェールセーフ的な構造とすることにより、能動回路上ボンディングパッドへ直接ボンディングワイヤを接続できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の配線２で結線され層間絶縁層３で被覆した能動回路１にあって、前記能動回路１が機能するよう第１の接続孔４を介して接続された第２の配線５と平面構造において複数の開口を持つ衝撃吸収梁６がボンディング接続領域に設け保護膜７で被覆し、第２接続孔８を介して前記能動回路１と電気的に接続された厚い電極９を衝撃吸収梁６上に位置するよう設け、厚い電極９へボンディング接続を行うために、衝撃吸収梁６の上方において、保護樹脂層１０が開口されてなる半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】 異種の金属膜の積層構造からなる導電膜に対するボンディングパッドの保護膜の開口を保護膜の減損を生じることなく形成し、かつダイシング工程等水溶液に浸される工程において金属膜の溶解を回避するボンディングパッドを提供する。
【解決手段】 アルミ膜とアルミ膜上に堆積されたＴｉ,ＴｉＮ等の反射防止膜を含む導電膜の上に堆積した保護膜と前記反射防止膜を除去して前記アルミ膜を露出させたボンディングパッド等の保護膜開口を有し、前記保護膜の除去領域が、前記反射防止膜の除去領域の内側となるように、前記反射防止膜を除去するエッチング工程が、前記保護膜の堆積前に行われる。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極の膜厚を厚く形成することなく、ゲート電極の十分な遮光性と低抵抗化とを両立することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコン層５ａと、多結晶シリコン層５ａに積層する高融点金属の硅化物層５ｂと、硅化物層５ｂに積層する高融点金属層５ｃとを具備する多層構造の薄膜でＴＦＴ３０のゲート電極３ａを形成することにより、ゲート電極３ａの膜厚を厚く形成することなく、十分な遮光性と低抵抗化とを両立する。すなわち、多結晶シリコン層５ａの上層に積層された高融点金属の硅化物層５ｂ及び高融点金属層５ｃを積層によって、ゲート電極３ａの低抵抗化が実現され、同時に、硅化物層５ｂの上層に積層されたシリコン成分を含まない高融点金属層５ｃによって、ＴＦＴ基板１０にアニール処理が行われた場合等にも、薄い膜厚でゲート電極３ａの遮光性が十分に確保される。
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【課題】 半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】 本発明の半導体装置の製造方法は、基板上に、多孔質構造からなる絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２）と、絶縁膜に配線形成用の凹部を形成する工程（Ｓ１０６）と、絶縁膜上全面に、凹部内を埋め込むように金属層を形成する工程（Ｓ１０８）と、凹部外部の余剰金属層を除去して配線を形成する工程（Ｓ１１０）と、絶縁膜を改質して、当該絶縁膜の表面に改質層を形成する工程（Ｓ１１２）と、改質層を形成する工程の後に、めっき液を用いて配線上に選択的に金属膜を形成する工程（Ｓ１１４）とを含む。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスにおけるプラズマ電流により破壊されることを防止でき、且つダイオードの耐圧が上昇してしまうことを回避した半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置１０は、支持基板であるシリコン基板１０１ａと、シリコン基板１０１ａ上の酸化膜１０１ｂと、酸化膜１０１ｂ上のシリコン薄膜１０１ｃとを有するＳＯＩ基板１０１を用い、これのシリコン薄膜１０１ｃ上に形成された入力端子ＩＮ（第２上層配線１３４）と、シリコン薄膜１０１ｃ上に形成されたＶｓｓ端子Ｔvss（第１上層配線１３９）と、シリコン薄膜１０１ｃに形成され、入力端子ＩＮとＶｓｓ端子Ｔvssとに接続された半導体素子（例えばインバータ１１）と、シリコン薄膜１０１ｃに形成され、Ｖｓｓ端子Ｔvssから入力端子ＩＮへ順方向に接続された保護ダイオード１２とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＮＯＲ型のメモリセルに形成するワード線の抵抗を低減する。
【解決手段】シリコン基板１は、ＳＴＩ２により活性領域３が分離形成される。活性領域３を直交するようにゲート電極４が所定間隔で形成される。ワード線としてのゲート電極４は、コントロールゲート電極としての多結晶シリコン膜、ＷＳｉ膜が積層され、その上の上面には、シリコン窒化膜１７が形成されるが、これには開口部が形成され、タングステンなどの導体が溝配線５として埋め込まれる。この構成により、微細化が進んでも、ワード線の高抵抗化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】パッシベーションおよびゲート絶縁膜のエッチング時の形状制御を可能とし、導電層の段切れを防止可能とし、品質を向上させた薄膜トランジスタ、これを用いた液晶表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 絶縁基板１上にゲート層２、ゲート絶縁膜３、半導体層４、ドレイン層５、パッシベーション層６０を設け、かつ前記パッシベーション層６０上に配置された導電層７がコンタクトホールを介して前記ゲート層２若しくは前記ドレイン層５と接続される薄膜トランジスタにおいて、前記パッシベーション層６０が、表面側を高速エッチングレート層６２、基板側を低速エッチングレート層６１の２層以上で形成され、かつ前記高速エッチングレート層６２の膜厚を前記導電層７の膜厚以下とする。 （もっと読む）