【解決手段】液晶ディスプレイ（ＬＣＤ）の一部にされる金属特徴を定めるための方法およびシステムが提供される。この方法は、ガラス基板に対して施され、ガラス基板は、ガラス基板上にまたはガラス基板の層上に定められたブランケット導電性金属層（例えば障壁層）を有する。ブランケット導電性金属層の上には、反転フォトレジストマスクが塗布される。次いで、反転フォトレジストマスクの上に、めっきメニスカスが形成される。めっきメニスカスは、少なくとも電解液およびめっき化学剤を含み、めっきメニスカスは、ブランケット導電性金属層の上の、反転フォトレジストマスクによって覆われていない領域内に金属特徴を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＩＭ構造の容量素子の、半導体基板上に形成した時に単位面積当たりで得られる容量値（容量密度）を高くする。また、前記ＭＩＭ構造の容量素子を有する半導体集積回路装置を小型化する。
【解決手段】 半導体基板上に、第１金属膜、第１絶縁膜、第２金属膜、第２絶縁膜、第３金属膜を順次積層してなり、前記第１金属膜と第３金属膜が電気的に接続され、前記第１金属膜、第１絶縁膜、第２金属膜により構成される第１容量と、前記第２金属膜、第２絶縁膜、第３金属膜からなる第２容量が並列に接続されており、前記第２容量の容量として機能する容量真性部が前記第１容量の容量として機能する容量真性部の内側に設けられているＭＩＭ構造の容量素子である。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法により、タングステン膜とバリアメタル膜との電気的接続を安定させることができるとともに、配線層の成膜性を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板１０１と、半導体基板１０１上に形成された開口部１０２ａを有する層間絶縁膜１０２と、開口部１０２ａ内を埋設するタングステン膜（Ｗプラグ１０８）と、タングステン膜の表面に形成された、Ｔｉ膜以外の第１バリアメタル膜１１０と、第１バリアメタル膜１１０上に形成された、Ｔｉ含有膜である第２バリアメタル膜１１１と、第２バリアメタル膜１１１の表面に形成された金属配線膜１１６と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 外部基板へ実装した際に、接続不良を低減できる半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明に係る半導体装置１は、一面に電極を配してなる半導体基板２と、 半導体基板１の一面を覆うように配され、かつ、前記電極が露呈するように開口部を有すると共に、厚さが異なる部分を有する中間層２１と、中間層２１を覆い、外部基板との接続領域に配された第一導電部６Ａ、６ａと、前記開口部を通して前記電極と第一導電部６Ａ、６ａとを電気的に接続する第二導電部と、第一導電部６Ａ、６ａに接合されるバンプ９Ａ、９ａと、を少なくとも備え、第一導電部６Ａ、６ａが配された中間層２１の厚さに応じて体積の異なるバンプ９Ａ、９ａを有する。図１に示す構成例は、第一中間層４に第二中間層５を重ねた厚い中間層２１上に配されるバンプ９Ａが、第一中間層４のみからなる薄い中間層２１上に配されるバンプ９ａに比べて、小さな体積を有する場合を示す。 （もっと読む）

【課題】表面凹凸が少なく電気抵抗が低い配線構造体の形成方法を提供する。
【解決手段】基体１上に金属層４を形成する第１工程と、金属層４にフラッシュランプから発せられる光を照射してアニールを行う第２工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 信頼性及び歩留りの低下を防止することが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 バイアホール１８が形成された半導体基板１１と、半導体基板１１の表面上に形成された絶縁膜１３と、絶縁膜１３、バイアホール１８の内壁及び半導体基板１１の表面上に形成されたスパッタ金属層１４と、絶縁膜１３上のスパッタ金属層１４を除くスパッタ金属層１４上に形成された第１のメッキ層１５と、第１のメッキ層１５及びスパッタ金属層１４上に形成された第２のメッキ層１６とを備える。 （もっと読む）

【課題】上部の径が大きく、下部の径が小さなコンタクトを形成する際に行う絶縁膜の異方性ドライエッチングを、フォトレジスト膜との選択性が高く且つエッチストップを生ずることなくエッチングする、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンリッチなガスとＯ₂及び希ガスとを含むエッチングガスを用い、層間絶縁膜２０の途中までを選択的にエッチングして上部の大径コンタクト孔を形成する第１の異方性エッチング工程と、水素ガスを含むガスを用いて上部コンタクト孔にデポジション膜を堆積するデポジション工程と、Ｏ₂を含むガスを用いコンタクト孔の底部のデポジション膜を選択的に除去する第２の異方性エッチング工程と、第１の異方性エッチング工程と同じガスを用い、層間絶縁膜２０の残りの部分をエッチングして、下部の小径コンタクト孔を形成する第３の異方性エッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 フォトマスクの枚数を低減して製造コストの低減が可能なパターニング方法を提供する。
【解決手段】 （ａ）電極層２０およびオーミック接続層３０を順に積層形成する工程と、（ｂ）接続層３０の表面の所定位置にエッチングマスク層４０を形成する工程と、（ｃ）接続層３０のａ−Ｓｉ材料のエッチングレートが、電極層２０のＭｏ材料およびエッチングマスク層４０のレジスト材料のエッチングレートより大きくなる第１エッチングと、（ｄ）電極層２０のＭｏ材料およびエッチングマスク層４０のレジスト材料のエッチングレートが、接続層３０のａ−Ｓｉ材料のエッチングレートより大きくなる第２エッチングとを、繰り返し実施することにより、接続層３０および電極層２０をパターニングするとともに、電極層２０の側面を傾斜面とする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルＣＳＰにより形成される再配線部の剥離を防止し、微細配線の形成を可能とした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも一面に電極が設けられた基板と、該基板の一面を被覆する絶縁樹脂層１１と、該絶縁樹脂層１１を被覆し、前記電極と電気的に接続されたライン状の配線部１５とを備えている。前記配線部１５は、シード部１３とその上に配された導電部１４とからなる積層体を構成しており、該積層体の長手方向の側面下部のアンダーカット部には少なくとも絶縁性の補強部材１９が埋設されている。 （もっと読む）

金属ベースの相互接続線に対して導電性キャッピング層（１０６）を設けることで、エレクトロマイグレーションに対するパフォーマンスを強化することができる。さらに、銅ベースの材料などの下方の金属（１０５ｂ）を露出せずにビア開口部（１１０）をキャッピング層（１０６）に確実にエッチングし、これによりエレクトロマイグレーションパフォーマンスを具体的には銅線とビアの間の遷移において強化することができる。
（もっと読む）

【課題】フリップチップ技術における冶金上の問題および機械的安定性の問題の両方に対処するはんだバンプ構造を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に配置された相互接続層を備える半導体デバイス１００において、相互接続層１１５の上に不活性化層１２２が配置され、不活性化層１２２中にはんだバンプ１２８の支持開口１２５が形成されている。導体材料を含む複数の支持ピラー１２４がはんだバンプ１２８の支持開口１２５内に配置される。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置の構築に用いられる有機絶縁膜として、低誘電率でCuとの高い密着性を示す有機絶縁膜を提供する。
【解決手段】炭素の三重結合を有する有機シランを原料ガスとして用いて作られた有機絶縁膜を提案する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板を製造する際に必要なフォトマスクの枚数を従来よりも減らすと共に、低消費電力駆動を実現する。
【解決手段】まず、第１のフォトマスクを用いて、ゲート線１、ゲート電極１ａ及びソース線下層部３ａを形成する。次いで、第２のフォトマスク１１を用いてレジスト層１２を形成する。続いて、レジスト層１２の第１開口部１２ａを介してｎ⁺アモルファスシリコン膜、真性アモルファスシリコン膜及びゲート絶縁膜４をエッチングする。その後、レジスト層１２の第２開口部１２ｂを介してｎ⁺アモルファスシリコン膜をエッチングして、ソース領域５ｂ及びドレイン領域５ｃをパターニングして半導体層５を形成する。さらに、第３のフォトマスクを用いて、コンタクトホール６ａ、６ｂ及び６ｃを形成する。最後に、第４のフォトマスクを用いて画素電極８ａ及びソース線３を形成する。 （もっと読む）

半導体デバイスおよびその製造方法が開示される。このデバイスは、１以上の導電性ゲート（１１）を具えた活性半導体領域（１Ａ）と、前記活性半導体領域（１Ａ）の周辺に位置し主としてフィールド酸化領域（３）よりなるコンタクト領域（１Ｂ）とを具える。周辺コンタクト領域（１Ｂ）上、および、少なくとも一部の活性半導体領域（１Ａ）上に、導電性ゲート（１１）の間にコンタクト窓（１９ａ）が形成された絶縁層（１７）が積層される。絶縁層（１７）上に積層された金属コンタクトパッド（２３）が、前記コンタクト領域（１Ｂ）に設けられる。この金属コンタクトパッド（２３）は、導電性のパターンを介して、絶縁層（１７）の下に埋設されているコンタクトストリップ（１５）に接触し、この導電性のパターンは、コンタクト窓（１９ｂ）充填物の複数個で構成されており、コンタクトパッド（２３）の実質的な領域を横切って延びている。このパターンは平行な一連のトレンチに充填されたもので構成されているのが好ましい。
（もっと読む）

【課題】結合容量の低下、機械的、電気的特性が向上した導体トラック配列及び製造方法の提供。
【解決手段】基材１、２と、少なくとも２つの導体トラック４と、空洞６と、導体トラック４を覆い、空洞６を塞ぐレジスト層５とを含む、導体トラック配列に関する。導体トラック４の幅Ｂ１よりも小さい幅Ｂ２のキャリアトラックＴＢを形成することにより、結合容量と信号遅延を低減するためのエアギャップが、導体トラック４の下にその側面に沿ってセルフアライン技術により形成される。 （もっと読む）

【課題】 不揮発性メモリ素子のデトラップ・リテンション特性の劣化を防止することができる技術を提供する。
【解決手段】 プラグ１６を形成した絶縁膜１４上にシリコンリッチな酸化膜よりなる層間絶縁膜１７およびＴＥＯＳ膜よりなる層間絶縁膜１８を形成する。そして、層間絶縁膜１７および層間絶縁膜１８を貫通する溝１９を設け、この溝１９内へ埋め込むように配線２０ａを形成する。すなわち、第１配線層を層間絶縁膜１７および層間絶縁膜１８に埋め込んだ埋め込み配線とする。さらに、第１配線層を構成する配線２０ａ〜２０ｃと同層の層間絶縁膜１７として水や水素などの不純物を捕獲する性質を有するシリコンリッチな酸化膜とする。 （もっと読む）

【課題】
本発明は、プラスチック基板が熱によって変形することを防止して正確な薄膜パターンを形成する方法を提供する。
【解決手段】
本発明による表示板を製造する方法は、可撓性基板を形成する段階、前記基板の上にゲート線を形成する段階、前記基板の上にゲート絶縁膜を積層する段階、前記ゲート絶縁膜の上に半導体層を形成する段階、前記半導体層の上にデータ線及びドレーン電極を形成する段階、そして前記ドレーン電極と電気的に連結されている画素電極を形成する段階を含み、前記ゲート線を形成する段階、ゲート絶縁膜を積層する段階、半導体層を形成する段階、ソース電極を含むデータ線及びドレーン電極を形成する段階、そして画素電極を形成する段階のうち、少なくとも一つは温度８０℃乃至１５０℃及び１×１０^-6乃至９×１０^-6Ｔｏｒｒの真空度でスパッタリングする段階を含む。 （もっと読む）

【課題】絶縁層に形成された高アスペクト比の溝やビア孔に電気銅メッキを行うとき、メッキ層中でのボイド（空孔）発生が抑制された配線層やビアの形成を可能とする。
【解決手段】溝やビア孔の底面部に、電気メッキを促進する添加剤を含む膜を選択的に形成してから、電気銅メッキを行う。この底面部のメッキ促進添加剤含有膜は、メッキ促進添加剤を含む溶液に、メッキ形成用の開口基板を浸漬しつつ脱気して開口部内の気泡を除去した後、スピン・リンス法と乾燥処理を行って形成する。 （もっと読む）

【課題】現在、一般的に検討されているＳｉＣやＳｉＣＮは比誘電率が４．５から５程度、ＳｉＯＣは２．８から３．０程度である。デバイスの縮小化により、配線サイズと配線間隔の微細化が更に進むと、比誘電率の更なる低減が求められている。また、ＳｉＯＣとＳｉＣＮ及び、ＳｉＣとのエッチング選択比がちいさいために、エッチングストッパ膜として、ＳｉＣＮ及びＳｉＣを用いた場合、金属配線層の表面が、フォトレジストを除去する際に酸化し、接続抵抗が高くなるという問題がある。
【解決手段】少なくともＣ／Ｓｉ比が５以上で、且つ、分子量が１００以上の有機シランを原料として形成された、ＳｉＯＣＨ、ＳｉＣＮＨ及び、ＳｉＣＨからなる有機絶縁膜、及び、該有機絶縁膜を用いた半導体装置、特に、溝構造を有する半導体装置に関するものである。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗の低いトランジスタを提供する。
【解決手段】Ｐ型又はＮ型を付与する不純物元素を含む半導体膜と、その上に形成された絶縁膜と、少なくとも前記絶縁膜に形成されたコンタクトホールを介して前記半導体膜と電気的に接続された電極又は配線とを有し、前記半導体膜は、所定の深さよりも深い領域に含まれる前記不純物元素の濃度が第１の範囲（１×１０^２０／ｃｍ^３以下）であり、且つ前記所定の深さより浅い領域に含まれる前記不純物元素の濃度が第２の範囲（１×１０^２０／ｃｍ^３を超える）であり、前記半導体膜の、前記電極又は配線と接する部分よりも深い領域は、前記不純物元素の濃度が前記第１の範囲である。 （もっと読む）