【課題】 ＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、高周波信号に対する伝送特性を向上させる。
【解決手段】 高周波信号用の配線１１の下側には第２の絶縁膜７を介して下層グラウンド層５が設けられ、上側には第３の絶縁膜１５を介して上層グラウンド層１７が設けられ、これによりストリップ線路が構成されている。そして、このストリップ線路により、高周波信号に対して特性インピーダンスの不整合による信号の反射やクロストークノイズ等の発生を抑制し、高周波信号に対する伝送特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板上にトランジスタ等の半導体素子とセンサーとを作り込んで設ける場合に、同一工程で作製することにより得られる半導体装置およびその作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】同一基板上に、互いに接する第１の領域および第２の領域を有する第１の半導体膜と、チャネル領域とソースまたはドレイン領域として機能する第３の領域とを有する第２の半導体膜と、第１の半導体膜および第２の半導体膜を覆って設けられた絶縁膜と、絶縁膜上に設けられ且つ第１の領域と電気的に接続する第１の導電膜と、第２の領域と電気的に接続する第２の導電膜とを設け、第１の領域、第２の領域および第３の領域に不純物元素を第１の領域と第２の領域に含まれる不純物元素の濃度が異なるように導入する。 （もっと読む）

【課題】優れた信頼性を有するＭＩＭ型容量素子の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、半導体基板１上に、第１の導電膜１１、誘電体膜１２、及び第２の導電膜１３を順に形成する。そして、第２の導電膜１３をエッチングして上部電極１３ａを形成し、上部電極１３ａ形成後に誘電体膜１２をエッチングして容量絶縁膜１２ａを形成し、容量絶縁膜１２ａ形成後に第１の導電膜１１をエッチングして下部電極１１ａを形成する。以上の工程により形成されたＭＩＭ型容量素子１上に層間絶縁膜１４が形成され、層間絶縁膜１４に上部電極１３ａに到達するスルーホール１５ａが形成された時点で。スルーホール１５ａの底部に露出した上部電極１３ａに紫外光を照射する。本構成によれば、スルーホール１５ａの形成過程で上部電極１３ａに蓄積された電荷を除去することができ、当該電荷により、容量絶縁膜１２ａの絶縁耐圧が劣化されることを防止できる。 （もっと読む）

基板に電気化学エッチングまたは電気めっきを施すことにより多層構造を形成する方法。基板上にシード層を形成し、その上に主電極を形成する。主電極は、基板から複数の電気化学セルを形成するためのパターン層を有する。電圧が印加され、シード層がエッチングされて、またはシード層に材料がめっきされて形成された構造（８）の間に誘電体（９）が堆積される。誘電体層は下層構造を露出するために平坦化され、別の構造層が第１の構造層上に形成される。または、誘電体層は２層の厚さで形成され、下層構造の上端部を選択的に露出するために選択的にエッチングされる。また、複数の構造層を１工程で形成しても良い。 （もっと読む）

本発明は、特に電気的な用途に適している半導電性基板または非導電性基板に導電性のブッシングを製作する方法に関する。本方法は、前面が少なくとも１つの場所に導電性の接触個所（６）を有している半導電性基板または非導電性基板（１３）にその裏面から少なくとも１つの切欠き（７）を設けて、切欠き（１）が前記基板の前面で、１つまたは複数の導電性の前記接触個所が存在していて当該接触個所で完全に覆われる１つまたは複数の場所の下で終わるようにし、次いで、前記基板のそれぞれの前記接触個所と裏側の表面（１０，１１，１２）との間で複数または少なくとも１つの前記切欠き（７）を貫いて導電接続を成立させる導電性構造（９）を前記基板の裏面から塗布することを特徴としている。さらに本発明は、本発明の方法によって設定された形態を備える基板ないしコンポーネントも対象としている。 （もっと読む）

コンタクトパッドにおいてキャプチャパッドを必要とすることなく、接点まで延びるトレース（７０，７２，７４，７６）を使用することによって、微細ピッチのコンタクト部（４２，４４，４６，４８）が得られる。キャプチャパッドは、取り付けられるラインより大きな直径を有するため、望ましくは回避される。好ましくは、隣接するコンタクトパッドが、誘電体内の同じ開口内に存在する。コンタクトパッド（４２，４４，４６，４８）に対するトレース（７０，７２，７４，７６）は、ラインがコンタクトパッドに接続するところで、幅広化を必要としないように、一直線になる。ライン（７０，７２，７４，７６）は、コンタクトパッドに達する前に幅広化される可能性があるが、コンタクトパッドにおいては、実質的にラインの最小幅である。そのため、コンタクトパッドは、キャプチャパッドが使用された場合に比べて、ずっと短いピッチになる可能性がある。
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【課題】
電子タグ等の半導体装置の製造において、半導体装置が備える配線回路のパターンの形成に当たり、高精度、短時間、低環境負荷かつ経済的な方法を提供する。詳しくは、必要部に選択的にパターンを形成できるというめっき法のメリットに加えて、前後工程を簡略化し、連続化が可能なプロセスを提供することにより、材料費および加工費を大きく低減させることを課題とする。
【解決手段】
めっき版上に所望の配線回路に対応するレジストパターンを形成し、このめっき版上のレジストパターンの開口部に、電解めっきにより金属材料をめっきし、このめっきした部分を別基材に転写することにより、配線回路を備えた半導体装置を製造する。さらにめっき版を円筒形状とし、回転させながら外周部にめっきを析出させ、配線回路を形成し別の基板に転写をする。 （もっと読む）

【課題】チップサイズおよび工程数の増大を抑制しつつ、オンチップアンテナを実現する
。
【解決手段】半導体チップ１には、ダミーパターン５が配置されるダミーパターン形成領
域Ｒ１および配線パターン６が配置される配線パターン形成領域Ｒ２を設け、能動素子２
上のダミーパターン形成領域Ｒ１には、間絶縁膜３上の配線層における導体パターンの密
度が均一化されるように、アンテナパターン４およびダミーパターン５を層間絶縁膜３上
に形成する。 （もっと読む）

【課題】配線の表面にホイスカが残留するのを抑制する。
【解決手段】下地１１２に支持された絶縁膜１１５にコンタクトホール１２０を形成し、絶縁膜の上およびコンタクトホールの内に付着するメタルがコンタクトホールを充満する程度に溶融する第１温度に下地を加熱した状態で、当該メタルをスパッタリングすることにより、絶縁膜の上およびコンタクトホールの内に第１メタル膜１３０を成膜し、さらに、第１温度よりも低くかつ第１メタル膜の上に付着するメタルが溶融しても流動しない程度に抑制された第２温度に下地を加熱した状態で、当該メタルをスパッタリングすることにより、第１メタル膜の上に第２メタル膜１３５を成膜する。 （もっと読む）

【課題】触媒を使用した銅ＣＶＤ方法として、ピンチ−オフやボイドの発生なしにトレンチ、ビアホール及びコンタクトを充填して銅配線導電体を形成する方法を提供すること。
【解決手段】能動及び受動素子を配線連結するために、銅配線導電体を形成する方法が開示される。ここに開示された発明は、触媒と共に銅を配線導電体物質の原料とするＣＶＤ工程を含む。トレンチ、ビアホール、コンタクト、広い受動素子だけでなく電力素子と電力線のための大きいトレンチとホールを充填する配線方法がここに開示されて提供される。ここに提示された他の方法は、狭くて深いトレンチと小径で深いホールのような小さな陥没部を触媒を使用した銅ＣＶＤで充填する方法であり、湿式または乾式エッチバックまたは高温プラズマエッチバック工程により後続工程段階に備えて除去されるように扁平な最上部の表面に非常に薄い薄膜を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】固片化しても切断面に剥離の生じる虞がない半導体チップとその製造方法、ならびにその半導体チップを搭載した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２の裏面に形成された絶縁膜６と、半導体基板２の厚さ方向の端面に、少なくとも絶縁膜６とこの絶縁膜６と半導体基板２との接合部のそれぞれの端面が露出しないように保護材により覆っている保護層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕパッドからボンディング用パッドへの銅の滲出を防止する。
【解決手段】銅又は銅を主成分とする合金膜からなる最上層パッド１２とＡｌパッド１６との間に、Ｔｉバリア膜１５ａおよびＴｉＮバリア膜１５ｂを形成する。Ｔｉバリア膜１５ａの膜厚は、ＴｉＮバリア膜１５ｂの膜厚よりも大きくする。 （もっと読む）

【課題】バンプの表面の平坦化を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】最上層配線と同一層の導体膜からなるパッド７と電気的に接続するバリア層３０を形成した後、バリア層３０上に液体金属化合物を塗布し、さらに熱処理または化学反応処理によりこの液体金属化合物を単体金属膜に還元して平坦な表面形状を有するシード層３１を形成する。その後、シード層３１の平坦な表面形状をトレースして、シード層３１上に平坦な表面形状を有するバンプ８をメッキ法により形成する。 （もっと読む）

【課題】触媒を使用した銅ＣＶＤ方法として、ピンチ−オフやボイドの発生なしにトレンチ、ビアホール及びコンタクトを充填して銅配線導電体を形成する方法を提供すること。
【解決手段】能動及び受動素子を配線連結するために、銅配線導電体を形成する方法が開示される。ここに開示された発明は、触媒と共に銅を配線導電体物質の原料とするＣＶＤ工程を含む。トレンチ、ビアホール、コンタクト、広い受動素子だけでなく電力素子と電力線のための大きいトレンチとホールを充填する配線方法がここに開示されて提供される。ここに提示された他の方法は、狭くて深いトレンチと小径で深いホールのような小さな陥没部を触媒を使用した銅ＣＶＤで充填する方法であり、湿式または乾式エッチバックまたは高温プラズマエッチバック工程により後続工程段階に備えて除去されるように扁平な最上部の表面に非常に薄い薄膜を形成する方法である。 （もっと読む）

【課題】コロージョンを生起させることなくアルミニウム膜表面上の加工残留物を効果的に除去し得る表面処理を含む半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミニウム膜（１３）が形成された半導体基板を、アルミニウム膜（１３）を露出させる加工に供し、露出したアルミニウム膜（１３１）の表面に残留する加工残留物を除去する表面処理を行うことを包含し、表面処理が、露出したアルミニウム膜（１３）を、陰イオン成分を含む薬液で処理した後に、アルカリ性の薬液を用いて処理を行うことを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】互いに積層される半導体チップ間の接続信頼性を確保するために電極の面積を大きくすると、その電極と半導体層との間に発生する静電容量が増大してしまう。
【解決手段】半導体装置１は、半導体チップ１０を備えている。半導体チップ１０は、半導体基板１２、配線層１４、裏面電極１６（第１の本電極）、および裏面ダミー電極１７（第１のダミー電極）を有している。半導体基板１２上には、配線１３を含む配線層１４が形成されている。また、半導体基板１２の裏面Ｓ１上には、配線１３と電気的に接続された裏面電極１６が形成されている。この裏面Ｓ１上には、配線１３と電気的に絶縁された裏面ダミー電極１７も形成されている。 （もっと読む）

【課題】 より緻密でかつ密着性の良い拡散防止層を形成し、拡散防止層を構成する金属元素が他の層に拡散することを防止したパターン形成方法、電子デバイス、及び電子機器を提供する。
【解決手段】 基板Ｐ上に隔壁３０を形成する隔壁形成工程と、隔壁３０に囲まれたパターン形成領域３０ａにめっき核２６を含有した導電材料８０ａを配置する導電材料配置工程と、パターン形成領域３０ａに配置した導電材料８０ａを焼成して導電層８０を形成する導電層形成工程と、導電材料８０ａ上に、無電解めっき法によりめっき核２６を触媒として拡散防止層８２を形成する拡散防止層形成工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】表面の平滑化が可能な導電層の形成方法を提供する。また、表面が平滑化された導電層を有する半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】導電性粒子を含む組成物を塗布し、酸素雰囲気において組成物に第１のレーザ光を照射して表面が平滑な導電層を形成し、当該導電層に、窒素、希ガス、水素のいずれかの雰囲気において第２のレーザ光を照射して導電層を緻密化して、抵抗が低減される導電層を形成する。本発明により、平滑性を有し且つ抵抗値の低い導電層を形成することが可能である。また、ゲートリーク電流が低減された薄膜トランジスタを歩留まり高く作製することができる。 （もっと読む）

【課題】磁性インクを用いて迅速に微細配線を形成し、吐出されたインク内の金属粒子が均等に分布されるようにしてコーヒームラやマイグレーションが発生されなく電気的な信頼度の優れた配線形成方法及び装置を提供する。また電気伝導度と電気的な信頼度の優れた基板を提供する。
【解決手段】基板の一面に磁性インクを吐出して配線を形成する段階にて上記磁性インクに磁気場が及ぶようにする配線形成方法を提供する。磁気場は、基板の他面に磁性インクが吐出される部分に対応して位置する磁気場形成部により提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線への無電解めっき膜の選択析出性を向上することにより、配線間リークの低減等を図り、信頼性の高い半導体装置を得ることができる無電解めっき膜の形成方法及び形成装置を提供する。
【解決手段】加熱機構１０によりウエハ７に形成されたＣｕ配線のみを加熱する。次にノズル９から無電解めっき液を吐出し、Ｃｕ配線上に無電解めっき膜を形成する。加熱されたＣｕ配線上では無電解めっき膜の形成が進行し、Ｃｕ配線上以外の部分では無電解めっき膜の形成は抑制される。その結果、無電解めっき膜のＣｕ配線上への選択析出性を向上することができる。 （もっと読む）