【課題】従来の半導体装置は、コンタクトホールの底部に段差部があり、これにより、コンタクトホール内で配線金属が分断してしまうという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、コンタクトホールの底部にもっとも近い部分の層間膜の開口径より半導体層の開口径が大きく、その開口径の差で生じる層間膜と半導体層との間の段差部を絶縁膜で埋める構成を有している。このような構成によって、コンタクトホールの内壁の縦端面と絶縁膜の表面とが段差のない連続したなめらかな曲面を形成し、コンタクトホール内での配線金属の分断を防止する。 （もっと読む）

【課題】 サイドウォール幅の減少を抑制し、ゲート電極が微細化された場合であっても接合リーク電流に起因する製造歩留まりの低下を回避することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ゲート電極３上にスペーサパターン１３を形成し、サイドウォール６形成後にスペーサパターン１３を除去する。当該手法により、ゲート電極３の高さより高い、もしくは同等の高さのサイドウォール６を形成した後、コンタクトホール２１を形成する。これにより、ストッパ膜７を異方性エッチングする際にサイドウォール６の幅が減少することを抑制し、エクステンション領域が露出することにより生じる接合リーク電流に起因する半導体装置の歩留まり低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】 デカップリングキャパシタを備えた高周波用の半導体装置において、実装面積をより一層小さくするとともに、配線の長さを可及的に短くして、高周波信号に対する伝送特性を向上させる。
【解決手段】 シリコン基板１上に設けられた絶縁膜３上にグラウンド層５をシリコン基板１上の接続パッド２ｂに接続させて設け、その上に設けられた保護膜７の開口部９内にデカップリングキャパシタ用の誘電体膜１１をグラウンド層５の一部からなる下部電極に接続させて設け、誘電体膜１１を含む保護膜７上に高周波信号用の第１の上層配線１２をシリコン基板１上の接続パッド２ａに接続させて設け、誘電体膜１１上における第１の上層配線１２の途中に上部電極１５を設けることにより、電気的接続配線が主としてシリコン基板１の厚さ方向となり、これにより、実装面積をより一層小さくすることができ、且つ、配線の長さを可及的に短くすることができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕ拡散性が良好で、耐熱性、電気特性、特に誘電率、接着性等に優れた多層配線構造、およびこれを具備した、電気特性に優れる半導体装置を提供する事を目的としてなされたものである。
【解決手段】半導体基板上に形成された絶縁層を有し、前記絶縁層にこれを貫通して埋め込まれた銅および銅を含む合金からなる配線層を備え、少なくとも配線層の上部に配線層を構成する銅および銅を含む合金の拡散防止能を有する窒素含有層を有し、さらにその上に、配線層を構成する銅および銅を含む合金の拡散防止能を有する有機絶縁材料で構成される層を有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる半導体素子とその製造方法及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ（ＷＢＣＳＰ）を提供する。
【解決手段】本発明のＷＢＣＳＰは、シリコン基板上に配線用パッド３２及びバンプ用パッドが形成され、バンプ用パッド上にはポストを介してバンプ電極３６が形成され、このシリコン基板上には銅再配線層３７が、この銅再配線層３７の上方にはボンディングワイヤ３８がそれぞれ配設され、この銅再配線層３７とボンディングワイヤ３８は１つのバンプ電極３６に接続され、１つのパッド３２と２つのバンプ電極３６はそれぞれボンディングワイヤ３８により接続されている。 （もっと読む）

【課題】 ハードマスクで形成されたアルミニウム（Ａｌ）を含有する金属膜をプラズマエッチングする場合において、サイドエッチングを抑制し異方性形状を得ることができるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 エッチングガスに、三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、塩素（Ｃｌ２）、メタン（ＣＨ４）、エチレン（Ｃ２Ｈ４）、アルゴン（Ａｒ）の混合ガス、もしくは三塩化ホウ素（ＢＣｌ３）、塩素（Ｃｌ２）、メタン（ＣＨ４）、アセチレン（Ｃ２Ｈ２）、アルゴン（Ａｒ）の混合ガスを用いることにより、サイドエッチング無く異方性形状、低パーティクルを提供する。 （もっと読む）

【課題】微細パターンを歩留まりよくエッチングできる微細構造の製造方法を提供する。
【解決手段】製造方法は、（ａ）被エッチング膜の上に、下層ハードマスク膜、上層ハードマスク膜を積層したエッチング対象物を準備し、（ｂ）エッチング対象物の上にレジストパターンを形成し、（ｃ）レジストパターンをマスクとして、上層ハードマスク膜をエッチングして上層ハードマスクを形成し、（ｄ）工程（ｃ）の後、レジストパターンを除去し、（ｅ）工程（ｄ）の後、上層ハードマスクをエッチングして細くし、（ｆ）工程（ｅ）の後、細くした上層ハードマスクをマスクとして下層ハードマスク膜をエッチングして下層ハードマスクを形成し、（ｇ）上層ハードマスク、下層ハードマスクをマスクとして、被エッチング膜をエッチングするにあたり、上層ハードマスク膜は下層ハードマスク膜よりもレジストパターンをマスクとしたエッチングが容易な膜を用いる。 （もっと読む）

【課題】銅配線を用いて配線を行う半導体装置において、接続孔のバリアメタル層の除去の際に、上層配線溝におけるバリアメタル層の除去による層間絶縁膜への銅の拡散を抑えることができる半導体装置を得ること。
【解決手段】所定の形状にパターン形成された銅配線３６を有する第１の配線層３０と、所定の形状にパターン形成され、銅配線３６と電気的に接続される銅配線５７を有する第２の配線層５０と、を備える半導体装置において、第２の配線層５０は、所定の形状の配線溝６２に銅配線５７が埋め込まれた上部層間絶縁膜５４と、銅配線５７と銅配線３６とを接続する接続孔６１に銅配線５７が埋め込まれた下部層間絶縁膜５１と、上部層間絶縁膜５４の配線溝６２の下部と下部層間絶縁膜５１との間に、銅の拡散を防止する所定の厚さの銅拡散防止用絶縁膜５２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 電極サイズが大きい場合でも、アルミニウムを含むメタル配線に変質、変形等の悪影響を与えることなく、界面準位を十分に低減できるようにした半導体導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 ゲート電極１５両側のシリコン層５にＳ／Ｄ１９とを形成する工程と、Ｓ／Ｄ１９とが形成されたシリコン層５上に層間絶縁膜２１を形成する工程と、層間絶縁膜２１を選択的にエッチングしてコンタクトホールｈ１〜ｈ３を形成する工程と、コンタクトホールｈ１〜ｈ３の底面にＴｉＮ／Ｔｉ膜２３を形成する工程と、ＴｉＮ／Ｔｉ膜２３が形成されたＳＯＩ基板１０に水素シンターを施す工程と、水素シンターの後でＴｉＮ／Ｔｉ膜２３上にアルミニウムを含むメタル配線３１を形成する工程と、を含む。長チャネルトランジスタについては、メタル配線３１に悪影響を与えることなく、シリコン層５とゲート絶縁膜１３との間の界面準位を低減できる。 （もっと読む）

【課題】 半導体記憶装置に係り、特に、高集積化されたＤＲＡＭを、少ない工程数で、且つ微細なセル面積で実現できる半導体記憶装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１０に形成されたメモリセルトランジスタと、メモリセルトランジスタのゲート電極２０の上面及び側面を覆う絶縁膜４２と、ソース拡散層２４上に開口したスルーホール４０と、ドレイン拡散層２６上に開口したスルーホール３８とが形成された層間絶縁膜３６と、スルーホール４０内壁及び底部に形成され、ソース拡散２４層に接続されたキャパシタ蓄積電極４６と、キャパシタ蓄積電極４６を覆うキャパシタ誘電体膜４８と、キャパシタ誘電体膜４８を覆うキャパシタ対向電極５４とを有するキャパシタと、スルーホール３８の内壁及び底部に形成され、ドレイン拡散層と接続されたコンタクト用導電膜４４とにより構成する。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルがない場合であっても、配線の平坦性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施例の半導体装置の製造方法は、半導体基板１上に層間絶縁膜２を形成し、層間絶縁膜２上に金属を含むメタルマスク３を形成し、メタルマスク３および層間絶縁膜２の一部をエッチングして、メタルマスク３および層間絶縁膜２にパターン溝２ａを形成し、パターン溝２ａ内を埋め込むように、層間絶縁膜２上に導電層５を形成し、パターン溝２ａ内に導電層５を残すように、層間絶縁膜２上の余剰の導電層５を研磨する。 （もっと読む）

【課題】多結晶シリコンパターンの抵抗値を制御しつつ、多結晶シリコンパターンの上層に金属配線層を配置する。
【解決手段】半導体基板１上に多結晶シリコンパターンからなる抵抗体２３と、半導体基板１上に形成された層間絶縁膜２７と、層間絶縁膜２７上に形成された金属配線層３１を備え、抵抗体２３として、同じ多結晶シリコンからなり、その上部に金属配線層３１が配置されているものと配置されていないものとを含み、両抵抗体２３，２３の上部は層間絶縁膜２７上に形成された第１窒化膜２９で被われており、抵抗体２３の上部に配置されている金属配線層３１は第１窒化膜２９上に形成され、抵抗体２３の上部かつ金属配線層３１の近傍領域での第１窒化膜２９直上に第２窒化膜３３が存在している。上部に金属配線層３１が配置されている抵抗体２３のシート抵抗値と上部に金属配線層３１が配置されていない抵抗体２３のシート抵抗値が等しくなっている。 （もっと読む）

【課題】配線等のパターンを、材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製した半導体装置を提供することを目的とする。また配線等のパターンを所望の形状で制御性よく形成できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】連続した波状形状有する形状のパターンを、均一な間隔をもって隣接して備えた半導体装置である。隣接するパターンにおいて、吐出する液滴の中心の位置が線幅方向に一致しないように、配線の長さ方向にずらして吐出する。液滴の中心がずれているので、パターン同士の線幅の最大個所（節の最大値）同士が隣接することがなく、より狭い間隔に隣接したパターンを設けることができる。 （もっと読む）

【課題】キャパシタ電極とコンタクトプラグとの導通性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、絶縁膜１５−１と、前記絶縁膜中に設けられ、金属を主成分とするコンタクトプラグ１６と、前記絶縁膜上に設けられ、前記金属より酸素親和性が高く、酸化物を主成分とする第１接着膜３３−１と、前記コンタクトプラグ上および前記第１接着膜上に設けられ、酸素の拡散を防止するように働く第１キャパシタ電極２１と、前記第１キャパシタ電極上に設けられたキャパシタ絶縁膜２２と、前記キャパシタ絶縁膜上に設けられた第２キャパシタ電極２３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 ＷＰＰを使用した半導体装置において、最上層配線間のショート不良を防止することにより、信頼性を向上させることのできる技術を提供する。
【解決手段】 最上層配線４３ａと再配線５０との間に緩衝層４７を設ける。このとき、例えば、最上層配線４３ａは銅膜より形成され、緩衝層４７は、アルミニウム膜より形成される。さらに再配線５０は、銅膜５１とニッケル膜５２の積層膜から形成される。このように構成された半導体装置において、低温と高温との間の温度サイクルで３重点Ｘに応力が集中する。この３重点Ｘに集中した応力は、緩衝層４７の存在によって緩和され、３重点Ｘの直下にある界面Ｙへの応力の伝達を抑制することができる。このため、界面Ｙでの応力による剥離を防止できる。 （もっと読む）

【課題】 電力増幅モジュールやそれに用いる集積受動部品または半導体チップの低コスト化および高性能化を図る。
【解決手段】 集積受動部品５において、シード膜５１、銅膜５３およびニッケル膜５４の積層膜からなる配線５５により、ＲＦパワーモジュールのローパスフィルタ回路を構成するインダクタ素子が形成される。ニッケル膜５４は、銅膜５３の全面上に形成され、表面保護膜としての絶縁膜６１の開口部６２から露出するニッケル膜５４上に、金膜６３およびバンプ電極６４が形成されている。ニッケル膜５４は、無電解Ｎｉ−Ｐめっき膜であり、リンを１０重量％以上含有し、非磁性状態とされている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁体、あるいは層内絶縁体および層間絶縁体としてエアギャップを統合する銅のインタコネクトを製造する方法を提供すること。
【解決手段】層間絶縁構造の形成方法であって、第１の金属層を提供する工程と、第１の犠牲層を堆積する工程と、エッチング停止層を堆積する工程と、第２の犠牲層を堆積する工程と、２層のハードマスクを形成する工程と、２層のハードマスクをパターニングしてビアマスクおよびトレンチマスクを生成する工程と、第２の犠牲層をエッチングしてビアを形成する工程と、エッチング停止層の剥き出し部分と第１の犠牲層とをエッチングして第１の金属層を剥き出しにする工程と、第２の犠牲層をエッチングしてトレンチを形成する工程と、バリア金属および銅を堆積し、平坦化して第２の金属層を形成する工程と、第１および第２の犠牲層を分解して上記犠牲層をエアギャップと交換する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】塗布技術を用いながらも、表面平坦性を確保しつつ薄型化された導電性パターンを形成可能な方法を提供する。
【解決手段】金属微粒子ｓを溶媒中に分散させてなるペースト材料を基板１上に塗布してペースト材料膜３を塗布成膜する。ペースト材料膜３を焼成処理して導電性材料膜５とする。導電性材料膜５をパターニングすることにより導電性パターン５ａを形成する。その後、この導電性パターン５ａをゲート電極とし、これを覆う状態でゲート絶縁膜を形成し、この上部にソース／ドレイン電極を形成する。次に、ソース／ドレイン電極間におけるゲート絶縁膜上に半導体薄膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】電気的にフローティングした配線に蓄積する電荷を、半導体基板に逃がすこと。
【解決手段】第１主面１２ａを備えた半導体基板１２と、第１主面側に設けられたＭＯＳＦＥＴ１４と、ＭＯＳＦＥＴのゲート電極２６およびゲート電極に電気的に接続された配線を含む第１配線構造体３６と、第１主面および第１主面に電気的に接続された配線を含む第２配線構造体３８と、第１および第２構造体のどちらとも接触し、かつ、第１および第２配線構造体間を接続している、酸化イットリウムからなる非導電性膜１６とを備える （もっと読む）

【課題】 切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つ。
【解決手段】 半導体装置１００は、半導体基板（不図示）上に形成されるとともに凹部が形成された第１の絶縁膜１０２と、導電体２０６、ならびに導電体２０６の一端と他端にそれぞれ設けられた第１の端子２０２および第２の端子２０４を有し、第１の絶縁膜１０２上に設けられた電気ヒューズ２００とを含む。導電体２０６は、第１の絶縁膜１０２の凹部を埋め込むように形成されるとともに、導電体２０６を構成する材料が凹部外に流出した流出領域２１２を有し、流出領域２１２とは異なる箇所が切断される。 （もっと読む）