半導体素子とその製造方法及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ
【課題】短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる半導体素子とその製造方法及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ(WBCSP)を提供する。
【解決手段】本発明のWBCSPは、シリコン基板上に配線用パッド32及びバンプ用パッドが形成され、バンプ用パッド上にはポストを介してバンプ電極36が形成され、このシリコン基板上には銅再配線層37が、この銅再配線層37の上方にはボンディングワイヤ38がそれぞれ配設され、この銅再配線層37とボンディングワイヤ38は1つのバンプ電極36に接続され、1つのパッド32と2つのバンプ電極36はそれぞれボンディングワイヤ38により接続されている。
【解決手段】本発明のWBCSPは、シリコン基板上に配線用パッド32及びバンプ用パッドが形成され、バンプ用パッド上にはポストを介してバンプ電極36が形成され、このシリコン基板上には銅再配線層37が、この銅再配線層37の上方にはボンディングワイヤ38がそれぞれ配設され、この銅再配線層37とボンディングワイヤ38は1つのバンプ電極36に接続され、1つのパッド32と2つのバンプ電極36はそれぞれボンディングワイヤ38により接続されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体素子とその製造方法及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ(WBCSP:Wire bonding Chip Size Package)に関し、特に、短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる技術に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタル式カメラ付き携帯用電話機等におけるように、電子機器の小型化、薄厚化、軽量化の進歩はめざましく、従来のデュアル・インライン・パッケージ(Dual Inline Package)に替わってチップサイズの半導体素子が用いられてきている。
チップサイズの半導体素子としては、例えば、半導体素子が金属バンプを介してキャリア用基板に接続され、このキャリア用基板の下面にプリント配線基板上に実装するための金属バンプが形成されたチップサイズパッケージ(CSP:Chip Size Package)が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
図10は、従来のCSPの一例を示す断面図であり、このCSP1は、半導体チップ2の上面2aに、外部接続のための電極パッド3が所定の配列パターンで形成され、この上面2aには接着剤層4を介して半導体チップ2とほぼ等しい大きさのベース基板5が接着固定され、このベース基板5の上面5aには、信号用配線導体6、電源用配線導体7、グランド用配線導体8が設けられ、これら信号用配線導体6、電源用配線導体7及びグランド用配線導体8には、ランド部6a、7a、8aがそれぞれ設けられ、これらランド部6a〜8aそれぞれには外部接続用の外部端子であるボールバンプ9が設けられている。そして、ベース基板5の電極パッド3に対応する位置には上下方向に貫通するスルーホール10が形成され、この電極パッド3と配線導体6〜8とは、ボンディングワイヤ11により接続され、さらに、上面5aのボールバンプ9を除く領域は絶縁性の保護膜12により覆われている。
【0004】
また、最近では、電子回路が形成された半導体基板の実装面に直接外部接続用の金属パッドが形成されたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ(WBCSP)が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
図11は、従来のWBCSPの一例を示す断面図であり、このWBCSP21は、半導体チップ22の上面22aの中央部に、長手方向に沿って2列に電極23が配設され、これら電極23の両側には絶縁膜24が形成され、各絶縁膜24上には、2列に亘って導体パッド25が半導体チップ22の長手方向に沿って設けられている。
導体パッド25と電極23とはボンディングワイヤ26により接続され、各ワイヤ26は相互に接触してショートすることがない様、方向性や導体パッド25での接続位置が選択されている。また、この導体パッド25上にはバンプ電極27が固定され、このバンプ電極27の頂部を含む一部が突出する状態で、電極23、絶縁膜24、導体パッド25及びボンディングワイヤ26が絶縁性の保護膜28により覆われている。
【特許文献1】特開2000−68405号公報
【特許文献2】特開平11−284020号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、従来のCSP1では、スルーホール10内に配設される極細線のボンディングワイヤ11により電極パッド3と配線導体6〜8とを接続しているので、スルーホール10により配線の自由度が制限されてしまうという問題点があった。また、同一平面内で配線を行った場合、配線距離が長くなってしまい、配線遅延が大きくなるという問題点があった。
また、極細線のボンディングワイヤ11を用いているので、配線抵抗が大きく、したがって、発熱量が大きくなり、CSP1の特性に悪影響を及ぼすという問題点があった。
【0006】
また、従来のWBCSP21では、導体パッド25と電極23とをボンディングワイヤ26により接続しているので、ボンディングワイヤ26が短絡してショート不良等の不具合が生じる虞があるという問題点があった。
また、導体パッド25と電極23との接続を全てボンディングワイヤ26により行っているので、導体パッド25と電極23との間の距離を短縮することが難しく、さらなる小型化が難しいという問題点があった。
【0007】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる半導体素子とその製造方法及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するために、本発明は次の様な半導体素子とその製造方法及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージを提供した。
すなわち、本発明の半導体素子は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、前記再配線層と前記ワイヤは1つの前記外部端子に接続され、1つの前記パッドと2つの前記外部端子とは、それぞれ1つのワイヤにより接続されていることを特徴とする。
【0009】
本発明の半導体素子は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、前記パッド上には下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、前記外部端子と前記絶縁層との間にも下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、これら再配線パターンはワイヤにより接続されていることを特徴とする。
【0010】
本発明の半導体素子は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、前記絶縁層上に配線用及び外部端子用のパッドが形成され、前記保護層及び前記絶縁層に、これらのパッドの所定領域を露出するための開口が形成され、これらのパッド上に下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、これらパッドはワイヤにより接続されていることを特徴とする。
【0011】
本発明の半導体素子は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、前記絶縁層上に配線用及び外部端子用のパッドが形成され、前記保護膜及び前記絶縁層に、この配線用及び外部端子用のパッドの所定領域を露出するための開口が形成され、前記絶縁層上に、これら配線用及び外部端子用のパッド及び開口を含む領域が階段状となる下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成されていることを特徴とする。
【0012】
本発明の半導体素子は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、前記パッド上に、中央部が凹部とされた下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、前記絶縁層上に配線用及び外部端子用のパッドが形成され、この配線用及び外部端子用のパッド上に、このパッドに対応する部分が凹部とされた下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、これらの再配線パターンはワイヤにより接続されるとともに、前記配線用及び外部端子用のパッド上に形成された再配線パターン上にポストを介して外部端子が形成されていることを特徴とする。
【0013】
本発明の半導体素子は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、前記パッドの占有面積が拡大され、このパッド上に、中央部の凹部が拡張された下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、この再配線パターンの周囲は絶縁層で埋め込まれるとともに、この再配線パターンにワイヤが接続されていることを特徴とする。
【0014】
これらの半導体素子では、再配線層の一部を複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続するとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドを該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続し、この再配線層の他の一部を残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続したことにより、パッドと外部接続用の外部端子とを、再配線層、導電性ポスト及び導電性のワイヤを適宜選択することで最短の配線が可能になり、配線抵抗及び配線遅延が小さくなる。
また、ワイヤの最上部を、再配線層より上方かつ外部端子の下端部より下方に位置させることにより、ワイヤと再配線層との短絡を防止する。
【0015】
本発明の半導体素子の製造方法は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に、絶縁層、配線用及び外部端子用のパッドを順次形成し、これらパッドを含む絶縁層上に、前記パッドの中央部を露出させる開口が形成された保護層を形成し、この保護層上に、前記パッドの中央部を露出させる開口が形成された絶縁層を形成し、前記パッドを含む絶縁層上に、所定の配線パターンの下地層及び再配線層からなる再配線パターンをそれぞれ形成し、これらの再配線パターンの一方と前記パッドとを、最上部が前記再配線層より上方かつ外部端子の下端部より下方に位置するワイヤにより接続し、これら再配線パターン上に導電性のポストをそれぞれ形成し、これらポスト上に外部端子をそれぞれ形成し、これら再配線パターン、ポスト、パッド及びワイヤを絶縁性樹脂からなる絶縁層により封止することを特徴とする。
【0016】
本発明のワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージは、本発明の半導体素子を備えてなることを特徴とする。
このワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージでは、本発明の半導体素子を備えたことにより、配線抵抗及び配線遅延が小さくなり、短絡等の不具合が生じる虞もない。
【発明の効果】
【0017】
本発明の半導体素子によれば、再配線層の一部を複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続するとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドを該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続し、この再配線層の他の一部を残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続したので、パッドと外部接続用の外部端子とを、再配線層、導電性ポスト及び導電性のワイヤを適宜選択することで最短距離にて配線することができ、配線抵抗及び配線遅延を小さくすることができる。
【0018】
また、ワイヤの最上部を、再配線層より上方かつ外部端子の下端部より下方に位置させたので、ワイヤと再配線層との短絡を防止することができる。
以上により、短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる半導体素子を提供することができる。
【0019】
本発明のワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージによれば、本発明の半導体素子を備えたので、配線抵抗及び配線遅延を小さくすることができ、ワイヤと再配線層との短絡を防止することができる。
以上により、短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができるワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0020】
本発明の半導体素子とその製造方法及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ(WBCSP)の各実施の形態について図面に基づき説明する。
「第1の実施形態」
図1は本発明の第1の実施形態のWBCSPの配線を示す平面図、図2は図1のA−A線に沿う断面図である。
【0021】
図において、31は集積回路(電子回路:図示略)等が形成された平面視矩形状のシリコン基板(半導体基板)、32はシリコン基板31の表面(一主面)の周縁部に配設された配線用のパッド、33はシリコン基板31の表面に縦横に形成されたバンプ用のパッド、35はパッド33上に形成された導電性金属からなるポスト、36はポスト35上に形成された外部接続用のバンプ電極(外部端子)、37はシリコン基板31上に配設された銅再配線層、38は銅再配線層37の上方に配設されたボンディングワイヤ(導電性のワイヤ)、39は銅再配線層37及びボンディングワイヤ38を封止する絶縁性樹脂からなる絶縁層である。
【0022】
ボンディングワイヤ38と銅再配線層37が交差する場合、ボンディングワイヤ38は銅再配線層37を跨り、かつ、この銅再配線層37に対して平面視交差する様に配設され、しかも、このボンディングワイヤ38の最上部は、銅再配線層37より上方に位置し、バンプ電極36の下端部より下方に位置している。
図3はWBCSPの配線の変形例を示す図であり、銅再配線層37とボンディングワイヤ38が1つのバンプ電極36に接続され、1つのパッド32と2つのバンプ電極36がボンディングワイヤ38により接続された例である。
【0023】
ここで、このWBCSPの断面構造について、図4に基づき説明する。
このシリコン基板31の表面には酸化ケイ素等からなる絶縁層41が形成され、この絶縁層41上には配線用のパッド32及びバンプ用のパッド33が形成され、パッド32、33を除く領域に酸化ケイ素等からなる保護層42が形成され、この保護層42上には酸化ケイ素、窒化ケイ素等からなる絶縁層43が形成され、これら保護層42及び絶縁層43には、パッド32、33の中央部を露出させるための開口44a、45a及び開口44b、45bが形成されている。
【0024】
このパッド33上には、アンダーバリアメタルからなる下地層46aを介して銅再配線層37aが形成されている。このアンダーバリアメタルは、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)またはクロム(Cr)と銅(Cu)とを積層した積層構造等からなる導電性金属により構成されている。この積層構造としては、例えば、TiまたはCrが1800Å/Cuが6000Å等である。そして、この下地層46a及び銅再配線層37aにより1つの再配線パターン47aとされている。
また、この絶縁層43上には、下地層46bを介して、例えば4〜5μmの厚みの銅再配線層37bが形成され、この下地層46b及び銅再配線層37bにより上記の再配線パターン47aとは全く異なる配線パターンである再配線パターン47bとされている。
【0025】
この再配線パターン47a上には、金属銅からなる導電性ポスト35aが形成され、このポスト35a上には外部接続用のバンプ電極(外部端子)36aが形成されている。
また、再配線パターン47b上にも、金属銅からなる導電性ポスト35bが形成され、このポスト35b上には外部接続用のバンプ電極36bが形成されている。
【0026】
この再配線パターン47bとパッド32とは、ボンディングワイヤ(導電性のワイヤ)38により接続され、これら再配線パターン47a、47b、ポスト35a、35b、パッド32及びボンディングワイヤ38は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂からなる絶縁層39により封止され、一方、バンプ電極36a、36bは絶縁層39の表面から上方に突出している。
すなわち、ボンディングワイヤ38の最上部は、再配線パターン47a、47bより上方かつバンプ電極36a、36bの下端部より下方に位置することとなる。
【0027】
次に、このWBCSPの製造方法について説明する。
シリコン基板31の表面に酸化等により絶縁層41を形成し、この絶縁層41上にフォトリソグラフィにより配線用のパッド32及びバンプ用のパッド33を形成し、これらパッド32、33を含む絶縁層41上にCVD法により酸化ケイ素等からなる保護層42を形成し、フォトリソグラフィにより保護層42にパッド32、33の中央部を露出させるための開口44a、44bを形成する。
【0028】
次いで、この保護層42上にCVD法等により酸化ケイ素、窒化ケイ素等からなる絶縁層43を形成し、フォトリソグラフィにより絶縁層43にパッド32、33の中央部を露出させるための開口45a、45bを形成する。
次いで、パッド33上を含む絶縁層43上に、真空蒸着法あるいはスパッタ法により、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)またはクロム(Cr)と銅(Cu)とを積層した積層構造等の導電性金属からなる下地層、銅再配線層を順次成膜し、これら下地層及び銅再配線層を所定の配線パターンにパターニングし、再配線パターン47a、47bとする。
【0029】
次いで、この再配線パターン47bとパッド32とを、ボンディングワイヤ38により接続する。このボンディングワイヤ38は、20μm〜25μm程度の太さの金(Au)またはアルミニウム(Al)により構成されている。
この場合、ボンディングワイヤ38の最上部Hが後工程で形成されるバンプ電極36a、36bの下端部の位置より下方に位置するように、その最上部Hの高さ、すなわちボンディングワイヤ38の長さを調整する。
これにより、ボンディングワイヤ38の最上部Hは、再配線パターン47a、47bより上方かつバンプ電極36a、36bの下端部より下方に位置することとなる。
【0030】
次いで、これら再配線パターン47a、47b上にポスト35a、35bをそれぞれ形成し、ポスト35a、35b上にバンプ電極36a、36bをそれぞれ形成する。
次いで、これら再配線パターン47a、47b、ポスト35a、35b、パッド32及びボンディングワイヤ38を樹脂封止するために、スピンコート法によりエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂を塗布し、その後加熱あるいは紫外線照射等により硬化させ、絶縁層39を形成する。
これにより、バンプ電極36a、36bは絶縁層39の表面から上方に突出することとなる。
以上により、本実施形態のWBCSPを作製することができる。
【0031】
以上説明した様に、本実施形態のWBCSPによれば、パッド33上に下地層46a及び銅再配線層37aからなる再配線パターン47aを形成し、絶縁層43上に、下地層46b及び銅再配線層37bからなる再配線パターン47bを形成し、再配線パターン47bとパッド32とをボンディングワイヤ38により接続し、これら再配線パターン47a、47b及びボンディングワイヤ38を絶縁層39により樹脂封止すると共に、バンプ電極36a、36bを絶縁層39の表面から上方に突出させる構成としたので、再配線パターン47a、47b、ポスト35a、35b及びボンディングワイヤ38を適宜選択することで、パッド32、33とバンプ電極36a、36bとを最短距離にて配線することができ、配線抵抗及び配線遅延を小さくすることができる。
【0032】
また、ボンディングワイヤ38の最上部Hを、再配線パターン47a、47bより上方かつバンプ電極36a、36bの下端部より下方に位置することとしたので、ボンディングワイヤ38と再配線パターン47a、47bとの短絡を防止することができる。
以上により、短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができるWBCSPを提供することができる。
【0033】
なお、ボンディングワイヤ38による再配線パターン47bとパッド32との接続は、絶縁層39を形成する前であればよく、例えば、ポスト35a、35bの形成の前でもよく、後でもよい。
また、絶縁層39をエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂としたが、この絶縁性樹脂に酸化ケイ素粉末等のフィラーを混入させた構成としてもよい。
また、絶縁層39を、下地層である酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリイミド樹脂等からなる保護層と、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂からなる絶縁層の2層構造としてもよい。
【0034】
「第2の実施形態」
図5は本発明の第2の実施形態のWBCSPを示す断面図であり、本実施形態のWBCSPが、上述した第1の実施形態のWBCSPと異なる点は、第1の実施形態のWBCSPでは、パッド32と再配線パターン47bとをボンディングワイヤ38により接続したのに対し、本実施形態のWBCSPでは、パッド32上に導電性金属からなる下地層46c及び銅再配線層37cからなる再配線パターン47cが形成され、この再配線パターン47cと再配線パターン47bとをボンディングワイヤ38により接続した点である。
本実施形態のWBCSPにおいても、第1の実施形態のWBCSPと同様の作用・効果を奏することができる。
【0035】
「第3の実施形態」
図6は本発明の第3の実施形態のWBCSPを示す断面図であり、本実施形態のWBCSPが、上述した第1の実施形態のWBCSPと異なる点は、第1の実施形態のWBCSPでは、絶縁層43上に、下地層46b及び銅再配線層37bからなる再配線パターン47bを形成し、この再配線パターン47b上に、導電性ポスト35b及びバンプ電極36bを形成し、再配線パターン47bとパッド32とをボンディングワイヤ38により接続したのに対し、本実施形態のWBCSPでは、絶縁層41上に配線用及びバンプ用のパッド51を形成し、保護層42及び絶縁層43に、パッド51の所定領域を露出させるための開口44c、45c及び開口44d、45dを形成し、このパッド51上に、下地層46d及び銅再配線層37dからなる再配線パターン47dを形成し、これらパッド32、51をボンディングワイヤ38により接続した点である。
【0036】
本実施形態のWBCSPにおいても、第1の実施形態のWBCSPと同様の作用・効果を奏することができる。
しかも、パッド32、51をボンディングワイヤ38により接続したので、ボンディングワイヤ38の最上部Hの高さを低く抑えることができる。
【0037】
「第4の実施形態」
図7は本発明の第4の実施形態のWBCSPを示す断面図であり、本実施形態のWBCSPが、上述した第3の実施形態のWBCSPと異なる点は、第3の実施形態のWBCSPでは、絶縁層41上に配線用及びバンプ用のパッド51を形成し、保護層42及び絶縁層43に、パッド51の所定領域を露出させるための開口44c、45c及び開口44d、45dを形成し、このパッド51上かつ開口45d内に、下地層46d及び銅再配線層37dからなる再配線パターン47dを形成したのに対し、本実施形態のWBCSPでは、保護層42及び絶縁層43に、パッド51を露出させるための開口44e、45eを形成し、絶縁層43上に、このパッド51、開口44e、45eを含む領域が階段状となる下地層46e及び銅再配線層37eからなる再配線パターン47eを形成した点である。
【0038】
本実施形態のWBCSPにおいても、第2の実施形態のWBCSPと同様の作用・効果を奏することができる。
しかも、パッド51を露出させるための開口44e、45eは1つでよいので、製造を容易に行うことができる。
【0039】
「第5の実施形態」
図8は本発明の第5の実施形態のWBCSPを示す断面図であり、本実施形態のWBCSPが、上述した第3の実施形態のWBCSPと異なる点は、第3の実施形態のWBCSPでは、絶縁層41上に配線用及びバンプ用のパッド51を形成し、このパッド51上かつ開口45d内に、下地層46d及び銅再配線層37dからなる再配線パターン47dを形成し、パッド32、51を直接ボンディングワイヤ38により接続したのに対し、本実施形態のWBCSPでは、パッド32上に、中央部が凹部とされた下地層46f及び銅再配線層37fからなる再配線パターン47fを形成し、パッド51上に、このパッド51に対応する部分が凹部とされた下地層46g及び銅再配線層37gからなる再配線パターン47gを形成し、再配線パターン47f、47gをボンディングワイヤ38により接続するとともに、再配線パターン47g上にポスト35bを介してバンプ電極36bを形成した点である。
【0040】
本実施形態のWBCSPにおいても、第3の実施形態のWBCSPと同様の作用・効果を奏することができる。
しかも、ボンディングワイヤ38の再配線パターン47f、47gとのボンディング部分の高さを低くすることができ、ポスト35b及び絶縁層39を低くすることができる。
【0041】
「第6の実施形態」
図9は本発明の第6の実施形態のWBCSPを示す断面図であり、本実施形態のWBCSPが、上述した第5の実施形態のWBCSPと異なる点は、パッド32の占有面積を広げ、このパッド32上に、中央部の凹部が拡張された下地層46h及び銅再配線層37hからなる再配線パターン47hを形成し、この再配線パターン47hの周囲を絶縁層43で埋め込み、この再配線パターン47hの中央部にボンディングワイヤ38を接続した点である。
本実施形態のWBCSPにおいても、第5の実施形態のWBCSPと同様の作用・効果を奏することができる。
【産業上の利用可能性】
【0042】
本発明は、パッド33上に再配線パターン47aを、絶縁層43上に再配線パターン47bをそれぞれ形成し、再配線パターン47bとパッド32とをボンディングワイヤ38により接続し、ボンディングワイヤ38の最上部Hを再配線パターン47a、47bより上方かつバンプ電極36a、36bの下端部より下方に位置することとしたものであるから、WBCSPはもちろんのこと、この種以外のCSP等の半導体チップにも適用可能であり、その工業的効果は非常に大きなものである。
【図面の簡単な説明】
【0043】
【図1】本発明の第1の実施形態のWBCSPの配線を示す平面図である。
【図2】図1のA−A線に沿う断面図である。
【図3】本発明の第1の実施形態のWBCSPの配線の変形例を示す部分平面図である。
【図4】本発明の第1の実施形態のWBCSPの配線構造を示す断面図である。
【図5】本発明の第2の実施形態のWBCSPの断面構造を示す断面図である。
【図6】本発明の第3の実施形態のWBCSPの断面構造を示す断面図である。
【図7】本発明の第4の実施形態のWBCSPの断面構造を示す断面図である。
【図8】本発明の第5の実施形態のWBCSPの断面構造を示す断面図である。
【図9】本発明の第6の実施形態のWBCSPの断面構造を示す断面図である。
【図10】従来のCSPの一例を示す断面図である。
【図11】従来のWBCSPの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【0044】
31…シリコン基板、32〜34、51…パッド、35、35a、35b…ポスト、36、36a、36b…バンプ電極、37、37a〜37h…銅再配線層、38…ボンディングワイヤ、39…絶縁層、41…絶縁層、42…保護層、43…絶縁層、44a〜44e…開口、45a〜45e…開口、46a〜46h…下地層、47a〜47h…再配線パターン。
【技術分野】
【0001】
本発明は、半導体素子とその製造方法及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ(WBCSP:Wire bonding Chip Size Package)に関し、特に、短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる技術に関するものである。
【背景技術】
【0002】
近年、ノート型パーソナルコンピュータ、デジタル式カメラ付き携帯用電話機等におけるように、電子機器の小型化、薄厚化、軽量化の進歩はめざましく、従来のデュアル・インライン・パッケージ(Dual Inline Package)に替わってチップサイズの半導体素子が用いられてきている。
チップサイズの半導体素子としては、例えば、半導体素子が金属バンプを介してキャリア用基板に接続され、このキャリア用基板の下面にプリント配線基板上に実装するための金属バンプが形成されたチップサイズパッケージ(CSP:Chip Size Package)が提案されている(例えば、特許文献1参照)。
【0003】
図10は、従来のCSPの一例を示す断面図であり、このCSP1は、半導体チップ2の上面2aに、外部接続のための電極パッド3が所定の配列パターンで形成され、この上面2aには接着剤層4を介して半導体チップ2とほぼ等しい大きさのベース基板5が接着固定され、このベース基板5の上面5aには、信号用配線導体6、電源用配線導体7、グランド用配線導体8が設けられ、これら信号用配線導体6、電源用配線導体7及びグランド用配線導体8には、ランド部6a、7a、8aがそれぞれ設けられ、これらランド部6a〜8aそれぞれには外部接続用の外部端子であるボールバンプ9が設けられている。そして、ベース基板5の電極パッド3に対応する位置には上下方向に貫通するスルーホール10が形成され、この電極パッド3と配線導体6〜8とは、ボンディングワイヤ11により接続され、さらに、上面5aのボールバンプ9を除く領域は絶縁性の保護膜12により覆われている。
【0004】
また、最近では、電子回路が形成された半導体基板の実装面に直接外部接続用の金属パッドが形成されたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ(WBCSP)が提案されている(例えば、特許文献2参照)。
図11は、従来のWBCSPの一例を示す断面図であり、このWBCSP21は、半導体チップ22の上面22aの中央部に、長手方向に沿って2列に電極23が配設され、これら電極23の両側には絶縁膜24が形成され、各絶縁膜24上には、2列に亘って導体パッド25が半導体チップ22の長手方向に沿って設けられている。
導体パッド25と電極23とはボンディングワイヤ26により接続され、各ワイヤ26は相互に接触してショートすることがない様、方向性や導体パッド25での接続位置が選択されている。また、この導体パッド25上にはバンプ電極27が固定され、このバンプ電極27の頂部を含む一部が突出する状態で、電極23、絶縁膜24、導体パッド25及びボンディングワイヤ26が絶縁性の保護膜28により覆われている。
【特許文献1】特開2000−68405号公報
【特許文献2】特開平11−284020号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
ところで、従来のCSP1では、スルーホール10内に配設される極細線のボンディングワイヤ11により電極パッド3と配線導体6〜8とを接続しているので、スルーホール10により配線の自由度が制限されてしまうという問題点があった。また、同一平面内で配線を行った場合、配線距離が長くなってしまい、配線遅延が大きくなるという問題点があった。
また、極細線のボンディングワイヤ11を用いているので、配線抵抗が大きく、したがって、発熱量が大きくなり、CSP1の特性に悪影響を及ぼすという問題点があった。
【0006】
また、従来のWBCSP21では、導体パッド25と電極23とをボンディングワイヤ26により接続しているので、ボンディングワイヤ26が短絡してショート不良等の不具合が生じる虞があるという問題点があった。
また、導体パッド25と電極23との接続を全てボンディングワイヤ26により行っているので、導体パッド25と電極23との間の距離を短縮することが難しく、さらなる小型化が難しいという問題点があった。
【0007】
本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる半導体素子とその製造方法及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージを提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0008】
上記課題を解決するために、本発明は次の様な半導体素子とその製造方法及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージを提供した。
すなわち、本発明の半導体素子は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、前記再配線層と前記ワイヤは1つの前記外部端子に接続され、1つの前記パッドと2つの前記外部端子とは、それぞれ1つのワイヤにより接続されていることを特徴とする。
【0009】
本発明の半導体素子は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、前記パッド上には下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、前記外部端子と前記絶縁層との間にも下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、これら再配線パターンはワイヤにより接続されていることを特徴とする。
【0010】
本発明の半導体素子は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、前記絶縁層上に配線用及び外部端子用のパッドが形成され、前記保護層及び前記絶縁層に、これらのパッドの所定領域を露出するための開口が形成され、これらのパッド上に下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、これらパッドはワイヤにより接続されていることを特徴とする。
【0011】
本発明の半導体素子は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、前記絶縁層上に配線用及び外部端子用のパッドが形成され、前記保護膜及び前記絶縁層に、この配線用及び外部端子用のパッドの所定領域を露出するための開口が形成され、前記絶縁層上に、これら配線用及び外部端子用のパッド及び開口を含む領域が階段状となる下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成されていることを特徴とする。
【0012】
本発明の半導体素子は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、前記パッド上に、中央部が凹部とされた下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、前記絶縁層上に配線用及び外部端子用のパッドが形成され、この配線用及び外部端子用のパッド上に、このパッドに対応する部分が凹部とされた下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、これらの再配線パターンはワイヤにより接続されるとともに、前記配線用及び外部端子用のパッド上に形成された再配線パターン上にポストを介して外部端子が形成されていることを特徴とする。
【0013】
本発明の半導体素子は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、前記パッドの占有面積が拡大され、このパッド上に、中央部の凹部が拡張された下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、この再配線パターンの周囲は絶縁層で埋め込まれるとともに、この再配線パターンにワイヤが接続されていることを特徴とする。
【0014】
これらの半導体素子では、再配線層の一部を複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続するとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドを該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続し、この再配線層の他の一部を残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続したことにより、パッドと外部接続用の外部端子とを、再配線層、導電性ポスト及び導電性のワイヤを適宜選択することで最短の配線が可能になり、配線抵抗及び配線遅延が小さくなる。
また、ワイヤの最上部を、再配線層より上方かつ外部端子の下端部より下方に位置させることにより、ワイヤと再配線層との短絡を防止する。
【0015】
本発明の半導体素子の製造方法は、電子回路が形成された半導体基板の一主面に、絶縁層、配線用及び外部端子用のパッドを順次形成し、これらパッドを含む絶縁層上に、前記パッドの中央部を露出させる開口が形成された保護層を形成し、この保護層上に、前記パッドの中央部を露出させる開口が形成された絶縁層を形成し、前記パッドを含む絶縁層上に、所定の配線パターンの下地層及び再配線層からなる再配線パターンをそれぞれ形成し、これらの再配線パターンの一方と前記パッドとを、最上部が前記再配線層より上方かつ外部端子の下端部より下方に位置するワイヤにより接続し、これら再配線パターン上に導電性のポストをそれぞれ形成し、これらポスト上に外部端子をそれぞれ形成し、これら再配線パターン、ポスト、パッド及びワイヤを絶縁性樹脂からなる絶縁層により封止することを特徴とする。
【0016】
本発明のワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージは、本発明の半導体素子を備えてなることを特徴とする。
このワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージでは、本発明の半導体素子を備えたことにより、配線抵抗及び配線遅延が小さくなり、短絡等の不具合が生じる虞もない。
【発明の効果】
【0017】
本発明の半導体素子によれば、再配線層の一部を複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続するとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドを該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続し、この再配線層の他の一部を残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続したので、パッドと外部接続用の外部端子とを、再配線層、導電性ポスト及び導電性のワイヤを適宜選択することで最短距離にて配線することができ、配線抵抗及び配線遅延を小さくすることができる。
【0018】
また、ワイヤの最上部を、再配線層より上方かつ外部端子の下端部より下方に位置させたので、ワイヤと再配線層との短絡を防止することができる。
以上により、短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができる半導体素子を提供することができる。
【0019】
本発明のワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージによれば、本発明の半導体素子を備えたので、配線抵抗及び配線遅延を小さくすることができ、ワイヤと再配線層との短絡を防止することができる。
以上により、短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができるワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0020】
本発明の半導体素子とその製造方法及びそれを備えたワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ(WBCSP)の各実施の形態について図面に基づき説明する。
「第1の実施形態」
図1は本発明の第1の実施形態のWBCSPの配線を示す平面図、図2は図1のA−A線に沿う断面図である。
【0021】
図において、31は集積回路(電子回路:図示略)等が形成された平面視矩形状のシリコン基板(半導体基板)、32はシリコン基板31の表面(一主面)の周縁部に配設された配線用のパッド、33はシリコン基板31の表面に縦横に形成されたバンプ用のパッド、35はパッド33上に形成された導電性金属からなるポスト、36はポスト35上に形成された外部接続用のバンプ電極(外部端子)、37はシリコン基板31上に配設された銅再配線層、38は銅再配線層37の上方に配設されたボンディングワイヤ(導電性のワイヤ)、39は銅再配線層37及びボンディングワイヤ38を封止する絶縁性樹脂からなる絶縁層である。
【0022】
ボンディングワイヤ38と銅再配線層37が交差する場合、ボンディングワイヤ38は銅再配線層37を跨り、かつ、この銅再配線層37に対して平面視交差する様に配設され、しかも、このボンディングワイヤ38の最上部は、銅再配線層37より上方に位置し、バンプ電極36の下端部より下方に位置している。
図3はWBCSPの配線の変形例を示す図であり、銅再配線層37とボンディングワイヤ38が1つのバンプ電極36に接続され、1つのパッド32と2つのバンプ電極36がボンディングワイヤ38により接続された例である。
【0023】
ここで、このWBCSPの断面構造について、図4に基づき説明する。
このシリコン基板31の表面には酸化ケイ素等からなる絶縁層41が形成され、この絶縁層41上には配線用のパッド32及びバンプ用のパッド33が形成され、パッド32、33を除く領域に酸化ケイ素等からなる保護層42が形成され、この保護層42上には酸化ケイ素、窒化ケイ素等からなる絶縁層43が形成され、これら保護層42及び絶縁層43には、パッド32、33の中央部を露出させるための開口44a、45a及び開口44b、45bが形成されている。
【0024】
このパッド33上には、アンダーバリアメタルからなる下地層46aを介して銅再配線層37aが形成されている。このアンダーバリアメタルは、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)またはクロム(Cr)と銅(Cu)とを積層した積層構造等からなる導電性金属により構成されている。この積層構造としては、例えば、TiまたはCrが1800Å/Cuが6000Å等である。そして、この下地層46a及び銅再配線層37aにより1つの再配線パターン47aとされている。
また、この絶縁層43上には、下地層46bを介して、例えば4〜5μmの厚みの銅再配線層37bが形成され、この下地層46b及び銅再配線層37bにより上記の再配線パターン47aとは全く異なる配線パターンである再配線パターン47bとされている。
【0025】
この再配線パターン47a上には、金属銅からなる導電性ポスト35aが形成され、このポスト35a上には外部接続用のバンプ電極(外部端子)36aが形成されている。
また、再配線パターン47b上にも、金属銅からなる導電性ポスト35bが形成され、このポスト35b上には外部接続用のバンプ電極36bが形成されている。
【0026】
この再配線パターン47bとパッド32とは、ボンディングワイヤ(導電性のワイヤ)38により接続され、これら再配線パターン47a、47b、ポスト35a、35b、パッド32及びボンディングワイヤ38は、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂からなる絶縁層39により封止され、一方、バンプ電極36a、36bは絶縁層39の表面から上方に突出している。
すなわち、ボンディングワイヤ38の最上部は、再配線パターン47a、47bより上方かつバンプ電極36a、36bの下端部より下方に位置することとなる。
【0027】
次に、このWBCSPの製造方法について説明する。
シリコン基板31の表面に酸化等により絶縁層41を形成し、この絶縁層41上にフォトリソグラフィにより配線用のパッド32及びバンプ用のパッド33を形成し、これらパッド32、33を含む絶縁層41上にCVD法により酸化ケイ素等からなる保護層42を形成し、フォトリソグラフィにより保護層42にパッド32、33の中央部を露出させるための開口44a、44bを形成する。
【0028】
次いで、この保護層42上にCVD法等により酸化ケイ素、窒化ケイ素等からなる絶縁層43を形成し、フォトリソグラフィにより絶縁層43にパッド32、33の中央部を露出させるための開口45a、45bを形成する。
次いで、パッド33上を含む絶縁層43上に、真空蒸着法あるいはスパッタ法により、クロム(Cr)、ニッケル(Ni)、チタン(Ti)またはクロム(Cr)と銅(Cu)とを積層した積層構造等の導電性金属からなる下地層、銅再配線層を順次成膜し、これら下地層及び銅再配線層を所定の配線パターンにパターニングし、再配線パターン47a、47bとする。
【0029】
次いで、この再配線パターン47bとパッド32とを、ボンディングワイヤ38により接続する。このボンディングワイヤ38は、20μm〜25μm程度の太さの金(Au)またはアルミニウム(Al)により構成されている。
この場合、ボンディングワイヤ38の最上部Hが後工程で形成されるバンプ電極36a、36bの下端部の位置より下方に位置するように、その最上部Hの高さ、すなわちボンディングワイヤ38の長さを調整する。
これにより、ボンディングワイヤ38の最上部Hは、再配線パターン47a、47bより上方かつバンプ電極36a、36bの下端部より下方に位置することとなる。
【0030】
次いで、これら再配線パターン47a、47b上にポスト35a、35bをそれぞれ形成し、ポスト35a、35b上にバンプ電極36a、36bをそれぞれ形成する。
次いで、これら再配線パターン47a、47b、ポスト35a、35b、パッド32及びボンディングワイヤ38を樹脂封止するために、スピンコート法によりエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂を塗布し、その後加熱あるいは紫外線照射等により硬化させ、絶縁層39を形成する。
これにより、バンプ電極36a、36bは絶縁層39の表面から上方に突出することとなる。
以上により、本実施形態のWBCSPを作製することができる。
【0031】
以上説明した様に、本実施形態のWBCSPによれば、パッド33上に下地層46a及び銅再配線層37aからなる再配線パターン47aを形成し、絶縁層43上に、下地層46b及び銅再配線層37bからなる再配線パターン47bを形成し、再配線パターン47bとパッド32とをボンディングワイヤ38により接続し、これら再配線パターン47a、47b及びボンディングワイヤ38を絶縁層39により樹脂封止すると共に、バンプ電極36a、36bを絶縁層39の表面から上方に突出させる構成としたので、再配線パターン47a、47b、ポスト35a、35b及びボンディングワイヤ38を適宜選択することで、パッド32、33とバンプ電極36a、36bとを最短距離にて配線することができ、配線抵抗及び配線遅延を小さくすることができる。
【0032】
また、ボンディングワイヤ38の最上部Hを、再配線パターン47a、47bより上方かつバンプ電極36a、36bの下端部より下方に位置することとしたので、ボンディングワイヤ38と再配線パターン47a、47bとの短絡を防止することができる。
以上により、短絡等の不具合が生じる虞がなく、配線自由度を容易に増大させることができ、配線の変更を容易かつ短時間で行うことができるWBCSPを提供することができる。
【0033】
なお、ボンディングワイヤ38による再配線パターン47bとパッド32との接続は、絶縁層39を形成する前であればよく、例えば、ポスト35a、35bの形成の前でもよく、後でもよい。
また、絶縁層39をエポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂としたが、この絶縁性樹脂に酸化ケイ素粉末等のフィラーを混入させた構成としてもよい。
また、絶縁層39を、下地層である酸化ケイ素、窒化ケイ素、ポリイミド樹脂等からなる保護層と、エポキシ樹脂、ポリイミド樹脂等の絶縁性樹脂からなる絶縁層の2層構造としてもよい。
【0034】
「第2の実施形態」
図5は本発明の第2の実施形態のWBCSPを示す断面図であり、本実施形態のWBCSPが、上述した第1の実施形態のWBCSPと異なる点は、第1の実施形態のWBCSPでは、パッド32と再配線パターン47bとをボンディングワイヤ38により接続したのに対し、本実施形態のWBCSPでは、パッド32上に導電性金属からなる下地層46c及び銅再配線層37cからなる再配線パターン47cが形成され、この再配線パターン47cと再配線パターン47bとをボンディングワイヤ38により接続した点である。
本実施形態のWBCSPにおいても、第1の実施形態のWBCSPと同様の作用・効果を奏することができる。
【0035】
「第3の実施形態」
図6は本発明の第3の実施形態のWBCSPを示す断面図であり、本実施形態のWBCSPが、上述した第1の実施形態のWBCSPと異なる点は、第1の実施形態のWBCSPでは、絶縁層43上に、下地層46b及び銅再配線層37bからなる再配線パターン47bを形成し、この再配線パターン47b上に、導電性ポスト35b及びバンプ電極36bを形成し、再配線パターン47bとパッド32とをボンディングワイヤ38により接続したのに対し、本実施形態のWBCSPでは、絶縁層41上に配線用及びバンプ用のパッド51を形成し、保護層42及び絶縁層43に、パッド51の所定領域を露出させるための開口44c、45c及び開口44d、45dを形成し、このパッド51上に、下地層46d及び銅再配線層37dからなる再配線パターン47dを形成し、これらパッド32、51をボンディングワイヤ38により接続した点である。
【0036】
本実施形態のWBCSPにおいても、第1の実施形態のWBCSPと同様の作用・効果を奏することができる。
しかも、パッド32、51をボンディングワイヤ38により接続したので、ボンディングワイヤ38の最上部Hの高さを低く抑えることができる。
【0037】
「第4の実施形態」
図7は本発明の第4の実施形態のWBCSPを示す断面図であり、本実施形態のWBCSPが、上述した第3の実施形態のWBCSPと異なる点は、第3の実施形態のWBCSPでは、絶縁層41上に配線用及びバンプ用のパッド51を形成し、保護層42及び絶縁層43に、パッド51の所定領域を露出させるための開口44c、45c及び開口44d、45dを形成し、このパッド51上かつ開口45d内に、下地層46d及び銅再配線層37dからなる再配線パターン47dを形成したのに対し、本実施形態のWBCSPでは、保護層42及び絶縁層43に、パッド51を露出させるための開口44e、45eを形成し、絶縁層43上に、このパッド51、開口44e、45eを含む領域が階段状となる下地層46e及び銅再配線層37eからなる再配線パターン47eを形成した点である。
【0038】
本実施形態のWBCSPにおいても、第2の実施形態のWBCSPと同様の作用・効果を奏することができる。
しかも、パッド51を露出させるための開口44e、45eは1つでよいので、製造を容易に行うことができる。
【0039】
「第5の実施形態」
図8は本発明の第5の実施形態のWBCSPを示す断面図であり、本実施形態のWBCSPが、上述した第3の実施形態のWBCSPと異なる点は、第3の実施形態のWBCSPでは、絶縁層41上に配線用及びバンプ用のパッド51を形成し、このパッド51上かつ開口45d内に、下地層46d及び銅再配線層37dからなる再配線パターン47dを形成し、パッド32、51を直接ボンディングワイヤ38により接続したのに対し、本実施形態のWBCSPでは、パッド32上に、中央部が凹部とされた下地層46f及び銅再配線層37fからなる再配線パターン47fを形成し、パッド51上に、このパッド51に対応する部分が凹部とされた下地層46g及び銅再配線層37gからなる再配線パターン47gを形成し、再配線パターン47f、47gをボンディングワイヤ38により接続するとともに、再配線パターン47g上にポスト35bを介してバンプ電極36bを形成した点である。
【0040】
本実施形態のWBCSPにおいても、第3の実施形態のWBCSPと同様の作用・効果を奏することができる。
しかも、ボンディングワイヤ38の再配線パターン47f、47gとのボンディング部分の高さを低くすることができ、ポスト35b及び絶縁層39を低くすることができる。
【0041】
「第6の実施形態」
図9は本発明の第6の実施形態のWBCSPを示す断面図であり、本実施形態のWBCSPが、上述した第5の実施形態のWBCSPと異なる点は、パッド32の占有面積を広げ、このパッド32上に、中央部の凹部が拡張された下地層46h及び銅再配線層37hからなる再配線パターン47hを形成し、この再配線パターン47hの周囲を絶縁層43で埋め込み、この再配線パターン47hの中央部にボンディングワイヤ38を接続した点である。
本実施形態のWBCSPにおいても、第5の実施形態のWBCSPと同様の作用・効果を奏することができる。
【産業上の利用可能性】
【0042】
本発明は、パッド33上に再配線パターン47aを、絶縁層43上に再配線パターン47bをそれぞれ形成し、再配線パターン47bとパッド32とをボンディングワイヤ38により接続し、ボンディングワイヤ38の最上部Hを再配線パターン47a、47bより上方かつバンプ電極36a、36bの下端部より下方に位置することとしたものであるから、WBCSPはもちろんのこと、この種以外のCSP等の半導体チップにも適用可能であり、その工業的効果は非常に大きなものである。
【図面の簡単な説明】
【0043】
【図1】本発明の第1の実施形態のWBCSPの配線を示す平面図である。
【図2】図1のA−A線に沿う断面図である。
【図3】本発明の第1の実施形態のWBCSPの配線の変形例を示す部分平面図である。
【図4】本発明の第1の実施形態のWBCSPの配線構造を示す断面図である。
【図5】本発明の第2の実施形態のWBCSPの断面構造を示す断面図である。
【図6】本発明の第3の実施形態のWBCSPの断面構造を示す断面図である。
【図7】本発明の第4の実施形態のWBCSPの断面構造を示す断面図である。
【図8】本発明の第5の実施形態のWBCSPの断面構造を示す断面図である。
【図9】本発明の第6の実施形態のWBCSPの断面構造を示す断面図である。
【図10】従来のCSPの一例を示す断面図である。
【図11】従来のWBCSPの一例を示す断面図である。
【符号の説明】
【0044】
31…シリコン基板、32〜34、51…パッド、35、35a、35b…ポスト、36、36a、36b…バンプ電極、37、37a〜37h…銅再配線層、38…ボンディングワイヤ、39…絶縁層、41…絶縁層、42…保護層、43…絶縁層、44a〜44e…開口、45a〜45e…開口、46a〜46h…下地層、47a〜47h…再配線パターン。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、
前記再配線層と前記ワイヤは1つの前記外部端子に接続され、1つの前記パッドと2つの前記外部端子とは、それぞれ1つのワイヤにより接続されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項2】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、
前記パッド上には下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、前記外部端子と前記絶縁層との間にも下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、これら再配線パターンはワイヤにより接続されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項3】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、
前記絶縁層上に配線用及び外部端子用のパッドが形成され、前記保護膜及び前記絶縁層に、これらのパッドの所定領域を露出するための開口が形成され、これらのパッド上に下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、これらパッドはワイヤにより接続されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項4】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、
前記絶縁層上に配線用及び外部端子用のパッドが形成され、前記保護膜及び前記絶縁層に、この配線用及び外部端子用のパッドの所定領域を露出するための開口が形成され、前記絶縁層上に、これら配線用及び外部端子用のパッド及び開口を含む領域が階段状となる下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項5】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、
前記パッド上に、中央部が凹部とされた下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、
前記絶縁層上に配線用及び外部端子用のパッドが形成され、この配線用及び外部端子用のパッド上に、このパッドに対応する部分が凹部とされた下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、
これらの再配線パターンはワイヤにより接続されるとともに、前記配線用及び外部端子用のパッド上に形成された再配線パターン上にポストを介して外部端子が形成されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項6】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線
層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、
前記パッドの占有面積が拡大され、このパッド上に、中央部の凹部が拡張された下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、
この再配線パターンの周囲は絶縁層で埋め込まれるとともに、この再配線パターンにワイヤが接続されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項7】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に、絶縁層、配線用及び外部端子用のパッドを順次形成し、これらパッドを含む絶縁層上に、前記パッドの中央部を露出させる開口が形成された保護層を形成し、この保護層上に、前記パッドの中央部を露出させる開口が形成された絶縁層を形成し、前記パッドを含む絶縁層上に、所定の配線パターンの下地層及び再配線層からなる再配線パターンをそれぞれ形成し、これらの再配線パターンの一方と前記パッドとを、最上部が前記再配線層より上方かつ外部端子の下端部より下方に位置するワイヤにより接続し、これら再配線パターン上に導電性のポストをそれぞれ形成し、これらポスト上に外部端子をそれぞれ形成し、これら再配線パターン、ポスト、パッド及びワイヤを絶縁性樹脂からなる絶縁層により封止することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項8】
請求項1ないし6のいずれか1項記載の半導体素子を備えてなることを特徴とするワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ。
【請求項1】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、
前記再配線層と前記ワイヤは1つの前記外部端子に接続され、1つの前記パッドと2つの前記外部端子とは、それぞれ1つのワイヤにより接続されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項2】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、
前記パッド上には下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、前記外部端子と前記絶縁層との間にも下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、これら再配線パターンはワイヤにより接続されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項3】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、
前記絶縁層上に配線用及び外部端子用のパッドが形成され、前記保護膜及び前記絶縁層に、これらのパッドの所定領域を露出するための開口が形成され、これらのパッド上に下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、これらパッドはワイヤにより接続されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項4】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、
前記絶縁層上に配線用及び外部端子用のパッドが形成され、前記保護膜及び前記絶縁層に、この配線用及び外部端子用のパッドの所定領域を露出するための開口が形成され、前記絶縁層上に、これら配線用及び外部端子用のパッド及び開口を含む領域が階段状となる下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項5】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、
前記パッド上に、中央部が凹部とされた下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、
前記絶縁層上に配線用及び外部端子用のパッドが形成され、この配線用及び外部端子用のパッド上に、このパッドに対応する部分が凹部とされた下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、
これらの再配線パターンはワイヤにより接続されるとともに、前記配線用及び外部端子用のパッド上に形成された再配線パターン上にポストを介して外部端子が形成されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項6】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に複数のパッドが形成され、前記一主面の前記複数のパッドを除く領域に保護膜が形成され、該保護膜上に再配線層が形成され、この再配線層の一部は前記複数のパッドのうち1つ以上のパッドに接続されるとともに、これらのパッドのうち1つ以上のパッドは該再配線
層及び導電性ポストを介して外部接続用の外部端子に接続され、この再配線層の他の一部は残った複数のパッドのうち1つ以上のパッドに導電性のワイヤを介して接続され、前記再配線層、前記ワイヤ及び前記導電性ポストを封止しかつ前記外部端子の一部を突出させる様に絶縁層が形成され、前記ワイヤの最上部は、前記再配線層より上方かつ前記外部端子の下端部より下方に位置し、
前記パッドの占有面積が拡大され、このパッド上に、中央部の凹部が拡張された下地層及び再配線層からなる再配線パターンが形成され、
この再配線パターンの周囲は絶縁層で埋め込まれるとともに、この再配線パターンにワイヤが接続されていることを特徴とする半導体素子。
【請求項7】
電子回路が形成された半導体基板の一主面に、絶縁層、配線用及び外部端子用のパッドを順次形成し、これらパッドを含む絶縁層上に、前記パッドの中央部を露出させる開口が形成された保護層を形成し、この保護層上に、前記パッドの中央部を露出させる開口が形成された絶縁層を形成し、前記パッドを含む絶縁層上に、所定の配線パターンの下地層及び再配線層からなる再配線パターンをそれぞれ形成し、これらの再配線パターンの一方と前記パッドとを、最上部が前記再配線層より上方かつ外部端子の下端部より下方に位置するワイヤにより接続し、これら再配線パターン上に導電性のポストをそれぞれ形成し、これらポスト上に外部端子をそれぞれ形成し、これら再配線パターン、ポスト、パッド及びワイヤを絶縁性樹脂からなる絶縁層により封止することを特徴とする半導体素子の製造方法。
【請求項8】
請求項1ないし6のいずれか1項記載の半導体素子を備えてなることを特徴とするワイヤボンディング・チップサイズ・パッケージ。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【公開番号】特開2007−81431(P2007−81431A)
【公開日】平成19年3月29日(2007.3.29)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−331893(P2006−331893)
【出願日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【分割の表示】特願2004−256860(P2004−256860)の分割
【原出願日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【出願人】(000004075)ヤマハ株式会社 (5,930)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成19年3月29日(2007.3.29)
【国際特許分類】
【出願日】平成18年12月8日(2006.12.8)
【分割の表示】特願2004−256860(P2004−256860)の分割
【原出願日】平成16年9月3日(2004.9.3)
【出願人】(000004075)ヤマハ株式会社 (5,930)
【Fターム(参考)】
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