【課題】酸化物半導体を含み、高速動作が可能なトランジスタを提供する。または、該トランジスタを含む信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁層の溝に埋め込まれた電極層上に、一対の低抵抗領域及びチャネル形成領域を含む酸化物半導体層を設ける。チャネル形成領域は、サイドウォールを側壁に有するゲート電極層と重なる位置に形成される。溝は、深い領域と浅い領域を有し、サイドウォールは、浅い領域と重なり、配線との接続は、深い領域と重なる。 （もっと読む）

【課題】大量生産上、大型の基板に適している液滴吐出法を用いた製造プロセスを提供す
る。
【解決手段】液滴吐出法で感光性の導電膜材料液を選択的に吐出し、レーザ光で選択的に
露光した後、現像またはエッチングすることによって、レーザ光で露光した領域のみを残
し、吐出後のパターンよりも微細なソース配線およびドレイン配線を実現する。ＴＦＴの
ソース配線およびドレイン配線は、島状の半導体層を横断して重ねることを特徴としてい
る。 （もっと読む）

【課題】裏面照射型の固体撮像装置において、受光面と遮光膜との距離を小さくすることにより、光電変換部での受光特性の向上を図る。
【解決手段】光電変換部が配列形成された画素領域を有するセンサ基板と、センサ基板において光電変換部に対する受光面とは逆の表面側に設けられた駆動回路と、画素領域における受光面上に設けられた遮光膜と、遮光膜を覆って設けられた保護絶縁膜と、画素領域の外側の周辺領域において、保護絶縁膜からセンサ基板にかけて埋め込まれ駆動回路に接続された複数の貫通ビアを備えた固体撮像装置。 （もっと読む）

【課題】 より一層、製品の歩留まりを向上させることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本開示の半導体装置の製造方法では、まず、第１半導体部及び第２半導体部を貼り合わせた半導体部材の一方の面上に形成された絶縁膜３０上に、所定の薬液で処理された際に該所定の薬液が絶縁膜に浸透しないような耐性を有するストッパー膜３１を形成する。次いで、半導体部材のストッパー膜３１側に、第１半導体部及び第２半導体部を電気的に接続するためのＣｕ配線接合部３４を形成する。次いで、Ｃｕ配線接合部３４上にＣｕ拡散防止膜３４を形成する。次いで、Ｃｕ配線接合部３４の形成領域以外の領域のＣｕ拡散防止膜３３を除去して該領域に存在する不要なＣｕ部２１０，２１１を露出させる。そして、所定の薬液を用いて、不要なＣｕ部２１０，２１１を除去する。 （もっと読む）

【課題】穴部の側壁を基板の表面に対して垂直に形成するとともに、高速にシリコン層をエッチングするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】レジスト層をマスクとしてシリコン層をプラズマエッチングする方法であって、前記プラズマエッチング工程が、所定の比率で混合した堆積性ガスおよびエッチング性ガスの混合ガスを処理容器内に導入し、該混合ガス雰囲気で前記被処理基板をプラズマエッチングする第１のエッチングステップと、前記処理容器内に前記堆積性ガスを導入し、前記第１のエッチングステップによりプラズマエッチングされた被処理基板を該堆積性ガスが主体の雰囲気で堆積処理する堆積ステップ、および、前記処理容器内に前記エッチング性ガスを導入し、前記堆積ステップにより堆積処理された被処理基板を該エッチング性ガスが主体の雰囲気でプラズマエッチングする第２のエッチングステップを、複数回繰り返す。 （もっと読む）

【課題】無線通信により交信可能な半導体装置において、個体識別子を容易に付けることができるようにする。また信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】チャネル形成領域と、ソース領域またはドレイン領域を有する島状半導体膜１３１と、ゲート絶縁膜と、ゲート電極１０３とを有する薄膜トランジスタと、層間絶縁膜と、層間絶縁膜中に形成され、ソース領域またはドレイン領域の一方に達する複数のコンタクトホールを含む第１のコンタクトホール１４２と、ソース領域またはドレイン領域の他方に達する第２のコンタクトホール１４１とを有し、第２のコンタクトホール１４１の径は、第１のコンタクトホール１４２に含まれる複数のコンタクトホール１４２のそれぞれの径より大きく、第１のコンタクトホールの底面積の合計と、第２のコンタクトホール１４１の底面積は等しい半導体装置に関する。 （もっと読む）

【課題】異なる深さに位置する導電層を露出させた接続孔を有する半導体装置において、浅い導電層の過剰なエッチングを防止し、半導体装置の歩留まりの向上を図る。
【解決手段】第１導電層および第１導電層よりも深く配置された第２導電層を内部に有する基板上に、第１導電層および第２導電層の上部を露出する開口を有する大径レジストパターンを形成する。この大径レジストパターンをマスクにしたエッチングに基づいて、第１導電層を底部に露出させた大径凹部を、基板に形成する。基板上に、第２導電層の上部を露出する開口を大径凹部の形成範囲内に有する小径レジストパターンを形成する。この小径レジストパターンをマスクにしたエッチングに基づいて、第２導電層を底部に露出させた小径凹部を、基板に形成する。 （もっと読む）

【課題】新規な構造のコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成され、ソース／ドレイン領域及びゲート電極を有するトランジスタと、トランジスタのソース／ドレイン領域及びゲート電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、トランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接されるコンタクトプラグとを有し、コンタクトプラグは、絶縁膜の厚さ方向に延在しトランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接触する柱部と、柱部の上部から絶縁膜の表面と平行な方向に張り出し上面が平坦化された鍔部とを有する。 （もっと読む）

【課題】充填不良や被処理物の割れを生じず、被処理物上に開口するように形成された微小空間に溶融金属を的確に充填する。
【解決手段】金属充填装置１であって、半導体ウェハＫを保持する保持台Ｈと、ハウジングＣと、ハウジングＣの内部空間内に気密状に嵌入されたピストンＰとを備え、半導体ウェハＫ又は保持台Ｈ、ハウジングＣ及びピストンＰによって気密状の処理室２が形成され、更に、処理室２内を減圧する減圧機構３と、前記処理室２内に溶融金属Ｍを供給する溶融金属供給機構４とを備えるとともに、ピストンＰは、少なくとも、その半導体ウェハＫに対向する側が金属から構成されている。 （もっと読む）

【課題】貫通電極と配線との接続部位の抵抗のバラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。
【解決手段】貫通電極用の穴部を設け、配線層に対してオーバエッチングを施す。穴部に銅を埋め込むことにより、銅からなる貫通電極を形成させて、アルミニウムからなる配線と接続させた後、熱処理により貫通電極と配線とが接続される接触領域Ｇを合金化させることで、貫通電極と配線との抵抗バラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。本技術は、半導体装置と、その製造に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】ダイシングの際にクラック発生を抑制できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に形成された複数の配線層と、前記複数の配線層の間に配置されたビア層と、前記複数の配線層に形成された導電膜と、前記ビア層の上下の前記配線層の前記導電膜と接続するビアプラグＶ５とを有し、スクライブ領域３１は、チップ領域の外周であって前記半導体基板の縁に接して位置し、前記スクライブ領域３１は前記縁に接するパッド領域３３を有し、前記パッド領域３３は、前記複数の配線層の各々に、平面視において相互に重なって配置され、前記複数の配線層は、第１の配線層と第２の配線層を有し、前記第１の配線層の前記導電膜は、前記パッド領域３３の全面に形成された第１の導電パターン５５を有し、前記第２の配線層の前記導電膜は、前記パッド領域の一部に形成された第２の導電パターン５０を有する。 （もっと読む）

【課題】処理後の被処理物上に形成される余剰金属からなる層の厚さを最小限の厚さにすることができるとともに、被処理物上に開口するように形成された微小空間（ビア，貫通孔）に溶融金属を充填することのできる金属充填装置を提供する。
【解決手段】金属充填装置１は、半導体ウェハを保持する保持台Ｈ、保持台Ｈに対向して設けられ、保持面Ｈに対向する側に金属から構成される押付部が形成されたピストンＰを備え、保持台Ｈに保持された半導体ウェハＫに対してピストンＰを押付可能に設けられた押付機構５などを備えてなり、保持台Ｈに保持された半導体ウェハＫ、ハウジングＣ及びピストンＰによって気密状の処理室２が形成される。また、処理室２内の気体を排気して、当該処理室２内を減圧する減圧機構３、処理室２内に溶融金属Ｍを供給する溶融金属供給機構４、処理室２内に不活性ガスを供給する加圧ガス供給機構７などを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を損なうことがない半導体装置およびその作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタ（半導体装置）において、電極層を酸化物半導体層の下部に接して形成し、不純物を添加する処理により酸化物半導体層に自己整合的にチャネル形成領域と、チャネル形成領域を挟むように一対の低抵抗領域を形成する。また、電極層および低抵抗領域と電気的に接続する配線層を絶縁層の開口を介して設ける。 （もっと読む）

【課題】シールリングの内側領域生じたクラックを低コストで検出することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】図２に示すように、本実施形態に係る半導体装置は、多層配線層と、内部回路領域３と、多層配線層に形成され、内部回路領域３を囲うシールリング２２０と、平面視で内部回路領域３とシールリング２２０とに挟まれた領域に設けられているＴＥＧ２００と、を含んでいる。ＴＥＧ２００は、多層配線層の少なくとも２層それぞれに設けられ、互いに接続する導体パターン７と、Ｐ型ウェル１３と、Ｎ型ウェル１４とによって構成されている。Ｐ型ウェル１３とＮ型ウェル１４は、平面視で交互に互いに接続された状態で配置されており、Ｐ型ウェル１３とＮ型ウェル１４のいずれか一つに導体パターン７が接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の反りを抑制し、且つ、その反りの経時変化を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、基板と、基板上に形成された多層配線層と、を有し、多層配線層は、配線と、配線を覆う層間絶縁膜と、をそれぞれ有する複数層の配線層を有する。少なくとも何れか１つの層間絶縁膜（例えば、層間絶縁膜２７、３０）は、第１絶縁膜４１と第２絶縁膜４２とを有する。第１絶縁膜４１は、基板を第１方向（例えば下に凸）に反らせる応力を基板に与える。第２絶縁膜４２は、第１絶縁膜４１よりも表層側に形成され、第１絶縁膜４１よりも吸湿性が低く、基板を第１方向に対する反対方向（例えば上に凸）に反らせる応力を基板に与える。 （もっと読む）

【課題】高耐圧の能動素子を含む回路と低電圧で動作するロジック回路とが同一基板上に混載された半導体装置を低コストで実現する。
【解決手段】半導体装置が、ロジック回路５０と、能動素子回路とを具備している。ロジック回路５０は、半導体基板１に形成された半導体素子２を備えている。該能動素子回路は、半導体基板１の上方に形成された拡散絶縁膜７−１の上に形成された半導体層８−１、８−２を用いて形成されたトランジスタ２１−１、２１−２を備えている。この能動素子回路がロジック回路５０により制御される。 （もっと読む）

【課題】 実施形態は、層間配線抵抗が低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板上に第１の触媒金属膜と、前記第１の触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと、前記コンタクトホール底部に前記グラフェンと電気的に導通する導電膜と、導電膜上に水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した第２の触媒金属膜と、前記第２の触媒金属膜上にカーボンナノチューブとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション耐性及び信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜をエッチングして配線溝を形成する工程と、前記配線溝内に銅膜を形成し、銅配線を形成する工程と、前記銅配線及び前記絶縁膜の表面を平坦化する工程と、平坦化された前記銅配線及び絶縁膜上に金属膜を形成する工程と、酸素を含んだ雰囲気中で加熱を行うことにより前記銅配線上の前記金属膜と前記銅配線とを選択的に反応させて合金膜を形成するとともに前記絶縁膜上の前記金属膜を酸化して絶縁性の膜に変化させる工程と、前記合金膜及び前記絶縁性の膜上にブロック膜を形成する工程とを備えた半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を効率良く形成する。
【解決手段】シリコン基板１にビアホール２５を形成し、絶縁膜２２を形成した後、ビアホール２５に低誘電率膜３１を埋め込む。ビアホール２５内の低誘電率膜３１の膜厚を異方性ドライエッチングによって所望の値に減少させる。この異方性ドライエッチングによって、絶縁膜２２上の低誘電率膜３１が除去される。続いて、ビアホール２５内に導電材を埋め込み、トランジスタＴ１，Ｔ２上に多層配線を形成する。この後、シリコン基板１の裏面側を研磨して導電材を露出させると、貫通電極が形成される。 （もっと読む）