【課題】拡散防止膜へのサイドエッチの発生を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、金属配線上に順次形成された互いに異なる材料からなる第１及び第２絶縁膜に開口部を形成して金属配線を露出させる工程を備える半導体装置の製造方法であって、開口部の形成は、第２絶縁膜をリアクティブイオンエッチングし、第１絶縁膜をスパッタエッチングすることにより行うこと特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層配線を形成する際における配線の加工に要する工程を簡便にすることを課題とする。また、開口径の比較的大きいコンタクトホールに液滴吐出技術やナノインプリント技術を用いた場合、開口の形状に沿った配線となり、開口の部分は他の箇所より凹む形状となりやすかった。
【解決手段】高強度、且つ、繰り返し周波数の高いパルスのレーザ光を透光性を有する絶縁膜に照射して貫通した開口を形成する。大きな接触面積を有する１つの開口を形成するのではなく、微小な接触面積を有する開口を複数設け、部分的な凹みを低減して配線の太さを均一にし、且つ、接触抵抗も確保する。 （もっと読む）

【課題】 接地インダクタンスを容易に低減することができ、半導体チップの収率を向上可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ２１の第１主面に配置された半導体能動素子及び半導体能動素子のグランドパッド１１と、第１主面に対して垂直な半導体チップの側壁面上に配置された第１メタル層２４ａと、第１メタル層２４ａに接続され、グランドパッド１１上まで延在する第２メタル層２５ａとを備える。 （もっと読む）

本発明は、基板（１０）と、基板（１０）の少なくとも一部に配置された少なくとも１つの金属多層組織と、金属多層組織上に配置されており、少なくとも１つの接続孔を有する非伝導性層（５０）とを備え、接続孔には、少なくとも１つのナノチューブが、接続孔の底部にある金属多層組織上に成長しており、金属多層組織は、高融点金属層（２０）と、金属分離層（３０）と、触媒層（４０）とを含んでいる集積電子部品に関する。本発明はさらに、ナノチューブを垂直構造に目的を絞って製造するための方法と、ナノチューブを垂直構造に目的を絞って製造するための金属多層組織の使用とに関する。
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【課題】 半導体装置に備える半導体基板に形成された貫通穴を用いてバイアホール導体を電気めっきにより形成しようとするとき、貫通穴が金属材料で充填された状態となっているバイアホール導体が形成されることを可能にする。
【解決手段】 半導体基板２の第１の主面３側に、バイアホール形成用電極６を形成し、半導体基板２の第２の主面８側からエッチングし、それによって、バイアホール形成用電極６によって一方の開口端が塞がれた貫通穴１２を半導体基板２に設け、次いで、貫通穴１２においてバイアホール形成用電極６上に金属材料を堆積させることによって、貫通穴１２を金属材料で充填した状態としたバイアホール導体１３を形成するように、バイアホール形成用電極６に電流を流しながら電気めっきを実施する。 （もっと読む）

半導体装置の製造方法は、基板の上に流動性を有する絶縁性物質よりなる流動性膜を形成する工程と、押圧部材の平坦な押圧面を前記流動性膜に押圧して流動性膜の表面を平坦化する工程と、押圧面を流動性膜に押圧した状態で流動性膜を第１の温度に加熱して表面が平坦化されている流動性膜を固化することにより、表面が平坦な固化膜を形成する工程と、表面が平坦な固化膜を前記第１の温度よりも高い第２の温度に加熱して固化膜を焼成することにより、表面が平坦な焼成膜を形成する工程とを備え
ている。
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【課題】溶融金属充填法における歩留まりや品質の向上を目的として、溶融金属の表面の金属酸化物が基板に付着することを防止する。
【解決手段】内部を減圧する減圧手段１４ａ，１４ｂおよび内部を加圧する加圧手段１５ａ，１５ｂを備えたチャンバー１１と、このチャンバー１１内にて金属を加熱溶融することのできる金属溶融装置１６とを備え、基板２に形成された微細孔へ金属を充填する金属充填装置１０Ａにおいて、前記金属溶融装置１６に、加熱溶融された金属６の表面７を清浄に保つ金属表面浄化機構２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】エレクトロマイグレーション耐性に優れた配線を実現する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の第２の層間絶縁膜２中に形成された下層配線８と、下層配線８上の第３の層間絶縁膜１１中に形成されたメタルプラグ１３と、第４の層間絶縁膜１２中に形成された上層配線１９とは、その底面及び側面が密着層とバリア層とからなるバリアメタル層によって覆われている。これにより、配線層と層間絶縁膜との間にバリアメタル層が介在するため、電流印加時のボイド発生が抑制され、配線の信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 製造工程数を削減し、低コスト化を実現した半導体装置を提供する。
【解決手段】 本発明の半導体装置は、半導体チップ上に形成されたパッド２と、前記パッド２上に形成された電極接続部７と、前記パッド２を露出するように前記半導体チップの裏面に形成された開口部１４と、前記開口部１４の側壁に形成された第１の絶縁膜１５と、前記第１の絶縁膜１５を有した前記開口部内に形成された金属膜（Ｃｕ１７）とを具備することを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、作製工程を簡略化した半導体装置の作製技術を提供することを目的とする。また、それらの半導体装置を構成する配線等のパターンを、所望の形状で密着性よく形成できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】第１の導電層上に第１の絶縁層を形成し、第１の絶縁層上に第２の絶縁層を形成し、第２の絶縁層上に第１の開口を有する第１のマスク層を形成し、第１の絶縁層及び第２の絶縁層をエッチングすることにより、第１の導電層に達する第１の開口部を形成し、第１のマスク層除去後、第１の開口よりも開口面積が広い第２の開口を有し、且つ、導電性材料を含む組成物に対してぬれ性の低い第２のマスク層を第２の絶縁層上に形成し、第１の絶縁層上面の一部が露出するように第２の絶縁層をエッチングし、第２の開口部を形成し、第１の開口部及び第２の開口部に導電性材料を含む組成物を充填し、第２の導電層を形成する。 （もっと読む）

【課題】複数の空孔を有する絶縁膜の形成方法を提案する。また、高集積化された半導体装置の歩留まり高い作製方法を提案する。
【解決手段】層間絶縁膜の低誘電率化の方法として、レーザ光を用いて層間絶縁膜中に複数の空孔を作成形成してすることにより、多孔質の絶縁膜を形成することを特徴とする。また、インクジェット法に代表される液滴吐出法を用いて、前記多孔質の絶縁膜に導電性粒子を含む組成物を吐出し、焼成して配線を形成する。レーザ光としては、超短パルスレーザーレーザ光を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】従来のＣＭＰプロセスを用いることなく、高アスペクト比の開口を有する接続孔にも良好な埋め込みが可能である半導体装置の作製方法を提供する。また、従来よりも少ない工程数で、配線形成が可能な方法を提供することを目的とする。更には、高集積化された半導体装置の歩留まり高い作製方法を提案する。
【解決手段】複数の空孔を有する絶縁膜表面に撥水表面を有する膜を形成し、撥水表面を有する膜の一部に光を照射して、親水表面を有する領域を形成した後、親水表面を有する領域に導電性粒子を有する液状物質を吐出し、焼成して導電膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】実装面積が小さく性能ばらつきの少ないインダクタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０と、半導体基板１０の表面１１に配列して形成される少なくとも一つ以上の配線パターン１３と、半導体基板１０の裏面に配列して形成される少なくとも一つ以上の配線パターン１４と、表面側及び裏面側の配線パターン１３，１４の夫々の面内に形成される、表面１１から裏面１２に貫通する少なくとも一つ以上の貫通電極１５と、を有し、配線パターン１３と配線パターン１４とを貫通電極１５を介して螺旋状に接続することにより形成される螺旋状インダクタ１６を有する半導体装置１を提供する。 （もっと読む）

【課題】能動回路と受動回路とを含む半導体集積回路装置において、チップ面積を縮小可能としながら、高周波損失を低減し且つ段差による配線切れを防止できるようにする。
【解決手段】半導体集積回路装置（ＭＭＩＣ）は、サファイアからなる基板１１上の一部の領域に形成されたIII-Ｖ族窒化物半導体層１５からなるＨＦＥＴ１９と、基板１１の上に、III-Ｖ族窒化物半導体層１５の上面、側面及び上端の角部を覆うように形成された誘電体膜２０とを有している。基板１１の上には、誘電体膜２０を介在させて形成されたマイクロストリップ線路２５ａと、誘電体膜２０の上に形成され、ＨＦＥＴ１９とマイクロストリップ線路２５ａとを電気的に接続するドレイン引き出し配線２５とを有している。 （もっと読む）

【課題】不揮発性であって、作製が簡単であり、追記が可能な記憶回路を有する半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】本発明の半導体装置は、複数のトランジスタと、前記トランジスタのソース配線又はドレイン配線として機能する導電層と、前記複数のトランジスタのうちの１つの上に設けられた記憶素子及びアンテナとして機能する導電層とを有し、前記記憶素子は、第１の導電層と、有機化合物層又は相変化層と、第２の導電層とが順に積層された素子であり、アンテナとして機能する前記導電層と前記複数のトランジスタのソース配線又はドレイン配線として機能する導電層とは、同じ層上に設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 製造に係る期間の短縮及びコストの低減を図ると共に、製品としての信頼性の向上に寄与することができる「半導体装置及びその製造方法」を提供すること。
【解決手段】 機能素子が作り込まれた半導体基板１１の一方の面に、絶縁層１２を介して導体層１３を形成した後、半導体基板１１の所定の箇所にスルーホールＴＨ１を形成する。さらに、半導体基板の他方の面に支持シートを張り付け、導体層１３と支持シート上とをワイヤ１４により接続し、導体層１３、ワイヤ１４及びスルーホールＴＨ１が形成されている部分を樹脂１６で封止した後、支持シートを除去する。さらに、半導体基板１１の他方の面から露出しているワイヤ１４の端部１４ａ上に導体層１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】耐圧が高く且つオン抵抗が低い上に、チップ面積が小さいショットキーバリアダイオード及びダイオードアレイを実現できるようにする。
【解決手段】導電性のシリコン基板２の上にバッファ層３と、アンドープの窒化ガリウムである第１の半導体層４と、アンドープのアルミニウム窒化ガリウムである第２の半導体層５とが順に形成されている。第２の半導体層５の上には、ショットキー電極６とオーミック電極７とが互いに間隔をおいて形成されている。第２の半導体層５と第１の半導体層４とバッファ層３とを貫通して、ｎ⁺−Ｓｉ基板２に達するビア８が形成されており、オーミック電極７とｎ⁺−Ｓｉ基板２とは電気的に接続されている。ｎ⁺−Ｓｉ基板２の裏面には裏面電極１が形成されており、オーミック電極７は基板２の裏面に引き出されている。 （もっと読む）

【目的】 選択的に拡散防止膜を形成する場合でも、配線同士間でショートが生じてしまう原因となる導電性材料の研磨残りを生じさせないようにすることを目的とする。
【構成】 基体上の開口部に形成された導電性材料膜上に前記導電性材料膜に用いる導電性材料の拡散を防止する拡散防止膜を選択的に形成する拡散防止膜形成工程（Ｓ１２０〜Ｓ１２２）と、前記拡散防止膜が形成された後、前記基体上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程（Ｓ１２４〜Ｓ１２８）と、前記絶縁膜形成工程の後、前記絶縁膜表面を研磨する平坦化工程（Ｓ１３０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】液滴吐出装置から液滴を吐出してＴＦＴ用ソース電極またはドレイン電極を設けること。
【解決手段】基板１０Ａの表面Ｓにヘキサメチルシラザンを基板１０Ａの表面Ｓに塗布し、ＨＭＤＳ層１２を形成するヘキサメチルシラザン層形成工程と、ＨＭＤＳ層１２上に、有機感光性材料層を形成する有機感光性材料層形成工程と、前記有機感光性材料層をパターニングしてバンクパターン１８を形成する工程と、バンクパターン１８によって縁取られた領域に、インクジェット法を用いて、導電性材料を付与する導電性材料付与工程と、を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】 薄膜形成領域の断面全域に機能液を充填することにより、形成される薄膜の機能を実現するために充分な断面積と必要な断面形状を有する薄膜を形成することができる、薄膜パターン形成方法、半導体装置、電気光学装置、及び電子機器を実現する。
【解決手段】 薄膜パターン形成方法は、第１の薄膜を構成する材料を含む機能液に対して親液性を有する第２の薄膜を形成するステップと、第２の薄膜の表面に、機能液に対する撥液性を付与する処理を行うステップと、第２の薄膜の一部を取り除いて、第１の薄膜のパターン形状を規定する凹部を形成するステップと、凹部に向けて機能液を吐出するステップと、凹部に吐出された機能液を乾燥させて第１の薄膜を形成するステップとを有する。半導体装置の回路配線は、上記薄膜パターン形成方法を用いて形成されており、電気光学装置は当該半導体装置を備え、電子機器は上記電気光学装置を備える。 （もっと読む）