【課題】Ｃｕ系材料の特徴である低電気抵抗を維持しつつ、絶縁膜を構成するＳｉＮ膜や半導体膜におけるＳｉＮ層との密着性に優れると共に、エッチング時に良好にテーパ状にエッチングできるＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】絶縁膜および／または半導体膜と直接接触する表示装置用Ｃｕ合金膜であって、該Ｃｕ合金膜は、上記ＳｉＮ膜やＳｉＮ層と直接接触する第一層と、該第一層上に形成される第二層とを含み、前記第一層は、窒素を０．４原子％以上５．０原子％未満含むと共に、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、ＭｎおよびＦｅよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｘ元素）を０．１〜０．５原子％、および／または、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、ＭｏおよびＷよりなる群から選択される１種以上の元素（Ｚ元素）を０．１〜０．３原子％含み、かつ前記第一層の膜厚が２〜１００ｎｍである表示装置用Ｃｕ合金膜。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明電極が直接コンタクトすることを可能とし、バリアメタルの省略を可能にするアルミニウム合金膜を用いた表示デバイスとその製造技術を提供する。
【解決手段】基板上に配置された薄膜トランジスタと、透明電極によって形成された透明導電膜、および、これら薄膜トランジスタと透明導電膜を電気的に接続するアルミニウム合金膜を有し、該アルミニウム合金膜と前記透明導電膜の界面には該アルミニウム合金の酸化皮膜が形成されており、該酸化皮膜の膜厚が１〜１０ｎｍで、該酸化皮膜中の酸素含有量が４４原子％以下である表示デバイスとその製法を開示する。 （もっと読む）

【課題】製造コストが低い配線構造の製造方法、及び配線構造を提供する。
【解決手段】本発明に係る配線構造の製造方法は、基板１０を準備する基板準備工程と、基板１０上に半導体層を形成する半導体層形成工程と、半導体層上にドーパントを含むドーパント含有半導体層を形成するドーパント含有半導体層形成工程と、ドーパント含有半導体層の表面を、水分子を含ませた酸化性ガス雰囲気中で加熱することにより、ドーパント含有半導体層の表面に酸化層を形成する酸化層形成工程と、酸化層上に合金層を形成する合金層形成工程と、合金層上に配線層を形成する配線層形成工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域で、低抵抗化が可能であるとともに、ガラス基板やＳｉ層への密着性が良好で、かつＳｉ拡散バリア性を有するＣｕ系配線膜を形成するために使用されるスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】 Ｃｕと添加元素と酸素の総和を１００原子％とした時に、添加元素としてＢを０．１〜１．０原子％、さらにＢと化合物を発現する元素の少なくとも１種類以上を０．１〜２．０原子％含むとともに、酸素を３．０〜１０原子％含有し、残部がＣｕと不可避的不純物からなるスパッタリングターゲットである。 （もっと読む）

【課題】表示装置（ＬＣＤ）におけるパネルのＴＡＢ部引き出し電極の断線を防止することができ、かつ、バリアメタル層を介在させずにＡｌ合金膜を透明画素電極と直接接続することのできるＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置に用いられるＡｌ合金膜であって、ＮｉおよびＣｏよりなる群から選択される少なくとも１種の元素（Ｘ元素）を０．１〜２．０原子％含み、長径０．０１μｍ超であってＮｉ量とＣｏ量の合計が１０原子％以上である化合物が、１００μｍ²あたり３個超析出していると共に、Ａｌ結晶粒内の固溶Ｎｉ量と固溶Ｃｏ量の合計が０．１〜０．５原子％であり、かつ、Ａｌ合金膜の硬度が１．５ＧＰａ以上３．０ＧＰａ以下であるところに特徴を有する表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯなどの透明電極層と直接接合が可能なＡｌ系合金配線材料であって、現像液への耐食性に優れ、コンタクトホール形成時における耐食性にも優れ、大面積のガラス基板において素子を形成した場合においても、そのガラス基板面内に形成された素子の接合抵抗値をより均一にすることができるＡｌ−Ｎｉ系合金配線材料を提供する。
【解決手段】アルミニウムにニッケルを含有したＡｌ−Ｎｉ系合金配線材料において、セリウムとボロンとを含有し、各濃度は、ニッケル含有量をニッケルの原子百分率Ｘａｔ％とし、セリウム含有量をセリウムの原子百分率Ｙａｔ％とし、ボロン含有量をボロンの原子百分率Ｚａｔ％とした場合、式０．５≦Ｘ≦５．０、０．０１≦Ｙ≦１．０、０．０１≦Ｚ≦１．０の各式を満足する領域の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の金属配線に対する密着性を向上させつつ、金属配線の低抵抗化を図った半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜１５に形成された凹部１６、１７内には、その底部および側壁部に沿ってバリアメタル層２０が形成されている。バリアメタル層２０は側壁部上に堆積された第１の部分と底部上に堆積された第２の部分とを有する。凹部１６、１７内にはバリアメタル層を介して金属配線層が形成される。バリアメタル層２０の第１の部分はＴｉ含有量が５０原子％を超えるＴｉＮ_x膜からなり、第２の部分は第１の部分よりＴｉ含有量が多いＴｉＮ_x膜またはＴｉ膜からなる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】半導体基板１に形成したｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎのソース・ドレイン用のｎ^＋型半導体領域７ｂおよびゲート電極ＧＥ１上と、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐのソース・ドレイン用のｐ^＋型半導体領域８ｂおよびゲート電極ＧＥ２上とに、ニッケル白金シリサイドからなる金属シリサイド層１３ｂをサリサイドプロセスで形成する。その後、半導体基板１全面上に引張応力膜ＴＳＬ１を形成してから、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｐ上の引張応力膜ＴＳＬ１をドライエッチングで除去し、半導体基板１全面上に圧縮応力膜ＣＳＬ１を形成してからｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴＱｎ上の圧縮応力膜ＣＳＬ１をドライエッチングで除去する。金属シリサイド層１３ｂにおけるＰｔ濃度は、表面が最も高く、表面から深い位置になるほど低くなっている。 （もっと読む）

【課題】ニッケル系メタル・シリサイドとコンタクト用メタル間でのコンタクト抵抗の低抵抗化がホールの微細化に伴って、困難になるという問題がることが、本願発明者の検討により明らかとなった。
【解決手段】本願の一つの発明は、ニッケル系メタル・シリサイドによりソース・ドレイン領域等のシリサイデーションを施したＭＩＳＦＥＴを有する半導体集積回路装置の製造方法において、プリ・メタル絶縁膜に設けられたコンタクト・ホールにバリア・メタルを形成する前に、シリサイド膜の上面に対して、窒素水素間結合を有するガスを主要なガス成分の一つとして含む非プラズマ還元性気相雰囲気中で、熱処理を実行するものである。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板への密着性が高いと共に、Ｓｉを含んだ層へのＣｕの拡散を抑制し、配線とＳｉを含んだ層とのコンタクト抵抗を低くすることができる配線を提供することができ、また、当該配線材料を用いた回路基板と、当該配線材料用のターゲット材とを提供する。
【解決手段】本発明に係る回路基板用の配線材料は、Ｃｕよりも優先的にＳｉとの間でシリサイドを形成するシリサイド形成材と、Ｓｉの酸化物生成自由エネルギーよりも酸化物生成自由エネルギーが低い少なくとも１種類の添加物とが添加され、残部がＣｕ及び不可避的不純物からなる。 （もっと読む）

【課題】透明基板との高い密着性、低い電気抵抗率、および優れたウェットエッチング性を示すＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】透明基板と直接接触する表示デバイス用Ｃｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は、下記（１）および（２）の要件を満足する酸素含有合金膜であることを特徴とする表示デバイス用のＣｕ合金膜である。
（１）前記Ｃｕ合金膜は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ、Ｗ、およびＣａよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．１０原子％以上１０原子％以下含有する。
（２）前記Ｃｕ合金膜は、酸素含有量が異なる下地層と上層を有し、
前記下地層は前記透明基板と接触しており、前記下地層の酸素含有量が前記上層の酸素含有量よりも多い。 （もっと読む）

【目的】配線抵抗の上昇を抑制したまま、ＥＭ特性を改善させる半導体装置或いはその製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、絶縁膜に開口部を形成する工程（Ｓ１０６）と、開口部内に、ケイ化物の形成エネルギーがＣｕケイ化物の形成エネルギーよりも小さい金属含有膜を形成する工程（Ｓ１０８）と、前記金属含有膜が形成された開口部内に銅（Ｃｕ）膜を埋め込む工程（Ｓ１１２）と、Ｃｕ膜上に、３００℃未満の温度でＣｕとＳｉとを含有する化合物膜を選択的に形成する工程（Ｓ１２０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高融点バリアメタル層を形成すること無く、Ｓｉ膜又はＳｉを主成分とする膜と良好なコンタクト特性を実現するＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】半導体デバイス（ＴＦＴ）は、チャネル部１１を形成する様にＳｉ半導体膜７上に配設された被酸化のオーミック低抵抗Ｓｉ膜８と、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接に接続し、且つ、接続界面近傍に、少なくともＮｉ原子、Ｎ原子及びＯ原子を含むアルミニウム合金膜から成る、ソース電極９及びドレイン電極１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】例えばＵＬＳＩ（超大規模集積回路）等に代表されるＳｉ半導体デバイス等の半導体装置において、高性能（低電気抵抗率）かつ高信頼性（高ＥＭ耐性）を示すＣｕ系配線を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。
（加熱条件）
加熱温度：３５０〜６００℃
加熱時間：１０〜１２０ｍｉｎ.
室温から上記加熱温度までの昇温速度：１０℃／ｍｉｎ.以上
加熱雰囲気における酸素分圧：１×１０^−７〜１×１０^−４ａｔｍ （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも、低いコンタクト抵抗と電気抵抗を示し、好ましくは耐熱性や耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、Ｎｉ及び／又はＣｏを０．１〜６原子％、Ｇｅを０．１〜２原子％含有すると共に、アルミマトリックス結晶粒界Ｇｅ濃度が、前記Ａｌ合金膜のＧｅ濃度の１．８倍超を満足するＡｌ合金膜である。 （もっと読む）

【課題】直接接続された透明画素電極とのコンタクト抵抗が十分に低減され、かつ耐食性や耐熱性の改善された表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、該Ａｌ合金膜は、Ｃｏを０．５原子％以下（０原子％を含まない）、Ｇｅを０．２〜２．０原子％、およびＣｕを０．５原子％以下（０原子％を含まない）含み、Ｃｏ、ＧｅおよびＣｕの合計量が０．２〜２．０原子％であり、かつ、下記式（１）または式（２）を満たすところに特徴を有する。
Ｃｕ／Ｃｏ≦１．５ …（１）
２．５≦Ｃｕ／Ｃｏ≦６．０ …（２）
（式（１）（２）中、Ｃｕ、Ｃｏは、Ａｌ合金膜中の各元素の含有量（原子％）を示す） （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタの半導体層との高い密着性、および優れたウェットエッチング性を示すＣｕ合金膜を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層と直接接触する表示デバイス用Ｃｕ合金膜であって、前記Ｃｕ合金膜は、下記（１）および（２）の要件を満足する酸素含有合金膜であることを特徴とする表示デバイス用のＣｕ合金膜である。
（１）Ｃｕ合金膜は、Ｎｉ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｇｅ、Ｈｆ、Ｎｂ、Ｍｏ及びＷよりなる群から選ばれる少なくとも１種の元素を合計で０．１０原子％以上５．０原子％以下含有する。
（２）Ｃｕ合金膜は、酸素含有量が異なる下地層と上層を有し、前記下地層は前記半導体層と接触しており、前記下地層の酸素含有量は０．１原子％以上３０原子％以下であり、前記上層の酸素含有量は０．１原子％未満（０原子％を含む）である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、銀電極より低コストで、かつ銀電極同様に大気等の酸化雰囲気中で焼成可能な銅系電極，電極ペースト及びそれを用いた電子部品を提供する。また、本発明は、窒素等の不活性ガス雰囲気で低温焼成可能な電極，電極ペースト及びそれを用いた電子部品を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、少なくとも金属粒子と酸化物相からなる電極であって、金属粒子が銅とアルミニウムを含み、かつ酸化物相がリンを含むことを特徴とする。好ましくは、その酸化物相は金属粒子の粒界に存在し、リン酸ガラス相となっている。好ましくは、金属粒子が７５〜９５体積％及び、酸化物相が５〜２５体積％である。また、金属粒子中の銅とアルミニウムの好ましい組成範囲は、酸化雰囲気の焼成では８０重量％以上と３重量％以上、不活性ガス雰囲気の焼成では９７重量％以上と３重量％以下である。 （もっと読む）

【課題】生産性の低下を抑えつつ組成の異なる合金薄膜を形成可能なスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】スパッタリング装置１０は、外部より低圧な雰囲気に維持可能なチャンバ１２と、チャンバ１２内で基材１４を保持する保持部１６と、保持部１６で保持された基材１４に周面が対向するように設けられた回転可能な回転陰極１８であって、表面のターゲット材料をスパッタリングするための電力が供給される筒状の回転陰極１８と、回転陰極１８の表面に金属材料を供給可能な複数の補助陰極３２０，３３０と、を備える。複数の補助陰極３２０，３３０は、互いに異なる金属材料を回転陰極１８の表面に供給する。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜とＴＦＴの半導体層との間のバリアメタル層を省略可能であり、且つ、ＴＦＴ基板の製造工程数を低減可能な表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用Ａｌ合金膜は、表示装置の基板上で、薄膜トランジスタの半導体層と直接接続されるＡｌ合金膜であって、前記Ａｌ合金膜は、Ｃｏ、Ｎｉ、およびＡｇよりなる群から選択される少なくとも一種を０．０５〜０．５原子％、並びにＧｅ及び／又はＣｕを０．２〜１．０原子％含有しており、且つ、ドライエッチングによってパターニングされるものである。 （もっと読む）