【課題】電子移動の性能を改善しまたリソグラフィープロセスステップを有利にする目的で、バリア層のアルミニウムの｛１１１｝含有率を上げる。
【解決手段】ＩＭＰ技術を用いて（Ｔｉ又はＴｉＮ_X）／ＴｉＮ／ＴｉＮ_Xバリア層を堆積する場合に、Ｔｉ又はＴｉＮ_X である第１層の厚さを約１００オングストローム以上、〜約５００オングストロームまで（表面形状の幾何関係がこの厚みの上限を制限する）までの範囲に厚くし、ＴｉＮの第２層を約１００オングストローム以上約８００オングストローム以下（好ましくは約６００オングストローム以下）の範囲に薄くし、ＴｉＮ_Xの第３層の形成を制御してＴｉ含有率が約５０原子パーセントチタン（ストイキオメトリック）〜約１００原子パーセントチタンとなるようにすることにより、（Ｔｉ又はＴｉＮ_X）／ＴｉＮ／ＴｉＮ_Xバリア層を改良することができる。第１層がＴｉＮ_Xである場合は、Ｔｉの原子パーセントは少なくとも約４０パーセントである。 （もっと読む）

【課題】寄生容量が低く、かつ、熱処理による抵抗値の変動が小さい抵抗素子を有する半導体装置を得ることのできる技術を提供する。
【解決手段】スパッタリングターゲット材料としてタンタルを用い、スパッタリングガスとしてアルゴンと窒素との混合ガスを用いた反応性直流スパッタリング法により、窒化タンタル膜からなる厚さ２０ｎｍ、窒素濃度３０原子％未満の第１抵抗層５ａ、及び窒化タンタル膜からなる厚さ５ｎｍ、窒素濃度３０原子％以上の第２抵抗層５ｂを順次形成した後、第１及び第２抵抗層５ａ，５ｂを加工して抵抗素子Ｒ１を形成する。窒素濃度が３０原子％以上の上部領域を設けることにより、配線工程において熱負荷が与えられても抵抗素子Ｒ１の抵抗変動率を１％未満に抑えることができる。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略しても優れたＴＦＴ特性を発揮し得、ソース−ドレイン配線をＴＦＴの半導体層に直接かつ確実に接続することができる技術を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタの半導体層３３と、ソース−ドレイン電極２８，２９とを有する薄膜トランジスタ基板において、ソース−ドレイン電極２８，２９は、窒素を含有する窒素含有層、または窒素及び酸素を含有する酸素窒素含有層２８ａ、２９ａと、純Ｃｕ又はＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂとからなっている。窒素含有層を構成する窒素の一部若しくは全部、または、酸素窒素含有層を構成する窒素または酸素の一部若しくは全部は、薄膜トランジスタの半導体層３３のＳｉと結合している。また、純ＣｕまたはＣｕ合金の薄膜２８ｂ、２９ｂは、窒素含有層または酸素窒素含有層２８ａ、２９ａを介して薄膜トランジスタの半導体層３３と接続している。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層の省略を可能にすると共に、工程数を増やすことなく簡略化し、Ａｌ合金膜を導電性酸化膜に対し直接且つ確実に接触することだけでなく、Ａｌ合金膜に対し、比較的低い熱処理温度を適用した場合でも、電気抵抗率を低減でき、且つ導電性酸化膜と直接接触したときの接触電気抵抗も低減でき、更には優れた耐熱性と耐食性を達成することのできる技術を提供する。
【解決手段】Ａｌ合金膜の上に導電性酸化膜が直接接触する構成を備えた表示装置において、該Ａｌ合金膜が、Ｎｉを０．０５〜２．０原子％と、Ｉｎおよび／またはＳｎを合計で０．０５〜１．０原子％含有するように調整する。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板の表面に対する密着性に優れかつボイドの発生しない銅合金膜からなる配線下地膜に関するものであり、この配線下地膜の上に導電性に優れた配線膜を成膜してガラス基板に対する密着性に優れた二重構造配線膜を提供する。この二重構造配線膜はＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイのガラス基板に強固に密着させることができる。
【解決手段】酸素：４〜２０モル％を含有し、さらにＭｎ：０．２〜３モル％、Ａｇ：０．２〜３モル％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金膜からなる密着性に優れた配線下地膜、並びにこの密着性に優れた配線下地膜の上に、導電性に優れた純銅または銅合金膜を積層してなる密着性に優れた二重構造配線膜。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金膜と透明画素電極との接触電気抵抗を低減でき、耐熱性にも優れているため、Ａｌ合金膜を透明画素電極に直接接触させることができ、しかも、Ａｌ合金の電気抵抗率も一層低減され、生産性もより高められたダイレクトコンタクト技術を提供する。
【解決手段】基板上にて、酸化物透明導電膜とＡｌ合金膜が直接接触する構造を備えた表示装置の製造方法である。Ａｌ合金膜は、Ａｇ、Ｚｎ、Ｃｕ、およびＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の合金元素を０．５原子％以下含有し、基板の温度を合金元素の析出温度以上に制御してＡｌ合金膜の形成を行う。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に、チタン膜上に窒化チタン膜が形成された積層構造のバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込んだ接続部における不具合を回避する。
【解決手段】コンタクトホールＣ１を形成して、その底部にニッケルシリサイド層１４を露出させた後、ＴｉＣｌ_４ガスを用いた熱反応により熱反応Ｔｉ膜２１ａを形成し、ＴｉＣｌ_４ガスを用いたプラズマ反応によりプラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂを形成し、Ｈ_２ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの塩素濃度を低減すると同時に、ニッケルシリサイド層１４の表面の酸化膜を還元し、ＮＨ_３ガスを用いた熱窒化処理及びＮＨ_３ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの表面に窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃを形成すると同時に、ニッケルシリサイド層１４の表面の酸化膜を還元する。 （もっと読む）

【課題】ｎチャネル型電界効果トランジスタとｐチャネル型電界効果トランジスタを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ、ｐチャネル型電界効果トランジスタ共にドレイン電流特性に優れた半導体装置を実現する。
【解決手段】ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０と、ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０とを有する半導体装置において、ｎチャネル型電界効果トランジスタ１０のゲート電極１５を覆う応力制御膜１９には、膜応力が引張応力側の膜を用いる。ｐチャネル型電界効果トランジスタ３０のゲート電極３５を覆う応力制御膜３９には、膜応力が、ｎチャネル型トランジスタ１０の応力制御膜１９より、圧縮応力側の膜を用いることにより、ｎチャネル型、ｐチャネル型トランジスタの両方のドレイン電流の向上が期待できる。このため、全体としての特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】液晶表示デバイスの大型化にも対応すべく、Ａｌ合金膜と透明画素電極との間の接触抵抗を低減できるエッチング条件を特定し、応答速度の速い表示デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】基板上にＡｌ合金膜を形成する工程と、Ａｌ合金膜上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する工程と、Ａｌ合金膜に接触するように透明導電膜を形成する工程とを含む表示デバイスの製造方法において、コンタクトホールを形成する工程は、少なくとも六フッ化硫黄ガス、酸素ガス、及び希ガスを含む雰囲気中で行われるドライエッチング工程を含むとともに、０．４≦（酸素ガスの流量）／［（六フッ化硫黄ガスの流量）＋（酸素ガスの流量）］≦０．９の条件を満足させる。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としてＴｉＮ膜を用いる場合において、アッシング工程にてＴｉＮ膜がＡｌ合金配線から剥離するのを抑制できるようにする。
【解決手段】シリコン基板上に形成されるＡｌ合金配線層の反射防止膜としてのＴｉＮ膜１３ｆ、１６ｆの結晶粒界に充填物質１３ｇ、１６ｇを充填する。このようにすれば、Ａｌ−Ｃｕ膜１３ｃ、１６ｃへの酸素（Ｏ₂）ラジカルの進入を防ぐことが可能となる。従って、酸素（Ｏ₂）ラジカルとＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃとが反応してＡｌｘＯｙが形成されることが防止され、ポリマー除去時にＡｌｘＯｙがフッ素ラジカルによって還元され、反射防止膜１３ｆ、１６ｆがＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃから剥離することもない。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗が低く、下部導電体と上部導電体間の拡散を防止する、拡散バリアフィルムの形成方法を提供する。
【解決手段】下部導電体１０２を含む基板１００上に層間絶縁膜１０４を形成する。これに形成された開口部１０６に補助拡散バリア膜１０８を形成する。この上に拡散バリアフィルム１２０を形成する。この膜は、金属有機化学気相蒸着法による金属窒化物で形成され、部分的にプラズマ処理される。この結果、プラズマ処理された層とプラズマ処理されない層の積層膜となる。これにより、拡散バリアフィルムの比抵抗を減少させると共に、優れたバリア特性を有することができる。さらにこの上に粘着金属層１２２、第１アルミニウム膜１３０、第２アルミニウム膜１３２を形成する。これらの膜をパターンニングして上部導電体とプラグとする。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ１を配線基板に実装することによって製造した半導体装置において、その装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】パッド電極１１を被覆するようにニッケル層１４を形成後、そのニッケル層１４が被覆されたパッド電極１１に対応するようにバンプ２１を形成する。ここでは、まず、ニッケル層１４に銅層２０を形成する。そして、その銅層２０にインジウム層２２を形成する。その後、その銅層２０とインジウム層２２とを合金化させて中間金属化合物層２３を生成するように、熱処理を実施することによって、バンプ２１を形成する。このとき、銅層２０を形成する際においては、インジウム層２２のインジウム原子に対して、銅層２０の銅原子が０．５原子％以上、５原子％以下の割合になるように、この銅層２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】酸素：０．４〜６原子％を含有し、さらにＮｉ、ＣｏおよびＺｎのうちの１種または２種以上を合計で０．００１〜３原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】信頼性及び生産性が高い装置として得られる半導体装置及び生産性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板０上に形成された層間絶縁膜１０に設けられ、表面にバリアメタル層２が形成された溝にＣｕ配線１００が形成されてなる。これらの層により前記リード表面を被膜している。前記Ｃｕ配線１００は、Ａｇ、Ａｓ、Ｂｉ、Ｐ、Ｓｂ、Ｓｉ、Ｔｉのうち少なくとも１つを０．１重量％以上、Ｃｕに対する最大固溶限未満の範囲で含有するＣｕ合金１で構成されている。 （もっと読む）

【課題】フリップチップ接続部のパッド−樹脂間における剥がれ等の発生を効果的に抑制することができ、信頼性に優れた半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体チップ１１上に第１の樹脂層１２を形成し、この第１の樹脂層１２上に配線１３を形成し半導体チップ１１の電極と電気的に接続する。このうち、高純度の銅層である第１の配線層１３ａはスパッタリングにより第１の樹脂層１２上に異種金属を介在させることなく形成し、第２の配線層１３ｂは銅の電気めっきにより形成する。配線１３を形成後、２００℃以上の温度で熱処理を行う。フリップチップ接続のバンプとなるはんだボール１５は、配線１３に含まれるフリップチップパッド１４上に形成する。 （もっと読む）

【課題】高熱安定性金属シリサイド、及び当該金属シリサイドを半導体の加工に使用する方法を提供する。
【解決手段】金属シリサイド３４ａは好ましくは、ニッケルと、約２原子％以上の置換型炭素を有する置換的に炭素ドープされた単結晶性シリコンとの反応によって形成されるニッケルシリサイドである。予想に反して、このような金属シリサイド３４ａは、約９００℃以上の温度に対して安定であり、シート抵抗は実質的に、高温に曝されても影響を受けない。金属シリサイドは、ＢＰＳＧ４２のリフローアニールを含む、後の高温加工工程に適応する。 （もっと読む）

【課題】回路基板と導電性の金属薄膜との密着性に優れ、再剥離する虞なく回路基板の配線に発生する断線部を修正する。
【解決手段】回路基板上に形成された配線の断線部を修正する修正用の金属微粒子分散液で、金、銀、白金、パラジウムのうちいずれか一種類以上の金属微粒子を含有するとともに、アルミニウム、ニッケル、銅のうちいずれかのアセチルアセトナート基を配位子とする金属錯体を前記金属微粒子の金属量に対し、３重量％ないし３０重量％含有するものである。 （もっと読む）

【課題】アルミニウム合金膜と透明導電膜からなる画素電極との間に通常設けられるバリアメタル層を省略しても、低い接触抵抗を維持しつつ、その分散を小さく抑えることができ、しかも、光透過特性にも優れた表示デバイス用透明電極を提供する。
【解決手段】窒素を含有する第１の透明導電膜６１と、窒素を含有しない第２の透明導電膜６２とからなる表示デバイス用透明電極であって、第１の透明導電膜はアルミニウム合金膜６３に接触している。 （もっと読む）

【課題】１個の処理容器内でスパッタによって厚さ方向に濃度勾配を有するように添加金属を含んだ合金層を被処理体上に容易に形成することができる技術を提供すること。
【解決手段】添加金属と主金属とを含む合金からなる金属ターゲットを備えた処理容器内にプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスに電力を供給してプラズマ化し、そのプラズマによりスパッタされた金属ターゲット粒子により第１の合金膜を被処理体に成膜する第１の成膜工程と、処理容器内の圧力及び前記電力の少なくとも一つを異ならせてプラズマを発生させ、スパッタされた前記金属ターゲットの粒子により、添加金属の濃度が第１の合金膜の添加金属の濃度とは異なる第２の合金膜を第１の合金膜に積層する第２の成膜工程と、を含むようにスパッタ成膜を行い、主金属に対する添加金属の濃度が厚さ方向に異なる膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高くかつ初期のビア抵抗値のばらつきが小さい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置は、第１の絶縁層１０内に形成されている第１の配線１２と、第１の絶縁層１０および第１の配線１２上に形成されている第２の絶縁層２０内に形成されている第２の配線１２とを有する半導体装置である。ここで、第１の配線１２および第２の配線２２の少なくともいずれかはＣｕＡｌ配線である。また、第２の配線２２は、そのビアプラグ部２２ｖで、複数のバリア層２４を介在して、第１の配線１２に電気的に接続している。また、バリア層において、ＣｕＡｌ配線と接触するＣｕＡｌ接触バリア層は、窒素原子含有量が１０原子％未満である。 （もっと読む）