【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性とを向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】ＺｒＢターゲットをＡｒガスでスパッタし、第２層間絶縁膜１１と、第１配線１３と、にＺｒＢｘ（ｘ＝０．５〜４．０）を主成分にした共通する第１メタルキャップ層１６を積層した。また、ＺｒＢターゲットをＡｒガスでスパッタし、ハードマスク３２と、第２配線３４と、にＺｒＢｘ（ｘ＝０．５〜４．０）を主成分にした共通する第２メタルキャップ層３７を積層した。 （もっと読む）

【課題】配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造は、下部構造物上に形成されたバリヤ膜と、バリヤ膜上に形成された銅又は銅合金を含む銅導電膜と、銅導電膜上に形成された銅窒化物を含む中間膜と、中間膜上に形成されたキャッピング膜と、を含む。これにより、銅導電膜の化学的反応による酸化又は腐蝕を防止でき、低抵抗銅配線の信頼性を確保でき、信号特性がよくなり、画質が改善できる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接着力が改善されて、良好な側面プロファイルを有する銅配線構造を提供する。本発明はまた、前記構造を有する配線形成方法を提供する。本発明はさらに、前記配線構造を含む薄膜トランジスタ基板を提供する。本発明はさらに、前記したような薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造と配線形成方法及び薄膜トランジスタ基板とその製造方法が提供される。配線構造は下部構造物上に形成された銅窒化物を含むバリヤ膜及びバリヤ膜上に形成された銅または銅合金を含む銅導電膜を含む。 （もっと読む）

【課題】液晶表示装置の配線および電極を形成するための熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れた銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】希土類元素のうちの１種または２種以上を合計で０．１〜３原子％を含み、さらにＡｇ：０．１〜５原子％を含有し、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金からなる。 （もっと読む）

【課題】銅配線のバリア界面調整のための方法および装置
【解決手段】バリア層と銅層との間の接着性は、銅の堆積前にバリア層を金属リッチにすることおよび銅の堆積前にバリア層が曝露される酸素の量を制限することによって向上させることができる。あるいは、バリア層と銅層との間の接着性に優れた方式で銅配線内に銅層を堆積させることを可能にするために、バリア層の上に機能化層を堆積させることができる。方法は、統合システム内において、銅配線構造を被覆するために金属バリア層を堆積させることを含み、金属バリア層を堆積させた後、基板は、金属バリア酸化物の形成を阻止するために制御環境内において搬送され処理される。方法は、また、統合システム内において金属層の上に機能化層を堆積させることも含む。エレクトロマイグレーションの問題を阻止するために、方法は、さらに、金属バリア層の上に機能化層が堆積された後に、統合システム内において銅配線構造内に銅層を堆積させることを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体素子の層間接続のための金属の拡散を効率よく防止できる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半導体基板１；前記半導体基板１上にダマシンパターンが形成された層間絶縁膜２、３；前記ダマシンパターン内に形成され、三元系物質であるＣｏＦｅＢからなる拡散防止膜４；前記拡散防止膜上に形成されるシード膜５；及び、前記シード膜上に充填される銅配線７を含む。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、同一基板上に同時に異なるＬＤＤ構造を有する生産性の高いＴＦＴの作製方法およびその構造を提供することを目的としている。即ち、本発明はＴＦＴの新規な構造と生産性の高い製造工程を提供するものである。
【解決手段】 耐熱性の高いＴａ膜またはＴａを主成分とする膜を配線材料に用い、さらに保護層で覆うことで、高温（４００〜７００℃）での加熱処理を施すことが可能となり、且つ保護層をエッチングストッパーとして用いることで周辺駆動回路部においては、サイドウォール１２６を用いた自己整合プロセス（セルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する一方、画素マトリクス部においては、絶縁物１２５を用いた非自己整合プロセス（ノンセルフアライン）によるＬＤＤ構造を備えたＴＦＴを配置する （もっと読む）

【課題】例えばＣｕＭｎ合金膜やＭｎ膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができ、しかも、同一の処理装置で連続的な処理を行うようにして装置コストを大幅に低減化することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】真空引き可能になされた処理容器１４内で、銅を含む銅含有原料ガスと遷移金属を含む遷移金属含有原料ガスと還元ガスとにより被処理体の表面に、熱処理により薄膜を形成する。これにより、例えばＣｕＭｎ合金膜やＭｎ膜等を、ＣＶＤ等の熱処理によって形成することにより、微細な凹部でも、高いステップカバレッジで埋め込むことができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いＴＦＴ構造を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板１０１上に形成されたＣＭＯＳ回路において、Ｎチャネル型ＴＦＴにサブゲート配線（第１配線）１０２aとメインゲート配線（第２ゲート配線）１０７aを設ける。ＬＤＤ領域１１３は第１配線１０２aとは重なり、第２配線１０７aとは重ならない。このため、第１配線にゲート電圧を印加すればＧＯＬＤ構造となり、印加しなければＬＤＤ構造となる。回路仕様に応じてＧＯＬＤ構造とＬＤＤ構造とを使い分けることができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＤ素子の第１電極１５に含有される水素の量及び分布は、当該金属を用いたＴＦＤ素子の動作特性に影響を与える。例えば第１電極１５中の水素量を増加させるとＴＦＤ素子の絶縁抵抗値を高くでき好適である。反面水素が過剰量入るとＴＦＤ素子外に水素が時間と共に飛散し、ＴＦＤ素子の電気特性が不安定になる。当該水素はＴａ膜成膜後Ｔａ膜を大気中に晒すことで大気中の水素を吸収させることで導入しているため、水素量の制御が困難であるという問題があった。
【解決手段】第１電極１５を覆う第１散逸阻止膜５を減圧雰囲気中で除去する。この工程により、第１電極１５中に蓄えられていた水素は第１電極１５外に放出される。放出後、大気に晒すことなく新たに水素を吸着させ、更に第２散逸阻止膜６を形成することで内蔵水素量が制御されたＴＦＤ素子の提供が可能となる。 （もっと読む）

【課題】高融点金属膜を介さずに、Ａｌを主成分とする電極・配線と透明電極層を直接接触させることができる半導体デバイスおよび製造方法を提供することを提供すること。
【解決手段】本発明にかかる半導体デバイスは、半導体層と、前記半導体層と電気的に接続されたＡｌ合金膜と、前記Ａｌ合金膜と直接接触した透明電極層とを少なくとも透明絶縁基板上に備えた半導体デバイスであって、前記Ａｌ合金膜がＦｅ、Ｃｏ、Ｎｉから選ばれる１種類以上の元素を合計０．５〜１０ｍｏｌ％含有し、残部が実質的にＡｌからなるものである。 （もっと読む）

【課題】 プラグ上にキャパシタを形成する際、プラグの破壊を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、（ア）半導体素子を形成し、ポリシリコンプラグ１５表面が露出した下地構造半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、（イ）層間絶縁膜中にポリシリコンプラグ１５表面に達する接続孔を形成する工程と、（ウ）接続孔に埋め込まれて、ポリシリコンプラグ１５に積層するＷプラグ１７を形成する工程と、（エ）窒化性雰囲気中で半導体基板を加熱し、前記Ｗプラグの表面のみを窒化する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを配線に用いた装置において、ヒロックやウィスカーの発生による影響を防止する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス型電気光学装置は、珪素膜と、前記珪素膜に接したゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜に接したゲイト電極と、前記ゲイト電極上の窒化珪素膜と、前記珪素膜に電気的に接続されたソース電極及びドレイン電極とを有し、前記ゲイト電極はアルミニウム膜又はアルミニウムを主成分とする膜からなり、前記ゲイト電極中における酸素濃度が８×１０^１８個ｃｍ^−３以下であり、炭素濃度が５×１０^１８個ｃｍ^−３以下であり、窒素濃度が７×１０^１７個ｃｍ^−３以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】配線を低抵抗化するとともに、配線材料と層間絶縁膜との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成された第１の銅含有導電膜１２４と、第１の銅含有導電膜１２４上に形成され、第１の銅含有導電膜１２４に達する凹部が形成された絶縁膜（１０８、１１０、１１２、１１４）と、これら絶縁膜の凹部側壁を覆うように形成され、銅の拡散を防止する材料により構成された第２のバリア絶縁膜１２８と、凹部の底面で第１の銅含有導電膜１２４に接するとともに凹部の側壁で第２のバリア絶縁膜１２８に接して凹部内壁を覆うように形成された銅と銅とは異なる異種元素との第２の接着合金膜１３０と、銅を主成分として含み、第２の接着合金膜１３０上に第２の接着合金膜１３０に接して凹部を埋め込んで形成された第２の銅含有導電膜１３２とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ合金が埋め込まれた半導体配線を製造するに当たり、凹部にＣｕ合金を埋め込むことができ、しかも配線の電気抵抗率を上げることなく絶縁膜とＣｕ配線の界面にバリア層を形成することができる配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた、最小幅が０．１５μｍ以下で、該最小幅に対する深さの比［深さ／最小幅比］が１以上である凹部の表面に、Ｔｉを０．５〜３原子％とＮを０．４〜２．０原子％含有するＣｕ合金を形成した後、２００℃以上、５０ＭＰａ以上に加熱加圧して前記凹部内に前記Ｃｕ合金を埋め込むことによって半導体配線を形成すればよい。 （もっと読む）

【課題】タンタルパターンの形成に必要な工程数を減らすことができるとともに、窒素含有タンタルパターンを効率よく形成可能なタンタルパターンの形成方法、およびこの方法を用いた電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】配線や非線形素子の下電極を窒素含有のタンタルパターン１３ｘにより形成するにあたって、レジストパターン形成工程において、タンタルパターンの反転パターンを有する窒素含有のレジストパターン６０を基板２０ｘ上に形成した後、成膜工程において、基板２０ｘ上にタンタル膜１３を成膜する。その際、レジストパターン６０から成膜雰囲気中に放出された窒素は、タンタル膜１３にドープされる。次に、リフトオフ工程において、剥離液によりレジストパターン６０を除去する。その際、レジストパターン６０ｘ上に形成されたタンタル膜１３も除去する。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】低抵抗の窒化物薄膜を低い成膜温度で形成する。
【解決手段】真空雰囲気中に高融点金属を有する原料ガスと窒素原子を有する含窒素還元ガスを導入し、高融点金属の窒化物薄膜２４を形成する際、窒素を有しない補助還元ガスを導入する。補助還元ガスによって析出した高融点金属が、析出した窒化物の高融点金属の不足分を補償し、化学量論組成比に近く、低比抵抗の窒化物薄膜２４を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い強誘電体メモリ装置を提供する。
【解決手段】本発明の強誘電体メモリ装置は、第１電極３２と第２電極３６との間に強誘電体層３４を有してなる強誘電体キャパシタ３０を備え、前記第２電極３６に接続される配線４４を有し、前記配線４４が、（１１１）面方位に配向を有する窒化チタンからなる第１配線層４１と、当該第１配線層４１上に形成され、（１１１）面方位に配向を有する窒化チタンアルミニウムからなる第２配線層４２と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】強誘電体層の結晶配向性が良好に制御された強誘電体メモリおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】
本発明にかかる強誘電体メモリ１００の製造方法は、絶縁層２６を形成する工程と、前記絶縁層を貫通するコンタクトホール２２を設ける工程と、コンタクトホールの側面および底面と、絶縁層の上方に配向制御層１２を形成する工程と、配向制御層の上方に導電層２０ａを成膜する工程と、絶縁層の上方において配向制御層が露出するように、導電層を研磨する工程と、配向制御層の上方に第１電極３２を形成する工程と、第１電極の上方に強誘電体層３４を形成する工程と、強誘電体層の上方に第２電極３６を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 高密度銅配線半導体の銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】 Ｃｒ：５〜３０ｗｔ％、Ｔｉ及び／又はＺｒ：１〜１０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＮｉからなるＮｉ−Ｃｒ系合金膜からなり、膜厚が３〜１５０ｎｍ、膜厚均一性が１σで１０％以下であることを特徴とする高密度銅配線半導体用バリア膜。Ｃｒ：５〜３０ｗｔ％、Ｔｉ及び／又はＺｒ：１〜１０ｗｔ％含有し、残部が不可避的不純物及びＮｉからなるＮｉ−Ｃｒ系合金であって、スパッタ面の面内方向の比透磁率が１００以下であることを特徴とするバリア膜形成用スパッタリングターゲット。 （もっと読む）