【目的】コンタクトホールやビアホール等の接続孔を充填する導電性膜の形成に好適な基板処理装置、基板処理方法および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】チャンバ２内にガスを供給するガス導入管５１〜５４を備える。当該ガス導入管５１〜５４の一端には、上記チャンバ２に供給するガスを収容したガス供給源１１〜１４が接続されている。ガス導入管５１〜５４には、開閉バルブ２１〜２４、４１〜４４、およびガスの流量を所定流量に制御する質量流量コントローラ３１〜３４が介在されている。さらに、チャンバ２へガスの供給を開始するときに、開閉バルブ２１〜２４が開状態になった後に質量流量コントローラ３１〜３４に流量制御を開始させる信号遅延回路９１、９２を備える。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の銅配線形成において、バリア膜として比抵抗が低く、バラツキの小さい窒化タングステン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】下地膜２２、絶縁膜２３に形成された孔３１を有する基板２０をＣＶＤ装置に搬入する。アンモニアガスを導入し、電離した窒素及び水素を含むプラズマで基板表面２０をクリーニングする。この後プラズマを消滅させ、アンモニアガスに加えて六フッ化タングステンガスを導入し基板表面に窒化タングステン薄膜２４を成長する。さらにアンモニアガスに替えシランガスを導入し、タングステン薄膜２５を成長する。これにより積層構造のバリア膜３３を得る。低温でクリーニング後直ちに窒化タングステン薄膜の成長が開始でき、またこの積層構造のバリア膜はバリア性が高く比抵抗が低い。この後バリア膜の上に銅２６を成長しＣＭＰにより平坦化し銅配線２７とする。 （もっと読む）

【課題】銅膜とその下地膜との密着性がよく、配線間の抵抗の小さな半導体装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】大気中の水分を吸収した多孔質の絶縁層（ＳｉＯＣ膜１１）にトレンチ１００の形成された基板（ウエハＷ）を処理容器内に載置し、バルブメタルからなる第１の下地膜（Ｔｉ膜１３）を被覆する。絶縁層から放出された水分により、絶縁層と接する第１の下地膜の表面が酸化されてパッシベーション膜１３ａが形成される。一方、第１の下地膜の表面をバルブメタルの窒化物または炭化物からなる第２の下地膜に被覆し、その表面に銅の有機化合物を原料とするＣＶＤにより銅膜１５を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ビットラインの抵抗を減らすための半導体素子のビットライン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子のビットライン形成方法に関するものであり、所定の構造物が形成された半導体基板上にバリア金属膜を形成する段階と、バリア金属膜上に非晶質チタンカーボンニトリド膜を形成する段階と、ボロンガスが含まれた雰囲気で非晶質チタンカーボンニトリド膜上にタングステンシード層を形成する段階と、タングステンシード層上にタングステン膜を形成してビットラインを形成する段階を含む。 （もっと読む）

【課題】基板上に堆積された膜組成物及びその半導体デバイスを提供すること。
【解決手段】基板を少なくとも１つの付着性材料に、この材料が基板上に吸着するのに十分な露出を行うことによってイニシエーション層を形成する。イニシエーション層は第１の反応性部位を与え、この部位を第１の反応材料と、原子層堆積条件下で化学的に反応させて第２の反応性部位を形成する。第２の反応性部位を第２の反応材料と、イニシエーション層上に反応層を形成するのに十分なプロセス条件下で化学的に反応させる。このプロセスを繰り返して、連続的な反応層をイニシエーション層上に形成することができる。イニシエーション層を構成する付着性材料は、原子層堆積法によって劣化しないものである。イニシエーション層は、１つまたは複数の反応層とともに最終的な膜を構成する。 （もっと読む）

【課題】金属配線の速い電荷伝達を妨げる要因を除去し、また、金属配線の表面の損傷を防止し、半導体メモリ素子の高速動作を実現することができるＮＡＮＤフラッシュメモリ素子等の半導体メモリ素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体メモリ素子の製造方法は、基板３０上にコンタクトプラグ４０、４２、４３、及びコンタクトプラグ４０、４２、４３を囲む第１の層間絶縁膜３９と第２の層間絶縁膜４１を形成するステップと、パターニングされたＴｉ／ＴｉＮ膜による拡散防止膜４６及びタングステン膜による金属配線４７を含み、コンタクトプラグ４０、４２、４３の上に重なる金属配線構造Ｍを形成するステップと、金属配線４７の表面を酸化させ、金属配線４７の表面に保護膜４９を形成するため、Ｈ２ＳＯ４、Ｈ２Ｏ２、脱イオン水及びＨＦを混合して得られた洗浄ケミカルを利用するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の製造時のアニール処理において、タングステンプラグ構造のコンタクトのバリアメタルを構成するＴi膜が、アニール時のガス雰囲気中あるいは堆積された膜中から発生する水素をトラップするため、アニールの効果が低下する。
【解決手段】コンタクトの底面及び側壁面にＴi膜を形成し、アニール処理を加えて底面にＣ４９相のＴiシリサイド膜を形成する。未反応のＴi膜を除去した後、ＴiＮ膜８２を底面及び側壁面に形成する。再びアニール処理を加えてＣ４９相のＴiシリサイド膜をＣ５４相のＴiシリサイド膜８０に相転移させる。コンタクトホールの残存するスペースにタングステンを堆積してタングステンプラグ８４を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子において、互いにシリコン酸化膜の異なる深さに位置するポリシリコン電極及びシリコン基板に対するコンタクトの形成工程を簡単にする。
【解決手段】第３層のポリシリコン電極１００の表面にシリサイド膜１０２を形成する。その上に積層されるシリコン酸化膜９２をエッチングして、ポリシリコン電極１００及びシリコン基板８０の拡散層（ＦＤ５２）に対するコンタクト開口を同時に形成する。エッチング工程において、コンタクト溝９６がシリサイド膜１０２に到達した以降、コンタクトホール１１０がＦＤ５２に到達するまで、コンタクト溝９６のエッチングはシリサイド膜１０２で停止される。これら深さの異なる開口部にタングステンを堆積し、ポリシリコン電極１００及びＦＤ５２をそれぞれＡl電極９８，１１４に接続する。 （もっと読む）

【課題】上部金属配線層と下部コンタクトパッドとの接続においてコンタクトパッドをエッチング工程から保護する半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上に絶縁層６５を形成し、前記絶縁層はその内部に導電性パッド６７を具備する段階と、前記絶縁層と導電性パッド上に誘電層７２を形成する段階と、前記誘電層の一領域をエッチングして前記導電性パッドと重畳するコンタクトホール７２ａを形成し、前記コンタクトホールは前記導電性パッドの上部コーナーを露出させる段階と、前記コンタクトホール内に前記導電性パッドの上部コーナーを覆うエッチング防止層７５を形成する段階により製造する。 （もっと読む）

【課題】
下層合わせマークとホトレジストの間に、可視光に対し不透明な金属膜が介在した場合、下層合わせマークが検出できなくなり、パターン形成を困難にする問題を解決する。
【解決手段】
合わせマークの下に絶縁膜が位置する構成とし、マークホール内に合わせマークと絶縁膜の多層膜から成る、段差が拡大された合わせマークを自己整合で予め形成しておき、その上に対象とする金属膜を形成する。金属膜自身が合わせマークを反映する段差を有しているので、確実な合わせを可能とする。 （もっと読む）

【課題】
絶縁膜に形成した深孔内に王冠構造のキャパシタを設ける場合、深孔内壁に形成した第１の上部電極とプレートとなる第２の上部電極との間に誘電体が介在するため、上部電極相互の接続が困難になる問題を解決する。
【解決手段】
深孔の内壁に形成される第１の上部電極２２７を導体膜２２４、導体プラグ２３６ａを介して配線２４１ａに接続し、プレートとなる第２の上部電極２３１を導体プラグ２３９ａを介して配線２４１ａに接続する構成とし、第１の上部電極と第２の上部電極を接続する。 （もっと読む）

【課題】半導体記憶装置のキャパシタ形成に際して、下部電極に接続するランディングパッドを簡易に形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁膜のコンタクト孔内に金属プラグを形成した後に、選択ＣＶＤ技術を用いて、タングステン膜を金属プラグと自己整合的に成長することにより、金属プラグに対応してランディングパッドを形成する。その上に下部電極、容量絶縁膜、及び、上部電極を順次に形成する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基体中に高いＱ値のスパイラル形状インダクタを形成する。
【解決手段】 能動デバイス領域からなる半導体基体上に形成されたインダクタであって、インダクタは半導体基体に積層される誘電体層上に形成された導電線からなる。導電線は、一つの実施例においては平面スパイラル形状である所望の形状にパターン成形され、エッチング加工される。インダクタの下の基体領域はインダクタのＱ値を上げるために除去される。 （もっと読む）

【課題】リーク電流量が少なく、ＴＤＤＢ耐性の高い配線層を得ることができ、これにより、消費電力が小さく、信頼性の高い半導体装置を製造することができる技術を提供する。
【解決手段】絶縁膜と接触した界面ラフネス緩和膜であって、その反対側の面で配線とも接触し、当該絶縁膜と当該界面ラフネス緩和膜との間の界面ラフネスより、当該配線と当該界面ラフネス緩和膜との間の界面ラフネスの方が小さい界面ラフネス緩和膜２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの材料となる高融点金属窒化物の成長工程を有する高融点金属窒化膜の形成方法に関し、配線のバリアメタルとなる高融点金属窒化物を低温で低抵抗に形成し、しかも、膜成長の際の反応生成物のチャンバ内の付着を防止するとともに、自然酸化膜の除去からコンタクトメタル、バリアメタルの成長までを減圧下で行うことを目的とする。
【解決手段】高融点金属のアルキルアミノ化合物を含むソースガスと還元性ガスとを使用して半導体基板上に化学気相成長法により高融点金属窒化膜を形成する高融点金属窒化膜の形成方法であって、還元性ガスを活性化する工程を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、基板上に形成されたデバイスに高品質コンタクトレベル接続部を形成するプロセスを提供する。一実施形態において、基板上に物質を堆積させるための方法であって、基板を酸化物エッチング緩衝液にさらして、前処理プロセスで水素化シリコン層を形成するステップと、基板上に金属シリサイド層を堆積させるステップと、金属シリサイド層上に第一金属層（例えば、タングステン）を堆積させるステップと、を含む前記方法が提供される。酸化物エッチング緩衝液は、フッ化水素とアルカノールアミン化合物、例えば、エタノールアミン、ジエタノールアミン、又はトリエタノールを含有することができる。金属シリサイド層は、コバルド、ニッケル、又はタングステンを含有することができ、無電解堆積プロセスによって堆積させることができる。一例において、基板は、溶媒と金属錯体化合物を含有する無電解堆積溶液にさらされる。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】低抵抗の窒化物薄膜を低い成膜温度で形成する。
【解決手段】真空雰囲気中に高融点金属を有する原料ガスと窒素原子を有する含窒素還元ガスを導入し、高融点金属の窒化物薄膜２４を形成する際、窒素を有しない補助還元ガスを導入する。補助還元ガスによって析出した高融点金属が、析出した窒化物の高融点金属の不足分を補償し、化学量論組成比に近く、低比抵抗の窒化物薄膜２４を成長させることができる。 （もっと読む）

【課題】シリサイド上に接続孔を形成する際のエッチングで、高抵抗の変質層が発生することを防止する。
【解決手段】 基板中もしくは基板上に導電層を形成する。次に、導電層上を含む基板上に第１の金属膜を形成する。次に、基板に対して熱処理を行なって第１の金属膜と導電層とを反応させ、導電層上に選択的にシリサイド膜を形成する。次に、選択ＣＶＤ法によりシリサイド膜上のみに第２の金属膜を形成する。次に、第２の金属膜上を含む基板上に絶縁膜を形成する。次に、絶縁膜の所定領域を開口して、第２の金属膜に到達するコンタクトホールを形成する。次に、コンタクトホール内を洗浄して、コンタクトホール底面における第２の金属膜表面に形成された変質層を除去する。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体素子が集積された半導体装置にあって、それら半導体素子における電流分布の偏りを好適に抑制することのできる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の上表面に延設されたトレンチ溝７Ａ，７Ｂと、これらトレンチ溝７Ａ，７Ｂの内部に埋め込まれたドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂとを備えた半導体素子を複数併設して半導体装置を構成した。こうした半導体装置において、半導体素子の形成領域Ｓ全体の下方における半導体基板の内部に、半導体素子の形成領域Ｓの下方全体にわたる面状のＮ型埋込拡散層３をドレイン引出電極１５Ａ，１５Ｂと接続された状態で埋込形成するようにした。 （もっと読む）

【課題】Ｗを材質とするコンタクトプラグあるいはビアプラグを有する半導体装置およびその製造方法であって、コンタクトプラグあるいはビアプラグ内のバリアメタル膜を薄く形成する場合であっても、バリアメタル膜の下層に影響を与えにくい半導体装置およびその製造方法を実現する。
【解決手段】コンタクトホールまたはビアホール内に、ＴｉＮ膜等のバリアメタル膜を形成する。その後、ＷＦ₆ガスをＢ₂Ｈ₆ガスにより還元させるＣＶＤ法により、Ｗ核付け膜をバリアメタル膜上に形成する。そして、ＣＶＤ法によりＷ核付け膜上にコンタクトプラグまたはビアプラグとしてＷプラグを形成する。 （もっと読む）