【課題】 低抵抗及び低インダクタンスの裏面貫通ビア及びその製造法
【解決手段】 裏面コンタクト構造体及びその構造体を製造する方法を提供する。この方法は、表面及び対向する裏面を有する基板（１００）内に誘電体分離（２５０）を形成するステップと、基板（１００）の表面上に第１誘電体層（１０５）を形成するステップと、誘電体分離（２５０）の周囲上及び内部に位置合せされ、誘電体分離（２５０）まで延びるトレンチ（２６５Ｃ）を第１誘電体層（１０５）内に形成するステップと、第１誘電体層（１０５）内に形成されたトレンチ（２６５Ｃ）を、誘電体分離（２５０）を貫通して基板（１００）の厚さより小さな深さ（Ｄ１）まで基板（１００）内部に延ばすステップと、トレンチ（２６５Ｃ）を充填し、且つトレンチ（２６５Ｃ）の上面を第１誘電体層（１０５）の上面と同一平面にして、導電性貫通ビア（２７０Ｃ）を形成するステップと、基板（１００）の裏面から基板（１００）を薄くして貫通ビア（２７０Ｃ）を露出させるステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】良好な半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の作製方法であって、基板上に半導体層を形成し、半導体層上にゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上にソース配線を形成し、ソース配線は、誘導結合型プラズマを用いて導電膜をエッチングすることにより形成し、ソース配線は、テーパー形状を有する。半導体層は結晶質半導体膜からなる。エッチングは、ＣＦ_４とＣｌ_２の混合ガスを用いて行う。ソース配線上に層間絶縁膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 銅イオンの拡散を防止する絶縁膜及びこの絶縁膜を用いた多層配線構造の提供。
【解決手段】 疎水性多孔質シリカからなる絶縁膜上に銅電極を設けて、絶縁膜の電界強度が１ＭＶ／ｃｍとなるように電圧を印加した場合に、前記絶縁膜が、１０年を超える絶縁破壊寿命を有するものとする。 （もっと読む）

【課題】 チャージアップダメージの発生を大幅に抑制することが可能なプラズマ処理方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器２２内に設けたプラズマ用電極３８に、プラズマ発生用電源から所定の電力を供給してプラズマを生成し、前記処理容器内に収容されている被処理体に対して所定のプラズマ処理を施すようにしたプラズマ処理方法において、前記被処理体に発生するチャージアップ電圧を抑制するために前記プラズマ処理を開始する際に、前記プラズマ用電極へ供給する電力を徐々に増加するように構成する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成され開口面積が異なる複数の貫通部を組み合わせた形状のパターンを有するレジスト膜のパターン内への金属膜の埋め込み成膜を短時間で良好に行うことができる金属膜作製方法及び金属膜作製装置を提供する。
【解決手段】開口面積が異なる複数の貫通部を組み合わせた形状のパターンを基板３上にパターニングしたレジスト膜３０のパターンの底部から順に前駆体２４を吸着させてこの前駆体２４の金属成分のみを析出させて金属膜を形成する成膜反応と、金属膜を塩素ラジカルでエッチングするエッチング反応とを共存させながら貫通部内に金属膜を形成し、レジスト膜３０のパターンの中で開口面積が最小の貫通部を金属膜によって完全に埋めた時点で金属膜の表面に金属酸化膜を形成した後、金属膜で完全に埋められていない残りの貫通部内への金属膜の埋め込みを行う。 （もっと読む）

【課題】下層導電体と上層導電体とを接続する低抵抗のコンタクトを安定して形成する。
【解決手段】コンタクト孔１７が形成されたシリコン酸化膜１５上にチタン膜１９を形成し、当該状態でコンタクト孔１７の底部に露出したポリシリコンプラグ１３の表面の自然酸化膜１８をスパッタエッチングにより除去する。このとき、シリコン絶縁膜１５の上面はチタン膜１９で被覆されているためシリコン酸化膜１５のスパッタエッチングが防止される。したがって、コンタクト孔１７底部にスパッタエッチされたシリコン酸化膜が再付着することが防止され、低抵抗で抵抗ばらつきの小さいコンタクトを安定して製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】下層導電体と上層導電体とを接続する低抵抗のコンタクトを安定して形成する。
【解決手段】コンタクト孔１７の底部に露出したポリシリコンプラグ１３の表面の自然酸化膜１８を、密着層１９を形成する直前に三フッ化窒素を用いたＲＩＥより除去する。当該ＲＩＥは、エッチング機構が化学的エッチングが支配的となる条件で実施される。このためシリコン酸化膜１５のエッチングが抑制される。したがって、コンタクト孔１７底部にスパッタエッチされたシリコン酸化膜が再付着することが防止され、低抵抗で抵抗ばらつきの小さいコンタクトを安定して製造することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】低誘電率膜及び他の部材、特に無機材料で形成された低誘電率膜及び他の部材どうしの密着性を強化することができる密着強化層形成用材料、該密着強化層形成用材料を用いて形成され密着性に優れた密着強化層、高速で信頼性の高い半導体装置及びその効率的な製造方法の提供。
【解決手段】本発明の密着強化層形成用材料は、塩基性官能基を有するオルガノアルコキシシラン、並びに、塩基性添加剤及びオルガノアルコキシシランの少なくともいずれかを含むことを特徴とする。本発明の密着強化層は本発明の密着強化層形成用材料を用いて形成される。本発明の半導体装置の製造方法は、被加工基材上に低誘電率膜を形成する低誘電率膜形成工程と、該低誘電率膜形成工程の前及び後の少なくともいずれかに、前記密着強化層形成用材料を用いて密着強化層を形成する密着強化層形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】オーミックコンタクト膜の形成を最適化して抵抗特性と漏洩電流特性などを向上させうる半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１の活性領域１３０上に形成されたシリサイド膜と、基板１０１の活性領域２３０上に形成されたシリサイド膜５３５とを備えている。シリサイド膜及びシリサイド膜５３５は、実質的に異なる厚さを有している。また、活性領域２３０は活性領域１３０に比べて密度の高いパターンを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】平坦かつ薄いバリア膜またはRu膜をダマシン構造で形成する。
【解決手段】金属配線構造を形成する方法は、(i)露出した配線層及び露出した絶縁層を含む多層構造を反応空間内に与える工程と、(ii)還元雰囲気中で、絶縁層の少なくとも露出面上に-NH2または>NHターミナルを導入する工程と、(iii)反応空間へ還元剤を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(iv)反応空間へハロゲン化金属化合物を導入し、その後反応空間をパージする工程と、(v) N及びHを含むガスを導入し、その後反応空間をパージする工程と、(vi)金属含有バリア層を製造するべく工程(iii)から(v)を連続して繰り返す工程と、(vii)金属含有バリア層上に金属膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ゲート電極の膜厚を厚く形成することなく、ゲート電極の十分な遮光性と低抵抗化とを両立することができる電気光学装置を提供する。
【解決手段】 多結晶シリコン層５ａと、多結晶シリコン層５ａに積層する高融点金属の硅化物層５ｂと、硅化物層５ｂに積層する高融点金属層５ｃとを具備する多層構造の薄膜でＴＦＴ３０のゲート電極３ａを形成することにより、ゲート電極３ａの膜厚を厚く形成することなく、十分な遮光性と低抵抗化とを両立する。すなわち、多結晶シリコン層５ａの上層に積層された高融点金属の硅化物層５ｂ及び高融点金属層５ｃを積層によって、ゲート電極３ａの低抵抗化が実現され、同時に、硅化物層５ｂの上層に積層されたシリコン成分を含まない高融点金属層５ｃによって、ＴＦＴ基板１０にアニール処理が行われた場合等にも、薄い膜厚でゲート電極３ａの遮光性が十分に確保される。
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本発明は、半導体デバイス用デュアルダマシン構造を製造する方法に関する。基板中に形成されたトレンチまたはバイア内の、拡散バリア層の堆積の間中、ハロゲン系前駆物質が使用される。前記堆積からの残留ハロゲンは、前記バリア層上に残ることができ、前記トレンチまたはバイアを充填するために、前記バリア層上に位置する金属層の成長を触媒するのに用いられる。
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【課題】 スタックト構造を有するコンタクトプラグの複数段連結されたコンタクトプラグのうちの下方のものについて、酸化防止を図る。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板１上に第１の絶縁膜５を形成する工程（ａ）と、第１の絶縁膜５中に、バリアメタル膜７及びタングステン膜８からなる第１のプラグ９を形成する工程（ｂ）と、第１のプラグ９Ａの上方に、下部電極１４、容量絶縁膜１５及び上部電極１６からなる容量素子１７を形成する工程（ｃ）と、第１の絶縁膜５及び第１のプラグ９上に、第２の絶縁膜１１を形成する工程（ｄ）と、第２の絶縁膜１１中に、第１のプラグ９Ｂと接続してスタックト構造を構成する第２のプラグ２１を形成する工程（ｅ）と、工程（ｃ）の後に、容量素子１７に対して酸素雰囲気中で熱処理する工程（ｆ）と、工程（ｂ）と工程（ｄ）との間に、半導体基板に対して熱処理をする工程（ｇ）とを備える。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造が体心立方格子構造の金属、または、ルテニウムを確実且つ容易にエッチバック可能とした成膜方法及び電子デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】成膜後に少なくともその一部がエッチングされる金属膜の成膜方法であって、
結晶構造が体心立方格子構造の金属またはルテニウムを含有するガスと水素ガスとを含むソースガスと、窒素ガスと、を基体上に流し前記ソースガスを分解することにより前記金属または前記ルテニウムからなる金属膜を前記基体の上に形成することを特徴とする成膜方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】 誘電率と被膜強度を表わすヤング率とに優れたシリカ系被膜、特に、比誘電率が２．７以下と小さく、さらに被膜強度を表わすヤング率が半導体配線層作製プロセスに耐えうるだけの強度特性を備えたシリカ系被膜の形成方法を提供する。
【解決手段】 （ｉ）シリカ系被膜形成用塗布液を基板上に塗布し、（ｉｉ）塗布後の基板を加熱処理し、（ｉｉｉ）加熱後の基板に、ケイ素の不対電子を安定化できる物質を含む雰囲気中で活性エネルギー線を照射して、シリカ系被膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 結晶構造をコントロールすることによって，従来以上に低い抵抗を有する金属系膜を形成する。
【解決手段】 金属系原料ガスとして例えばＷＦ_６ガスを供給するステップと水素化合物ガスとして例えばＳｉＨ_４ガスを供給するステップとを，不活性ガス例えばＡｒガス，Ｎ_２ガスを供給するパージステップを介在させて，交互に繰り返し実行することによって，非晶質を含む第１タングステン膜を成膜する第１タングステン膜成膜ステップと，第１タングステン膜上に，上記ＷＦ_６ガスと還元性ガスとして例えばＨ_２ガスを同時に供給することによって，第２タングステン膜を成膜する第２タングステン膜成膜ステップとを含む。ＳｉＨ_４ガスを供給するステップ後のパージステップの実行時間を変えることにより第１タングステン膜が含む非晶質の割合をコントロールする。 （もっと読む）

【課題】 アスペクト比が高いホールが形成された半導体基板に対しても、ステップカバレッジを向上させてホール内部に十分なタングステン層を埋め込むことが可能な気相堆積方法を提供する。
【解決手段】 本発明に係る気相堆積方法は、供給工程と第一ガス排気工程と核形成層形成工程と堆積工程とを含み、核形成層形成工程（Ｓ２２）では、タングステン含有化合物ガスのガスａをシリコン含有化合物の第二ガスよりも先に半導体基板に供給して第一の核形成層を形成する工程（Ｓ２２ａ）と、第一の核形成層にシリコン含有化合物の第三ガスを供給・排気する工程（Ｓ２２ｂ）と、当該第三ガス排気後に、タングステン含有化合物ガスのガスｂがシリコン含有化合物の第四ガスよりも先に第一の核形成層に供給して第二の核形成層を形成する工程（Ｓ２２ｃ）とを含む。 （もっと読む）

【課題】タングステンプラグを使うコンタクト構造において、低抵抗で安定なコンタクトを実現する。
【解決手段】導電体と、前記導電体を覆う絶縁膜と、前記絶縁膜を貫通し、前記導電体に電気的に接続するコンタクトプラグとよりなるコンタクト構造を含む半導体装置の製造方法において、前記絶縁膜中に、前記絶縁膜を貫通して、底部において前記導電体を露出するように、コンタクトホールを形成し、前記コンタクトホールの底部および側壁面に、窒化タングステンよりなるバリアメタル膜を、前記コンタクトホールの底部および側壁面に整合した形状で形成し、前記コンタクトホールを、前記バリアメタル膜を介して充填するように、タングステン層を形成し、前記絶縁膜上のタングステン膜を、前記絶縁膜の表面が露出するまで研磨・除去し、前記コンタクトホール中に前記タングステン層により、タングステンプラグを形成し、さらに、前記バリアメタル膜の形成に先立って、前記導電体の表面を清浄化する。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜中に含まれる不純物やプロセス雰囲気中の不純物から配線層を保護する。
【解決手段】 配線層１２を絶縁層１１上に形成した後、配線層１２の表面の熱酸化を行うことにより、配線層１２の露出面を被覆する保護膜１３を形成し、保護膜１３にて被覆された配線層１２上に高密度ＣＶＤなどの方法にてＦＳＧ膜１４およびＮＳＧ膜１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜とその下地絶縁膜との間の密着性を、下地絶縁膜にダメージを与えることなく向上させ、高速で信頼性の高い半導体デバイスを歩留まりよく得ることができる技術を提供する。
【解決手段】 積層体を製造する際に、酸化力または還元力を持つ気体を溶解させて得ることのできる水溶液を用いて第一の絶縁膜の表面を処理し、その後、第一の絶縁膜上に第二の絶縁膜を形成する。 （もっと読む）