半導体装置の製造方法
【課題】下層導電体と上層導電体とを接続する低抵抗のコンタクトを安定して形成する。
【解決手段】コンタクト孔１７が形成されたシリコン酸化膜１５上にチタン膜１９を形成し、当該状態でコンタクト孔１７の底部に露出したポリシリコンプラグ１３の表面の自然酸化膜１８をスパッタエッチングにより除去する。このとき、シリコン絶縁膜１５の上面はチタン膜１９で被覆されているためシリコン酸化膜１５のスパッタエッチングが防止される。したがって、コンタクト孔１７底部にスパッタエッチされたシリコン酸化膜が再付着することが防止され、低抵抗で抵抗ばらつきの小さいコンタクトを安定して製造することが可能となる。
【解決手段】コンタクト孔１７が形成されたシリコン酸化膜１５上にチタン膜１９を形成し、当該状態でコンタクト孔１７の底部に露出したポリシリコンプラグ１３の表面の自然酸化膜１８をスパッタエッチングにより除去する。このとき、シリコン絶縁膜１５の上面はチタン膜１９で被覆されているためシリコン酸化膜１５のスパッタエッチングが防止される。したがって、コンタクト孔１７底部にスパッタエッチされたシリコン酸化膜が再付着することが防止され、低抵抗で抵抗ばらつきの小さいコンタクトを安定して製造することが可能となる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、下層導電体と上層導電体とを接続するコンタクトを備えた半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等のメモリ回路とロジック回路とが混載された半導体装置では、集積度の向上のため高アスペクト比（該して３以上）のコンタクトが採用されている。特に、ＤＲＡＭメモリセルのコンタクトには電気特性向上のため、ポリシリコンからなるコンタクトプラグ（以下、ポリシリコンプラグという。）とタングステンからなるコンタクトプラグ（以下、タングステンプラグという。）とを積層した構造のコンタクトが用いられている。
【０００３】
図６は、このようなコンタクト構造の形成過程を示す工程断面図である。図６（ａ）に示すように、まず、シリコン基板５１上に、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜５２にポリシリコンプラグ５３が埋設された構造の下部構造が公知の微細加工技術により形成される。当該下部構造上には、後述のコンタクト孔を形成するドライエッチングの際にストッパ膜として機能するシリコン窒化膜等からなる絶縁膜５４が堆積される。絶縁膜５４上には、シリコン酸化膜等の絶縁膜５５が層間絶縁膜として堆積される。
【０００４】
次に、絶縁膜５５上に、コンタクト孔形成位置に開口部５６ａを有するレジストパターン５６がフォトリソグラフィ等により形成され、レジストパターン５６をエッチングマスクとしたドライエッチングが行われる。当該エッチングにより、絶縁膜５５と絶縁膜５４が順に除去され、図６（ｂ）に示すように、底部にポリシリコンプラグ５３が露出されたコンタクト孔５７が形成される。
【０００５】
コンタクト孔５７の形成が完了すると、レジストパターン５６が除去され、次いで、絶縁膜５５上のレジスト残渣や上記エッチングの際にコンタクト孔５７の内部に付着した有機物を除去するための洗浄が行われる。当該洗浄には、例えば、硫酸を含む洗浄液が使用される。このようなレジスト除去や洗浄の過程で、コンタクト孔５７底部に露出しているポリシリコンプラグ５３の露出面には、自然酸化膜５８が形成される（図６（c））。
【０００６】
続いて、アルゴンガスを使用した逆スパッタ法により自然酸化膜５８の除去処理（図６（ｄ））が行われた後、タングステンプラグの密着層であるチタン膜６０が全面に成膜される。なお、逆スパッタ法とは、スパッタ成膜装置内で基板をスパッタエッチングするエッチング法を指す。
【０００７】
自然酸化膜５８の除去後にポリシリコンプラグ５３に自然酸化膜が再度形成されることがないように、自然酸化膜除去とチタン膜形成とは、例えば、同一の真空処理室内で連続して行われる。そして、チタン膜６０上にタングステン膜６１が堆積されるとともに、コンタクト孔５７以外の部位に堆積したチタン膜６０及びタングステン膜６１が除去され、図６（ｅ）に示すチタン膜６０とタングステン膜６１からなるコンタクトが完成する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３２４８６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、近年の高アスペクト比のコンタクトを形成する場合、従来のコンタクトプラグ形成方法では、図６（ｄ）に示した酸化膜除去工程の逆スパッタ法において、処理時間が増大する傾向にある。この現象は、大きな運動エネルギーを有するアルゴンイオンがコンタクト孔５７の底面に到達しにくくなることに起因する。
【０００９】
基板に入射するアルゴンイオンは、最表面（絶縁膜５５の表面）では大きな運動エネルギーを有している。しかしながら、コンタクト孔５７の内部に入射したアルゴンイオンは、側壁への衝突によりエネルギーが減少してしまう。このため、アスペクト比が高くなるにつれてコンタクト孔５７の底部の酸化膜除去性が低下するのである。このため、高アスペクト比のコンタクト孔底部の自然酸化膜５８を除去する場合、十分なエッチング量を確保するために長時間の処理が必要となる。
【００１０】
処理時間が長くなると、基板の最表面に入射するアルゴンイオンは大きなエネルギーを有しているため、コンタクト孔上部５７ａがエッチングされやすくなる。この結果、コンタクト孔５７の底部には、コンタクト上部５７ａでスパッタエッチングされたシリコン酸化膜５９が再付着する。このような再付着が発生すると、自然酸化膜５８の除去が阻害され、ポリシリコンプラグ５３の表面に自然酸化膜５８が残留してしまう。
【００１１】
このように、完全に除去されずに残留した自然酸化膜５８や再付着したシリコン酸化膜５９は、コンタクト孔５７の底部でのチタン膜６０とポリシリコンプラグ５３とのシリサイド反応を阻害する。このため、従来のコンタク形成方法では、コンタクト抵抗が増大し、抵抗ばらつきが大きくなるという問題が発生する。
【００１２】
本発明は、上記従来の事情を鑑みて提案されたものであって、低抵抗のコンタクトを安定して形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述の課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用している。まず、本発明は、下層導電体と上層導電体とを接続するコンタクトを備えた半導体装置の製造方法を前提としている。そして、本発明による半導体装置の製造方法では、まず、下層導電体を被覆する絶縁膜が形成され、当該絶縁膜に下層導電体に到達するコンタクト孔が形成される。次いで、第１の金属膜が上記絶縁膜上に形成され、当該状態でコンタクト孔底部に露出した下層導電体のエッチングが行われる。このエッチング工程と連続して、コンタクト孔に第２の金属膜が形成される。
【００１４】
本構成によれば、コンタクト抵抗を増大させる要因となる自然酸化膜等の下層導電体表面のコンタクト阻害物をエッチング除去する際に、コンタクト孔上部の絶縁膜がエッチングされない。したがって、エッチングされた絶縁膜がコンタクト底部に再付着することがなく、下層導電体表面のコンタクト阻害物を確実に除去することができる。これにより、低抵抗でかつ抵抗ばらつきが抑制された安定したコンタクトの製造を行うことができる。
【００１５】
本構成は、下層導電体のエッチング時間が比較的長くなる高アスペクト比（３以上）のコンタクト孔を形成する場合に特に有効である。また、下層導電体の主成分がシリコンである場合、従来法からの改善が著しい。
【００１６】
上記第１の金属膜形成は、例えば、スパッタ法により実施することができる。また、第１の金属膜は、例えば、成膜が行われる成膜室内の圧力が５Ｐａ〜１００Ｐａである等の、コンタクト孔底部に実質的に堆積されない条件下で形成することが好ましい。さらに、第１の金属膜は、下層導電体表面のエッチングの直前に形成されることが好ましい。なお、上記絶縁膜上面に残存する第１の金属膜は、上記第２の金属膜形成後に、上記コンタクト孔以外の領域に堆積した不要な第２の金属膜とともに除去することができる。また、第１の金属膜には、チタン等の高融点金属を含有する金属膜を使用することができる。
【００１７】
また、上記下層導電体のエッチングは、例えば、逆スパッタ法により実施することができる。なお、第１の金属膜形成、下層導電体のエッチング、及び第２の金属膜形成は、真空下で連続して行うことも可能である。これにより、下層導電体表面のコンタクト阻害物を確実に除去することができる。
【００１８】
さらに、第１の金属膜の膜厚ａ、及び下層導電体エッチングの際のコンタクト孔底部のエッチング量Ｔｅは、下層導電体表面の除去対象膜厚、すなわち、コンタクト阻害物の膜厚Ｔｏに対してＴｏ≦Ｔｅ≦ａの条件を満足するように設定することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明よれば、例えば、ポリシリコンプラグ上にタングステンプラグを形成する場合等に、コンタクト孔底部に表面酸化膜残りや絶縁膜の再付着が発生することを確実に防止することができる。このため、コンタクト孔底部において、シリサイド反応が阻害されることなく進行し、コンタクト抵抗のばらつきを抑制することができる。したがって、低抵抗のコンタクトを極めて安定して形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の一実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、本発明を、ポリシリコンプラグとタングステンプラグとが積層された構造を有するコンタクトを備えた半導体装置の製造に適用している。図１及び図２は、当該半導体装置の製造過程を示す工程断面図である。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、まず、シリコン等からなる半導体基板１１上に、ＢＰＳＧ（Boro-Phospho Silicate glass）等のシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２にポリシリコンプラグ１３が埋設された下部構造が形成される。このような構造は、コンタクト孔が形成された絶縁膜１２上にポリシリコンをＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により堆積し、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等により、上面を平坦化することにより形成することができる。当該下部構造上には、シリコン窒化膜からなる絶縁膜１４及びＢＰＳＧからなる絶縁膜１５が堆積される。ここで、絶縁膜１４は、後述のコンタクト孔を形成するドライエッチングの際にストッパ膜として機能する。
【００２２】
次に、図１（ｂ）に示すように、絶縁膜１５上に、コンタクト孔形成位置に開口部１６ａを有するレジストパターン１６がフォトリソグラフィ等により形成される。当該レジストパターン１６をエッチングマスクとして、絶縁膜１５及び絶縁膜１４が順にエッチングされ、図１（ｃ）に示すように、シリコンプラグ１３に到達するコンタクト孔１７が形成される。当該エッチングは、プラズマエッチング等のドライエッチングにより行うことができる。なお、図１（ｃ）は、コンタクト孔１７の形成後に、アッシングや有機洗浄等によりレジストパターン１６が除去された状態を示している。
【００２３】
続いて、絶縁膜１５上のレジスト残渣やコンタクト孔１７内に残留する有機物等を除去するための洗浄が行われる。当該洗浄は、例えば、硫酸を含む洗浄液（ＳＰＭ：Sulfuric acid-hydrogen Peroxide Mixture等）が使用される。このようなレジスト除去や洗浄、並びに、洗浄後に半導体基板１１が大気にさらされること等により、コンタクト孔１７の底部に露出しているポリシリコンプラグ１３には図１（ｄ）に示すように、自然酸化膜１８が１〜２ｎｍ程度成長する。
【００２４】
さて、本実施形態では、続いて、コンタクト孔１７が形成された絶縁膜１５上に、チタン膜からなる犠牲層１９（第１の金属膜）が形成される（図２（ａ））。当該犠牲層１９は、スパッタ法等により形成することができる。スパッタ法を用いる場合、犠牲層１９は、チタンターゲットが配置された内部圧力が３０Ｐａ程度の成膜室内で、４０ｋＷのＤＣパワー及び３００ＷのＲＦ（Radio Frequency）パワーを印加することにより形成することができる。なお、半導体基板１１の基板温度は３５０℃程度にすればよい。
【００２５】
このような成膜条件は、犠牲層１９がコンタクト孔１７の底部に実質的に堆積することがない条件である。図３に、スパッタ成膜装置においてチタン膜を堆積した場合の、コンタクト孔１７に堆積するチタン膜の膜厚と成膜室内の圧力との関係を示す。なお、ここでは、プロセスガスとしてアルゴンガスを使用しているため、成膜室の圧力はアルゴンの圧力である。また、図３は、アスペクト比が５（径２００ｎｍ、深さ１０００ｎｍ）であるコンタクト孔１７により取得したデータである。
【００２６】
図３より、コンタクト孔１７底部のチタン膜厚は成膜室圧力の上昇に伴って減少し、高圧力域では膜厚をほぼゼロになることが理解できる。これは、高圧力域ではターゲットからスパッタリングされたチタン原子の平均自由行程が短く、コンタクト孔１７の底部に到達するチタン原子が減少することに起因する。したがって、このような高圧域でチタン膜の成膜を行うことにより、図２（ａ）に示すように、コンタクト孔１７の底部にチタン膜を堆積させることなく絶縁膜１５の上面及びコンタクト孔１７上部の内壁にチタン膜を堆積することが可能となる。なお、コンタクト孔１７底部に堆積したチタン膜は、後述の自然酸化膜除去を阻害する要因になるためできるだけ小さいことが好ましい。図３に示した圧力依存性は、コンタクト孔１７の構造（アスペクト比）によって異なるため一概に言えないが、図３の事例では、２５Ｐａ以上の高圧力域で成膜を行うことが望ましい。
【００２７】
以上のようにして犠牲層１９が形成された後、図２（ｂ）に示すように、自然酸化膜１８が逆スパッタ法により除去される。当該自然酸化膜１８の除去は、上記犠牲層１９を堆積したスパッタ成膜装置の成膜室内でプロセスガスとしてアルゴンガスを使用して行うことができる。上述のように、本実施形態では、絶縁膜１５の上面及びコンタクト孔１７上部の内壁がチタン膜からなる犠牲層１９で被覆されているため、自然酸化膜１８の除去処理中に絶縁膜１５がスパッタエッチングされない。したがって、犠牲層１９がスパッタエッチングされて完全に除去されない限り、コンタクト孔１７の底部への絶縁膜１５の再付着が防止される。
【００２８】
図４は、逆スパッタ量（スパッタエッチング量）とコンタクト孔１７底部のシリコン酸化膜厚との関係を示す図である。図４に示すように、コンタクト孔１７底部のシリコン酸化膜厚は、逆スパッタ量の増加に伴って減少し、ゼロ（コンタクト孔１７の底部に酸化膜がない状態）になる。しかしながら、さらに逆スパッタ量を増加させるとコンタクト孔１７の底部のシリコン酸化膜量は、逆スパッタ量に伴って増加するようになる。なお、逆スパッタ量が小さい領域のシリコン酸化膜は、完全に除去されずにコンタクト孔１７の底部に残留した自然酸化膜１８である。また、逆スパッタ量が大きい領域のシリコン酸化膜は、犠牲層１９が全てスパッタエッチングされたためにエッチングされ再付着した絶縁膜１５である。
【００２９】
以上のように、犠牲層１９の膜厚と逆スパッタ量を制御することにより、自然酸化膜１８を完全に除去することが可能となる。ここで、犠牲層１９の膜厚をａ、逆スパッタ量をＴｅとすると、Ｔｅ≦ａであれば逆スパッタ処理中に犠牲層１９が完全にエッチング除去されることがない。そして、この逆スパッタ量により、コンタクト孔１７の底部の自然酸化膜１８が除去できればよい。
【００３０】
厳密に言えば、コンタクト孔１７の底部には、自然酸化膜１８の他に、犠牲層１９の成膜時に堆積したチタンと逆スパッタ処理によりスパッタエッチングされ再付着したチタンが存在している。したがって、自然酸化膜１８の膜厚をＴｏ、犠牲層１９の成膜時にコンタクト孔１７の底部に堆積したチタンの膜厚をｂ、逆スパッタ処理中にコンタクト孔１７の底部に再付着するチタンの膜厚をｃとすると、Ｔｅ≧Ｔｏ＋ｂ＋ｃであれば逆スパッタ処理中に自然酸化膜１８が完全に除去される。
【００３１】
しかしながら、チタンは高硬度であり逆スパッタリングレートが小さいため、逆スパッタ処理中にコンタクト孔１７の底部に到達するチタンは微量である。また、図３に示したように、犠牲層１９の成膜時にコンタクト孔１７の底部に到達するチタンはほぼゼロにすることができる。加えて、チタンは自然酸化膜に対して還元除去作用を有しており、自然酸化膜１８を分解してチタン中に酸素を取り込むこと、さらにチタン及びチタンの反応物は導電性であることから、微量のチタンであれば、実質的なコンタクト孔１７底部への堆積膜厚はゼロと看做すことができる。つまり、コンタクト孔１７底部の逆スパッタ量（エッチング量）Ｔｅ及び犠牲層１９の膜厚ａは、ＴO≦Ｔｅ≦ａの条件を満足する値であればよい。例えば、アスペクト比が５（径２００ｎｍ、深さ１０００ｎｍ）であるコンタクト孔１７の底部に形成された１〜２ｎｍの自然酸化膜１８を除去する場合には、犠牲層１９の膜厚は１０ｎｍ程度とすればよい。
【００３２】
以上のようにして、自然酸化膜１８の除去が完了すると、タングステンプラグの密着層２０であるチタン膜が全面に成膜される。当該密着層２０の形成は、逆スパッタ後にウエット洗浄を経ずに自然酸化膜１８の除去を行ったスパッタ成膜装置の成膜室内で真空保持したまま連続して行われる。このため、自然酸化膜１８が除去されたポリシリコンプラグ１３上に自然酸化膜が再度形成されることはない。さらに言えば、本実施形態では、犠牲層１９がチタン膜であるため、犠牲層１９の形成、自然酸化膜１８の除去、密着層２０（第２の金属膜）の形成を、同一のスパッタ成膜装置の成膜室内で真空保持したまま連続して行うことができる。
【００３３】
この後、図２（ｃ）に示すように、密着層２０上にコンタクトプラグの主部となる金属膜２１であるタングステンが、例えば、六フッ化タングステンを原料ガスとしたＣＶＤ法により堆積され、コンタクト孔１７が充填される。そして、コンタクト孔１７以外の部位に堆積した密着層２０及び金属膜２１がＣＭＰ法やエッチバック等により除去され、図２（ｄ）に示す密着層２０と金属膜２１からなるコンタクト構造が完成する。なお、上記逆スパッタ処理において、コンタクト孔１７の内壁に残存した犠牲層１９は密着層２０として機能し、絶縁膜１５の上部に残存した犠牲層１９は、不要な密着層２０とともに除去されることはいうまでもない。また、コンタクト上には、公知の手法により上層導電体が形成される。
【００３４】
図５に、本実施形態により形成したポリシリコンプラグとタングステンプラグとが積層されたコンタクトと、従来法により形成したコンタクトの抵抗（コンタクト抵抗）の累積度数分布を示す。図５より、本発明により形成されたコンタクトは、従来に比べて低抵抗、かつ、抵抗ばらつきの小さいことが理解できる。
【００３５】
以上説明したように、本発明によれば、コンタクト孔上部がスパッタエッチングされることを確実に防止することができるため、コンタクト孔底部への絶縁膜（シリコン酸化膜）の再付着を確実に防止することができる。したがって、例えば、ポリシリコンプラグとタングステンプラグが積層された構造を有する高アスペクト比のコンタクトを形成する際であっても、両プラグの接合部にシリコン酸化膜が残留することがない。したがって、ポリシリコンプラグとタングステンプラグとの接合部におけるシリサイド反応が阻害されないため、低抵抗かつ抵抗ばらつきの小さいコンタクトを形成することができる。すなわち、高アスペクト比のコンタクトを安定して形成することが可能となる。
【００３６】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記実施形態では、ポリシリコンプラグとタングステンプラグとが積層された構造を有するコンタクトの事例を説明したが、コンタクト孔の底部においてシリサイド化により低抵抗を実現する観点では、下層導電膜は、ポリシリコンに限らず、アモルファスシリコン、単結晶シリコン等のシリコンを主成分とする材料であってもよい。同様に密着層材料は、チタンに限るものではなく窒化チタンや他の高融点金属材料であってもよい。また、本発明は、シリコン基板に直接接続される積層構造を有しないコンタクトにも適用可能である。
【００３７】
さらに、本発明は、逆スパッタ法により下層導電体のエッチングを行うため、下層導電体の表面に存在するコンタクト阻害物は、その材質に関わらず除去することができる。すなわち、本発明は、下層導電体や絶縁膜の材質に制限されることなく、コンタクト孔を備える全ての半導体装置の製造に適用でき、低抵抗で抵抗ばらつきの小さいコンタクトを形成することができる。
【００３８】
加えて、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲において、上記説明したリソグラフィ、成膜、エッチング等のプロセスは、他の等価なプロセスに置換することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、低抵抗でばらつきの小さいコンタクトを安定して形成できるという効果を有し、コンタクトを備えた半導体装置の製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態のコンタクトプラグ形成過程を示す工程断面図
【図２】本発明の一実施形態のコンタクトプラグ形成過程を示す工程断面図
【図３】犠牲層成膜時の圧力とコンタクト孔底部における犠牲層膜厚との関係を示す図
【図４】逆スパッタ量とコンタクト孔底部におけるシリコン酸化膜厚との関係を示す図
【図５】本発明により形成されたコンタクトプラグのコンタクト抵抗を示す図
【図６】従来のコンタクトプラグ形成過程を示す工程断面図
【符号の説明】
【００４１】
１１ 半導体基板
１２ 絶縁膜
１３ ポリシリコンプラグ（下層導電体）
１５ 絶縁膜
１６ レジストパターン
１７ コンタクト孔
１８ 自然酸化膜（コンタクト阻害物）
１９ 犠牲層（第１の金属膜）
２０ 密着層（第２の金属膜）
２１ タングステンプラグ
５１ 半導体基板
５３ ポリシリコンプラグ
５５ 絶縁膜
５６ レジストパターン
５７ コンタクト孔
５８ 自然酸化膜
５９ シリコン酸化膜（再付着した絶縁膜）
６１ タングステンプラグ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、下層導電体と上層導電体とを接続するコンタクトを備えた半導体装置の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、ＤＲＡＭ（Dynamic Random Access Memory）等のメモリ回路とロジック回路とが混載された半導体装置では、集積度の向上のため高アスペクト比（該して３以上）のコンタクトが採用されている。特に、ＤＲＡＭメモリセルのコンタクトには電気特性向上のため、ポリシリコンからなるコンタクトプラグ（以下、ポリシリコンプラグという。）とタングステンからなるコンタクトプラグ（以下、タングステンプラグという。）とを積層した構造のコンタクトが用いられている。
【０００３】
図６は、このようなコンタクト構造の形成過程を示す工程断面図である。図６（ａ）に示すように、まず、シリコン基板５１上に、シリコン酸化膜等からなる絶縁膜５２にポリシリコンプラグ５３が埋設された構造の下部構造が公知の微細加工技術により形成される。当該下部構造上には、後述のコンタクト孔を形成するドライエッチングの際にストッパ膜として機能するシリコン窒化膜等からなる絶縁膜５４が堆積される。絶縁膜５４上には、シリコン酸化膜等の絶縁膜５５が層間絶縁膜として堆積される。
【０００４】
次に、絶縁膜５５上に、コンタクト孔形成位置に開口部５６ａを有するレジストパターン５６がフォトリソグラフィ等により形成され、レジストパターン５６をエッチングマスクとしたドライエッチングが行われる。当該エッチングにより、絶縁膜５５と絶縁膜５４が順に除去され、図６（ｂ）に示すように、底部にポリシリコンプラグ５３が露出されたコンタクト孔５７が形成される。
【０００５】
コンタクト孔５７の形成が完了すると、レジストパターン５６が除去され、次いで、絶縁膜５５上のレジスト残渣や上記エッチングの際にコンタクト孔５７の内部に付着した有機物を除去するための洗浄が行われる。当該洗浄には、例えば、硫酸を含む洗浄液が使用される。このようなレジスト除去や洗浄の過程で、コンタクト孔５７底部に露出しているポリシリコンプラグ５３の露出面には、自然酸化膜５８が形成される（図６（c））。
【０００６】
続いて、アルゴンガスを使用した逆スパッタ法により自然酸化膜５８の除去処理（図６（ｄ））が行われた後、タングステンプラグの密着層であるチタン膜６０が全面に成膜される。なお、逆スパッタ法とは、スパッタ成膜装置内で基板をスパッタエッチングするエッチング法を指す。
【０００７】
自然酸化膜５８の除去後にポリシリコンプラグ５３に自然酸化膜が再度形成されることがないように、自然酸化膜除去とチタン膜形成とは、例えば、同一の真空処理室内で連続して行われる。そして、チタン膜６０上にタングステン膜６１が堆積されるとともに、コンタクト孔５７以外の部位に堆積したチタン膜６０及びタングステン膜６１が除去され、図６（ｅ）に示すチタン膜６０とタングステン膜６１からなるコンタクトが完成する（例えば、特許文献１参照）。
【特許文献１】特開２００２−３２４８６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、近年の高アスペクト比のコンタクトを形成する場合、従来のコンタクトプラグ形成方法では、図６（ｄ）に示した酸化膜除去工程の逆スパッタ法において、処理時間が増大する傾向にある。この現象は、大きな運動エネルギーを有するアルゴンイオンがコンタクト孔５７の底面に到達しにくくなることに起因する。
【０００９】
基板に入射するアルゴンイオンは、最表面（絶縁膜５５の表面）では大きな運動エネルギーを有している。しかしながら、コンタクト孔５７の内部に入射したアルゴンイオンは、側壁への衝突によりエネルギーが減少してしまう。このため、アスペクト比が高くなるにつれてコンタクト孔５７の底部の酸化膜除去性が低下するのである。このため、高アスペクト比のコンタクト孔底部の自然酸化膜５８を除去する場合、十分なエッチング量を確保するために長時間の処理が必要となる。
【００１０】
処理時間が長くなると、基板の最表面に入射するアルゴンイオンは大きなエネルギーを有しているため、コンタクト孔上部５７ａがエッチングされやすくなる。この結果、コンタクト孔５７の底部には、コンタクト上部５７ａでスパッタエッチングされたシリコン酸化膜５９が再付着する。このような再付着が発生すると、自然酸化膜５８の除去が阻害され、ポリシリコンプラグ５３の表面に自然酸化膜５８が残留してしまう。
【００１１】
このように、完全に除去されずに残留した自然酸化膜５８や再付着したシリコン酸化膜５９は、コンタクト孔５７の底部でのチタン膜６０とポリシリコンプラグ５３とのシリサイド反応を阻害する。このため、従来のコンタク形成方法では、コンタクト抵抗が増大し、抵抗ばらつきが大きくなるという問題が発生する。
【００１２】
本発明は、上記従来の事情を鑑みて提案されたものであって、低抵抗のコンタクトを安定して形成することができる半導体装置の製造方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
上述の課題を解決するために、本発明は以下の手段を採用している。まず、本発明は、下層導電体と上層導電体とを接続するコンタクトを備えた半導体装置の製造方法を前提としている。そして、本発明による半導体装置の製造方法では、まず、下層導電体を被覆する絶縁膜が形成され、当該絶縁膜に下層導電体に到達するコンタクト孔が形成される。次いで、第１の金属膜が上記絶縁膜上に形成され、当該状態でコンタクト孔底部に露出した下層導電体のエッチングが行われる。このエッチング工程と連続して、コンタクト孔に第２の金属膜が形成される。
【００１４】
本構成によれば、コンタクト抵抗を増大させる要因となる自然酸化膜等の下層導電体表面のコンタクト阻害物をエッチング除去する際に、コンタクト孔上部の絶縁膜がエッチングされない。したがって、エッチングされた絶縁膜がコンタクト底部に再付着することがなく、下層導電体表面のコンタクト阻害物を確実に除去することができる。これにより、低抵抗でかつ抵抗ばらつきが抑制された安定したコンタクトの製造を行うことができる。
【００１５】
本構成は、下層導電体のエッチング時間が比較的長くなる高アスペクト比（３以上）のコンタクト孔を形成する場合に特に有効である。また、下層導電体の主成分がシリコンである場合、従来法からの改善が著しい。
【００１６】
上記第１の金属膜形成は、例えば、スパッタ法により実施することができる。また、第１の金属膜は、例えば、成膜が行われる成膜室内の圧力が５Ｐａ〜１００Ｐａである等の、コンタクト孔底部に実質的に堆積されない条件下で形成することが好ましい。さらに、第１の金属膜は、下層導電体表面のエッチングの直前に形成されることが好ましい。なお、上記絶縁膜上面に残存する第１の金属膜は、上記第２の金属膜形成後に、上記コンタクト孔以外の領域に堆積した不要な第２の金属膜とともに除去することができる。また、第１の金属膜には、チタン等の高融点金属を含有する金属膜を使用することができる。
【００１７】
また、上記下層導電体のエッチングは、例えば、逆スパッタ法により実施することができる。なお、第１の金属膜形成、下層導電体のエッチング、及び第２の金属膜形成は、真空下で連続して行うことも可能である。これにより、下層導電体表面のコンタクト阻害物を確実に除去することができる。
【００１８】
さらに、第１の金属膜の膜厚ａ、及び下層導電体エッチングの際のコンタクト孔底部のエッチング量Ｔｅは、下層導電体表面の除去対象膜厚、すなわち、コンタクト阻害物の膜厚Ｔｏに対してＴｏ≦Ｔｅ≦ａの条件を満足するように設定することができる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明よれば、例えば、ポリシリコンプラグ上にタングステンプラグを形成する場合等に、コンタクト孔底部に表面酸化膜残りや絶縁膜の再付着が発生することを確実に防止することができる。このため、コンタクト孔底部において、シリサイド反応が阻害されることなく進行し、コンタクト抵抗のばらつきを抑制することができる。したがって、低抵抗のコンタクトを極めて安定して形成することが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の一実施形態を、図面を参照しながら詳細に説明する。本実施形態では、本発明を、ポリシリコンプラグとタングステンプラグとが積層された構造を有するコンタクトを備えた半導体装置の製造に適用している。図１及び図２は、当該半導体装置の製造過程を示す工程断面図である。
【００２１】
図１（ａ）に示すように、まず、シリコン等からなる半導体基板１１上に、ＢＰＳＧ（Boro-Phospho Silicate glass）等のシリコン酸化膜からなる絶縁膜１２にポリシリコンプラグ１３が埋設された下部構造が形成される。このような構造は、コンタクト孔が形成された絶縁膜１２上にポリシリコンをＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等により堆積し、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）法等により、上面を平坦化することにより形成することができる。当該下部構造上には、シリコン窒化膜からなる絶縁膜１４及びＢＰＳＧからなる絶縁膜１５が堆積される。ここで、絶縁膜１４は、後述のコンタクト孔を形成するドライエッチングの際にストッパ膜として機能する。
【００２２】
次に、図１（ｂ）に示すように、絶縁膜１５上に、コンタクト孔形成位置に開口部１６ａを有するレジストパターン１６がフォトリソグラフィ等により形成される。当該レジストパターン１６をエッチングマスクとして、絶縁膜１５及び絶縁膜１４が順にエッチングされ、図１（ｃ）に示すように、シリコンプラグ１３に到達するコンタクト孔１７が形成される。当該エッチングは、プラズマエッチング等のドライエッチングにより行うことができる。なお、図１（ｃ）は、コンタクト孔１７の形成後に、アッシングや有機洗浄等によりレジストパターン１６が除去された状態を示している。
【００２３】
続いて、絶縁膜１５上のレジスト残渣やコンタクト孔１７内に残留する有機物等を除去するための洗浄が行われる。当該洗浄は、例えば、硫酸を含む洗浄液（ＳＰＭ：Sulfuric acid-hydrogen Peroxide Mixture等）が使用される。このようなレジスト除去や洗浄、並びに、洗浄後に半導体基板１１が大気にさらされること等により、コンタクト孔１７の底部に露出しているポリシリコンプラグ１３には図１（ｄ）に示すように、自然酸化膜１８が１〜２ｎｍ程度成長する。
【００２４】
さて、本実施形態では、続いて、コンタクト孔１７が形成された絶縁膜１５上に、チタン膜からなる犠牲層１９（第１の金属膜）が形成される（図２（ａ））。当該犠牲層１９は、スパッタ法等により形成することができる。スパッタ法を用いる場合、犠牲層１９は、チタンターゲットが配置された内部圧力が３０Ｐａ程度の成膜室内で、４０ｋＷのＤＣパワー及び３００ＷのＲＦ（Radio Frequency）パワーを印加することにより形成することができる。なお、半導体基板１１の基板温度は３５０℃程度にすればよい。
【００２５】
このような成膜条件は、犠牲層１９がコンタクト孔１７の底部に実質的に堆積することがない条件である。図３に、スパッタ成膜装置においてチタン膜を堆積した場合の、コンタクト孔１７に堆積するチタン膜の膜厚と成膜室内の圧力との関係を示す。なお、ここでは、プロセスガスとしてアルゴンガスを使用しているため、成膜室の圧力はアルゴンの圧力である。また、図３は、アスペクト比が５（径２００ｎｍ、深さ１０００ｎｍ）であるコンタクト孔１７により取得したデータである。
【００２６】
図３より、コンタクト孔１７底部のチタン膜厚は成膜室圧力の上昇に伴って減少し、高圧力域では膜厚をほぼゼロになることが理解できる。これは、高圧力域ではターゲットからスパッタリングされたチタン原子の平均自由行程が短く、コンタクト孔１７の底部に到達するチタン原子が減少することに起因する。したがって、このような高圧域でチタン膜の成膜を行うことにより、図２（ａ）に示すように、コンタクト孔１７の底部にチタン膜を堆積させることなく絶縁膜１５の上面及びコンタクト孔１７上部の内壁にチタン膜を堆積することが可能となる。なお、コンタクト孔１７底部に堆積したチタン膜は、後述の自然酸化膜除去を阻害する要因になるためできるだけ小さいことが好ましい。図３に示した圧力依存性は、コンタクト孔１７の構造（アスペクト比）によって異なるため一概に言えないが、図３の事例では、２５Ｐａ以上の高圧力域で成膜を行うことが望ましい。
【００２７】
以上のようにして犠牲層１９が形成された後、図２（ｂ）に示すように、自然酸化膜１８が逆スパッタ法により除去される。当該自然酸化膜１８の除去は、上記犠牲層１９を堆積したスパッタ成膜装置の成膜室内でプロセスガスとしてアルゴンガスを使用して行うことができる。上述のように、本実施形態では、絶縁膜１５の上面及びコンタクト孔１７上部の内壁がチタン膜からなる犠牲層１９で被覆されているため、自然酸化膜１８の除去処理中に絶縁膜１５がスパッタエッチングされない。したがって、犠牲層１９がスパッタエッチングされて完全に除去されない限り、コンタクト孔１７の底部への絶縁膜１５の再付着が防止される。
【００２８】
図４は、逆スパッタ量（スパッタエッチング量）とコンタクト孔１７底部のシリコン酸化膜厚との関係を示す図である。図４に示すように、コンタクト孔１７底部のシリコン酸化膜厚は、逆スパッタ量の増加に伴って減少し、ゼロ（コンタクト孔１７の底部に酸化膜がない状態）になる。しかしながら、さらに逆スパッタ量を増加させるとコンタクト孔１７の底部のシリコン酸化膜量は、逆スパッタ量に伴って増加するようになる。なお、逆スパッタ量が小さい領域のシリコン酸化膜は、完全に除去されずにコンタクト孔１７の底部に残留した自然酸化膜１８である。また、逆スパッタ量が大きい領域のシリコン酸化膜は、犠牲層１９が全てスパッタエッチングされたためにエッチングされ再付着した絶縁膜１５である。
【００２９】
以上のように、犠牲層１９の膜厚と逆スパッタ量を制御することにより、自然酸化膜１８を完全に除去することが可能となる。ここで、犠牲層１９の膜厚をａ、逆スパッタ量をＴｅとすると、Ｔｅ≦ａであれば逆スパッタ処理中に犠牲層１９が完全にエッチング除去されることがない。そして、この逆スパッタ量により、コンタクト孔１７の底部の自然酸化膜１８が除去できればよい。
【００３０】
厳密に言えば、コンタクト孔１７の底部には、自然酸化膜１８の他に、犠牲層１９の成膜時に堆積したチタンと逆スパッタ処理によりスパッタエッチングされ再付着したチタンが存在している。したがって、自然酸化膜１８の膜厚をＴｏ、犠牲層１９の成膜時にコンタクト孔１７の底部に堆積したチタンの膜厚をｂ、逆スパッタ処理中にコンタクト孔１７の底部に再付着するチタンの膜厚をｃとすると、Ｔｅ≧Ｔｏ＋ｂ＋ｃであれば逆スパッタ処理中に自然酸化膜１８が完全に除去される。
【００３１】
しかしながら、チタンは高硬度であり逆スパッタリングレートが小さいため、逆スパッタ処理中にコンタクト孔１７の底部に到達するチタンは微量である。また、図３に示したように、犠牲層１９の成膜時にコンタクト孔１７の底部に到達するチタンはほぼゼロにすることができる。加えて、チタンは自然酸化膜に対して還元除去作用を有しており、自然酸化膜１８を分解してチタン中に酸素を取り込むこと、さらにチタン及びチタンの反応物は導電性であることから、微量のチタンであれば、実質的なコンタクト孔１７底部への堆積膜厚はゼロと看做すことができる。つまり、コンタクト孔１７底部の逆スパッタ量（エッチング量）Ｔｅ及び犠牲層１９の膜厚ａは、ＴO≦Ｔｅ≦ａの条件を満足する値であればよい。例えば、アスペクト比が５（径２００ｎｍ、深さ１０００ｎｍ）であるコンタクト孔１７の底部に形成された１〜２ｎｍの自然酸化膜１８を除去する場合には、犠牲層１９の膜厚は１０ｎｍ程度とすればよい。
【００３２】
以上のようにして、自然酸化膜１８の除去が完了すると、タングステンプラグの密着層２０であるチタン膜が全面に成膜される。当該密着層２０の形成は、逆スパッタ後にウエット洗浄を経ずに自然酸化膜１８の除去を行ったスパッタ成膜装置の成膜室内で真空保持したまま連続して行われる。このため、自然酸化膜１８が除去されたポリシリコンプラグ１３上に自然酸化膜が再度形成されることはない。さらに言えば、本実施形態では、犠牲層１９がチタン膜であるため、犠牲層１９の形成、自然酸化膜１８の除去、密着層２０（第２の金属膜）の形成を、同一のスパッタ成膜装置の成膜室内で真空保持したまま連続して行うことができる。
【００３３】
この後、図２（ｃ）に示すように、密着層２０上にコンタクトプラグの主部となる金属膜２１であるタングステンが、例えば、六フッ化タングステンを原料ガスとしたＣＶＤ法により堆積され、コンタクト孔１７が充填される。そして、コンタクト孔１７以外の部位に堆積した密着層２０及び金属膜２１がＣＭＰ法やエッチバック等により除去され、図２（ｄ）に示す密着層２０と金属膜２１からなるコンタクト構造が完成する。なお、上記逆スパッタ処理において、コンタクト孔１７の内壁に残存した犠牲層１９は密着層２０として機能し、絶縁膜１５の上部に残存した犠牲層１９は、不要な密着層２０とともに除去されることはいうまでもない。また、コンタクト上には、公知の手法により上層導電体が形成される。
【００３４】
図５に、本実施形態により形成したポリシリコンプラグとタングステンプラグとが積層されたコンタクトと、従来法により形成したコンタクトの抵抗（コンタクト抵抗）の累積度数分布を示す。図５より、本発明により形成されたコンタクトは、従来に比べて低抵抗、かつ、抵抗ばらつきの小さいことが理解できる。
【００３５】
以上説明したように、本発明によれば、コンタクト孔上部がスパッタエッチングされることを確実に防止することができるため、コンタクト孔底部への絶縁膜（シリコン酸化膜）の再付着を確実に防止することができる。したがって、例えば、ポリシリコンプラグとタングステンプラグが積層された構造を有する高アスペクト比のコンタクトを形成する際であっても、両プラグの接合部にシリコン酸化膜が残留することがない。したがって、ポリシリコンプラグとタングステンプラグとの接合部におけるシリサイド反応が阻害されないため、低抵抗かつ抵抗ばらつきの小さいコンタクトを形成することができる。すなわち、高アスペクト比のコンタクトを安定して形成することが可能となる。
【００３６】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の効果を奏する範囲において、種々の変形及び応用が可能である。例えば、上記実施形態では、ポリシリコンプラグとタングステンプラグとが積層された構造を有するコンタクトの事例を説明したが、コンタクト孔の底部においてシリサイド化により低抵抗を実現する観点では、下層導電膜は、ポリシリコンに限らず、アモルファスシリコン、単結晶シリコン等のシリコンを主成分とする材料であってもよい。同様に密着層材料は、チタンに限るものではなく窒化チタンや他の高融点金属材料であってもよい。また、本発明は、シリコン基板に直接接続される積層構造を有しないコンタクトにも適用可能である。
【００３７】
さらに、本発明は、逆スパッタ法により下層導電体のエッチングを行うため、下層導電体の表面に存在するコンタクト阻害物は、その材質に関わらず除去することができる。すなわち、本発明は、下層導電体や絶縁膜の材質に制限されることなく、コンタクト孔を備える全ての半導体装置の製造に適用でき、低抵抗で抵抗ばらつきの小さいコンタクトを形成することができる。
【００３８】
加えて、本発明の技術的思想を逸脱しない範囲において、上記説明したリソグラフィ、成膜、エッチング等のプロセスは、他の等価なプロセスに置換することも可能である。
【産業上の利用可能性】
【００３９】
本発明は、低抵抗でばらつきの小さいコンタクトを安定して形成できるという効果を有し、コンタクトを備えた半導体装置の製造方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００４０】
【図１】本発明の一実施形態のコンタクトプラグ形成過程を示す工程断面図
【図２】本発明の一実施形態のコンタクトプラグ形成過程を示す工程断面図
【図３】犠牲層成膜時の圧力とコンタクト孔底部における犠牲層膜厚との関係を示す図
【図４】逆スパッタ量とコンタクト孔底部におけるシリコン酸化膜厚との関係を示す図
【図５】本発明により形成されたコンタクトプラグのコンタクト抵抗を示す図
【図６】従来のコンタクトプラグ形成過程を示す工程断面図
【符号の説明】
【００４１】
１１ 半導体基板
１２ 絶縁膜
１３ ポリシリコンプラグ（下層導電体）
１５ 絶縁膜
１６ レジストパターン
１７ コンタクト孔
１８ 自然酸化膜（コンタクト阻害物）
１９ 犠牲層（第１の金属膜）
２０ 密着層（第２の金属膜）
２１ タングステンプラグ
５１ 半導体基板
５３ ポリシリコンプラグ
５５ 絶縁膜
５６ レジストパターン
５７ コンタクト孔
５８ 自然酸化膜
５９ シリコン酸化膜（再付着した絶縁膜）
６１ タングステンプラグ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下層導電体と上層導電体とを接続するコンタクトを備えた半導体装置の製造方法において、
下層導電体を被覆する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に前記下層導電体に到達するコンタクト孔を形成する工程と、
前記コンタクト孔が形成された前記絶縁膜上に第１の金属膜を形成する工程と、
前記コンタクト孔の底部に露出した下層導電体をエッチングする工程と、
前記エッチング工程と連続して、前記コンタクト孔に第２の金属膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記コンタクト孔のアスペクト比が３以上である請求項１記載の半導体装置の製造方法
【請求項３】
前記下層導電体の主成分がシリコンである請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の金属膜がスパッタ法により形成される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の金属膜は、前記コンタクト孔底部に実質的に堆積されない条件下で形成される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記条件は、成膜が行われる成膜室内の圧力が５Ｐａ〜１００Ｐａである請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の金属膜が前記下層導電体のエッチングの直前に形成される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の金属膜は、前記第２の金属膜形成後に、前記コンタクト孔以外の領域に堆積した不要な第２の金属膜とともに除去される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の金属膜がチタンを含有する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記前記下層導電体のエッチングが逆スパッタ法により行われる請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の金属膜形成、前記下層導電体のエッチング、及び、前記第２の金属膜形成は、真空下で連続して行われる請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の金属膜の膜厚ａと、前記下層導電体表面の除去対象膜厚Ｔｏと、前記下層導電体をエッチングする際のエッチング量Ｔｅとが、Ｔｏ≦Ｔｅ≦ａの条件を満足する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１】
下層導電体と上層導電体とを接続するコンタクトを備えた半導体装置の製造方法において、
下層導電体を被覆する絶縁膜を形成する工程と、
前記絶縁膜に前記下層導電体に到達するコンタクト孔を形成する工程と、
前記コンタクト孔が形成された前記絶縁膜上に第１の金属膜を形成する工程と、
前記コンタクト孔の底部に露出した下層導電体をエッチングする工程と、
前記エッチング工程と連続して、前記コンタクト孔に第２の金属膜を形成する工程と、
を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項２】
前記コンタクト孔のアスペクト比が３以上である請求項１記載の半導体装置の製造方法
【請求項３】
前記下層導電体の主成分がシリコンである請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項４】
前記第１の金属膜がスパッタ法により形成される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項５】
前記第１の金属膜は、前記コンタクト孔底部に実質的に堆積されない条件下で形成される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項６】
前記条件は、成膜が行われる成膜室内の圧力が５Ｐａ〜１００Ｐａである請求項５記載の半導体装置の製造方法。
【請求項７】
前記第１の金属膜が前記下層導電体のエッチングの直前に形成される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】
前記第１の金属膜は、前記第２の金属膜形成後に、前記コンタクト孔以外の領域に堆積した不要な第２の金属膜とともに除去される請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項９】
前記第１の金属膜がチタンを含有する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１０】
前記前記下層導電体のエッチングが逆スパッタ法により行われる請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】
前記第１の金属膜形成、前記下層導電体のエッチング、及び、前記第２の金属膜形成は、真空下で連続して行われる請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１２】
前記第１の金属膜の膜厚ａと、前記下層導電体表面の除去対象膜厚Ｔｏと、前記下層導電体をエッチングする際のエッチング量Ｔｅとが、Ｔｏ≦Ｔｅ≦ａの条件を満足する請求項１記載の半導体装置の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２００７−１４２２１３（Ｐ２００７−１４２２１３Ａ）
【公開日】平成１９年６月７日（２００７．６．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３３４８０１（Ｐ２００５−３３４８０１）
【出願日】平成１７年１１月１８日（２００５．１１．１８）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年６月７日（２００７．６．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月１８日（２００５．１１．１８）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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