【課題】素子回路線幅の超微細化、パターン縦横比の増加、および蒸着温度の低下にもかかわらず、膜特性、段差塗布性、大気／湿気露出に対する膜質変化に対する安定性の全てを満足させる多重積層膜構造の金属窒化膜の蒸着方法を提供する。
【解決手段】基板上に第１蒸着速度で第１下部金属窒化膜を形成し、前記第１下部金属窒化膜上に第２蒸着速度で第２下部金属窒化膜を形成し、前記２段階によって形成された下部ＴｉＮ膜上に、窒素（Ｎ）含有量の多い上部金属窒化膜を第３蒸着速度で形成することからなり、前記ｎ番目膜の蒸着速度は、第２蒸着速度≧第１蒸着速度≧第３蒸着速度である。本発明によれば、基板上にＴｉＮ積層膜を形成することで、大気／湿気露出に対する安定性を向上させることができ、クラスタシステムの同一反応チャンバーまたは相違した反応チャンバーで容易に基板上にＴｉＮ積層膜を形成することができる。 （もっと読む）

集積回路中のデュアルダマシン（ｄｕａｌ ｄａｍａｓｃｅｎｅ）構造、特に多孔質材料中に形成された開口部のコンフォーマリティの裏張り（ｌｉｎｉｎｇ）のための方法及び構造が提供される。トレンチ（ｔｒｅｎｃｈ）及びコンタクトビア（ｃｏｎｔａｃｔ ｖｉａ）が絶縁層中に形成される。これらのトレンチ及びビアの側壁上のポアがブロックされ、次いでこの構造は、所望のライニング材料の単層を形成するために交互に化学物質に曝される。例示的なプロセスフローにおいて、シーリング層の化学または物理気相成長法（ｃｈｅｍｉｃａｌ ｏｒ ｐｈｙｓｉｃａｌ ｖａｐｏｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＣＶＤまたはＰＶＤ）により、不完全なコンフォーマリティに起因してポアをブロックする。交互のプロセスも、自己飽和（ｓｅｌｆ−ｓａｔｕｒａｔｉｎｇ）、自己制御（ｓｅｌｆ−ｌｉｍｉｔｉｎｇ）原子層堆積（ａｔｏｍｉｃ ｌａｙｅｒ ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）（ＡＬＤ）プロセスと比較して減少されたコンフォーマリティを達成するようなパルス間隔及びパルス幅の選択によって構成され得る。なお別の構成において、異方性多孔質構造を有する層が、上部表面を選択的に溶融することによってシールされ得る。次いで、自己制御、自己飽和原子層堆積（ＡＬＤ）反応により、有意にポアを充填することなくブロッキングが行われる。
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【課題】 フォトリソグラフィでのマスクの合わせズレに対するマージンが大きく、メモリ素子以外の他の素子領域を微細化することが可能な半導体装置の製造方法及び、半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体基板１にメモリ素子領域と、メモリ素子以外の他の素子領域とを有する半導体装置であって、メモリ領域上の第１層間絶縁膜２０に設けられた第１コンタクトホールＨ１及び第１プラグ電極２１と、ロジック領域上の第１層間絶縁膜に設けられた第２コンタクトホールＨ２及び第２プラグ電極２２と、メモリ領域上の第１層間絶縁間２０上に設けられて第１プラグ電極２１上を覆う強誘電体キャパシタ３０と、ロジック領域上の第１層間絶縁膜２０上に設けられて第２プラグ電極２２上を覆う第２配線５２と、第２層間絶縁膜７０と、第２層間絶縁膜７０に設けられた第２配線５２に至る第１ビアホールｈ１及び第３プラグ電極２３と、を備えたものである。 （もっと読む）

【目的】 ポーラス状に形成される多孔質低誘電率（ｐ−ｌｏｗｋ）膜内へのバリアメタルに用いたメタルの拡散を抑制することを目的とする。
【構成】 ｐ−ｌｏｗｋ膜を基体上に形成するｐ−ｌｏｗｋ膜形成工程（Ｓ１０２）と、前記ｐ−ｌｏｗｋ膜表面側に形成される空孔が前記ｐ−ｌｏｗｋ膜内部側の空孔へ連結する連結位置における開口サイズより大きい分子（Ｔａ−Ｒ１）を前記ｐ−ｌｏｗｋ膜表面に吸着させるＴａ［Ｎ（Ｃ_２Ｈ_５）_２］_５供給工程（Ｓ１０６）と、前記分子（Ｔａ−Ｒ１）と反応するＮＨ_３を供給し、ＴａＮ膜を形成するＮＨ_３供給工程（１１０）と、前記開口サイズより小さい分子（Ｔａ−Ｒ２）を吸着させるＴａＣｌ_５供給工程（Ｓ１１４）と、前記分子（Ｔａ−Ｒ２）と反応するＮＨ_３を供給し、ＴａＮ膜をさらに形成するＮＨ_３供給工程（１２０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【目的】 ＣＶＤ法により形成された多孔質ｌｏｗ−ｋ膜上にバリアメタルを連続に形成することを目的とする。
【構成】 基体上に、有機物質原料を用いてＣＶＤ法により多孔質絶縁膜を形成するポーラスｌｏｗ−ｋ膜形成工程（Ｓ１０４）と、前記ポーラスｌｏｗ−ｋ膜表面に結合されるＣＨ_３基をエッチングするエッチング工程（Ｓ１１２）と、前記ＣＨ_３基がエッチングされた前記ポーラスｌｏｗ−ｋ膜表面にＡＬＤ法によりバリアメタル膜を形成するバリアメタル膜形成工程（Ｓ１１４）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低ｋ材料上にタンタル−窒化物（ＴａＮ）拡散バリア領域を堆積する方法を提供する。
【解決手段】この方法は、チャンバにおいてタンタル系前駆物質および窒素プラズマからプラズマ増強原子層堆積（ＰＥ−ＡＬＤ）を実行することによって、低ｋ材料基板（１０２）上に保護層（１０４）を形成することを含む。保護層（１０４）は、そのタンタル含有量よりも大きい窒素含有量を有する。次いで、タンタル系前駆物質ならびに水素および窒素を含むプラズマからＰＥ−ＡＬＤを実行することによって、次の実質的化学量論的タンタル−窒化物層を形成する。また、本発明は、このように形成したタンタル−窒化物拡散バリア領域（１０８）も含む。一実施形態において、金属前駆物質は、五塩化タンタル（ＴａＣｌ₅）を含む。本発明は、低ｋ材料とライナ材料との間に鮮鋭な界面を生成する。 （もっと読む）

一面において、本発明は半導体部品のための配線を組立てる方法を含む。半導体基板が用意され、そして基板を貫通して全体に延びる開口（212）が形成される。約２００℃以下の温度において開口の側壁（218）に沿って第一の材料（220）が堆積される。堆積は原子層堆積法と化学蒸着法のうちの一つまたは両方を含むことができ、そして第一の材料は金属窒化物を含むことができる。第一の材料の表面の上にソルダー湿潤材料（224）が形成される。ソルダー湿潤材料は、例えばニッケルを含むことができる。次いで、開口の中およびソルダー湿潤材料の上にソルダー（240）が設けられる。 （もっと読む）

【課題】 ライン導体のために用いられるものと異なる、ビア又はスタッドのための材料を用いて、デュアル・ダマシン相互接続構造体を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 ライン導体に用いられるものとは異なる、ビア又はスタッドのための材料を用いるか、又はトレンチ・ライナに用いられるものとは異なる、ビア・ライナのための材料を用いるか、或いは該トレンチ・ライナのものと異なるビア・ライナ厚を有する、デュアル・ダマシンのバックエンド・オブ・ライン（ｂａｃｋ−ｅｎｄ−ｏｆ−ｌｉｎｅ：ＢＥＯＬ）相互接続構造体を形成する方法が開示される。改善された機械的強度のために、ビアに厚い超硬合金を用いる一方で、トレンチに薄い超硬合金だけを用い、抵抗を低くすることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 エレクトロマイグレーション耐性と、ストレスマイグレーション耐性を同時に向上させる多層配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 ＡｌＣｕ膜１０３Ｃと、厚みが０〜１５ｎｍのＴｉ膜との反応によりＡｌ₃ Ｔｉ層１０３ＤをＡｌＣｕ膜とＴｉＮ膜の界面に形成することにより、界面拡散を抑制し、かつＡｌ₃ Ｔｉ層形成時に発生する引張り応力を低減し、ＥＭ耐性を向上させる。その後のＦＳＧ膜１０４ＡをＨＤＰ−ＣＶＤ法で成膜する際に、ウェハ裏面に不活性ガスを流してウェハを冷却し、ウェハ温度を４５０℃以下にすることにより、ＦＳＧとＡｌＣｕの熱膨張率差に起因するＡｌＣｕ膜の残留引張り応力の発生を低減し、ＳＭ耐性及びＥＭ耐性を向上させる。さらに、ＦＳＧ膜の上にＳｉＯＮ膜を設けることにより、ＦＳＧ膜の遊離フッ素の上方への拡散を阻止して、上層配線の剥がれを防止する。 （もっと読む）

本発明においては、前面（１４）と背面（１６）とを備える半導体基板（１２）であって、基板を（１２）通って前面（１４）と背面（１６）との間を延びる孔（１８、２０、２２）を備える半導体基板（１２）を用意する。孔（１８、２０、２２）は、部分的に、内壁部分によって規定され、外側導電性シースを形成する。導電性材料（５４）を、内壁部分の少なくとも一部に隣接して形成する。その後に誘電体材料層（５６）を、孔内部に、導電性材料上であってそのラジアル方向内側に形成する。次に第２の導電性材料（６０）を、孔内部に、誘電体材料層（５６）上であってそのラジアル方向内側に形成する。後者の導電性材料は、内側導電性コアキシャル線要素を構成する。 （もっと読む）