【課題】層間絶縁膜中にビアプラグをダマシン法により形成する半導体装置の製造工程において、ウェハ中心部からとられた半導体装置でもウェハ周辺部からとられた半導体装置でもビアプラグの長さが一定となる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体ウェハ上に第１の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第１の層間絶縁膜を、第１の条件で化学機械研磨する工程と、前記第１の層間絶縁膜上に第２の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第２の層間絶縁膜を、第２の条件で化学機械研磨する工程と、を含み、前記第１の条件と前記第２の条件とは、前記第１の層間絶縁膜と前記第２の層間絶縁膜の膜厚の総和が、前記半導体ウェハの中心部においても周辺部においても、略等しくなるように設定される。 （もっと読む）

【課題】専用の水素供給装置や工程数を増加することなく水素化処理阻害対策を施す。
【解決手段】基板１１上の回路を接続する配線層２９，３４を、前記基板１１上に積層形成した半導体装置（固体撮像装置１０）において、前記配線層２９，３４は、主配線金属と高融点金属または高融点金属化合物との積層構造（２９ａ〜２９ｄ）を有し、この配線層２９，３４の表面を、モノシランガスを主反応ガスとした化学気相成長法により形成したＳｉＯ_２またはＳｉＮまたはＳｉＯＮからなる絶縁膜３０，３５で被膜した構成とする。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることが可能な強誘電体キャパシタを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第２導電膜４３の上にマスク材料膜４５を形成する工程と、マスク材料膜４５の上にレジストパターン４６を形成する工程と、ＩＰＣエッチングチャンバ内においてマスク材料膜４５をエッチングして補助マスク４５ａにする工程と、エッチングチャンバからシリコン基板２０を取り出さずに、エッチングチャンバ内において第２導電膜４３をエッチングすることによりパーティクル数の増加傾向を抑制して、第２導電膜４３を上部電極にする工程と、強誘電体膜４２をパターニングしてキャパシタ誘電体膜にする工程と、第１導電膜４１をパターニングして下部電極にし、下部電極、キャパシタ誘電体膜、及び上部電極でキャパシタQを構成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】集積回路素子の電気的接続構造物の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に第１絶縁層２００を形成し、第１絶縁層に開口を形成する。開口の側壁を不均一の窒素濃度を有する窒化第１金属層３１２でライニングする。開口の内部に導電パターン４１０が形成される。導電パターンと窒化第１金属層との間に第２金属窒化膜３２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】ｐ型またはｎ型に制御された低抵抗のＳｉＧｅからなる導電性パターンを基材上に選択的に５００℃以下の低温で形成することを可能にする。
【解決手段】ガラス又は酸化ケイ素からなる非晶質基材上にアルミニウム薄膜又はクロム薄膜をパターン状に形成し、フッ化ゲルマニウムとジシランを原料とした熱ＣＶＤ法によって、前記パターン状に形成されたアルミニウム薄膜又はクロム薄膜上にのみ選択的にＳｉＧｅを堆積する。得られた導電性パターンは、ＳｉＧｅ膜が、非晶質基材上にパターン状に形成されたアルミニウム薄膜又はクロム薄膜上にのみ選択的に形成され、非晶質基材上には形成されない。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタが備えるキャパシタ誘電体膜の特性を向上させることが可能な半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電膜２３の上に、少なくともゾル・ゲル法による成膜ステップを含む成膜方法により第１強誘電体膜２４ｂを形成する工程と、第１強誘電体膜２４ｂの上に、スパッタ法により第２強誘電体膜２４ｃを形成する工程と、第２強誘電体膜２４ｃの上に第２導電膜２５を形成する工程と、第１導電膜２３、第１、第２強誘電体膜２４ｂ、２４ｃ、及び第２導電膜２５をパターニングして、下部電極２３ａ、キャパシタ誘電体膜２４ａ、及び上部電極２５ａを備えたキャパシタQを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】高速論理回路素子に利用される配線構造において、連続したルテニウム（Ｒｕ）薄膜を容易に形成する方法を提供する。
【解決手段】 ルテニウム（Ｒｕ）薄膜を基板上に堆積する方法は、（ｉ）基板表面を有機金属前駆体で処理する工程と、（ｉｉ）処理した基板表面にルテニウム前駆体を吸着させる工程と、（ｉｉｉ）吸着させたルテニウム前駆体を励起させた還元性ガスで処理する工程と、そして（ｉｖ）工程（ｉｉ）および（ｉｉｉ）を繰り返すことにより、ルテニウム薄膜を基板上に形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタが備えるキャパシタ誘電体膜の特性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】第１導電膜の上に、ゾル・ゲル法により強誘電体膜２４を形成する工程と、強誘電体膜２４上に第１導電性酸化金属膜２５ｄを形成する工程と、第１導電性金属酸化膜２５ｄに対して第１のアニールを行う工程と、第１導電性酸化金属膜２５ｄ上に第２導電性酸化金属膜２５ｅを形成する工程と、第１導電膜２３、強誘電体膜２４、及び第２導電膜２５をパターニングしてキャパシタを形成する工程とを有し、第１導電性酸化金属膜２５ｄを形成する工程において、スパッタガスにおける酸素流量比が増大することにより強誘電体膜２４の強誘電体特性が向上することを利用し、強誘電体特性を酸素流量比で調節する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】王水を用いることなくニッケルプラチナ膜の未反応部分を選択的に除去しうるとともに、プラチナの残滓が半導体基板上に付着するのを防止しうる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１０上に、ゲート電極１６と、ゲート電極１６の両側のシリコン基板１０内に形成されたソース／ドレイン拡散層２４とを有するＭＯＳトランジスタ２６を形成し、シリコン基板１０上に、ゲート電極１６及びソース／ドレイン拡散層２４を覆うようにＮｉＰｔ膜２８を形成し、熱処理を行うことにより、ＮｉＰｔ膜２８とソース／ドレイン拡散層２４の上部とを反応させ、ソース／ドレイン拡散層２４上に、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂを形成し、過酸化水素を含む７１℃以上の薬液を用いて、ＮｉＰｔ膜２８のうちの未反応の部分を選択的に除去するとともに、Ｎｉ（Ｐｔ）Ｓｉ膜３４ａ、３４ｂの表面に酸化膜を形成する。 （もっと読む）

金属炭化物薄膜を形成する方法が提供される。好ましい実施形態によれば、金属炭化物薄膜は、反応空間中で基板を、金属源化学物質、還元剤および炭素源化学物質の空間的にかつ時間的に分離された気相パルスと交互的かつ逐次的に接触させるステップによって、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセスで形成される。この還元剤は、好ましくは水素の励起された種およびケイ素含有化合物からなる群から選択される。 （もっと読む）

【課題】局所排気装置の浮上面面積の低減が可能な加工装置と、この加工装置を備えた配線基板の製造装置と、を提供する。
【解決手段】加工装置の構成を、局所排気装置４が、支持台２に対する浮上用ガスの噴射によって支持台２から相対的に浮上可能とされ、浮上用ガスの噴射が、局所排気装置４内に設けられた絞り通気手段１３を介してなされる構成とする。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に開口された接続孔の内部に、チタン膜上に窒化チタン膜が形成された積層構造のバリアメタル膜を介して金属膜を埋め込んだ接続部における不具合を回避する。
【解決手段】接続孔２０の底部にＴｉＣｌ_４ガスを用いた熱反応により熱反応Ｔｉ膜２１ａを形成し、ＴｉＣｌ_４ガスを用いたプラズマ反応によりプラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂを形成した後、Ｈ_２ガスを用いたプラズマ処理及びＮＨ_３ガスを用いたプラズマ処理を施して、プラズマ反応Ｔｉ膜２１ｂの表面に窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃを形成する。続いてＷＦ_６ガスを用いたＣＶＤ法による成膜とＳｉＨ_４ガスまたはＢ_２Ｈ_６ガスを用いた還元とを複数回繰り返して、窒素リッチＴｉＮ膜２１ｃ上に多層構造のタングステン核膜２２ａを形成した後、ＷＦ_６ガス及びＨ_２ガスを用いたＣＶＤ法により４００℃以下の温度でタングステン核膜２２ａ上にブランケット・タングステン膜２２ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】ダマシン構造の金属配線形成において、バリアメタル膜形成工程を省略し、タングステンのグレインサイズを大きくし、電気抵抗の低いタングステン配線を形成する方法を提供する。
【解決手段】半導体基板の上部に絶縁膜及びグルー膜を形成する段階と、上記グルー膜及び絶縁膜の一部を除去してトレンチを形成する段階と、トレンチ側壁に絶縁膜を形成する段階と、トレンチ内部をクリーニングする段階と、ＡＬＤ法により核生成を行う段階と、トレンチ及びグルー膜を含む上記半導体基板の上部にＣＶＤ法によりタングステン膜を形成する段階と、上記絶縁膜が露出されるまで研磨工程を実施してダマシン構造のタングステン配線を形成する段階からなる。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシンメタライゼーションにおいて、Ｃｕ配線構造のバリア材料を絶縁層の表面上のみに選択的に形成し、接続構造部のエレクトロマイグレーションを抑制するとともに、下層導電層との接続抵抗を低減する選択的堆積方法を提供する。
【解決手段】Ｃｕ層２０上の絶縁層１４，１５をエッチングしてトレンチとビアを開孔する。ビア底部のＣｕ層の表面１０に原子層成長（ＡＬＤ）ブロック層を形成する。この後、原子層成長（ＡＬＤ）法を用いてＴｉＮバリア材料２６を絶縁層表面１２、１３に堆積する。ブロック層により、ビア底部のＣｕ層の表面にはバリアは形成されないため、ビア底部のＣｕは露出した状態のままである。開口部内にＣｕ１８を充填するとＣｕ層に直接接続することが出来る。 （もっと読む）

【課題】導体材料がキャパシタ電極材料に到達するのを抑制可能な半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の第１の態様に係る半導体装置は、半導体基板と；前記半導体基板上に形成される下部電極と、前記下部電極上に形成される容量絶縁膜と、前記容量絶縁膜上に形成される上部電極より構成されるキャパシタと；前記上部電極及び下部電極上に形成されるコンタクトホールと；前記コンタクトホール内に形成される、酸素を含有したバリア層と；内面に前記バリア層が形成された前記コンタクトホールに充填される導体層とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄く且つ連続的なＲｕ膜を形成する。
【解決手段】 反応室内で基板上にルテニウム（Ｒｕ）薄膜を堆積させる方法であって、（ｉ）反応室内にルテニウム前駆体のガスを供給して、非環式ジエニルを含むルテニウム複合体であるルテニウム前駆体のガスを基板に吸着させる段階と、（ｉｉ）励起した還元ガスを反応室内に供給して、基板に吸着されたルテニウム前駆体を活性化させる段階と、（ｉｉｉ）段階（ｉ）と（ｉｉ）を繰り返し、それにより基板上にルテニウム薄膜を形成する段階とを含む方法。 （もっと読む）

【課題】カバレッジを良好に保つことができる配線修正方法。
【解決手段】半導体装置１１の修正配線を引き出す接続孔１を集束イオンビーム加工によって形成する配線修正方法において、接続孔１の側面のうち、下層配線４と上層配線３を接続する修正配線を引き出す側に傾斜面を形成する。 （もっと読む）

【課題】バリア性に優れたバリア膜を提供する。
【解決手段】真空槽内に基板を搬入して(Ｓ₁)、昇温させ(Ｓ₂)、含窒素ガスと含高融点金属ガスのうち、一方のガスを導入し(Ｓ₃)、該一方のガスを真空排気した後(Ｓ₄)、他方のガスを導入し(Ｓ₅)、該他方のガスを真空排気する(Ｓ6)。この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ₉)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。ＣＶＤ反応を行う毎にパージガスを導入し(Ｓ₇)、真空排気すると(Ｓ₈)、基板や真空槽に吸着された副生成物ガスや未反応ガスがパージガスと交換されるので、より高純度なバリア膜を得ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 低温のプロセス温度によるタングステン膜の形成工程を用いることで、バリヤ層として十分な膜厚を得るために従来行われた熱ＣＶＤによるＴｉＮ膜の形成工程を省略することが可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能な処理容器内にて被処理体Ｗの表面に所定の膜を形成する方法において、前記被処理体の表面にチタン膜３２を形成するチタン膜形成工程と、前記チタン膜の表面を窒化して窒化膜３４を形成する窒化工程と、前記被処理体の表面に、還元ガスとタングステン含有ガスとを交互に間欠的に１回、或いは複数回繰り返し供給しつつ比較的低温でタングステン膜３６を形成するタングステン膜形成工程と、を有する。これにより、バリヤ層として十分に機能するタングステン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、コンタクトホール底部表面に残留するハロゲン化物を確実に除去し、界面抵抗の上昇を抑制して接触抵抗の安定化および配線信頼性の向上化を得られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１上に層間絶縁膜３を形成する工程と、層間絶縁膜に対し有機物系マスクＲを用いてハロゲンを含むエッチングガスによりドライエッチングし、層間絶縁膜の所定部位にコンタクトホールｈを形成する工程と、前記有機物系マスク材を剥離除去する工程と、前記コンタクトホールを含む層間絶縁膜上に、ＯＨまたはＨを含むレジスト８を塗布したうえで酸素プラズマによりアッシングする工程と、前記コンタクトホール内に導電材を埋め込む工程とを有する。 （もっと読む）