【課題】Ｓｉウエハ等の半導体基板上に形成された特に高アスペクト比の穴に、バリア層やＡｌ層等となるターゲット材料を成膜した際に、穴の側壁面及び底面をターゲット材料で完全に覆うことを可能にすることにより、スパイクの発生や導通不良の発生を防止することが可能な、半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上の絶縁層２に穴３を形成する。ターゲット５と半導体基板１との距離を第１の値Ｌ２とする第１のスパッタリングによってターゲット材料５ａを穴３に成膜し、上記距離を第１の値Ｌ２よりも小さい第２の値Ｌ１とする第２のスパッタリングにより、ターゲット材料５ａを穴３に成膜する。第１のスパッタリングは異方性スパッタリングであり、第２のスパッタリングは等方性スパッタリングである。また、第１のスパッタリングはロングスロースパッタである。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上のサブミクロン構造について、メタライゼーションに先立つ予備洗浄を提供する。
【解決手段】この方法は、酸素、CF4/O2の混合物またはHe/NF3の混合物のような反応性ガスのプラズマからのラジカルを用いてサブミクロン構造を洗浄することを含み、このプラズマは、好ましくは遠隔プラズマ源により発生され、ラジカルは基板が配置されるチャンバーに供給される。サブミクロン構造内に残留する自然酸化物は、好ましくは、第二の工程において水素を含むプラズマからのラジカルで還元される。第一のまたは両方の洗浄工程に続いて、当該構造は、利用可能なメタライゼーション技術によって金属で充填することができる。これは、典型的には、アルミニウム、銅またはタングステンの蒸着に先立って、露出した誘電体表面にバリア／ライナー層を蒸着することを含む。この予備洗浄およびメタライゼーション工程は、入手可能な一貫処理プラットホーム上で行うことができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性を低下することなく高集積化が可能な半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、コンタクト層４０及びＡｌ層の真上にＡｌ層を積層したＡｌスタック構造をなすものであり、コンタクト層４０の真上に１ｓｔＡｌ層１０が積層され、１ｓｔＡｌ層１０の真上に２ｎｄＡｌ層２０が積層され、２ｎｄＡｌ層２０の真上に３ｒｄＡｌ層３０が積層されてなるものである。 （もっと読む）

【課題】被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止し、この結果、ピンチオフやボイドを発生させることなく凹部内を埋め込むことが可能な薄膜の形成方法を提供する。
【解決手段】高融点金属よりなる金属ターゲット９６をスパッタしつつ発生した金属粒子をプラズマでイオン化し、載置台６０上に載置された表面に凹部を有する被処理体２の表面に前記イオン化された金属粒子をバイアス電力により引き込んで高融点金属を含む薄膜を堆積する成膜工程を有する薄膜の形成方法において、被処理体を、堆積されつつある薄膜がフローを生ずるようなフロー温度に加熱した状態に維持するようにする。これにより、表面拡散を生ぜしめて被処理体の表面の凹部の開口部近傍にオーバハング部が形成されることを防止する。 （もっと読む）

【課題】開孔歩留まりの低下を抑制可能なコンタクトプラグを有する半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１の表面に形成された拡散層１６を有するトランジスタ１５、トランジスタ１５の上方に配置された強誘電体キャパシタ３０、強誘電体キャパシタ３０の上方に配置された配線部５０、拡散層１６と強誘電体キャパシタ３０と配線部５０とをそれぞれ接続するコンタクトプラグ２５、４１、４３、及び、強誘電体キャパシタ３０を保護する下部の水素バリア膜２１、上部の水素バリア膜３７を有して、拡散層１６と配線部５０とを接続するコンタクトプラグ４３は、上部の層間絶縁膜３９、及び、下部の半導体基板１１の表面に接して連続して形成された水素バリア膜２１、３７が開孔されて形成されている。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜上に高温アルミニウムスパッタ法により形成されるＡｌ膜に白濁が生じる。
【解決手段】シリコン酸化膜４４へ向けてアルゴンイオンによるスパッタエッチングを行い、先行するエッチバック処理等で生じたシリコン酸化膜４４の表面の微小な凹凸を平滑化する。しかる後、シリコン酸化膜４４の表面に高温アルミニウムスパッタ法によりアルミニウム膜を堆積する。これによりＡｌ膜の白濁が抑制され、これを用いて形成されるアライメントマークの反射率が確保される。 （もっと読む）

【課題】電子移動の性能を改善しまたリソグラフィープロセスステップを有利にする目的で、バリア層のアルミニウムの｛１１１｝含有率を上げる。
【解決手段】ＩＭＰ技術を用いて（Ｔｉ又はＴｉＮ_X）／ＴｉＮ／ＴｉＮ_Xバリア層を堆積する場合に、Ｔｉ又はＴｉＮ_X である第１層の厚さを約１００オングストローム以上、〜約５００オングストロームまで（表面形状の幾何関係がこの厚みの上限を制限する）までの範囲に厚くし、ＴｉＮの第２層を約１００オングストローム以上約８００オングストローム以下（好ましくは約６００オングストローム以下）の範囲に薄くし、ＴｉＮ_Xの第３層の形成を制御してＴｉ含有率が約５０原子パーセントチタン（ストイキオメトリック）〜約１００原子パーセントチタンとなるようにすることにより、（Ｔｉ又はＴｉＮ_X）／ＴｉＮ／ＴｉＮ_Xバリア層を改良することができる。第１層がＴｉＮ_Xである場合は、Ｔｉの原子パーセントは少なくとも約４０パーセントである。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールにおける断線や電流リークがなく、また、絶縁層上に形成された配線パターン同士の残渣による短絡なく、穴径に対する穴深さの比率が例えば２．４以上の高アスペクト比を有する低い導通抵抗のコンタクトホールを形成可能な、半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に第１絶縁層３を形成し、この第１絶縁層を貫通して半導体基板を露出させる第１穴部３ａを形成し、第１絶縁層上にＡｌまたはＡｌ合金からなる導電膜８を成膜し、この導電膜を加熱して流動化させ冷却した後にパターン化して中継電極１０を形成し、第１絶縁層上に中継電極を覆う第２絶縁層１２を形成し、この第２絶縁層を貫通して中継電極を露出させる第２穴部１２ａを形成し、第２絶縁層上に第２穴部を介して中継電極と電気的に接続する配線パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】反射防止膜としてＴｉＮ膜を用いる場合において、アッシング工程にてＴｉＮ膜がＡｌ合金配線から剥離するのを抑制できるようにする。
【解決手段】シリコン基板上に形成されるＡｌ合金配線層の反射防止膜としてのＴｉＮ膜１３ｆ、１６ｆの結晶粒界に充填物質１３ｇ、１６ｇを充填する。このようにすれば、Ａｌ−Ｃｕ膜１３ｃ、１６ｃへの酸素（Ｏ₂）ラジカルの進入を防ぐことが可能となる。従って、酸素（Ｏ₂）ラジカルとＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃとが反応してＡｌｘＯｙが形成されることが防止され、ポリマー除去時にＡｌｘＯｙがフッ素ラジカルによって還元され、反射防止膜１３ｆ、１６ｆがＡｌ−Ｃｕ膜１３ｃから剥離することもない。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗が低く、下部導電体と上部導電体間の拡散を防止する、拡散バリアフィルムの形成方法を提供する。
【解決手段】下部導電体１０２を含む基板１００上に層間絶縁膜１０４を形成する。これに形成された開口部１０６に補助拡散バリア膜１０８を形成する。この上に拡散バリアフィルム１２０を形成する。この膜は、金属有機化学気相蒸着法による金属窒化物で形成され、部分的にプラズマ処理される。この結果、プラズマ処理された層とプラズマ処理されない層の積層膜となる。これにより、拡散バリアフィルムの比抵抗を減少させると共に、優れたバリア特性を有することができる。さらにこの上に粘着金属層１２２、第１アルミニウム膜１３０、第２アルミニウム膜１３２を形成する。これらの膜をパターンニングして上部導電体とプラグとする。 （もっと読む）

【課題】１以上のアスペクト比を有する多層集積回路のビア、スルーホール又はトレンチにＡｌ電気コンタクトを形成する。
【解決手段】スパッタチャンバと、堆積チャンバと、移送チャンバと、を備え、半導体基板上における薄膜層のアパーチャを充填する充填装置において、スパッタチャンバは、スパッタ堆積材料の供給源となるターゲットカソードと、半導体基板を支持するための基板位置決め部材と、ＤＣ電源装置を具備し、ターゲットカソードからスパッタされた種を生成するために使用される第１のプラズマ発生ユニットと、基板位置決め部材に接続された基板バイアスＲＦ電源装置と、ＲＦ電源装置を具備し、ターゲットカソードと基板位置決め部材との間に位置して、ターゲットカソードから前もってスパッタされた種をイオン化又は再イオン化するために使用される第２のプラズマ発生ユニットと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体基板に配設された電極パッド１２に導通する再配線層３１を備えた半導体装置において、プローブピンによる接触により電極パッド１２表面に生成した突起物１２ａを有機絶縁膜２１によって被覆し、突起物１２ａを被覆させたまま、電極パッド１２に導通する再配線層３１を配設する。これにより、プローブピンの接触によって発生した突起物１２ａにより生じる電極パッド１２表面の腐食が抑制され、電極パッド１２と、その上に形成させた再配線層３１との導通不良を防止することができる。その結果、半導体装置としての信頼性が向上する。 （もっと読む）

【課題】複数の第１構造要素および複数の第２構造要素を備え、基板を光学的に位置合わせするための基板上マーカ構造を提供すること。
【解決手段】使用に際して、前記マーカ構造は、
前記マーカ構造上に向けられる少なくとも１本の光ビームを提供すること、
前記マーカ構造から受け取った光をセンサで検出すること、および
前記基板の位置を前記センサに関連づける情報を含む位置合わせ情報を前記検出光から求めることに基づいて前記光学的位置合わせを行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイの配線および電極を形成するための銅合金薄膜並びにその薄膜を形成するためのスパッタリングターゲットを提供する。
【解決手段】Ａｇ：０．０１〜０．５原子％を含有し、さらにＭｇ、ＡｌおよびＬｉのうちの１種または２種以上を合計で０．０１〜２．５原子％を含み、残部がＣｕおよび不可避不純物からなる組成を有する銅合金薄膜からなる熱欠陥発生がなくかつ密着性に優れたＴＦＴトランジスターを用いたフラットパネルディスプレイ用配線および電極、並びにこれらを形成するためのスパッタリングターゲット。 （もっと読む）

【課題】 化学的機械的研磨プロセスで研磨した後でほぼ擦り傷なしの表面が得られるような、その最上部表面の硬度が改善された軟金属導体を提供する。
【解決手段】 化学的機械的研磨ステップで研磨後にほぼ擦り傷なしの表面が得られるように、十分大きい粒子サイズを有する粒子から構成される最上部層を有する、半導体素子に使用するための軟金属導体７８である。導電性軟金属構造の最上部層に２００ｎｍ以上の粒子サイズを有する金属粒子を付着する。 （もっと読む）

【課題】電気的な特性が向上される半導体素子の形成方法を提供する。
【解決手段】この方法は、導電パターン１０５を有する半導体基板１００の上に絶縁膜１１０を形成する。絶縁膜をパターニングして導電パターンの一部を露出する開口部１１５を形成し、開口部の内壁及び絶縁膜の上部面に予備拡散防止膜１２０を形成する。予備拡散防止膜に酸素原子等を供給して第１拡散防止膜１２０ａを形成する。第１拡散防止膜により囲まれている開口部を埋める金属膜１５２を形成する。この方法により製造された半導体素子及び半導体素子の製造に利用する半導体クラスタ装備を提供する。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板上にパワー素子と非パワー素子とが形成された複合集積回路において、アスペクト比が高い配線を形成するとともに、配線材料が層間絶縁膜中に拡散してデバイス特性の変動などが生じない信頼性の高い配線形成方法を実現する。
【解決手段】 層間絶縁膜形成工程により層間絶縁膜１２を形成し、配線溝形成工程により層間絶縁膜１２をエッチングして配線溝１３を形成し、配線形成工程により配線溝１３の内部にＡｌ−Ｃｕ合金を充填し、配線１８を形成する。これにより、ＣＭＯＳ部３１に要求される微細配線とＬＤＭＯＳ部３２に要求される厚い配線とを両立するアスペクト比が高い配線１８を形成することができる。配線１８にＡｌ−Ｃｕ合金を用いるため、高温環境下で使用しても配線材料が層間絶縁膜１２中に拡散して不具合を生じることがない信頼性の高い配線１８を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】接続ホールを埋め込むＡｌＣｕプラグと層間絶縁膜上に形成するＡｌＣｕ配線とを同時に堆積形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接続ホール１７内と層間絶縁膜１６の表面とに、同時にＡｌＣｕを堆積してＡｌＣｕ膜２０を形成する。ＡｌＣｕ膜２０の表面をＣＭＰで研磨して、その上にＴｉＮ反射防止膜２１を形成する。平坦な表面を有するＴｉＮ反射防止膜２１を形成することで、ＡｌＣｕ膜２０を含む積層配線のパターニングに際して、ハレーションを防止し、また、ウェットエッチングに際してエッチング液の浸透を防止する。 （もっと読む）

【目的】Ａｌ−Ｓｉ膜をスパッタ成膜する場合に、Ｓｉノジュールが形成されない半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】シリコンウェハ１上に形成した酸化膜２に５０ｎｍ〜１００ｎｍの厚さでＴｉ膜３を形成し、シリコンウェハ１の温度を４２０℃〜４８０℃にして、Ｔｉ膜３上に１ｗｔ％のＳｉを含有したＡｌ−Ｓｉ膜４を３μｍ〜７μｍの厚さでスパッタ成膜することで、Ａｌ−Ｓｉ膜４中の余剰ＳｉがＴｉ膜３と反応してＴｉＳｉ_２膜５となり、Ａｌ−Ｓｉ膜４中にＳｉノジュールが形成されるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】バリア性に優れたバリア膜を提供する。
【解決手段】真空槽内に基板を搬入して(Ｓ₁)、昇温させ(Ｓ₂)、含窒素ガスと含高融点金属ガスのうち、一方のガスを導入し(Ｓ₃)、該一方のガスを真空排気した後(Ｓ₄)、他方のガスを導入し(Ｓ₅)、該他方のガスを真空排気する(Ｓ6)。この工程を複数回繰り返して行うと(Ｓ₉)、基板表面に吸着された一方のガスと、後から導入された他方のガスとの間でＣＶＤ反応が生じるので、コンタクトホール内にバリア膜がコンフォーマルに成長し、ステップカバレージのよいバリア膜を得ることができる。ＣＶＤ反応を行う毎にパージガスを導入し(Ｓ₇)、真空排気すると(Ｓ₈)、基板や真空槽に吸着された副生成物ガスや未反応ガスがパージガスと交換されるので、より高純度なバリア膜を得ることが可能となる。 （もっと読む）