【課題】プラグが微細化しても埋め込み不良が生じることなく、低コストで形成することができ、さらに種々の半導体装置に適用可能であるプラグ及びその形成技術を提供する。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置の製造方法は、半導体基板上に酸化シリコン膜を形成し、酸化シリコン膜にビアを形成し、ビア内側に密着層を形成し、密着層上にシリコン層を形成し、タングステンを含むガスをシリコン層と反応させることにより、ビアに埋め込まれたタングステン膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線幅が異なる第１及び第２の配線を有する配線パターンの上に形成された絶縁層を、十分に平坦化すること。
【解決手段】基板上に、第１の配線及び第１の配線よりも配線幅が小さい第２の配線を有する配線パターンを形成する配線形成工程Ｓ１０と、配線パターンの上から、第１の絶縁層及び第２の絶縁層をこの順に形成する絶縁層形成工程Ｓ２０と、第２の絶縁層の上に、配線パターンの反転パターンを有するレジストパターンを形成するレジスト形成工程Ｓ３０と、第２の絶縁層の方が第１の絶縁層よりもエッチングされやすい条件で等方性エッチングするエッチング工程Ｓ４０と、レジストパターンを除去するレジスト除去工程Ｓ５０と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】新規な構造のコンタクトプラグを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、半導体基板と、半導体基板に形成され、ソース／ドレイン領域及びゲート電極を有するトランジスタと、トランジスタのソース／ドレイン領域及びゲート電極を覆う絶縁膜と、絶縁膜中に形成され、トランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接されるコンタクトプラグとを有し、コンタクトプラグは、絶縁膜の厚さ方向に延在しトランジスタのソース／ドレイン領域またはゲート電極に接触する柱部と、柱部の上部から絶縁膜の表面と平行な方向に張り出し上面が平坦化された鍔部とを有する。 （もっと読む）

【課題】スルーホールの底部における突起の形成を防止して、半導体装置の品質を安定させる手段を提供する。
【解決手段】配線層５と、該配線層上に形成された金属窒化膜８とを覆う層間絶縁膜９とを形成した半導体ウェハに、層間絶縁膜を貫通し金属窒化膜に達するスルーホール１０を形成する工程を備えた半導体装置の製造方法において、スルーホールを形成する工程は、層間絶縁膜上に、レジストマスク１８を形成する工程と、半導体ウェハを第１の温度とし、異方性エッチングにより層間絶縁膜をエッチングする第１のエッチング工程と、半導体ウェハを、第１の温度より高い第２の温度とし、レジストマスクをそのまま用いて、異方性エッチングにより金属窒化膜の上表面をエッチングする第２のエッチング工程と、レジストマスクを除去する工程と、を備え、第１のエッチング工程と、第２のエッチング工程で用いるエッチングガスとを同一とする。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ開口部からの水分侵入による電特異常及び配線腐食を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】ヒューズ配線４の下方には凸領域となるＴＥＯＳ膜１４の下敷きがあり、ヒューズ配線４はＴＥＯＳ膜１４を跨ぐように設けられ、ヒューズ配線４の上方にはＴＥＯＳ膜１４よりも小さい領域のヒューズ開口部１３が設けられる。さらに、ＴＥＯＳ膜１４の無い領域にてヒューズ配線１４の両端に設けられたヒューズ端子１５には第１金属配線７が電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】柱状半導体層の幅を広く維持することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】半導体装置は、一つの直線上に順に形成された、第１、第２及び第３の柱状半導体層と、第２及び第３の柱状半導体層の間の空間であって第２及び第３の柱状半導体層の側面に夫々設けられた第１及び第２のゲート電極と、第１及び第２の柱状半導体層の間の空間及び第２及び第３の柱状半導体層の空間に埋め込まれた層間絶縁膜とを有する。層間絶縁膜は、第１及び第２の柱状半導体層の間の空間内であってゲート電極を介することなく第１及び第２の柱状半導体層の側面に形成され、第２及び第３の柱状半導体層の間の空間内であって第１及び第２のゲート電極を介して第２及び第３の柱状半導体層の側面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】 エアギャップ形状を容易に制御することが可能な半導体装置の製造方法を提供する
【解決手段】 本発明では、半導体基板１上に所定の間隔でライン２とスペース３が交互に配置されたライン・アンド・スペース構造体を形成する工程と、前記ラインの上面及び前記スペースの上面を連続して覆う第１の絶縁膜５を形成する工程と、前記スペース上方の前記第１の絶縁膜の一部をエッチングし、開口部６を形成する工程と、前記第１の絶縁膜及び前記開口部を連続して覆う第２の絶縁膜７を形成し、前記スペースと前記開口部による中空部を形成する工程とを有していることを特徴とする半導体装置の製造方法が得られる。 （もっと読む）

【課題】電気めっき装置のハードウェアトラブルを低減しながら、銅めっき膜の均一性を保つ。
【解決手段】自動分析器１４は、電極１６，１７間に印加されている電圧を検出し、その電圧値が設定電圧範囲内であるか否かを判断する。検出した電圧値が、設定電圧範囲の下限値よりも低い場合、自動分析器１４は、検出した電圧値に基づいて、基本液の不足量を算出し、バルブ１１を制御して不足分の基本液を補充した後、めっき液タンク６内のめっき液が規定量を保つようにバルブ１３の動作制御を行い、めっき液を廃液する。また、検出した電圧値が設定電圧範囲の上限値よりも高い場合、検出した電圧値に基づいて基本液の超過量を算出し、バルブ１２を制御して基本液の濃度が規定範囲内となるように純水をめっき液タンク６に補充してめっき液を薄めた後、バルブ１３を制御して規定量を保つようめっき液を廃液する。 （もっと読む）

【課題】トレンチ・ビア形状のウエハ面内均一性を向上できるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】基板上の第１配線層の上に絶縁層と金属層とを形成するステップと、絶縁層内に形成される第２配線層のためのトレンチを画成する金属マスク層を金属層から形成するステップと、金属マスク層を覆う平坦化膜を形成するステップと、トレンチの底部に形成され第１及び第２配線層を接続するビアを画成するマスク層を平坦化膜から形成するステップと、マスク層で、絶縁層の厚さよりも小さい開口を形成する第１ステップと、金属マスク層で絶縁層をエッチングしてトレンチを形成し、開口を深くしてビアを形成する第２ステップとが行われる。第１及び第２ステップでは、供給されたエッチングガスの拡散の影響が支配的な位置と、供給されたエッチングガスの流れの影響が支配的な位置とに対応してエッチングガス供給条件が調整される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減する。オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。高速動作が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、酸化物半導体膜に窒素プラズマ処理を行うことで酸化物半導体膜を構成する酸素の一部が窒素に置換された酸窒化領域を形成し、該酸窒化領域に接して金属膜を形成する。該酸窒化領域は酸化物半導体膜の他の領域と比べ低抵抗となり、また、接触する金属膜との界面に高抵抗の金属酸化物を形成しにくい。 （もっと読む）

【課題】貫通電極と配線との接続部位の抵抗のバラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。
【解決手段】貫通電極用の穴部を設け、配線層に対してオーバエッチングを施す。穴部に銅を埋め込むことにより、銅からなる貫通電極を形成させて、アルミニウムからなる配線と接続させた後、熱処理により貫通電極と配線とが接続される接触領域Ｇを合金化させることで、貫通電極と配線との抵抗バラつきを低減させて、配線信頼性を向上させる。本技術は、半導体装置と、その製造に適用することができる。 （もっと読む）

【課題】微細な溝部の内部に隙間無く導電材料を埋め込み、導電性に優れた配線を得ることが可能な半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】溝部１２を除いた基体１１の一面１１ａ、即ち溝部１２の頂面にエッチングカバー層１４を形成する。エッチングカバー層１４は、例えば、Ｔａ，Ｔｉまたはこれらを含む合金から構成される。エッチングカバー層１４の形成は、例えば、スパッタリング法を用いることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】貫通電極を効率良く形成する。
【解決手段】シリコン基板１にビアホール２５を形成し、絶縁膜２２を形成した後、ビアホール２５に低誘電率膜３１を埋め込む。ビアホール２５内の低誘電率膜３１の膜厚を異方性ドライエッチングによって所望の値に減少させる。この異方性ドライエッチングによって、絶縁膜２２上の低誘電率膜３１が除去される。続いて、ビアホール２５内に導電材を埋め込み、トランジスタＴ１，Ｔ２上に多層配線を形成する。この後、シリコン基板１の裏面側を研磨して導電材を露出させると、貫通電極が形成される。 （もっと読む）

【課題】 実施形態は、層間配線抵抗が低減した半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、基板と、前記基板上に第１の触媒金属膜と、前記第１の触媒金属膜上にグラフェンと、前記グラフェン上に層間絶縁膜と、前記層間絶縁膜を貫通するコンタクトホールと、前記コンタクトホール底部に前記グラフェンと電気的に導通する導電膜と、導電膜上に水素、窒素、アンモニアと希ガスの中から選ばれる１種以上のガスのプラズマで処理した第２の触媒金属膜と、前記第２の触媒金属膜上にカーボンナノチューブとを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】堆積物が有機物を含んでいる場合であっても、効率的に堆積物を除去することのできる堆積物の除去方法を提供する。
【解決手段】基板上にエッチングによって形成されたパターンの表面に堆積した堆積物を除去する堆積物除去方法であって、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第１処理工程と、第１処理工程の後に、基板を加熱しながら酸素プラズマに晒す酸素プラズマ処理工程と、酸素プラズマ処理工程の後に、基板を、フッ化水素ガスを含む雰囲気に晒す第２処理工程と、を具備している。 （もっと読む）

【課題】メモリセル積層構造間に空隙を有する不揮発性半導体記憶装置において、隣接するメモリセル積層構造間、及び、メモリセル積層構造−選択ゲート積層構造間のショートを防ぐことができる不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る不揮発性半導体記憶装置は、シリコン基板上にゲート絶縁膜、浮遊ゲート電極、電極間絶縁膜および制御ゲート電極が順に積層されたメモリセル積層構造が複数隣接して配置され、隣接する前記メモリセル積層構造間に空隙を有する不揮発性半導体記憶装置であって、前記メモリセル積層構造間のシリコン基板上に、前記メモリセル積層構造の側壁に形成されたシリコン酸化膜より厚いシリコン酸化膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】隣接する配線の間におけるリークを抑制することができる不揮発性半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】不揮発性半導体記憶装置１は、シリコンを含む基板１１と、基板１１の上に設けられた複数のメモリセルと、複数のメモリセルの上方に設けられた配線７と、配線７の上に設けられたリーク抑制層８と、前記リーク抑制層８の上方に設けられた層間絶縁膜１０と、を備えている。そして、隣接するメモリセルの間、および、隣接する配線７の間には空隙１２が形成され、リーク抑制層８の幅寸法は、配線７の幅寸法よりも短いこと、および、隣接するリーク抑制層８の間の寸法は、隣接する配線７の間の寸法よりも長いこと、の少なくともいずれかである。 （もっと読む）

【課題】残渣による配線間のショートの発生を防ぐ。
【解決手段】本発明の半導体装置は、高誘電率材料を含む第１のゲート絶縁膜４と第１のゲート絶縁膜４上に形成された第１のメタルゲート電極５とを備える第１のトランジスタが形成される半導体基板上の第１の領域と、高誘電率材料を含む第２のゲート絶縁膜４と第２のゲート絶縁膜上に形成された第２のメタルゲート電極１２とを備え、第１のトランジスタとは閾値電圧の異なる第２のトランジスタが形成される半導体基板上の第１の領域に並ぶ第２の領域と、電位の異なる第１および第２の配線と、を有し、第１の領域と第２の領域との境界が、第１および第２の配線の少なくとも一方としか重ならない。 （もっと読む）

【課題】煩雑な工程を経ることなく、マイクロスリットの発生による断線が生じ難い、銅配線を含む半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板上の凹部を有する層間絶縁膜上にバリア膜を介して凹部を埋めるように銅膜を形成した構造体を準備する工程と、構造体の銅膜をバリア膜との界面まで化学機械研磨により除去し、凹部内にＣｕ配線を形成する工程と、Ｃｕ配線をエッチングしてその表面を層間絶縁膜表面よりも後退させる工程と、バリア膜を化学機械研磨により除去する工程とを有し、Ｃｕ配線の表面を層間絶縁膜表面よりも後退させる際に、構造体を真空状態の有機化合物雰囲気に配置し、構造体の銅配線表面を含む面に酸素ガスクラスターイオンビームを照射し、その中の酸素ガスクラスターイオンにより、銅配線の表面の銅を酸化させて酸化銅とするとともに、酸化銅と有機化合物を反応させて銅配線を異方的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】切削又は研削加工を用いつつ、低コストで金属電極を形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１２の主面１２ａに下地電極１４を形成する工程と、下地電極を覆う保護膜１６を形成するとともに、該保護膜に下地電極を露出させる開口部１６ａを形成する工程と、保護膜及び開口部から臨む下地電極の表面を覆うように第１金属膜２２を形成する工程と、第１金属膜が形成された半導体基板を、裏面１２ｂを搭載面として吸着ステージ３０に吸着固定した状態で、吸着ステージと平行に設定された基準面上Ｐ１に位置する保護膜の部分及び第１金属膜の部分を、切削により除去して、第１金属膜をパターニングする工程と、パターニング工程後、裏面から半導体基板を研削し、半導体基板の厚さを所定厚さまで薄くする工程とを備える。 （もっと読む）