【課題】半導体チップ１を配線基板に実装することによって製造した半導体装置において、その装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】パッド電極１１を被覆するようにニッケル層１４を形成後、そのニッケル層１４が被覆されたパッド電極１１に対応するようにバンプ２１を形成する。ここでは、まず、ニッケル層１４に銅層２０を形成する。そして、その銅層２０にインジウム層２２を形成する。その後、その銅層２０とインジウム層２２とを合金化させて中間金属化合物層２３を生成するように、熱処理を実施することによって、バンプ２１を形成する。このとき、銅層２０を形成する際においては、インジウム層２２のインジウム原子に対して、銅層２０の銅原子が０．５原子％以上、５原子％以下の割合になるように、この銅層２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】配線用の導電体相互間のクロストークを減少した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置内に空洞を形成する方法が開示される。本発明の方法は、半導体装置のＩＬＤ層内の空洞の内面上に核化防止層を付着することを含む。この核化防止層は、後に付着される誘電体層が空洞内に付着することを防止する。誘電体層が空洞内に付着することを防止することにより、キャパシタンスが減少され、これにより、改善された半導体動作特性を実現する。 （もっと読む）

【課題】配線信頼性が向上される。
【解決手段】半導体基板上に配線層１１と層間絶縁膜１２とが順に形成され、層間絶縁膜１２にトレンチ溝１３とトレンチ溝１３中に配線層１１に達するビア孔１４とが形成され、トレンチ溝１３とビア孔１４と層間絶縁膜１２との表面に金属膜１５が成膜され、スパッタ法を用いて、ビア孔１４の底部の金属膜１５をエッチングするとともに、全面に金属膜１６が成膜されて、さらに、ビア孔１４の側壁にそれぞれの金属によって新たな金属膜が生成され、ビア孔１４とトレンチ溝１３とを導電性材料１７ａで埋め込んだ配線層が形成されるようになる。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁層の剥離を抑制し、製品の歩留まりが向上するとともに製品信頼性が向上した半導体装置を得ることができる製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に形成された第１配線膜１５と、反射防止膜１７および第１レジスト膜１８からなる積層体から、第１レジスト膜１８を除去する工程と、前記工程において反射防止膜１７表層に形成された変質膜２２を除去する工程と、前記工程後に第１配線膜１５に電気的に接続するビアプラグと、前記ビアプラグに電気的に接続する第２配線膜とを形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】接続ブロックを用いたＣＮＴによる横配線を有する電子デバイスであって、接続ブロックとカーボンナノチューブの接続を良好にすること。
【解決手段】側面に第１の面を有する導電性の第１の接続ブロック１３ａと、第１の面に対向する第２の面を有する第２の接続ブロックと、第１の面上に形成される触媒金属微粒子１７ａ、触媒薄膜のいずれかを有する触媒領域１７と、第２の接続ブロックの第２の面上に形成される炭素吸収金属１８ａ、１８ｂを有する炭素元素円筒型構造体吸収領域兼成長阻止領域１８と、触媒領域１７から炭素元素円筒型構造体吸収領域兼成長阻止領域１８に伸びて第１の接続ブロック１３ａと第２の接続ブロック１３ｂを電気的に接続する炭素元素円筒型構造体１９ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】 カーボンナノチューブ配線を用いた集積回路の修正配線形成方法を提供する。
【解決手段】 電子ビーム化学気相成長法で配線修正が必要なところに成長の触媒となる金属を含む微粒子10を堆積し、炭化水素系ガスやエタノールを原料とした化学気相成長法でカーボンナノチューブ配線11を成長させる。配線修正が必要なところへの触媒金属の供給は走査マイクロピペットプローブ顕微鏡による電気化学反応による析出または集束イオンビーム化学気相成長法でも行うことができる。 （もっと読む）

【課題】導電パッドの外観異常に起因した歩留まりの低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、絶縁膜１０上に導電パッド１２を形成する工程と、絶縁膜１０上及び導電パッド１２上に保護膜１４を形成する工程と、ＰＦＣガスを用いたドライエッチングを行うことにより、保護膜１４に、導電パッド１２上に位置する開口部１４ａを形成する工程と、開口部１４ａ内に位置している導電パッド１２の表面全面をフッ化する工程とを具備する。開口部１４ａ内に位置している導電パッド１２の表面全面をフッ化する工程は、例えば導電パッド１２の表面をフッ素ガス又はフッ化アンモニウム水溶液を用いて処理する工程である。 （もっと読む）

【課題】
半導体構造の微細化に対応でき、しかも基板上に形成した被覆膜におけるビアホールやトレンチの開口部におけるオーバーハングや非対称性を改善できる成膜方法及び装置を提供する。
【解決手段】
スパッタリング法又はALD又はCVD法で上記基板上に金属配線を形成するための被覆膜を形成し、この被覆膜形成中又は形成後に、アルゴン、ネオンなどの希ガスのイオンを３００~１００００ｅＶのイオンエネルギーで基板に対してほぼ平行に照射して上記基板上に形成された被覆膜の形状を適切に変更する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、以下の工程を有している。層間絶縁膜１内に下部配線５を備えた第一層を準備する。第一層上にライナー膜１１を設ける。層間絶縁膜１２をライナー膜１１上に設ける。層間絶縁膜１２およびライナー膜１１を貫通して下部配線５に達するトレンチ１４を形成する。トレンチ１４の側壁に沿った層間絶縁膜１２上及びライナー膜１１上と、下部配線５上に位置するトレンチ１４の底部とにバリアメタル１３を形成する。トレンチ１４底部を物理エッチングすることにより、トレンチ１４底部のバリアメタル１３と下部配線５とを削り、円錐形状又は半球形状の孔６をトレンチ１４の下側に設ける。トレンチ１４の側壁上のバリアメタル１３上及び孔６内に導電膜１５を形成する。トレンチ１４及び孔６内にＣｕ膜１９を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】バリアメタルの低抵抗化により配線抵抗の低抵抗化を図ると共に、バリアメタルのＣｕに対する拡散バリア性を高める。
【解決手段】層間絶縁膜１０内に下層配線１４が形成される。層間絶縁膜１０及び下層配線１４上にライナー膜２０と層間絶縁膜２２とが順次形成される。ライナー膜２０と層間絶縁膜２２内にビア２８と上層配線３０とが形成される。下層及び上層配線１４，３０とビア２８とは、バリアメタル１６，３２とＣｕ１８，３６とを有している。バリアメタル１６，３２は、Ｒｕ_ｘＳｉ_ｎＯ_ｙ膜とＲｕ_ｘＯ_ｙ膜とＲｕ_ｘＳｉ_ｎ膜の少なくとも１つの膜１７Ａ，３４Ａと、Ｒｕ_ｘＮ_ｙ膜１７Ｂ，３４Ｂと、Ｒｕ膜１７Ｃ，３４Ｃとが積層されてなる。 （もっと読む）

【課題】ライナー膜やポーラスｌｏｗ−ｋ膜内に、十分な膜厚を有するバリアメタルを自己形成することを目的とする。
【解決手段】層間絶縁膜１０内に下層配線１２が形成される。層間絶縁膜１０及び下層配線１２上にライナー膜２０と層間絶縁膜２２とが順次形成される。ライナー膜２０と層間絶縁膜２２内にビア２８と上層配線３０とが形成される。下層及び上層配線１２，３０とビア２８とは、バリアメタル１４，３２とＣｕ１８，３６とを有している。バリアメタル１４，３２は、Ｒｕ膜１６Ａ，３４Ａと、ＭｎＯｘ１６Ｂ，３４Ｂとが積層されてなる。ＭｎＯｘ１６Ｂ，３４Ｂは、ＲｕＯ_２膜から供給された酸素を用いて自己形成される膜である。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール内に形成される銅プラグの接合リークの増加を抑制し、銅プラグの良好なコンタクトを達成できる半導体装置の製造方法を提供することである。
【解決手段】シリサイド層３２を有する半導体基板１の上に絶縁膜３８を形成し、さらに、シリサイド層３２上の絶縁膜３８にホール３８ｆを形成し、ホール３８ｆ内とシリサイド層３２の表面をクリーニングし、ホール３８ｆの底面及び内周面に化学気相成長法によりチタン層４１を形成し、銅拡散防止用のバリア層４２をホール３８ｆ内のチタン層４１上に形成し、銅層４４をホール３８ｆ内に埋め込む工程を含む。 （もっと読む）

【課題】段差被覆性に優れた銅シード層の製造方法を提供する。
【解決手段】同じスパッタチャンバ内で実行される堆積された銅のスパッタエッチング１６２が、銅のスパッタ堆積１６０の後に続いて実行される。これにより、特に銅の電気めっきの前に、狭いビア内に銅シード層を形成するのに有用な銅堆積プロセスとなる。該堆積は、高い銅イオン化割合及び銅イオンを該ビア内に引き付ける強力なウェーハバイアスを促進する条件下で実行される。該エッチングは、好ましくは、該チャンバの周りのＲＦコイルによって誘導励起されたアルゴンイオンによって、又は、高いターゲット電力及び極めて強いマグネトロンで形成することができる銅イオンによって、あるいは、ＲＦコイルの使用によって行うことができる。堆積／エッチングの２つ以上のサイクルを実行することができる。最後の瞬時堆積１６８は、高い銅イオン化及び低いウェーハバイアスで実行することができる。 （もっと読む）

【課題】コンタクト不良を防止して半導体装置の歩留まりを向上させることが可能な半導体装置の製造方法、半導体装置、及び半導体ウエハ構造を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１０の上方に第１絶縁膜２５を形成する工程と、第１絶縁膜２５のうち、膜厚が基準値ΔT₁よりも厚い肉厚部２５ｘを選択的に薄くする工程と、薄くされた部分の第１絶縁膜２５にコンタクトホール３８ｃ、３８ｄを形成する工程と、コンタクトホール３８ｃ、３８ｄ内に導電性プラグ４０ｃ、４０ｄを形成する工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタの電極を構成する金属膜相互間の接合強度を増大し、層間剥離を防止することができる強誘電体メモリセルおよび強誘電体メモリセルの製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板に形成されたトランジスタと、半導体基板上に形成された絶縁膜と、絶縁膜上に形成されてトランジスタと電気的に接続された下部電極と、下部電極上に形成された強誘電体からなる容量絶縁膜と、容量絶縁膜上に形成された上部電極と、を含む強誘電体メモリセルにおいて、下部電極は、酸化イリジウムからなる第１電極層と、前記第１電極層よりも上方に設けられた白金からなる第２電極層と、第１および第２電極層の剥離強度を強化する剥離強度強化手段と、を有する。 （もっと読む）

【課題】強誘電体キャパシタを覆う絶縁膜内に形成されて、その強誘電体キャパシタの電極に接続される導電性プラグをコンタクトホール内に埋め込む際に、工程増を抑制しながら、コンタクトホールの下への水素の浸入を防止する構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】絶縁膜２０内であってキャパシタ上部電極１８の上に形成されたコンタクトホール２０ｅ内に埋め込まれる導電性プラグ２１ｅとして、アルミニウム膜３２を有する複数層３１〜３４の構造を採用し、これにより、タングステン膜３４をコンタクトホール２０ｅ内に充填する際に、水素がコンタクトホール２０ｅの下の強誘電体キャパシタ１７ａに侵入することをアルミニウム膜３２によって防止する。 （もっと読む）

【課題】歩留まりを向上させることが可能な半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１ホールの２１ａ内面と、該第１ホール２１ａに露出する金属シリサイドパターン（導電パターン）１７ａの上面に、高融点金属よりなる第１バリアメタル膜２２ａを形成する工程と、第１バリアメタル膜２２ａの上に、高融点金属の窒化物よりなる第２バリアメタル膜２２ｂを形成する工程と、第２バリアメタル膜２２ｂをアニールする工程と、アニールの後に、第２バリアメタル膜２２ｂの上にプラグ用導電膜２３を形成する工程と、プラグ用導電膜２３、及び第１、第２バリアメタル膜２２ａ、２２ｂを第１ホール２１ａ内に第１導電性プラグ２４として残す工程とを有する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の生産性を向上させる。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、下層配線上に形成した層間絶縁膜内に、ビアホール及び配線溝を形成し、形成されたビアホール及び配線溝の内壁に、拡散防止膜を形成し、ビアホールの底部に堆積した拡散防止膜をエッチングしながら、下層配線上及び拡散防止膜上にシード層を形成し、形成されたシード層を介してビアホール内及び配線溝内に金属配線を埋設した。このような半導体装置の製造方法によれば、バリア性が高くかつ密着性の良好な拡散防止膜及びバリア層を備えた半導体装置が製造できるので、半導体装置の生産性が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の大面積化や配線の微細化に伴って銅のシード層が薄くなると、電解めっきでめっき膜のばらつきが大きくなる。
【解決手段】デュアルダマシン法で埋め込み配線を形成するにあたって、下層配線２上に孔加工や溝加工の加工マスクとなるＴｉＮ膜８を用いて、配線埋め込み領域（９，１０）を形成する工程と、配線埋め込み領域を除くフィールド部に導電膜１１を成膜する工程と、配線埋め込み領域を覆うようにバリアメタル層／シード層１２を成膜する工程と、配線埋め込み領域を電解めっき法により銅配線材料１３で埋め込む工程とを含むものとする。 （もっと読む）

【課題】接続ホールを埋め込むＡｌＣｕプラグと層間絶縁膜上に形成するＡｌＣｕ配線とを同時に堆積形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】接続ホール１７内と層間絶縁膜１６の表面とに、同時にＡｌＣｕを堆積してＡｌＣｕ膜２０を形成する。ＡｌＣｕ膜２０の表面をＣＭＰで研磨して、その上にＴｉＮ反射防止膜２１を形成する。平坦な表面を有するＴｉＮ反射防止膜２１を形成することで、ＡｌＣｕ膜２０を含む積層配線のパターニングに際して、ハレーションを防止し、また、ウェットエッチングに際してエッチング液の浸透を防止する。 （もっと読む）