【課題】 高い漏れ抵抗を有し、かつ、金属残留物が相互接続誘電体の上面に存在しない、半導体相互接続構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性構造部（すなわち、導電性材料）が誘電体材料の上面と同一平面上にはなく、代わりに導電性材料が誘電体材料の上面より下に陥凹する、相互接続構造体が提供される。誘電体材料の上面より下に陥凹することに加えて、相互接続構造体の導電性材料は、あらゆる面（すなわち、側壁面、上面及び底面）が拡散障壁材料で囲われる。従来技術の相互接続構造体とは異なり、陥凹した導電性材料の上面上に配置された障壁材料は、開口部が陥凹した導電性材料を含むように配置される。 （もっと読む）

【課題】電磁波検出素子の製造に際し、フォトダイオードなどの半導体層の下層に配置される層間絶縁膜の材料制約を緩和する。例えば、有機系材料からなる層間絶縁膜の配置を可能にする。
【解決手段】ＴＦＴアレイが形成された基板１の上に、ＴＦＴアレイを覆うように層間絶縁膜１２を形成した後、ＰＩＮ型のフォトダイオード層６の形成前に、フォトダイオード層６よりエッチング速度の遅いＩＺＯ膜１４を形成し、フォトダイオード層６の一部を、ＩＺＯ膜１４が露出するまでドライエッチング処理により除去してパターニングした後、露出したＩＺＯ膜１４をフォトリソグラフィー技術により除去してパターン化することにより下部電極１４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】 誘電率が約３．０以下の誘電材料（５２）を含む相互接続構造を提供する。
【解決手段】 この低ｋ誘電材料は、上面が埋め込まれた少なくとも１つの導電材料（６０）を有する。また、誘電材料は、貴金属キャップ（６２）の形成前に疎水性とされた表面層（５２Ｂ）を有する。貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料の上面上に直接に配置されている。誘電材料上に疎水性表面層が存在するために、貴金属キャップは、少なくとも１つの導電材料に隣接した誘電材料の疎水性表面層上に実質的に延出せず、この疎水性の誘電表面上に貴金属キャップ堆積からの貴金属残留物は存在しない。 （もっと読む）

【課題】微細パターンのＣｕの埋め込みが良好であり、Ｃｕの層間絶縁膜中への拡散を抑制することを目的とする。
【解決手段】半導体装置では、下層配線１０２が半導体基板上の絶縁膜１０１内に形成され、上層配線１１２が絶縁膜１０１の上の層間絶縁膜１０４内に形成され、下層配線１０２と上層配線１１２とは層間絶縁膜１０４内に形成されたビアプラグ１１１を介して接続されている。ビアプラグ１１１および上層配線１１２では、それぞれ、第１および第２のバリアメタル膜１０７，１０８とＣｕ膜１１０とが順に積層されており、第１のバリアメタル膜１０７は窒素を含有し、第２のバリアメタル膜１０８は白金族元素を含有している。 （もっと読む）

【課題】シェアードコンタクト構造が用いられた場合にも、小さい抵抗で電極との電気的接続をとることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン電極５ａ上に、シリコンと化合することによりシリサイドを形成することができる金属元素を含有する第１の膜が形成され、第１のシリサイド膜ＳＬ１ａが形成される。ソース／ドレイン領域７ａおよび第１のシリサイド膜ＳＬ１ａを覆う絶縁膜が形成される。絶縁膜に、ソース／ドレイン領域７ａ上と、第１のシリサイド膜ＳＬ１ａ上とに跨る開口部が形成される。開口部の底面の上に、シリコンと化合することによりシリサイドを形成することができる金属元素を含有する第２の膜が形成され、第２のシリサイド膜ＳＬ２ａが形成される。開口部を導体で充填することにより、ソース／ドレイン領域７ａ上と、第２のシリサイド膜ＳＬ２ａ上とに跨るプラグＰＧａが形成される。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置において、半絶縁性ＳｉＣ基板と比較して安価に入手することができる導電性ＳｉＣ基板を使用してコストを低く抑えながら、良好な出力特性及び高周波特性が得られるようにする。
【解決手段】窒化物半導体装置を、導電性ＳｉＣ基板１上に形成された窒化物半導体積層構造２と、窒化物半導体積層構造２の活性領域の下方の領域に形成されたアモルファスカーボン層３とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】銅−マンガン合金技術を用いて銅コンタクトを形成する場合において、コンタクトホールの底部にもバリア層としてのマンガン酸化物層を形成させる。
【解決手段】半導体装置１００は、半導体基板１０１上に形成された金属含有化合物層１０２と、金属含有化合物層１０２上を含む半導体基板１０１上に形成された絶縁体膜１０３と、絶縁体膜１０３に、金属含有化合物層１０２に達するように形成されたコンタクトホール１０４と、コンタクトホール１０４に形成されたコンタクトプラグと、絶縁体膜１０３及び金属含有化合物層１０２のそれぞれとコンタクトプラグとの間に形成されたマンガン酸化物層１１９とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の配線層の信頼性を高める。
【解決手段】層間絶縁膜３に形成した配線溝４内に、バリアメタル膜５を介して、ＣｕＭｎシード膜６及びＣｕ膜７を有する配線部１を形成した後、ＳｉＨ₄とＮＨ₃のガスに曝し、その配線部１の表面にＯを含有しないＳｉＮの保護層８を形成する。この上にキャップ膜９を形成する。キャップ膜９の形成時には、配線部１のバリアメタル膜５との界面領域にはＭｎＯ層１０が形成される一方、配線部１の上面には保護層８があることでＭｎの析出が抑制される。配線部１のＭｎ含有量を高めても、配線部１とキャップ膜９との間にＭｎを含有するバリア性の低い層が形成されることがなく、エレクトロマイグレーション耐性及びストレスマイグレーション耐性の向上を図ることができる。 （もっと読む）

【課題】高集積化された半導体装置において、配線層間の容量を低減し耐圧を向上させた配線構造を提供する。
【解決手段】配線構造の製造方法が、基板上に層間絶縁層を形成する工程と、層間絶縁層をエッチングしてトレンチを形成する工程であって、トレンチは、その側壁が平坦面と外方に傾斜したファセット面とを有するように形成される工程と、トレンチを埋めるように、層間絶縁層上に配線層を堆積する工程と、ＣＭＰ法を用いて、層間絶縁層上の配線層を除去し、トレンチ内に配線層を残す工程と、トレンチのファセット面が無くなるまで層間絶縁層の膜厚を減じる第１エッチング工程と、トレンチの平坦面を含む平面より外方に飛び出した配線層を部分的に除去する第２エッチング工程と、配線層を覆うように拡散防止膜を形成する拡散防止膜形成工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】配線上の信号遅延を小さくして、配線上の信号遅延特性を所望の状態に改善することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造工程中に、配線溝２６ｃおよびビアホール２７ａの内側表面をポロジェンを含む第４の絶縁膜２５で覆うことで、バリアメタルスパッタ工程などの半導体装置の製造工程において、配線溝２６ｃおよびビアホール２７ａの内側表面の低誘電率膜である第４の絶縁膜２５の比誘電率上昇を抑制する。 （もっと読む）

【課題】サイドエッチングおよびオーバーエッチングの双方を抑制することができる金属パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板１上に金属膜２が堆積される。金属膜２上に金属膜２の一部を覆うマスク３が形成される。異方性エッチングにより金属膜２のマスク３から露出された部分を厚み方向に部分的にエッチングすることで、金属膜２に異方性エッチングにともなう再付着膜４に覆われた側壁が形成される。側壁を有する金属膜２ｍのマスク３から露出された部分と再付着膜４とを基板１の材質のエッチング速度よりも金属膜２ｍの材質のエッチング速度が大きくなるようなエッチング条件で等方性エッチングによりエッチングすることで、金属パターン２ｐが形成される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜による段差を有する半導体基板上を覆うＡｌ電極膜の厚さが、前記段差の２倍以上の厚膜とする場合であっても、前記絶縁膜段差の上方でＡｌ電極膜にボイドが形成され難くすることのできる半導体装置の製造方法および半導体装置製造用スパッタ装置を提供すること。
【解決手段】半導体基板７に半導体機能領域と所要の絶縁膜パターン９を形成した後、該半導体基板７の全面を覆うアルミニウム膜１１またはアルミニウム合金膜を、前記絶縁膜９の２倍以上の膜厚でスパッタリング法により成膜する際に、アルミニウム成膜工程とアルゴンスパッタリング法によるアルミニウム膜１１の整形工程とを複数回繰り返して成膜する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高融点金属元素を含むバリアメタル膜と組みあわせてＣｕ配線パターンのバリアメタル構造を形成するＣｕ−Ｍｎ合金層において、ストレスマイグレーション耐性を向上させると同時に、Ｃｕ配線パターンの抵抗を低減する。また、さらには配線中のボイド欠陥を低減する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上方に形成された酸素を含む絶縁膜と、前記絶縁膜に形成された凹部と、前記凹部の内壁に形成された銅を含む第１の膜と、前記第１の膜上方であって、前記凹部に埋め込まれた銅を含む第２の膜と、前記第１の膜と前記第２の膜の間にマンガンを含む酸化層と、を有する。さらに、前記構造に対し、電解メッキ法で銅配線を形成し、引き続き８０℃〜１２０℃の温度で短時間の熱処理を行う。 （もっと読む）

【課題】 ２層配線を有するアレイ基板において、層間絶縁膜の段差部における第２配線層のエッチング残りを抑制する。
【解決手段】 表示部（表示領域Ｈ）と、その周囲に配される額縁部とを有するアレイ基板である。額縁部は、薄膜トランジスタ等により構成される駆動回路を備える。また、薄膜トランジスタと接続されるソース電極及びドレイン電極を含む第１配線層１７と、第１配線層１７上に第２層間絶縁膜１８を介して形成される第２配線層１９とを有する。第２配線層１９は、Ａｌを含むＡｌ配線層１９ａと、Ａｌ配線層１９ａの表面を覆うトップバリアメタル層１９ｂとから構成され、Ａｌ配線層１９ａの底面を覆うボトムバリアメタル層が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ配線部の開口工程において、ヒューズ配線にダメージを与えて誤切断してしまうことを防ぐ。
【解決手段】ヒューズ配線６上の開口部１７下にて、ＳｉＣＮ膜からなる保護膜１１とプラズマＣＶＤ法によって成膜された窒化シリコン膜または酸化シリコン膜からなる保護膜１８とが積層された構造を形成することにより、ヒューズ配線６上のシード膜２３およびバリア導電膜２２をウエットエッチングする際の洗浄液のヒューズ配線６への浸入を保護膜１８にて防ぐ。 （もっと読む）

【課題】デバッグ等のために、完成した半導体集積回路装置の配線をＦＩＢ加工を用いて事後的に修正する場合がある。修正配線は配線として最適に材料を使用すべきである。しかし、たとえば、比抵抗の低い金属は、比較的その後の検査・試験環境に弱い等の問題がある。
【解決手段】本願発明は、ほぼ完成した半導体集積回路装置の配線を変更するために、ＦＩＢ加工を用いて半導体集積回路チップの配線を修正するに当たり、半導体集積回路チップの主面上の絶縁膜に金属修正配線をＦＩＢＣＶＤにより形成後、その上を覆うように、金属修正配線よりも耐酸化性または耐腐食性の高い金属被覆膜を、ＦＩＢＣＶＤにより形成するものである。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成されたギャップを酸化シリコン膜で充填する改良された技術を提供する。
【解決手段】高密度プラズマプロセスを使用して酸化シリコンの第１の部分を該基板上および該ギャップ内に堆積する。この後、該酸化シリコン膜の該堆積された第１の部分の一部がエッチングバックされる。これは、ハロゲン前駆体ソースから該基板処理チャンバにハロゲン前駆体を流すステップと、該ハロゲン前駆体から高密度プラズマを形成するステップと、該一部がエッチングバックされた後に該ハロゲン前駆体を流すことを終了するステップとを含んでいる。この後、ハロゲンスカベンジャーが該基板処理チャンバに流されて、該基板処理チャンバで残渣ハロゲンと反応する。この後、該酸化シリコン膜の第２の部分が、高密度プラズマプロセスを使用して該酸化シリコン膜の該第１の部分上および該ギャップ内に堆積される。 （もっと読む）

【課題】工程数を増やすことなく安価にカーボンナノチューブからなる横方向の配線を提供することである。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板または導電層（第１の導電層）１０１と、第２の導電層１０７と、触媒層１０６と、導電体１０４とを備えている。第２の導電層１０７は、第１の導電層１０１とは間隔を開けて第１の導電層１０１と略平行に配置されており、カーボンナノチューブからなる。触媒層１０６は、第２の導電層１０７の側面に設けられ、カーボンナノチューブを形成するための触媒を含んでいる。導電体１０４は、第１の導電層１０１に対して垂直に配置され、第１の導電層１０１に電気的に接続されているとともに触媒層１０６を介して第２の導電層１０７に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】ＦＥＯＬレベルから正負とも低電圧の範囲で拡散工程中のチャージアップから被保護素子を保護し、且つ、拡散工程完了後は被保護素子の駆動に必要な正負両極性の高電圧を被保護素子に印加することが可能な半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１１に形成され、被保護素子電極２２を有する被保護素子２１と、半導体基板１１と電気的に接続された基板接続電極４２を有する基板接続部４１と、被保護素子電極２２と基板接続電極４２との間に形成されたヒューズ素子電極３２を有するヒューズ素子部３１とを備えている。ヒューズ素子電極３２は、所定の電流を流すことにより切断可能に形成され、ヒューズ素子電極３２が切断されていない状態において、被保護素子電極２２、基板接続電極４２及びヒューズ素子電極３２は、一体に形成された導電膜１５からなる。 （もっと読む）

半導体構造（３００）は、半導体基板（３０１）を有する。前記半導体基板（３０１）の上に電気絶縁材料の層（３０４）が形成されている。前記電気絶縁材料の層（３０４）に導電性の特徴（３１２）が形成されている。前記導電性の特徴（３１２）と前記電気絶縁材料の層（３０４）の間に第１の半導体材料の層（３２０）が形成されている。
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