【課題】配線溝底部の面粗れを防止するエッチングストッパーを配線溝の底部となる領域に導入することで、デバイス速度の向上、デバイス信頼性の向上を可能とする。
【解決手段】多孔質絶縁膜を含む層間絶縁膜を備えた半導体装置の製造方法において、前記層間絶縁膜に配線溝２０を形成する前に、前記配線溝２０底部となる領域、すなわち接続孔が形成される絶縁膜１５上の配線溝が形成される領域に、前記層間絶縁膜の配線層が形成される絶縁膜１８とは異なる材質の絶縁膜パターン１７を形成する工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】 低誘電率絶縁膜の比誘電率の増加を防止すると共にレジスト残渣を生じさせないレジスト除去を可能にする。
【解決手段】 レジストマスクをエッチングマスクにして、被処理基板上の有機成分含有の層間絶縁膜をＲＩＥで加工した後（Ｓ１、Ｓ２）、上記レジストマスクを除去するために、はじめに、第１の温度下において水素ラジカル照射をして（Ｓ３）、レジストマスク表面に形成されている変質層を水素化分解する改質層に変換する（Ｓ４）。その後、第１の温度より高い第２の温度下において水素ラジカル照射を行い（Ｓ５）、上記改質層およびレジストマスクをアッシング除去する（Ｓ６）。このようにして、上記層間絶縁膜の組成変化およびその比誘電率の増加がなく、しかもレジスト残渣の生じないレジスト除去が可能になる。 （もっと読む）

本発明の実施例によって、第一ＩＬＤ層と第二ＩＬＤ層との間にハードマスク層を有する装置が与えられる。ハードマスク層は、第一ＩＬＤ層および／または第二ＩＬＤ層にほぼ等しいｋ値を有する。 （もっと読む）

【課題】
従来の方法では十分な製造速度が得られなかったり、レジストで作られた細長いマスクの中に空気の泡が残ってしまい、銅ポストの径がφ50μm以下でかつ高さが50μm以上のような細い製品の場合良好な作業が出来ない場合が発生していた。また、その設備は高度な機構を使用しているものが多く、価格的に高価なものが多かった。
【解決手段】
本発明はプラズマによるドライ洗浄により、薬液のヌレ性を確保し、かつ、回転式治具を使用することで泡かみなく銅ポストを製造することができる。
また、一度に銅ポストのレジストマスクを形成するのではなく、数回に分けてレジスト製版及び銅ポスト形成を繰り返すことで、高速でかつ精度の高い銅ポストの製造が可能となった。 （もっと読む）

【課題】 貫通電極を有する半導体装置の製造方法において、半導体装置の信頼性及び歩留まりの向上を図る。
【解決手段】 パッド電極１１に対応した位置で半導体基板１０を貫通するビアホール１６を形成する。次に、ビアホール１６を含む半導体基板１０の裏面上に絶縁膜１７を形成する。次に、半導体基板１０の裏面上に、ビアホール１６の開口部の縁でオーバーハング部１８ａを有する補強用絶縁膜１８を形成する。そして、補強用絶縁膜１８をマスクとして、ビアホール１６の側壁の絶縁膜１７を残存させつつ、当該底部の絶縁膜１７をエッチングして除去する。次に、ビアホール１６を含む半導体基板１０の裏面に、貫通電極２１、配線層２２、及び導電端子２４を形成する。最後に、ダイシングにより半導体基板１０を半導体チップ１０Ａに切断分離する。 （もっと読む）

ガスクラスターイオンビーム処理を用いた多孔質超低ｋ値（ＵＬＫ）絶縁体材料内に二重ダマシン構造を形成する方法に関して開示する。これらの方法においては二重ダマシンＵＬＫ処理中におけるハードマスク層を最小にし、最終的なＵＬＫ二重ダマシン構造内には、ハードマスク層が存在しない。ガスクラスターイオンビームのエッチング処理、緻密化処理、孔のシーリング処理、アッシング処理の各方法が記載されており、該方法は、材料の除去と同時にＵＬＫインターフェースの緻密化を進行させる。緻密なインターフェースとハードマスクがない新規なＵＬＫ二重ダマシン構造が含まれている。 （もっと読む）

金属−金属間のアンチヒューズが集積回路内の２つの金属相互接続層の間に配置される。下側のバリア層はＴｉから形成される。下側の付着力促進層は下側のＴｉバリア層の上に配置される。アモルファス炭素、および、水素およびフッ素の少なくとも１つによりドープされたアモルファス炭素のうち少なくとも１つを有するグループから選択されたアンチヒューズ材料層が、下側の付着力促進層上に配置される。上側の付着力促進層がアンチヒューズ材料層の上に配置される。上側のＴｉバリア層が上側の付着力促進層の上に配置される。
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半導体装置を構成する絶縁膜として有効な多孔質絶縁膜の作製方法、該絶縁膜の上下界面に接する半導体材料と高い密着性を有する多孔質絶縁膜の作製方法を提供。
少なくとも一つ以上の、分子中に環状シリカ骨格を有し且つ該環状シリカ骨格に少なくとも一つ以上の不飽和炭化水素基が結合されている有機シリカ化合物の分子蒸気、を含む気体をプラズマ中に導入し、半導体基板上に多孔質絶縁膜の成長を行う。 （もっと読む）

多数層を有するマスキング構造が形成される。そのマスキング構造は、無定形炭素層と該無定形炭素層上に形成されたキャップ層とを含む。無定形炭素層は透明無定形炭素を含む。キャップ層は非酸化物材料を含む。マスキング構造は、半導体装置の製作中、エッチング・プロセスにおけるマスクとして使用可能である。 （もっと読む）

アクティブマトリクス型液晶表示装置の薄膜トランジスタにおける下地電極上の絶縁膜上にフォトエンボッシング材料を用いて凹凸を有する有機膜を形成し、この有機膜にドライエッチングを施して有機膜の膜厚を減少させてコンタクトホール形成領域の絶縁膜を露出させる。その後、露出した絶縁膜にドライエッチングを施してコンタクトホールを形成すると共に下地電極を露出させ、得られた構造上に反射電極を形成して、露出した下地電極と反射電極とを接続する。
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基板、基板上の導電パッド、および基板上の絶縁層を含む電子デバイスを形成する方法であって、上記絶縁層は導電パッドの一部を露出するバイアホールを有する。詳細には、絶縁層上であり導電パッドの露出部分上に導電構造体を形成できる。導電構造体は、チタン・タングステン（ＴｉＷ）のベース層と、アルミニウムおよび／または銅のうちの少なくとも１つの導電層とを含みうる。さらに、導電構造体のベース層を、導電層と絶縁層との間に形成できる。関連デバイスについても説明する。

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【課題】 多層配線において、ショートやビア抵抗増加のような目合わせずれによる問題を回避し、信頼性の高い多層配線を得る。
【解決手段】 半導体装置は、第１配線層（２０１）と、層間絶縁層（２０２〜２０８）とを具備する。第１配線層（２０１）は、基板の上面側に設けられ、第１配線を含む。層間絶縁層（２０２〜２０８）は、前記第１配線層（２０１）上に設けられ、一方の端を前記第１配線に接続されたビアと、前記ビアの他方の端に接続された第２配線とを含む。前記層間絶縁層（２０２〜２０８）はシリコン酸化膜より低い比誘電率を有する。前記層間絶縁層（２０２〜２０８）の上部は、下側から順に、シリコン酸化膜（２０６）、シリコン窒化膜（２０７）、シリコン酸化膜（２０８）を備える。 （もっと読む）

【課題】オーバーエッチングが十分に行えて、しかもアルミニウム配線層の片落ちを起こすことのない微細ピッチの金属配線構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】バリアメタル層１１、実質的なアルミニウム配線層１２、さらに破線で示すフォトレジスト層ＰＲと接触する、最上層がタングステン膜（Ｗ）で構成されるキャップ層１３が順に積層されている。このような配線パターンのエッチングに際し、オーバーエッチングによりフォトレジスト層ＰＲが目減りしてエッジ部分が型崩れすることがあっても、アルミニウム配線層１２の形状には影響ない。すなわち、最上層のタングステン膜（Ｗ）は、アルミニウム配線層１２をエッチングする際のエッチングマスク（ハードマスク）となり得るからである。 （もっと読む）

【課題】 電気的特性のみならず耐環境性にも優れた配線を実現し、ひいては当該配線を内装した半導体装置や配線基板等の信頼性の向上に寄与することを目的とする。
【解決手段】 絶縁層１１，１３に形成されたビア・ホールを介して下層の導体層１２に電気的に導通するように絶縁層１３と下層の導体層１２とを覆って形成された金属薄膜１４上に形成された配線層１７の表面を、耐環境性に優れた材料からなる被覆層１８で覆うように構成する。この被覆層１８を構成する耐環境性に優れた材料としては、好適には、ニッケル／金、ニッケル／パラジウム、又はニッケル／パラジウム／金が用いられる。 （もっと読む）