【課題】 デバイス密度を増加させるために、Ｓ／Ｄコンタクト・ホールが、トランジスタ構造体のゲートに近接して形成されるが、ゲートから電気的に絶縁された、トランジスタ構造体（及びその製造方法）を提供すること。
【解決手段】 構造体、及びその製造方法である。この構造体は、（ａ）第１のＳ／Ｄ領域と第２のＳ／Ｄ領域との間に配置されたチャネル領域と、（ｂ）チャネル領域上のゲート誘電体領域と、（ｃ）ゲート誘電体領域上にあり、かつ、ゲート誘電体領域によりチャネル領域から電気的に絶縁されたゲート領域と、（ｄ）ゲート領域上の保護アンブレラ領域であって、保護アンブレラ領域は第１の誘電体材料を含み、ゲート領域が完全に保護アンブレラ領域の影の中にある、保護アンブレラ領域と、（ｅ）（ｉ）第２のＳ／Ｄ領域の真上にあり、これと電気的に接続され、かつ、（ｉｉ）保護アンブレラ領域のエッジと位置合わせされた充填されたコンタクト・ホールであって、コンタクト・ホールは、第１の誘電体材料とは異なる第２の誘電体材料を含む層間誘電体（ＩＬＤ）層によってゲート領域から物理的に分離された充填されたコンタクト・ホールと、を含む。 （もっと読む）

【課題】ボンディング衝撃による不具合を改善するとともに、フェールセーフ的な構造とすることにより、能動回路上ボンディングパッドへ直接ボンディングワイヤを接続できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の配線２で結線され層間絶縁層３で被覆した能動回路１にあって、前記能動回路１が機能するよう第１の接続孔４を介して接続された第２の配線５と平面構造において複数の開口を持つ衝撃吸収梁６がボンディング接続領域に設け保護膜７で被覆し、第２接続孔８を介して前記能動回路１と電気的に接続された厚い電極９を衝撃吸収梁６上に位置するよう設け、厚い電極９へボンディング接続を行うために、衝撃吸収梁６の上方において、保護樹脂層１０が開口されてなる半導体装置とする。 （もっと読む）

【課題】ウエハレベルＣＳＰにより形成される再配線部の剥離を防止し、微細配線の形成を可能とした半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、少なくとも一面に電極が設けられた基板と、該基板の一面を被覆する絶縁樹脂層１１と、該絶縁樹脂層１１を被覆し、前記電極と電気的に接続されたライン状の配線部１５とを備えている。前記配線部１５は、シード部１３とその上に配された導電部１４とからなる積層体を構成しており、該積層体の長手方向の側面下部のアンダーカット部には少なくとも絶縁性の補強部材１９が埋設されている。 （もっと読む）

【課題】被エッチング膜に堆積されるハロゲン化カーボン膜およびハロゲン化シリコン膜を効果的に除去することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン膜と酸化シリコン膜および窒化シリコン膜の少なくとも一方の層が成膜された半導体基板をハロゲンを含むエッチングガスによりドライエッチング処理する際、エッチング面に堆積されるハロゲン化カーボン膜およびこのハロゲン化カーボン膜上のハロゲン化シリコン膜を除去する工程を含む半導体装置の製造方法であって、前記ハロゲン化カーボンおよびハロゲン化シリコンの除去は、前記ドライエッチング後に希フッ酸水溶液でウェットエッチング処理する工程と、前記エッチング面を含む全面にＯＨまたはＨを含む有機材料膜を被覆した後、酸素プラズマによりアッシングする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】メモリセルと周辺回路を備えた半導体装置において、周辺回路領域にキャパシタを、マスク工程を増加させることなく形成する。
【解決手段】
メモリセルと周辺回路を備えた半導体装置において、前記周辺回路領域に形成されるキャパシタは、前記メモリセル領域のゲート電極と同時に形成される下部電極と、前記メモリセル領域において前記コンタクトホール内壁面を覆う絶縁膜と同時に形成される容量絶縁膜と、前記コンタクトホールに形成されるコンタクトプラグと同時に形成される上部電極とを備える。 （もっと読む）

集積回路内で使用するための導電性および／または半導電性のフィーチャを形成する方法を開示する。種々のパターン転写ステップおよびエッチング・ステップをピッチ縮小技術と組み合わせて用いて、高密度実装フィーチャを生成することができる。フィーチャは、１つの方向に縮小ピッチを有し、別の方向に広いピッチを有することができる。従来のフォトリソグラフィ・ステップをピッチ縮小技術と組み合わせて用いて、たとえばビット線コンタクト（７３２）など、細長いピッチ縮小フィーチャを形成することができる。いくつかの実施形態では、コンタクト（７３２）は、マスキング材料の複数の層が上にある絶縁層（３３４）を設けることによって形成することができる。次に、一連の選択的に画定可能な線（１２４）をマスキング材料中に形成することができ、そこでその線がパターンを有する。次に、スペーサ材料（１７０）を使用して線に対してピッチ縮小を実施すると、スペーサ軸に沿って延びるピッチ縮小マスキング線（１７５）を生成することができる。したがって、ピッチ縮小空所によって各ピッチ縮小マスキング線（１７５）を分離することができる。次に、マスキング・フィーチャの一部分と交差するフォトレジストの第２のパターン（たとえば第２のマスク４８０のパターン）を付けることができる。第２のパターンは、ピッチ縮小マスキング線（１７５）、および隣接するピッチ縮小空所をフォトレジストで覆われないままにする窓（４８２）を有することができる。窓（４８２）は、ピッチ縮小マスキング線の長軸に対して平行ではない長軸を有することができる。次に、一部にはピッチ縮小空所によって画定された第３のパターンを介して絶縁層（３３４）をエッチングすると、絶縁層（３３４）中にコンタクトビア（５８４）を生成することができる。コンタクトビア（５８４）を導電材料で充填して電気コンタクト（７３２）を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】 開口部が垂直な構造で、かつ膜厚が10μm以上となっても、再配線、引出導体のカバレッジ性および信頼性を向上させるとともに、垂直な開口を形成することによって開口部分のパターンの精度を向上させる。
【解決手段】 回路素子か形成された半導体基板上に絶縁層を介してインダクタを形成し、半導体基板内の回路素子とインダクタを接続する導体パターンを形成する複合電子部品の製造方法において、絶縁層の一部に凹部を形成して回路素子に接続された導体パターンを引き出し、その凹部に薄膜導体による下地電極層を形成し、その下地電極層上に電解めっきによって厚膜導体を形成してインダクタと接続する。 （もっと読む）

【解決手段】基板の上に銅を形成するための方法であって、銅源溶液を混合器に供給する工程と、還元溶液を混合器に供給する工程と、銅源溶液と還元溶液とを混合して、約６．５より大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、メッキ溶液を基板に供給する工程と、を備え、基板は、触媒層を備え、メッキ溶液を基板に供給する工程は、触媒層を形成する工程と、制御された環境に触媒層を維持する工程と、触媒層の上に銅を形成する工程とを備える、方法が開示されている。また、銅構造を形成するためのシステムも開示されている。 （もっと読む）

【課題】ＭＩＳＦＥＴの微細化を推進することのできる絶縁膜形成技術を提供する。
【解決手段】ＭＩＳＦＥＴ（Ｑｓ、Ｑｎ、Ｑｐ）のゲート電極９上に形成する平坦化絶縁膜として、ＨＳＱ−ＳＯＧ膜を約８００℃の高温で熱処理したＳＯＧ膜１６を使用する。また、上層の配線（５４、５５、５６、６２、６３）間の層間絶縁膜として、上記のような高温の熱処理を施さないＨＳＱ−ＳＯＧ膜５７を使用する。 （もっと読む）

【課題】保護絶縁膜で配線溝および接続孔の内面に露出する多孔質の低誘電率膜を被覆することで、導通不良、耐圧不良、信頼性不良等の不具合を抑制して、高性能かつ高歩留まり、高信頼性の多層配線を提供することを可能とする。
【解決手段】多孔質の低誘電率膜２１を有する層間絶縁膜と、層間絶縁膜に形成された配線溝２３とこの配線溝２３に接続する接続孔２４と、配線溝２３の内面と接続孔２４の側壁に露出した多孔質の低誘電率膜２１を被覆するように接続孔２４底部を除く接続孔２４の内面および配線溝２３の内面に形成された保護絶縁膜２５と、配線溝２３の内面および接続孔２４の内面に保護絶縁膜２５を介して形成されたバリアメタル膜２６と、配線溝２３の内部および接続孔２４の内部に保護絶縁膜２５、バリアメタル膜２６を介して形成された配線材料膜２８とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】ゲートパターン形成後に行うライト酸化時に、タングステンシリサイド膜などのシリサイド膜の側面が膨出する現象を防止することができる半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板２１上にゲート絶縁膜２３を形成するステップと、ゲート絶縁膜２３上にポリシリコン膜２４、シリサイド膜２５及びハードマスク形成用膜の順に積層するステップと、ハードマスク２６を形成するステップと、ハードマスク２６をエッチングバリアとしてシリサイド膜２５をエッチングし、側面にアンダーカット状凹部２５Ａを形成するステップと、ハードマスク２６をエッチングバリアとして、ポリシリコン膜２４をエッチングして、ゲートラインを形成するステップと、ライト酸化により、ポリシリコン膜２４及びシリサイド膜２５の側面を酸化するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホール形成の際に下部金属層のエッチングを防止し、上部金属層と下部金属層間の接触抵抗値の変化を最小化する事が可能な半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】第１内部金属層３６、前記第１金属層３７、および前記第２内部金属層３８を含む下部金属層を形成し、その上にコンタクトホール停止導電層４０を形成する。下部金属層及びコンタクトホール停止導電層４０をエッチングしてパターニングする。全体構造上にＩＭＤ酸化膜４３を蒸着した後、第２コンタクトホールを形成する。前記第２コンタクトホール内にコンタクトプラグ４６を形成する。前記コンタクトプラグの形成された前記ＩＭＤ酸化膜の上部全体に、第３内部金属層４７、第２金属層４８、および第４内部金属層４９を順次蒸着し、前記第３内部金属層、前記第２金属層、および前記第４内部金属層を含む上部金属層を形成する。 （もっと読む）

【課題】エアギャップを形成する際にミスアライメントビアがエアギャップを貫通するのを極力低減すること。
【解決手段】ダミーフィーチャ（４８ａ，４８ｂ）が、層間誘電体層（３６）内に形成される。一実施形態では、非ギャップ充填誘電体層（７２）がダミーフィーチャ上に形成され、ダミーフィーチャ間、またはダミーフィーチャと導電領域（４４）間に空隙（７４）を形成する。一実施形態では、パッシベーション膜（３２および５４）が無電解めっきによって形成され、下層にある導電性領域（４４，４８ａ，４８ｂ，および３０）をエアギャップ（７４）が貫通するのを保護する。さらに、パッシベーション膜は、下層にある導電性領域に覆い被さって、それにより、導電性領域に隣接するダミーフィーチャを画定する。パッシベーション膜は、追加のパターニング工程なしに形成することができ、ミスアライメントビアがエアギャップを貫通するのを極力低減する。 （もっと読む）

【課題】 大きなアスペクト比を有するシリンダ孔の開孔に際して、ボーイングの発生を抑制できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、半導体基板１１の主面上部にシリンダ孔形成用絶縁膜２２を成膜する工程と、シリンダ孔形成用絶縁膜２２を貫通し半導体基板１１に達する放電プラグ２７を形成する工程と、放電プラグ２７及びシリンダ孔形成用絶縁膜２２上に導電性ハードマスク２６を形成する工程と、導電性ハードマスク２６を用いてシリンダ孔形成用絶縁膜２２をエッチングしてシリンダ孔２９を形成しシリンダ孔２９内に下部電極３０を形成する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】 高周波における導電部の電気的抵抗が低く、かつ高密度実装が可能となる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１と、その上に設けられた絶縁層２と、絶縁層２上にあって回路を構成する導電部３とを備え、導電部３には、上面４ａおよび下面４ｂにのみ凸部５、６が形成され、凸部５、６は、電流が流れる方向に延在する。 （もっと読む）

【課題】
半導体チップの小型化を容易に行うことができる半導体チップの電極構造を提供する。
【解決手段】
半導体チップ１０は、多層配線に接続された電極パッド３０と、電極パッド３０の周囲の基板２０を被覆する保護膜４０と、保護膜４０の上に設けられた第１の絶縁膜５０と、電極パッド３０および第１の絶縁膜５０の上の所定領域に設けられ、電極パッド３０と水平位置が異なる領域に電極接続領域８２を有する導電層８０と、電極接続領域８２を露出させた状態で導電層８０を被覆する第２の絶縁膜９０とを備える。導電層８０と電極パッド３０および第１の絶縁膜５０との間に密着層６０およびシード層７０が設けられている。 （もっと読む）

【課題】 チャンバのクリーニング及びシーズニングの影響を考慮に入れたプラズマ・エッチ・ツールにおけるエッチング線寸法制御のための方法及びシステムを提供する。
【解決手段】 エッチングされた構造部（１５０）の寸法を制御するための方法及びシステムである。この方法は、マスク構造部寸法値を得るために、基板（１００）上の層（１１０）の上面に形成されたマスク構造部（１４５）を測定するステップと、マスク構造部寸法値、マスク構造部寸法目標値（２５５）、層をプラズマ・エッチングする（２７５）ためのプラズマ・エッチ・ツール（１８０）の１つ又は複数のチャンバに生じた事象以降の、プラズマ・エッチ・ツールの選択された無線周波数電源投入時間の合計、及び、層のプラズマ・エッチ（２７５）の間にマスク構造部によって保護されていない層から形成されることになる層構造部についてのエッチ・バイアス目標に基づいて、マスク・トリム・プラズマ・エッチ時間を計算する（２６５）ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 必要なめっき膜と隣接する厚いダミーめっき膜であっても、短時間に確実に除去可能な電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 前記ダミーめっき用電極パターンの電極２２として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態で、加圧した窒素を吹き付けたり、全体を振動させる等の物理的な刺激を与え、ダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜４５を除去し、残留している低融点金属膜及び不要なめっき用電極パターン２０をエッチング、イオンミリング等の手法で除去する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い電気装置を製造するための電気部品を得る。
【解決手段】本発明の電気部品２は、底面電極膜１２と、底面電極膜１２上に形成された接続部２０とを有しており、接続部２０は中間電極膜１７と、上部電極膜２５とで構成されている。上部電極膜２５は、導電性粒子を有する接続用樹脂で構成されており、従って、中間電極膜１７上には予め導電性粒子が配置されたことになるので、この電気部品２を他の電気部品３と接続する際に、異方導電性接着剤を用いなくても、中間電極膜１７と受側電極膜３２との間に導電性粒子が配置されたことになり、中間電極膜１７と受側電極膜３２とが導電性粒子を介して確実に接続される。 （もっと読む）

【課題】
バンプあるいは配線などの厚膜のメッキ造形物を精度よく形成することができる製造方法、この製造方法に好適な感度、解像度などに優れるネガ型感放射線性樹脂組成物、および該組成物を用いた転写フィルムを提供する。
【解決手段】
(Ａ)下記一般式（１）で表される構造単位を含有する重合体、（Ｂ）少なくとも１個のエチレン性不飽和二重結合を有する化合物、および（Ｃ）感放射線性ラジカル重合開始剤を含有するネガ型感放射線性樹脂組成物およびこの組成物を用いたネガ型感放射線性樹脂膜を製造する。
【化１】
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