無電解銅メッキによってパターン化銅線を形成するためのシステムおよび方法
【解決手段】基板の上に銅を形成するための方法であって、銅源溶液を混合器に供給する工程と、還元溶液を混合器に供給する工程と、銅源溶液と還元溶液とを混合して、約６．５より大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、メッキ溶液を基板に供給する工程と、を備え、基板は、触媒層を備え、メッキ溶液を基板に供給する工程は、触媒層を形成する工程と、制御された環境に触媒層を維持する工程と、触媒層の上に銅を形成する工程とを備える、方法が開示されている。また、銅構造を形成するためのシステムも開示されている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、半導体製造処理に関し、特に、無電解銅メッキによってパターン化銅線を形成するためのシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
相互接続処理で用いる銅線の形成は、通例、デュアルダマシン処理で実行される。デュアルダマシン処理では、誘電材料にトレンチが形成され、トレンチに充填されるようにバリア金属および銅が析出され、余剰メッキが形成される。トレンチに隣接する領域の余剰メッキは、通例、化学機械平坦化処理によって除去される。当業者に周知のように、異なるレベルのトレンチが、銅で充填されたビアホールによって接続される。
【０００３】
金属間誘電体は、ますます低い誘電率になり、より壊れやすく多孔質になり、材料をエッチング、洗浄、および、平坦化するために用いられる標準的な処理技術に適合しなくなっているため、デュアルダマシン技術を統合することが、より困難になっている。さらに、低誘電材料の多孔性の増大は、この統合の問題によって制限される。誘電材料を完全に排除し、銅線間の誘電体として空隙を用いることが望ましいが、現在のところ、空隙誘電体を実現できる実行可能な統合方法は存在しない。
【０００４】
通例、無電解銅メッキは、還元剤を含むアルカリ溶液に銅イオンを混合した溶液を利用する。このアルカリ溶液内に、半導体ウエハなどの基板が配置される。基板上の触媒表面の存在下で、銅イオンは、還元剤によって還元され、基板の表面上に銅の層または膜を形成する。
【０００５】
無電解メッキ溶液で用いられる一般的な還元剤は、アルデヒド（例えば、ホルムアルデヒド）溶液である。ホルムアルデヒドは、実質的に銅イオンを元素銅に還元する。残念ながら、この還元処理は、銅のマトリクス内に組み込まれる場合がある水素を生成し、その水素は、ボイドの原因となって、析出した銅層の質を低下させる。
【０００６】
典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキ処理の別の制限は、結果として形成される酸化銅層の成長速度が比較的遅いことである。例えば、典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキは、毎分約１００ないし５００オングストロームの最大成長速度を有する。この制限された成長速度では、厚い膜（例えば、約１００ミクロンを超える厚さ）を成長させるには、時間が掛かりすぎる。成長速度があまりに制限されているため、典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキ処理は、大きいウエハ処理量を実現するためには、バッチウエハ処理を必要とする。しかしながら、バッチウエハ処理は、各バッチのウエハを通して所望の処理結果を正確かつ反復可能に実現することが困難な場合がある。
【０００７】
典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキ処理のさらに別の制限は、アルカリ溶液のアルカリ性である。特定の銅構造（例えば、パターン化銅線）を形成しつつ、銅の一様な被覆を形成しないことが望ましい（例えば、空隙誘電体または他の処理を考慮した場合）。フォトレジスト層にリソグラフィ処理を施すと、事前にパターン化された形状を形成できる。典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキ処理では、典型的なフォトレジストパターニング処理で構造が形成される必要がある。残念ながら、フォトレジストは、アルカリ溶液との反応性が高く、そのアルカリ性によって実質的に損傷したり、場合によっては、完全に破壊されたりする。その結果、まず、アルカリ溶液と反応しない保護層をフォトレジストパターンの上に形成する必要がある。保護層は、無電解銅メッキ処理中の典型的なアルカリ溶液による損傷からフォトレジストパターンを保護する。
【０００８】
また、フォトレジストは、アルカリ無電解化学剤と適合する材料の下層にパターンを移すために用いられてもよい。次いで、フォトレジストは除去され、所望の銅構造のポジ像に銅線が形成される。この例では、パターニング層は、相互接続層の一体部分になる低誘電材料、または、犠牲材料として除去されうる低誘電率材料である。いずれの場合でも、この材料の除去は、事前に形成されたフォトレジストパターンの除去よりも困難である。
【０００９】
以上の点から、毎分５００オングストロームを超える成長を実現しつつ銅線の間を空隙誘電体で分離することを可能にする無電解銅メッキによって、パターン化銅線を形成するための簡単なシステムおよび方法が求められている。
【発明の開示】
【００１０】
概して、本発明は、上述の要求を満たすために、無電解銅メッキによってパターン化銅線を形成するためのシステムおよび方法を提供する。本発明は、処理、装置、システム、コンピュータ読み取り可能な媒体、または、デバイスを含む種々の形態で実施できることを理解されたい。以下では、本発明の実施形態をいくつか説明する。
【００１１】
一実施形態は、基板の上に銅を形成するための方法であって、銅源溶液を混合器に供給する工程と、還元溶液を混合器に供給する工程と、銅源溶液と還元溶液とを混合して、約６．５より大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、メッキ溶液を基板に供給する工程と、を備え、基板は、触媒層を備え、メッキ溶液を基板に供給する工程は、触媒層の上に銅を形成する工程を備える、方法を提供する。
【００１２】
メッキ溶液は、メッキ溶液を基板に供給するのと実質的に同時に形成されることが可能である。メッキ溶液は、約７．２から約７．８の間のｐＨを有してよい。メッキ溶液は、触媒層の上に銅を形成した後に廃棄されることが可能である。
【００１３】
基板は、パターン化フォトレジスト層を備えてよく、パターン化フォトレジスト層は、触媒層の第１の部分を露出させ、メッキ溶液を基板に供給する工程は、触媒層の第１の部分の上に銅を形成する工程を備えてよい。その方法は、さらに、メッキ溶液を基板から除去する工程と、基板をリンスする工程と、基板を乾燥する工程とを備えてよい。
【００１４】
その方法は、さらに、パターン化フォトレジストを除去する工程を備えてよい。パターン化フォトレジストを除去する工程は、触媒層の第２の部分を露出させる。触媒層の第２の部分も、除去されることが可能である。
【００１５】
メッキ溶液は、保護されていないフォトレジストと適合する。触媒層の上に形成された銅は、実質的に元素銅であってよい。触媒層の上に形成された銅は、実質的に水素含有物を含まない。
【００１６】
触媒層の上に形成された銅は、毎分約５００オングストロームよりも大きい速さで形成される。メッキ溶液は、動的液体メニスカスを通して基板に供給されてよく、動的液体メニスカスは、近接ヘッドと基板の表面との間に形成される。銅源溶液は、酸化銅源と、錯化剤と、ｐＨ調整剤と、ハロゲン化物イオンとを含んでよい。還元溶液は、還元イオンを含んでよい。
【００１７】
触媒層は、２以上の層を含んでよい。触媒層は、下部反射防止膜（ＢＡＲＣ）層を含んでよい。
【００１８】
別の実施形態は、基板の上にパターン化銅構造を形成するための方法を提供する。その方法は、基板を受け入れる工程を備え、基板は、基板の上に形成された触媒層と触媒層の上に形成されたパターン化フォトレジスト層とを備える。パターン化フォトレジスト層は、触媒層の第１の部分を露出させて、触媒層の第２の部分を覆う。銅源溶液が混合器に供給され、還元溶液が混合器に供給される。銅源溶液と還元溶液とが混合され、約７．２から約７．８の間のｐＨを有するメッキ溶液が形成される。メッキ溶液は、基板に供給され、触媒層の第１の部分の上に銅が形成される。
【００１９】
さらに別の実施形態は、低圧処理チャンバと、大気圧処理チャンバと、低圧処理チャンバおよび大気圧処理チャンバの各々に接続された移送チャンバと、を備え、移送チャンバは、制御された環境を備える。移送チャンバは、低圧処理チャンバから大気圧処理チャンバに基板を移送する際に、制御された環境を提供する。低圧処理チャンバ、大気圧処理チャンバ、および、移送チャンバには、さらに、制御部が接続されている。制御部は、低圧処理チャンバ、大気圧処理チャンバ、および、移送チャンバの各々を制御するためのロジックを備える。
【００２０】
低圧処理チャンバは、プラズマエッチング／除去チャンバを含みうる２以上の低圧処理チャンバを含んでよく、大気圧処理チャンバは、銅メッキチャンバを含んでよい。銅メッキチャンバは、混合器を備えてよい。プラズマチャンバは、ダウンストリームプラズマチャンバであってよい。エッチング／除去チャンバの内の少なくとも一つは、湿式処理チャンバであってよい。
【００２１】
移送チャンバは、入力／出力モジュールを備えてよい。制御部は、レシピを備えてよく、そのレシピは、パターン化基板を銅メッキチャンバ内にロードするためのロジックと、銅源溶液を混合器に供給するためのロジックと、還元溶液を混合器に供給するためのロジックと、銅源溶液と還元溶液とを混合して、約６．５よりも大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成するためのロジックと、メッキ溶液をパターン化基板に供給するためのロジックと、を含み、パターン化基板は、触媒層を備え、メッキ溶液を基板に供給することは、触媒層の上に銅を形成することを含む。
【００２２】
パターン化基板は、触媒層の上に形成されたパターン化フォトレジスト層を備えてよく、パターン化フォトレジスト層は、触媒層の第１の部分を露出させ、触媒層の第２の部分を覆う。プラズマチャンバは、ダウンストリームプラズマチャンバであってよい。
【００２３】
本発明のその他の態様および利点については、本発明の原理を例示した添付図面を参照しつつ行う以下の詳細な説明から明らかになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
無電解銅メッキによってパターン化銅線を形成するためのシステムおよび方法のいくつかの例示的な実施形態について説明する。当業者にとって明らかなように、本発明は、本明細書で説明する具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施可能である。
【００２５】
本発明は、フォトレジストと実質的に反応せず、毎分約５００オングストロームを超える高い成長速度を可能にする改良銅メッキ処理のためのシステムおよび方法を提供する。かかる高成長速度により、典型的なバッチウエハ処理ではなく枚葉式ウエハ処理に対して有効なスループットを可能にする。ただし、本発明をバッチ（例えば、複数ウエハ）処理に利用できることを理解されたい。
【００２６】
高速の無電解メッキ処理は、実質的に中性の溶液（または、酸性であってもよい）にけん濁された銅イオンを含んでよい。中性または酸性の溶液は、フォトレジストと反応しない。したがって、フォトレジストに保護層を追加する処理工程および／または従来技術のアルカリ性の無電解メッキ溶液と反応しない材料でパターンを形成する処理工程を追加する必要なく、フォトレジストパターニングを用いて、所望の銅構造を直接規定することができる。
【００２７】
高速無電解メッキ処理は、毎分約２５００オングストロームまでの銅層を形成できる。したがって、高速無電解メッキ処理は、典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキ処理よりも大幅に速く、より厚い銅層を形成できる。その結果、高速無電解メッキ処理を用いると、典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキ処理では形成できないような、より厚い銅構造を形成することができる。
【００２８】
高速無電解メッキ処理は、還元剤として、アルデヒドの代わりに、コバルトイオン（例えば、Ｃｏ＋、Ｃｏ＋２、および、Ｃｏ＋３）を用いることを含んでよい。コバルトイオンは、わずかな水素しか発生させずに、実質的に酸化銅を元素銅に還元する。
【００２９】
高速無電解メッキ処理は、フォトレジストパターニングを用いて、所望の銅構造を直接形成できるため、上述のデュアルダマシン法を用いて従来の埋め込み銅線（in-laid copper lines）を形成するために必要ないくつかの処理工程が必要なくなる。具体的には、フォトレジストを保護するための保護層が必要なくなる。さらに、パターニング材料を除去するためのエッチング処理も排除される。また、これにより、変更された統合パスまたは処理では、処理動作を減少させることにより、製造時間を低減しつつスループットを増大させることが可能になる。
【００３０】
高速無電解メッキ処理によって形成された銅構造は、集積回路のパッケージングにおいて、または、三次元パッケージング相互接続において、集積回路への電気接続を形成するために利用可能なワイヤボンドパッドおよびボールグリッドアレイを含んでよい。また、自立銅構造（free-standing copper structures）は、金属線の間の空隙の形成および利用を可能にすることで、金属間の空間の誘電率を低減することができる。例えば、空隙誘電体を形成する場合に、基板は、空隙または低誘電体のための「プレースホルダ」である形状を備えるよう、事前にパターニングされることが可能である。プレースホルダは、容易に除去可能である。事前にパターニングされる形状は、リソグラフィ処理によってフォトレジストに形成されてよく、それにより、エッチングパターニング工程を排除できる。
【００３１】
図１は、本発明の一実施形態に従って、非アルカリの無電解銅メッキで銅構造を形成する際に実行される方法の動作１００を示すフローチャートである。図２Ａないし２Ｆは、本発明の一実施形態に従って、基板（例えば、ウエハ）２００上に形成された銅構造２０８を示す図である。動作１０５において、基板２００が受け入れられる。基板２００は、銅相互接続構造を形成できるように、事前に準備される。この事前準備は、任意の適切な方法で実行可能である。
【００３２】
図１および２Ａを参照すると、動作１１０において、触媒層２０２が、基板２００上に形成される。触媒層２０２は、任意の適切な材料、または、複数の材料の組み合わせ、および、複数材料の複数の層であってよい。例えば、触媒層２０２は、タンタル、ルテニウム、ニッケル、ニッケルモリブデン、チタン、窒化チタン、または、その他の適切な触媒材料で形成されてよい。触媒層２０２は、できる限り薄くても（例えば、原子または分子の単分子層）よいし、単分子層から約５００オングストロームまでの厚さであってもよい。複数層の組み合わせも用いられてよい。例えば、基板２００の上にタンタル層が形成されて、タンタル層の上にルテニウム層が形成されてよい。タンタル層は、約３６０オングストローム厚であってもよいし、それより薄くてもよい。ルテニウム層は、例えば、酸化タンタルの形成から、タンタル層を保護するために利用されてよい。ルテニウム層は、約１５０オングストロームの厚さであってもよいし、それより薄くてもよい。
【００３３】
触媒層２０２の形成は、光反射防止膜（例えば、ＢＡＲＣ）層２０４の形成を含んでもよい。ＢＡＲＣ層２０４は、例えば、約６００オングストローム厚であってよい。ＢＡＲＣ層２０４は、当技術分野で周知のものであり、露光工程の間の建設的および相殺的干渉を低減することによりリソグラフィ性能を改善させる。
【００３４】
動作１１５において、フォトレジスト層２０６が、触媒層２０２の上に形成される。フォトレジスト層２０６は、約６０００オングストローム厚であってもよいし、それより厚くても薄くてもよい。フォトレジスト層２０４は、当分野で周知のように任意の適切なフォトレジスト材料であってよい。動作１２０において、フォトレジスト層２０６はパターニングされる。フォトレジスト層２０６のパターニングは、ＢＡＲＣ層が備えられている場合には、光ＢＡＲＣ層２０４のパターニングも含む。
【００３５】
ここで、図１および２Ｂを参照すると、動作１２５において、フォトレジスト層２０６の不必要な部分が除去されて、フォトレジスト層の必要な部分２０６Ａだけが残される。光ＢＡＲＣ層２０４の露出部分２０４Ａは、プラズマエッチング処理によって除去される。例えば、ＢＡＲＣは、Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社の２３００ Ｅｘｅｌａｎ（登録商標）プラズマエッチャを用いて、約２０ないし約９０秒の間、約２０℃、４０−１００ｍＴｏｒｒ、２００−７００Ｗ＠２７ＭＨｚ、５００−１００Ｗ＠２ＭＨｚ、１００−５００ｓｃｃｍのアルゴン、０−１００ｓｃｃｍのＣＦ4、０−３０ｓｃｃｍの酸素、０−１５０ｓｃｃｍの窒素、０−１５０ｓｃｃｍの水素、および、０−１０ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8の設定で除去されてよい。材料の要件に応じて、上記のガスおよび設定を様々な組み合わせおよび順列で用いてよい。当業者であれば、誘電結合プラズマ源（例えば、Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社のＶｅｒｓｙｓ（商標）プラズマ処理チャンバ）を用いてＢＡＲＣを除去することもできることを理解されたい。
【００３６】
ここで、図１および２Ｃを参照すると、動作１３０において、必要であれば、触媒層２０２の露出部分２０２Ａ上の任意の酸化物または他の残留物が除去される。触媒層の露出部分２０２Ａ上の任意の酸化物または他の残留物を除去する方法の一つは、プラズマによるラジカルを触媒層の露出部分２０２Ａに当てることを含む。例えば、露出部分２０２Ａ上の酸化物および他の残留物は、以下のレシピでＬａｍ ２３００Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｔｒｉｐチャンバまたは同様のチャンバ内で生成されたラジカルを当てることによって除去されてよい。レシピは、１Ｔｏｒｒで７００ｓｃｃｍのヘリウム搬送ガスにおける３．９％濃度の水素、１ｋＷ、約５分間、である。３．９％の水素に代えて、または、追加して、アンモニア（ＮＨ3）または一酸化炭素（ＣＯ）を用いてもよい。あるいは、温度を上げて、１００％の水素を用いてもよい。例えば、約５０ないし約３００℃の温度を用いてよいが、温度の上限は、フォトレジストおよびＢＡＲＣの材料が、上昇した温度条件に耐えられる能力によって決まる。さらなる例では、短く制御されたプラズマ酸化処理を用いて任意の有機汚染物質を除去した後に、上述の還元動作によって元素金属状態の状態になるように酸化物を変化させる（すなわち、還元する）ことを含んでよい。動作１３２において、基板は、制御環境下で（すなわち、低酸素および低湿度に維持するためにインサイチュで）、無電解メッキ処理チャンバに移される。これにより、動作１３０で形成された還元表面は、触媒層として保持される。
【００３７】
ここで、図１および２Ｄによると、動作１３５において、非アルカリ無電解銅メッキ処理が基板２００に施されて、銅構造２０８が形成される。非アルカリ無電解銅メッキ処理については、図３を参照して詳述する。非アルカリ無電解銅メッキ処理は、毎分５００ないし２０００オングストロームの元素銅を生成できる。非アルカリ無電解銅メッキ処理は、垂直または水平の浸漬方法で基板に施されてよい。あるいは、非アルカリ無電解銅メッキ処理は、後に詳述する動的液体メニスカスによって基板２００に施されてもよい。
【００３８】
ここで、図１および２Ｅによると、動作１４０において、フォトレジスト層の残り部分２０６Ａが除去されて、触媒層２０２Ｂの一部が露出される。光ＢＡＲＣ層２０４が含まれていた場合には、フォトレジスト層の残り部分２０６Ａが除去される時、または、その後に、光ＢＡＲＣ層の残り部分２０４Ｂも除去される。フォトレジストおよびＢＡＲＣ層は、プラズマ処理で除去されてよい。随意的に、水系、準水系、または、非水系溶媒を用いて、湿式化学フォトレジスト除去工程を実行してもよい。残りのフォトレジスト２０６Ａと光ＢＡＲＣ層の残り部分２０４Ｂとを除去するためのレシピの一例は、約３０℃未満の温度、約５ｍＴｏｒｒの圧力、アルゴンの約５０ｓｃｃｍと酸素の３５０ｓｃｃｍとの流量で、約２７ＭＨｚで約１０００−１４００Ｗの電源電力を約３分印加することを含む。次に、約３０℃より高い温度、約５ｍＴｏｒｒの圧力、アルゴンの５０ｓｃｃｍと酸素の３５０ｓｃｃｍとの流量で、約２７ＭＨｚの１２００Ｗの電源電力と、約５００Ｗのバイアス電力とが、約３０秒間印加される。このさらなるバイアス電力により、エッチング処理は、銅構造２０８の間の空間２１０への方向性が高くなる。例えば、ＢＡＲＣは、Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社の２３００ Ｅｘｅｌａｎ（登録商標）プラズマエッチャを用いて、約２０ないし約９０秒の間、約２０℃、４０−１００ｍＴｏｒｒ、２００−７００Ｗ＠２７ＭＨｚ、５００−１００Ｗ＠２ＭＨｚ、１００−５００ｓｃｃｍのアルゴン、０−１００ｓｃｃｍのＣＦ4、０−３０ｓｃｃｍの酸素、０−１５０ｓｃｃｍの窒素、０−１５０ｓｃｃｍの水素、および、０−１０ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8の設定で除去されてよい。材料の要件に応じて、上記のガスおよび設定を様々な組み合わせおよび順列で用いてよい。当業者であれば、誘電結合プラズマ源（例えば、Ｌａｍ社のＶｅｒｓｙｓ（商標）プラズマ処理チャンバ）を用いてＢＡＲＣを除去することもできることを理解されたい。
【００３９】
ここで、図１および２Ｆによると、動作１４５において、触媒層２０２の露出部分２０２Ｂが除去される。触媒層２０２の露出部分２０２Ｂを除去することにより、触媒層の露出部分が、残りの自立した銅構造２０８に電気的に接続することが、実質的に防止される。Ｌａｍ ２３００ Ｖｅｒｓｙｓプラズマエッチャを用いて、触媒層２０２の露出部分２０２Ｂを除去するためのレシピの一例は、約２０ないし約５０℃の温度、約５００Ｗの電源電力および約２０−１００Ｗのバイアス電力、約５０ｍＴｏｒｒの圧力、約３０ｓｃｃｍのＣＦ4および７５ｓｃｃｍのアルゴンの流速、約１分の持続時間、を含む。Ｃ4Ｆ8などの他のハロゲン含有ガス、または、ＣＦ4＋ＨＢｒなどのハロゲン含有ガスの混合ガスを、ＣＦ4に追加して、または、代わりに用いてもよい。自立銅構造２０８は、触媒層の残り部分２０２Ｃを含む。自立銅構造２０８の間には、空隙２１０が形成されている。空隙２１０は、自立銅構造２０８上に続いて形成される構造において、空気誘電体が利用されることを可能にする。空隙２１０は、約１０ｎｍ未満とそれよりも大きい値との間の幅を有してよい。自立銅構造２０８は、任意の所望の幅を有してよい。例えば、自立銅構造２０８は、約１０ｎｍ未満と約１００ｎｍよりも大きい値との間であってよい。自立銅構造２０８は、約３００ｎｍ以上の幅であってよい。自立銅構造２０８の最大幅は、基板の幅によってのみ制限される。
【００４０】
上述の動作１４０のフォトレジスト２０６Ａの除去は、必要に応じて（例えば、銅構造２０８への損傷を最小限に抑えるため、または、銅構造２０８の間のフォトレジストの完全除去を促進するために）、バイアス電力を用いて実行されてもよいし、用いないで実行されてもよい。その結果、銅構造２０８の間のフォトレジスト２０６Ａおよびその残留物をさらに除去するために、５００Ｗのバイアスを印加することを含む短いフォトレジスト除去動作を追加してもよい。５００Ｗのバイアスを印加することにより、触媒層を保護するためにルテニウム層も施されている場合には、そのルテニウムも除去される。
【００４１】
各動作１０５−１４５は、高温で起こりうる銅の移動を実質的に制限するために、約３００℃未満の低温で実行される。ＢＡＲＣの除去および前処理の動作も、高温でのフォトレジストの網状化（reticulation）を制限するために低温で実行される。
【００４２】
図３は、本発明の一実施形態に従って、高速非アルカリ無電解銅メッキ処理で実行される方法動作１３５を示すフローチャートである。図４Ａは、本発明の一実施形態に従って、メッキ処理ツール４００を示す簡略な説明図である。メッキ処理ツール４００は、第１のソース４１０と第２のソース４１２とを備える。第１のソース４１０は、或る量の第１の原料４１０Ａを含む。第２のソース４１２は、或る量の第２の原料４１２Ａを含む。第１のソース４１０および第２のソース４１２は、混合器４１６に接続されている。混合器４１６は、メッキチャンバ４０２に接続されている。メッキ処理ツール４００は、メッキチャンバ４０２に接続されたリンス溶液ソース４４０をさらに備えてもよい。リンス溶液ソース４４０は、或る量のリンス溶液４４０Ａを供給できる。
【００４３】
メッキ処理ツール４００は、制御部４３０をさらに備えてよい。制御部４３０は、メッキチャンバと混合器４１６とに接続されている。制御部４３０は、制御部に備えられたレシピ４３２に従って、メッキ処理ツールにおける動作（例えば、混合、充填、リンスなど）を制御する。
【００４４】
ここで、図３および４Ａによると、動作３０５において、基板２００は、メッキ動作に向けて、メッキチャンバ４０２内に配置される。
【００４５】
動作３１０および３１５において、混合器４１６は、第１の原料４１０Ａと第２の原料４１２Ａとを混合して、メッキ溶液４１６Ａを形成する。第１の原料４１０Ａは、銅イオンに対する還元イオン（例えば、Ｃｏ2+）である。第２の原料４１２Ａは、酸化銅源（例えば、Ｃｕ2+）と、錯化剤（例えば、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン）と、ｐＨ調整剤（例えば、ＨＮＯ3、Ｈ2ＳＯ4、ＨＣｌなど）と、ハロゲン化物イオン（例えば、Ｂｒ−、Ｃｌ−など）と、を含む。銅メッキ溶液に関するさらなる詳細事項および例については、２００６年５月１１日に出願されたＶａｓｋｅｌｉｓらによる共同所有の米国特許出願１１／３８２，９０６、「Ｐｌａｔｉｎｇ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｏｐｐｅｒ」と、２００６年６月２８日に出願されたＤｏｒｄｉらによる共同所有の米国特許出願１１／４２７，２６６、「Ｐｌａｔｉｎｇ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ ｆｏｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｏｐｐｅｒ」と、に詳述されており、これらの出願は、参照することにより、本明細書に組み込まれる。本願は、さらに、２００６年４月４日に出願されたＪｅｆｆｒｅｙ Ｍａｒｋｓによる共同所有の米国特許出願１１／３９８，２５４、「Ｍｅｔｈｏｄｓ ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｅａｔｕｒｅｓ ｏｎ Ｇｌａｓｓ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｕｓｅｄ ｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ」に関連しており、その出願は、参照により本明細書に組み込まれる。
【００４６】
動作３２０において、メッキ溶液４１６Ａは、混合器４１６からメッキチャンバ４０２に出力され、そこで、メッキ溶液は、基板２００に供給される。混合器４１６は、メッキチャンバ４０２における必要に応じて、第１の原料４１０Ａと第２の原料４１２Ａとを混合する。メッキ溶液４１６Ａは、約６．５より大きいｐＨを有し、少なくとも一実施形態においては、約７．２ないし約７．８の範囲のｐＨを有する。メッキ溶液４１６Ａは、実質的に、水素含有物によるボイドを引き起こすことなく、元素銅の層を形成する。
【００４７】
動作３２５において、基板２００は、メッキ溶液４１６Ａから取り出される。メッキ溶液４１６Ａからからの基板２００の取り出しは、メッキチャンバ４０２からの基板２００の取り出し、および／または、メッキチャンバ４０２からのメッキ溶液４１６Ａの取り出し、を含んでよい。
【００４８】
動作３３０において、基板２００は、リンス溶液内でリンスされる。例えば、動作３２５において、メッキ溶液４２６Ａが、メッキチャンバ４０２から除去されてよく、リンス溶液４４０Ａが、基板２００から任意の残りのメッキ溶液４１６Ａを実質的に除去するために、メッキチャンバに導入されてよい。
【００４９】
動作３３５において、基板２００は乾燥されてよい。例えば、基板２００は、メッキチャンバ４０２から取り出されて、リンスおよび乾燥のために、第２のチャンバ（例えば、スピン・リンス・ドライチャンバ）に配置されてよい。あるいは、メッキチャンバ４０２が、基板２００をリンスおよび乾燥するために必要な機構を備えてもよい。
【００５０】
例えば、メッキチャンバ４０２は、基板２００のリンスおよび乾燥が可能な近接ヘッド４５０を備えてよい。近接ヘッド４５０は、さらに、メッキ溶液を基板に供給することができる。
【００５１】
図４Ｂは、本発明の一実施形態に従って、近接ヘッド４５０によって実行可能な基板処理の一例の一実施形態を示す図である。図４Ｂは、基板２００の上面４５８ａが処理されている様子を示すが、基板処理は、ウエハ２００の下面４５８ｂに対しても実質的に同じように実現できることを理解されたい。図４Ｂは、基板乾燥処理を図示しているが、同様に、多くの他の加工処理が、基板表面に施されてもよい。ソース流入口４６２を用いて、基板２００の上面４５８ａにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気を供給してよく、ソース流入口４６６を用いて、基板２００の上面４５８ａに脱イオン水（ＤＩＷ）またはその他の処理薬剤を供給してよい。さらに、ソース流出口４６４を用いて、ウエハ表面に近接する領域に真空を作用させ、上面４５８ａの上または近傍に存在しうる流体または蒸気を除去してよい。ソース流入口４６２の少なくとも１つが、ソース流出口４６４の少なくとも１つに隣接し、そのソース流出口４６４が、ソース流入口４６６の少なくとも１つに隣接する組み合わせが少なくとも１つ存在する限りは、任意の適切な組み合わせのソース流入口およびソース流出口を用いてよいことを理解されたい。ＩＰＡは、例えば、Ｎ2搬送ガスによって蒸気の形態でＩＰＡが入力されるＩＰＡ蒸気など、任意の適切な形態でよい。さらに、本明細書ではＤＩＷが用いられているが、例えば、他の方法で精製された水、洗浄流体、その他の処理流体および薬剤など、ウエハ処理を可能とするか、強化できるものであれば、任意の適切な流体を用いてよい。一実施形態では、ＩＰＡ蒸気の流入４６０がソース流入口４６２を通して供給され、真空４７２がソース流出口４６４を通して作用されてよく、ＤＩＷの流入４７４がソース流入口４６６を通して供給されてよい。したがって、流体の膜が基板２００上に存在する場合に、ＩＰＡの流入４６０によって第１の流体圧力を基板表面に作用させると共に、ＤＩＷの流入４７４によって第２の流体圧力を基板表面に作用させつつ、基板表面上のＤＩＷ、ＩＰＡ、および、流体の膜を除去するために、真空４７２によって第３の流体圧力を作用させてよい。
【００５２】
したがって、一実施形態では、ＤＩＷの流入４７４およびＩＰＡ蒸気の流入４６０がウエハ表面に供給されると、ウエハ表面上のすべての流体が、ＤＩＷの流入４７４と混合される。この際、ウエハ表面に供給されるＤＩＷの流入４７４は、ＩＰＡ蒸気の流入４６０と衝突する。ＩＰＡは、ＤＩＷの流入４７４と共に界面４７８（ＩＰＡ／ＤＩＷ界面４７８とも呼ぶ）を形成し、真空４７２と共に、基板２００の表面からＤＩＷの流入４７４とその他すべての流体とを除去する助けとなる。ＩＰＡ／ＤＩＷ界面４７８は、ＤＩＷの張力面を減少させる。動作中、ＤＩＷは、基板表面に供給されると、ほとんど即座に、ソース流出口４６４が提供する真空によって、基板表面上の流体と共に除去される。基板表面に供給されて、一瞬の間、基板表面上の任意の流体と共に近接ヘッドと基板表面との間の領域に存在するＤＩＷは、ＩＰＡ／ＤＩＷ界面４７８を境界とするメニスカス４７６を形成する。したがって、メニスカス４７６は、表面に供給された後に基板表面上の任意の流体とほぼ同時に除去される流体の一定の流れである。基板表面からＤＩＷをほとんど即座に除去することで、処理されている基板表面の領域に流体の液滴が形成することを防止し、それにより、基板２００上で汚染物質が乾燥する可能性を低減できる。ＩＰＡ蒸気を下向きに射出する際の圧力（ＩＰＡ蒸気の流量によって引き起こされる）も、メニスカス４７６を封じ込める助けとなる。
【００５３】
ＩＰＡ蒸気のためのＮ2搬送ガスの流量は、近接ヘッドと基板表面との間の領域から、流体を近接ヘッドから排出するためのソース流出口３０４へと、水の流れを移送すなわち押しやる助けとなる。したがって、ＩＰＡ蒸気およびＤＩＷがソース流出口４６４に引き込まれると、流体と共に気体（例えば、空気）がソース流出口４６４に引き込まれるため、ＩＰＡ／ＤＩＷ界面４７８を形成する境界は、連続的な境界ではなくなる。一実施形態では、ソース流出口４６４による真空が、基板表面上のＤＩＷ、ＩＰＡ蒸気、および、流体を引き込む際に、ソース流出口４６４への流れが不連続になる。この流れの不連続性は、流体と気体とを組み合わせたものに真空を作用させた時に、流体および気体がストローを通して引き上げられる様子に類似している。したがって、近接ヘッド４５０が移動すると、近接ヘッドと共にメニスカス４７６も移動し、メニスカスによって以前に占められていた領域は、ＩＰＡ蒸気／ＤＩＷ界面４７８の移動の結果として処理および乾燥される。装置の構成と、メニスカスの所望のサイズおよび形状とに応じて、任意の適切な数のソース流入口４６２、ソース流出口４６４、および、ソース流入口４６６を用いてよいことを理解されたい。別の実施形態では、液体の流量および真空の流量は、真空流出口への液体の流れ全体が連続的になるよう設定されるため、気体が真空流出口に流れ込まない。
【００５４】
メニスカス４７６を維持できる限りは、任意の適切な流量をＩＰＡ蒸気、ＤＩＷ、および真空に対して用いてよいことを理解されたい。一実施形態では、１組のソース流入口４６６を通るＤＩＷの流量は、毎分約２５ｍｌから約３，０００ｍｌの間である。１組のソース流入口４６６を通るＤＩＷの流量は、毎分約４００ｍｌである。流体の流量は、近接ヘッドのサイズに応じて変化してよいことを理解されたい。一実施形態では、大きいヘッドは、小さい近接ヘッドよりも流体の流量が大きくてよい。これは、一実施形態において、より大きな近接ヘッドは、より多くのソース流入口４６２および４６６とソース流出口４６４とを有するため、ヘッドが大きくなるほど流量が大きくなるからである。
【００５５】
１組のソース流入口４６２を通るＩＰＡ蒸気の流量は、約１標準立方フィート毎時（ＳＣＦＨ）から約１００ＳＣＦＨの間であってよい。ＩＰＡの流量は、約５から５０ＳＣＦＨの間である。１組のソース流出口４６４を通る真空の流量は、約１０標準立方フィート毎時（ＳＣＦＨ）から約１２５０ＳＣＦＨの間である。好ましい実施形態では、１組のソース流出口４６４を通る真空の流量は、約３５０ＳＣＦＨである。代表的な一実施形態では、ＩＰＡ蒸気、ＤＩＷ、および真空の流量を測定するために、流量計を用いてよい。
【００５６】
図５は、本発明の一実施形態に従って、モジュール式処理ツール５００を示す簡略な説明図である。モジュール式処理ステーション５００は、複数の処理モジュール５１２ないし５２０と、共通移送チャンバ５１０と、入力／出力モジュールとを備える。複数の処理モジュール５１２ないし５２０は、１または複数の低圧処理チャンバおよび大気圧処理チャンバを備えてよい。１または複数の低圧処理チャンバは、大気圧未満から約１０ｍＴｏｒｒ未満の真空までの圧力範囲の動作圧力を有する。低圧処理チャンバは、プラズマチャンバ、混合器を備えた銅メッキチャンバ、蒸着チャンバなど、２以上の低圧処理チャンバを含んでよい。大気圧処理チャンバは、１または複数のエッチング／除去チャンバを含んでよい。モジュール式処理ステーション５００は、さらに、複数の処理モジュール５１２ないし５２０と、共通移送チャンバ５１０と、入力／出力モジュール５０２との各々における動作を制御することのできる制御部５３０を備える。制御部５３０は、複数の処理モジュール５１２ないし５２０と、共通移送チャンバ５１０と、入力／出力モジュール５０２との各々における動作のための様々なパラメータを含む１または複数のレシピ５３２を備えてよい。
【００５７】
複数の処理モジュール５１２ないし５２０の内の１または複数が、エッチング動作、洗浄／リンス／乾燥動作、プラズマ動作、および、非アルカリ無電解銅メッキ動作に対応してよい。例えば、チャンバ５１８は、プラズマチャンバであってよく、チャンバ５２０は、銅メッキチャンバ（例えば、メッキ処理ツール４００）であってよく、チャンバ５１２は、エッチング／除去チャンバであってよく、チャンバ５１４は、上述のようにバリア層またはＢＡＲＣ層または触媒層を蒸着するのに適した蒸着チャンバであってよい。
【００５８】
共通移送チャンバ５１０は、移送チャンバ５１０制御された環境下（例えば、低酸素および低水蒸気）で、処理モジュール５１２ないし５２０の各々に対して１または複数の基板２００を移送して出し入れすることを可能にする。例えば、移送チャンバ５１０は、所望の圧力（例えば、大気圧よりも高いまたは低い圧力、真空）、所望の温度、選択されたガス（例えば、約２ｐｐｍ未満の酸素濃度に維持したアルゴン、窒素、ヘリウムなど）、に維持されてよい。
【００５９】
プラズマチャンバ５２０は、従来のプラズマチャンバまたはダウンストリームプラズマチャンバであってよい。図６は、本発明の一実施形態に従って、ダウンストリームプラズマチャンバ６００の一例を示す簡略な説明図である。ダウンストリームプラズマチャンバ６００は、処理チャンバ６０２を備える。処理チャンバ６０２は、処理チャンバ６０２内で処理される基板２００を支持するための支持部６３０を備える。処理チャンバ６０２は、さらに、内部でプラズマ６０４Ａが生成されるプラズマチャンバ６０４を備える。ガス源６０６が、プラズマチャンバ６０４に接続されており、プラズマ６０４Ａの生成に用いるガスを供給する。プラズマ６０４Ａは、プラズマチャンバから導管６１２を通じて処理チャンバ６０２内に移送されるラジカル６２０を生成する。処理チャンバ６０２は、さらに、基板２００にわたってラジカル６２０を実質的に均一に分配する分配装置（例えば、シャワーヘッド）６１４を備えてよい。ダウンストリームプラズマチャンバ６００は、プラズマ６０４Ａの比較的高い電位および温度に基板２００を曝すことなく、ラジカル６２０を生成する。
【００６０】
上述の実施形態を念頭に置いて、本発明は、コンピュータシステムに格納されたデータを含め、コンピュータによって実行される様々な動作を用いてもよいことを理解されたい。これらの動作は、物理量の物理操作を必要とするものである。通常、必ずしも当てはまるわけではないが、これらの物理量は、格納、転送、合成、比較、および、その他の操作を施すことが可能な電気または磁気の信号の形態を取る。さらに、実行される操作は、生成、特定、決定、または、比較などの用語で呼ばれることが多い。
【００６１】
本発明の一部を形成する本明細書で説明した動作はいずれも、有用な機械動作である。本発明は、さらに、これらの動作を実行するためのデバイスまたは装置に関する。装置は、必要な目的に対して特別に構成されてもよいし、コンピュータ内に格納されたコンピュータプログラムによって選択的に起動または構成される汎用コンピュータであってもよい。特に、本明細書の教示に従って記述されたコンピュータプログラムと共に、様々な汎用マシンを用いてもよいし、必要な動作を実行することに特化された装置を構成して利便性を向上させてもよい。
【００６２】
本発明は、コンピュータ読み取り可能な媒体に格納されたコンピュータ読み取り可能なコードとして実施されてもよい。コンピュータ読み取り可能な媒体は、コンピュータシステムによって読み出し可能なデータを格納できる任意のデータ格納装置である。コンピュータ読み取り可能な媒体の例としては、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、読み出し専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、磁気テープ、および、その他の光学および非光学式のデータ格納装置が挙げられる。コンピュータ読み取り可能な媒体は、コンピュータ読み取り可能なコードが、分散的に格納および実行されるように、ネットワーク接続された複数のコンピュータシステムに分布されてもよい。
【００６３】
上述の図面における動作によって表される命令は、図示した順序で実行される必要はなく、それらの動作によって表される処理すべてが、必ずしも本発明の実施に必要なわけではない。さらに、上述の図面のいずれかに記載された処理は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、または、ハードディスクドライブのいずれか、もしくは、それらを組み合わせたものに格納されたソフトウェアとして実施されてもよい。
【００６４】
理解を深めるために、上述の発明について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内で、ある程度の変更や変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、本発明は、本明細書に示した詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲および等価物の範囲内で変形されてよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の一実施形態に従って、非アルカリ無電解銅メッキで銅構造を形成する際に実行される方法の動作を示すフローチャートである。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に従って、基板上に形成された銅構造を示す図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に従って、基板上に形成された銅構造を示す図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に従って、基板上に形成された銅構造を示す図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に従って、基板上に形成された銅構造を示す図である。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態に従って、基板上に形成された銅構造を示す図である。
【図２Ｆ】本発明の一実施形態に従って、基板上に形成された銅構造を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に従って、高速非アルカリ無電解銅メッキプロセスで実行される方法動作を示すフローチャートである。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に従って、メッキ処理ツールを示す簡略な説明図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に従って、近接ヘッドによって実行可能な基板処理の一例の好ましい実施形態を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に従って、モジュール式処理ツールを示す簡略な説明図である。
【図６】本発明の一実施形態に従って、ダウンストリームプラズマチャンバの一例を示す簡略な説明図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、概して、半導体製造処理に関し、特に、無電解銅メッキによってパターン化銅線を形成するためのシステムおよび方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
相互接続処理で用いる銅線の形成は、通例、デュアルダマシン処理で実行される。デュアルダマシン処理では、誘電材料にトレンチが形成され、トレンチに充填されるようにバリア金属および銅が析出され、余剰メッキが形成される。トレンチに隣接する領域の余剰メッキは、通例、化学機械平坦化処理によって除去される。当業者に周知のように、異なるレベルのトレンチが、銅で充填されたビアホールによって接続される。
【０００３】
金属間誘電体は、ますます低い誘電率になり、より壊れやすく多孔質になり、材料をエッチング、洗浄、および、平坦化するために用いられる標準的な処理技術に適合しなくなっているため、デュアルダマシン技術を統合することが、より困難になっている。さらに、低誘電材料の多孔性の増大は、この統合の問題によって制限される。誘電材料を完全に排除し、銅線間の誘電体として空隙を用いることが望ましいが、現在のところ、空隙誘電体を実現できる実行可能な統合方法は存在しない。
【０００４】
通例、無電解銅メッキは、還元剤を含むアルカリ溶液に銅イオンを混合した溶液を利用する。このアルカリ溶液内に、半導体ウエハなどの基板が配置される。基板上の触媒表面の存在下で、銅イオンは、還元剤によって還元され、基板の表面上に銅の層または膜を形成する。
【０００５】
無電解メッキ溶液で用いられる一般的な還元剤は、アルデヒド（例えば、ホルムアルデヒド）溶液である。ホルムアルデヒドは、実質的に銅イオンを元素銅に還元する。残念ながら、この還元処理は、銅のマトリクス内に組み込まれる場合がある水素を生成し、その水素は、ボイドの原因となって、析出した銅層の質を低下させる。
【０００６】
典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキ処理の別の制限は、結果として形成される酸化銅層の成長速度が比較的遅いことである。例えば、典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキは、毎分約１００ないし５００オングストロームの最大成長速度を有する。この制限された成長速度では、厚い膜（例えば、約１００ミクロンを超える厚さ）を成長させるには、時間が掛かりすぎる。成長速度があまりに制限されているため、典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキ処理は、大きいウエハ処理量を実現するためには、バッチウエハ処理を必要とする。しかしながら、バッチウエハ処理は、各バッチのウエハを通して所望の処理結果を正確かつ反復可能に実現することが困難な場合がある。
【０００７】
典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキ処理のさらに別の制限は、アルカリ溶液のアルカリ性である。特定の銅構造（例えば、パターン化銅線）を形成しつつ、銅の一様な被覆を形成しないことが望ましい（例えば、空隙誘電体または他の処理を考慮した場合）。フォトレジスト層にリソグラフィ処理を施すと、事前にパターン化された形状を形成できる。典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキ処理では、典型的なフォトレジストパターニング処理で構造が形成される必要がある。残念ながら、フォトレジストは、アルカリ溶液との反応性が高く、そのアルカリ性によって実質的に損傷したり、場合によっては、完全に破壊されたりする。その結果、まず、アルカリ溶液と反応しない保護層をフォトレジストパターンの上に形成する必要がある。保護層は、無電解銅メッキ処理中の典型的なアルカリ溶液による損傷からフォトレジストパターンを保護する。
【０００８】
また、フォトレジストは、アルカリ無電解化学剤と適合する材料の下層にパターンを移すために用いられてもよい。次いで、フォトレジストは除去され、所望の銅構造のポジ像に銅線が形成される。この例では、パターニング層は、相互接続層の一体部分になる低誘電材料、または、犠牲材料として除去されうる低誘電率材料である。いずれの場合でも、この材料の除去は、事前に形成されたフォトレジストパターンの除去よりも困難である。
【０００９】
以上の点から、毎分５００オングストロームを超える成長を実現しつつ銅線の間を空隙誘電体で分離することを可能にする無電解銅メッキによって、パターン化銅線を形成するための簡単なシステムおよび方法が求められている。
【発明の開示】
【００１０】
概して、本発明は、上述の要求を満たすために、無電解銅メッキによってパターン化銅線を形成するためのシステムおよび方法を提供する。本発明は、処理、装置、システム、コンピュータ読み取り可能な媒体、または、デバイスを含む種々の形態で実施できることを理解されたい。以下では、本発明の実施形態をいくつか説明する。
【００１１】
一実施形態は、基板の上に銅を形成するための方法であって、銅源溶液を混合器に供給する工程と、還元溶液を混合器に供給する工程と、銅源溶液と還元溶液とを混合して、約６．５より大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、メッキ溶液を基板に供給する工程と、を備え、基板は、触媒層を備え、メッキ溶液を基板に供給する工程は、触媒層の上に銅を形成する工程を備える、方法を提供する。
【００１２】
メッキ溶液は、メッキ溶液を基板に供給するのと実質的に同時に形成されることが可能である。メッキ溶液は、約７．２から約７．８の間のｐＨを有してよい。メッキ溶液は、触媒層の上に銅を形成した後に廃棄されることが可能である。
【００１３】
基板は、パターン化フォトレジスト層を備えてよく、パターン化フォトレジスト層は、触媒層の第１の部分を露出させ、メッキ溶液を基板に供給する工程は、触媒層の第１の部分の上に銅を形成する工程を備えてよい。その方法は、さらに、メッキ溶液を基板から除去する工程と、基板をリンスする工程と、基板を乾燥する工程とを備えてよい。
【００１４】
その方法は、さらに、パターン化フォトレジストを除去する工程を備えてよい。パターン化フォトレジストを除去する工程は、触媒層の第２の部分を露出させる。触媒層の第２の部分も、除去されることが可能である。
【００１５】
メッキ溶液は、保護されていないフォトレジストと適合する。触媒層の上に形成された銅は、実質的に元素銅であってよい。触媒層の上に形成された銅は、実質的に水素含有物を含まない。
【００１６】
触媒層の上に形成された銅は、毎分約５００オングストロームよりも大きい速さで形成される。メッキ溶液は、動的液体メニスカスを通して基板に供給されてよく、動的液体メニスカスは、近接ヘッドと基板の表面との間に形成される。銅源溶液は、酸化銅源と、錯化剤と、ｐＨ調整剤と、ハロゲン化物イオンとを含んでよい。還元溶液は、還元イオンを含んでよい。
【００１７】
触媒層は、２以上の層を含んでよい。触媒層は、下部反射防止膜（ＢＡＲＣ）層を含んでよい。
【００１８】
別の実施形態は、基板の上にパターン化銅構造を形成するための方法を提供する。その方法は、基板を受け入れる工程を備え、基板は、基板の上に形成された触媒層と触媒層の上に形成されたパターン化フォトレジスト層とを備える。パターン化フォトレジスト層は、触媒層の第１の部分を露出させて、触媒層の第２の部分を覆う。銅源溶液が混合器に供給され、還元溶液が混合器に供給される。銅源溶液と還元溶液とが混合され、約７．２から約７．８の間のｐＨを有するメッキ溶液が形成される。メッキ溶液は、基板に供給され、触媒層の第１の部分の上に銅が形成される。
【００１９】
さらに別の実施形態は、低圧処理チャンバと、大気圧処理チャンバと、低圧処理チャンバおよび大気圧処理チャンバの各々に接続された移送チャンバと、を備え、移送チャンバは、制御された環境を備える。移送チャンバは、低圧処理チャンバから大気圧処理チャンバに基板を移送する際に、制御された環境を提供する。低圧処理チャンバ、大気圧処理チャンバ、および、移送チャンバには、さらに、制御部が接続されている。制御部は、低圧処理チャンバ、大気圧処理チャンバ、および、移送チャンバの各々を制御するためのロジックを備える。
【００２０】
低圧処理チャンバは、プラズマエッチング／除去チャンバを含みうる２以上の低圧処理チャンバを含んでよく、大気圧処理チャンバは、銅メッキチャンバを含んでよい。銅メッキチャンバは、混合器を備えてよい。プラズマチャンバは、ダウンストリームプラズマチャンバであってよい。エッチング／除去チャンバの内の少なくとも一つは、湿式処理チャンバであってよい。
【００２１】
移送チャンバは、入力／出力モジュールを備えてよい。制御部は、レシピを備えてよく、そのレシピは、パターン化基板を銅メッキチャンバ内にロードするためのロジックと、銅源溶液を混合器に供給するためのロジックと、還元溶液を混合器に供給するためのロジックと、銅源溶液と還元溶液とを混合して、約６．５よりも大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成するためのロジックと、メッキ溶液をパターン化基板に供給するためのロジックと、を含み、パターン化基板は、触媒層を備え、メッキ溶液を基板に供給することは、触媒層の上に銅を形成することを含む。
【００２２】
パターン化基板は、触媒層の上に形成されたパターン化フォトレジスト層を備えてよく、パターン化フォトレジスト層は、触媒層の第１の部分を露出させ、触媒層の第２の部分を覆う。プラズマチャンバは、ダウンストリームプラズマチャンバであってよい。
【００２３】
本発明のその他の態様および利点については、本発明の原理を例示した添付図面を参照しつつ行う以下の詳細な説明から明らかになる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２４】
無電解銅メッキによってパターン化銅線を形成するためのシステムおよび方法のいくつかの例示的な実施形態について説明する。当業者にとって明らかなように、本発明は、本明細書で説明する具体的な詳細事項の一部または全てがなくとも実施可能である。
【００２５】
本発明は、フォトレジストと実質的に反応せず、毎分約５００オングストロームを超える高い成長速度を可能にする改良銅メッキ処理のためのシステムおよび方法を提供する。かかる高成長速度により、典型的なバッチウエハ処理ではなく枚葉式ウエハ処理に対して有効なスループットを可能にする。ただし、本発明をバッチ（例えば、複数ウエハ）処理に利用できることを理解されたい。
【００２６】
高速の無電解メッキ処理は、実質的に中性の溶液（または、酸性であってもよい）にけん濁された銅イオンを含んでよい。中性または酸性の溶液は、フォトレジストと反応しない。したがって、フォトレジストに保護層を追加する処理工程および／または従来技術のアルカリ性の無電解メッキ溶液と反応しない材料でパターンを形成する処理工程を追加する必要なく、フォトレジストパターニングを用いて、所望の銅構造を直接規定することができる。
【００２７】
高速無電解メッキ処理は、毎分約２５００オングストロームまでの銅層を形成できる。したがって、高速無電解メッキ処理は、典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキ処理よりも大幅に速く、より厚い銅層を形成できる。その結果、高速無電解メッキ処理を用いると、典型的なアルカリ溶液の無電解銅メッキ処理では形成できないような、より厚い銅構造を形成することができる。
【００２８】
高速無電解メッキ処理は、還元剤として、アルデヒドの代わりに、コバルトイオン（例えば、Ｃｏ＋、Ｃｏ＋２、および、Ｃｏ＋３）を用いることを含んでよい。コバルトイオンは、わずかな水素しか発生させずに、実質的に酸化銅を元素銅に還元する。
【００２９】
高速無電解メッキ処理は、フォトレジストパターニングを用いて、所望の銅構造を直接形成できるため、上述のデュアルダマシン法を用いて従来の埋め込み銅線（in-laid copper lines）を形成するために必要ないくつかの処理工程が必要なくなる。具体的には、フォトレジストを保護するための保護層が必要なくなる。さらに、パターニング材料を除去するためのエッチング処理も排除される。また、これにより、変更された統合パスまたは処理では、処理動作を減少させることにより、製造時間を低減しつつスループットを増大させることが可能になる。
【００３０】
高速無電解メッキ処理によって形成された銅構造は、集積回路のパッケージングにおいて、または、三次元パッケージング相互接続において、集積回路への電気接続を形成するために利用可能なワイヤボンドパッドおよびボールグリッドアレイを含んでよい。また、自立銅構造（free-standing copper structures）は、金属線の間の空隙の形成および利用を可能にすることで、金属間の空間の誘電率を低減することができる。例えば、空隙誘電体を形成する場合に、基板は、空隙または低誘電体のための「プレースホルダ」である形状を備えるよう、事前にパターニングされることが可能である。プレースホルダは、容易に除去可能である。事前にパターニングされる形状は、リソグラフィ処理によってフォトレジストに形成されてよく、それにより、エッチングパターニング工程を排除できる。
【００３１】
図１は、本発明の一実施形態に従って、非アルカリの無電解銅メッキで銅構造を形成する際に実行される方法の動作１００を示すフローチャートである。図２Ａないし２Ｆは、本発明の一実施形態に従って、基板（例えば、ウエハ）２００上に形成された銅構造２０８を示す図である。動作１０５において、基板２００が受け入れられる。基板２００は、銅相互接続構造を形成できるように、事前に準備される。この事前準備は、任意の適切な方法で実行可能である。
【００３２】
図１および２Ａを参照すると、動作１１０において、触媒層２０２が、基板２００上に形成される。触媒層２０２は、任意の適切な材料、または、複数の材料の組み合わせ、および、複数材料の複数の層であってよい。例えば、触媒層２０２は、タンタル、ルテニウム、ニッケル、ニッケルモリブデン、チタン、窒化チタン、または、その他の適切な触媒材料で形成されてよい。触媒層２０２は、できる限り薄くても（例えば、原子または分子の単分子層）よいし、単分子層から約５００オングストロームまでの厚さであってもよい。複数層の組み合わせも用いられてよい。例えば、基板２００の上にタンタル層が形成されて、タンタル層の上にルテニウム層が形成されてよい。タンタル層は、約３６０オングストローム厚であってもよいし、それより薄くてもよい。ルテニウム層は、例えば、酸化タンタルの形成から、タンタル層を保護するために利用されてよい。ルテニウム層は、約１５０オングストロームの厚さであってもよいし、それより薄くてもよい。
【００３３】
触媒層２０２の形成は、光反射防止膜（例えば、ＢＡＲＣ）層２０４の形成を含んでもよい。ＢＡＲＣ層２０４は、例えば、約６００オングストローム厚であってよい。ＢＡＲＣ層２０４は、当技術分野で周知のものであり、露光工程の間の建設的および相殺的干渉を低減することによりリソグラフィ性能を改善させる。
【００３４】
動作１１５において、フォトレジスト層２０６が、触媒層２０２の上に形成される。フォトレジスト層２０６は、約６０００オングストローム厚であってもよいし、それより厚くても薄くてもよい。フォトレジスト層２０４は、当分野で周知のように任意の適切なフォトレジスト材料であってよい。動作１２０において、フォトレジスト層２０６はパターニングされる。フォトレジスト層２０６のパターニングは、ＢＡＲＣ層が備えられている場合には、光ＢＡＲＣ層２０４のパターニングも含む。
【００３５】
ここで、図１および２Ｂを参照すると、動作１２５において、フォトレジスト層２０６の不必要な部分が除去されて、フォトレジスト層の必要な部分２０６Ａだけが残される。光ＢＡＲＣ層２０４の露出部分２０４Ａは、プラズマエッチング処理によって除去される。例えば、ＢＡＲＣは、Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社の２３００ Ｅｘｅｌａｎ（登録商標）プラズマエッチャを用いて、約２０ないし約９０秒の間、約２０℃、４０−１００ｍＴｏｒｒ、２００−７００Ｗ＠２７ＭＨｚ、５００−１００Ｗ＠２ＭＨｚ、１００−５００ｓｃｃｍのアルゴン、０−１００ｓｃｃｍのＣＦ4、０−３０ｓｃｃｍの酸素、０−１５０ｓｃｃｍの窒素、０−１５０ｓｃｃｍの水素、および、０−１０ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8の設定で除去されてよい。材料の要件に応じて、上記のガスおよび設定を様々な組み合わせおよび順列で用いてよい。当業者であれば、誘電結合プラズマ源（例えば、Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社のＶｅｒｓｙｓ（商標）プラズマ処理チャンバ）を用いてＢＡＲＣを除去することもできることを理解されたい。
【００３６】
ここで、図１および２Ｃを参照すると、動作１３０において、必要であれば、触媒層２０２の露出部分２０２Ａ上の任意の酸化物または他の残留物が除去される。触媒層の露出部分２０２Ａ上の任意の酸化物または他の残留物を除去する方法の一つは、プラズマによるラジカルを触媒層の露出部分２０２Ａに当てることを含む。例えば、露出部分２０２Ａ上の酸化物および他の残留物は、以下のレシピでＬａｍ ２３００Ｍｉｃｒｏｗａｖｅ Ｓｔｒｉｐチャンバまたは同様のチャンバ内で生成されたラジカルを当てることによって除去されてよい。レシピは、１Ｔｏｒｒで７００ｓｃｃｍのヘリウム搬送ガスにおける３．９％濃度の水素、１ｋＷ、約５分間、である。３．９％の水素に代えて、または、追加して、アンモニア（ＮＨ3）または一酸化炭素（ＣＯ）を用いてもよい。あるいは、温度を上げて、１００％の水素を用いてもよい。例えば、約５０ないし約３００℃の温度を用いてよいが、温度の上限は、フォトレジストおよびＢＡＲＣの材料が、上昇した温度条件に耐えられる能力によって決まる。さらなる例では、短く制御されたプラズマ酸化処理を用いて任意の有機汚染物質を除去した後に、上述の還元動作によって元素金属状態の状態になるように酸化物を変化させる（すなわち、還元する）ことを含んでよい。動作１３２において、基板は、制御環境下で（すなわち、低酸素および低湿度に維持するためにインサイチュで）、無電解メッキ処理チャンバに移される。これにより、動作１３０で形成された還元表面は、触媒層として保持される。
【００３７】
ここで、図１および２Ｄによると、動作１３５において、非アルカリ無電解銅メッキ処理が基板２００に施されて、銅構造２０８が形成される。非アルカリ無電解銅メッキ処理については、図３を参照して詳述する。非アルカリ無電解銅メッキ処理は、毎分５００ないし２０００オングストロームの元素銅を生成できる。非アルカリ無電解銅メッキ処理は、垂直または水平の浸漬方法で基板に施されてよい。あるいは、非アルカリ無電解銅メッキ処理は、後に詳述する動的液体メニスカスによって基板２００に施されてもよい。
【００３８】
ここで、図１および２Ｅによると、動作１４０において、フォトレジスト層の残り部分２０６Ａが除去されて、触媒層２０２Ｂの一部が露出される。光ＢＡＲＣ層２０４が含まれていた場合には、フォトレジスト層の残り部分２０６Ａが除去される時、または、その後に、光ＢＡＲＣ層の残り部分２０４Ｂも除去される。フォトレジストおよびＢＡＲＣ層は、プラズマ処理で除去されてよい。随意的に、水系、準水系、または、非水系溶媒を用いて、湿式化学フォトレジスト除去工程を実行してもよい。残りのフォトレジスト２０６Ａと光ＢＡＲＣ層の残り部分２０４Ｂとを除去するためのレシピの一例は、約３０℃未満の温度、約５ｍＴｏｒｒの圧力、アルゴンの約５０ｓｃｃｍと酸素の３５０ｓｃｃｍとの流量で、約２７ＭＨｚで約１０００−１４００Ｗの電源電力を約３分印加することを含む。次に、約３０℃より高い温度、約５ｍＴｏｒｒの圧力、アルゴンの５０ｓｃｃｍと酸素の３５０ｓｃｃｍとの流量で、約２７ＭＨｚの１２００Ｗの電源電力と、約５００Ｗのバイアス電力とが、約３０秒間印加される。このさらなるバイアス電力により、エッチング処理は、銅構造２０８の間の空間２１０への方向性が高くなる。例えば、ＢＡＲＣは、Ｌａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ社の２３００ Ｅｘｅｌａｎ（登録商標）プラズマエッチャを用いて、約２０ないし約９０秒の間、約２０℃、４０−１００ｍＴｏｒｒ、２００−７００Ｗ＠２７ＭＨｚ、５００−１００Ｗ＠２ＭＨｚ、１００−５００ｓｃｃｍのアルゴン、０−１００ｓｃｃｍのＣＦ4、０−３０ｓｃｃｍの酸素、０−１５０ｓｃｃｍの窒素、０−１５０ｓｃｃｍの水素、および、０−１０ｓｃｃｍのＣ4Ｆ8の設定で除去されてよい。材料の要件に応じて、上記のガスおよび設定を様々な組み合わせおよび順列で用いてよい。当業者であれば、誘電結合プラズマ源（例えば、Ｌａｍ社のＶｅｒｓｙｓ（商標）プラズマ処理チャンバ）を用いてＢＡＲＣを除去することもできることを理解されたい。
【００３９】
ここで、図１および２Ｆによると、動作１４５において、触媒層２０２の露出部分２０２Ｂが除去される。触媒層２０２の露出部分２０２Ｂを除去することにより、触媒層の露出部分が、残りの自立した銅構造２０８に電気的に接続することが、実質的に防止される。Ｌａｍ ２３００ Ｖｅｒｓｙｓプラズマエッチャを用いて、触媒層２０２の露出部分２０２Ｂを除去するためのレシピの一例は、約２０ないし約５０℃の温度、約５００Ｗの電源電力および約２０−１００Ｗのバイアス電力、約５０ｍＴｏｒｒの圧力、約３０ｓｃｃｍのＣＦ4および７５ｓｃｃｍのアルゴンの流速、約１分の持続時間、を含む。Ｃ4Ｆ8などの他のハロゲン含有ガス、または、ＣＦ4＋ＨＢｒなどのハロゲン含有ガスの混合ガスを、ＣＦ4に追加して、または、代わりに用いてもよい。自立銅構造２０８は、触媒層の残り部分２０２Ｃを含む。自立銅構造２０８の間には、空隙２１０が形成されている。空隙２１０は、自立銅構造２０８上に続いて形成される構造において、空気誘電体が利用されることを可能にする。空隙２１０は、約１０ｎｍ未満とそれよりも大きい値との間の幅を有してよい。自立銅構造２０８は、任意の所望の幅を有してよい。例えば、自立銅構造２０８は、約１０ｎｍ未満と約１００ｎｍよりも大きい値との間であってよい。自立銅構造２０８は、約３００ｎｍ以上の幅であってよい。自立銅構造２０８の最大幅は、基板の幅によってのみ制限される。
【００４０】
上述の動作１４０のフォトレジスト２０６Ａの除去は、必要に応じて（例えば、銅構造２０８への損傷を最小限に抑えるため、または、銅構造２０８の間のフォトレジストの完全除去を促進するために）、バイアス電力を用いて実行されてもよいし、用いないで実行されてもよい。その結果、銅構造２０８の間のフォトレジスト２０６Ａおよびその残留物をさらに除去するために、５００Ｗのバイアスを印加することを含む短いフォトレジスト除去動作を追加してもよい。５００Ｗのバイアスを印加することにより、触媒層を保護するためにルテニウム層も施されている場合には、そのルテニウムも除去される。
【００４１】
各動作１０５−１４５は、高温で起こりうる銅の移動を実質的に制限するために、約３００℃未満の低温で実行される。ＢＡＲＣの除去および前処理の動作も、高温でのフォトレジストの網状化（reticulation）を制限するために低温で実行される。
【００４２】
図３は、本発明の一実施形態に従って、高速非アルカリ無電解銅メッキ処理で実行される方法動作１３５を示すフローチャートである。図４Ａは、本発明の一実施形態に従って、メッキ処理ツール４００を示す簡略な説明図である。メッキ処理ツール４００は、第１のソース４１０と第２のソース４１２とを備える。第１のソース４１０は、或る量の第１の原料４１０Ａを含む。第２のソース４１２は、或る量の第２の原料４１２Ａを含む。第１のソース４１０および第２のソース４１２は、混合器４１６に接続されている。混合器４１６は、メッキチャンバ４０２に接続されている。メッキ処理ツール４００は、メッキチャンバ４０２に接続されたリンス溶液ソース４４０をさらに備えてもよい。リンス溶液ソース４４０は、或る量のリンス溶液４４０Ａを供給できる。
【００４３】
メッキ処理ツール４００は、制御部４３０をさらに備えてよい。制御部４３０は、メッキチャンバと混合器４１６とに接続されている。制御部４３０は、制御部に備えられたレシピ４３２に従って、メッキ処理ツールにおける動作（例えば、混合、充填、リンスなど）を制御する。
【００４４】
ここで、図３および４Ａによると、動作３０５において、基板２００は、メッキ動作に向けて、メッキチャンバ４０２内に配置される。
【００４５】
動作３１０および３１５において、混合器４１６は、第１の原料４１０Ａと第２の原料４１２Ａとを混合して、メッキ溶液４１６Ａを形成する。第１の原料４１０Ａは、銅イオンに対する還元イオン（例えば、Ｃｏ2+）である。第２の原料４１２Ａは、酸化銅源（例えば、Ｃｕ2+）と、錯化剤（例えば、エチレンジアミン、ジエチレントリアミン）と、ｐＨ調整剤（例えば、ＨＮＯ3、Ｈ2ＳＯ4、ＨＣｌなど）と、ハロゲン化物イオン（例えば、Ｂｒ−、Ｃｌ−など）と、を含む。銅メッキ溶液に関するさらなる詳細事項および例については、２００６年５月１１日に出願されたＶａｓｋｅｌｉｓらによる共同所有の米国特許出願１１／３８２，９０６、「Ｐｌａｔｉｎｇ Ｓｏｌｕｔｉｏｎ ｆｏｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｏｐｐｅｒ」と、２００６年６月２８日に出願されたＤｏｒｄｉらによる共同所有の米国特許出願１１／４２７，２６６、「Ｐｌａｔｉｎｇ Ｓｏｌｕｔｉｏｎｓ ｆｏｒ Ｅｌｅｃｔｒｏｌｅｓｓ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ｏｆ Ｃｏｐｐｅｒ」と、に詳述されており、これらの出願は、参照することにより、本明細書に組み込まれる。本願は、さらに、２００６年４月４日に出願されたＪｅｆｆｒｅｙ Ｍａｒｋｓによる共同所有の米国特許出願１１／３９８，２５４、「Ｍｅｔｈｏｄｓ ａｎｄ Ａｐｐａｒａｔｕｓ ｆｏｒ Ｆａｂｒｉｃａｔｉｎｇ Ｃｏｎｄｕｃｔｉｖｅ Ｆｅａｔｕｒｅｓ ｏｎ Ｇｌａｓｓ Ｓｕｂｓｔｒａｔｅｓ ｕｓｅｄ ｉｎ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙｓ」に関連しており、その出願は、参照により本明細書に組み込まれる。
【００４６】
動作３２０において、メッキ溶液４１６Ａは、混合器４１６からメッキチャンバ４０２に出力され、そこで、メッキ溶液は、基板２００に供給される。混合器４１６は、メッキチャンバ４０２における必要に応じて、第１の原料４１０Ａと第２の原料４１２Ａとを混合する。メッキ溶液４１６Ａは、約６．５より大きいｐＨを有し、少なくとも一実施形態においては、約７．２ないし約７．８の範囲のｐＨを有する。メッキ溶液４１６Ａは、実質的に、水素含有物によるボイドを引き起こすことなく、元素銅の層を形成する。
【００４７】
動作３２５において、基板２００は、メッキ溶液４１６Ａから取り出される。メッキ溶液４１６Ａからからの基板２００の取り出しは、メッキチャンバ４０２からの基板２００の取り出し、および／または、メッキチャンバ４０２からのメッキ溶液４１６Ａの取り出し、を含んでよい。
【００４８】
動作３３０において、基板２００は、リンス溶液内でリンスされる。例えば、動作３２５において、メッキ溶液４２６Ａが、メッキチャンバ４０２から除去されてよく、リンス溶液４４０Ａが、基板２００から任意の残りのメッキ溶液４１６Ａを実質的に除去するために、メッキチャンバに導入されてよい。
【００４９】
動作３３５において、基板２００は乾燥されてよい。例えば、基板２００は、メッキチャンバ４０２から取り出されて、リンスおよび乾燥のために、第２のチャンバ（例えば、スピン・リンス・ドライチャンバ）に配置されてよい。あるいは、メッキチャンバ４０２が、基板２００をリンスおよび乾燥するために必要な機構を備えてもよい。
【００５０】
例えば、メッキチャンバ４０２は、基板２００のリンスおよび乾燥が可能な近接ヘッド４５０を備えてよい。近接ヘッド４５０は、さらに、メッキ溶液を基板に供給することができる。
【００５１】
図４Ｂは、本発明の一実施形態に従って、近接ヘッド４５０によって実行可能な基板処理の一例の一実施形態を示す図である。図４Ｂは、基板２００の上面４５８ａが処理されている様子を示すが、基板処理は、ウエハ２００の下面４５８ｂに対しても実質的に同じように実現できることを理解されたい。図４Ｂは、基板乾燥処理を図示しているが、同様に、多くの他の加工処理が、基板表面に施されてもよい。ソース流入口４６２を用いて、基板２００の上面４５８ａにイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）蒸気を供給してよく、ソース流入口４６６を用いて、基板２００の上面４５８ａに脱イオン水（ＤＩＷ）またはその他の処理薬剤を供給してよい。さらに、ソース流出口４６４を用いて、ウエハ表面に近接する領域に真空を作用させ、上面４５８ａの上または近傍に存在しうる流体または蒸気を除去してよい。ソース流入口４６２の少なくとも１つが、ソース流出口４６４の少なくとも１つに隣接し、そのソース流出口４６４が、ソース流入口４６６の少なくとも１つに隣接する組み合わせが少なくとも１つ存在する限りは、任意の適切な組み合わせのソース流入口およびソース流出口を用いてよいことを理解されたい。ＩＰＡは、例えば、Ｎ2搬送ガスによって蒸気の形態でＩＰＡが入力されるＩＰＡ蒸気など、任意の適切な形態でよい。さらに、本明細書ではＤＩＷが用いられているが、例えば、他の方法で精製された水、洗浄流体、その他の処理流体および薬剤など、ウエハ処理を可能とするか、強化できるものであれば、任意の適切な流体を用いてよい。一実施形態では、ＩＰＡ蒸気の流入４６０がソース流入口４６２を通して供給され、真空４７２がソース流出口４６４を通して作用されてよく、ＤＩＷの流入４７４がソース流入口４６６を通して供給されてよい。したがって、流体の膜が基板２００上に存在する場合に、ＩＰＡの流入４６０によって第１の流体圧力を基板表面に作用させると共に、ＤＩＷの流入４７４によって第２の流体圧力を基板表面に作用させつつ、基板表面上のＤＩＷ、ＩＰＡ、および、流体の膜を除去するために、真空４７２によって第３の流体圧力を作用させてよい。
【００５２】
したがって、一実施形態では、ＤＩＷの流入４７４およびＩＰＡ蒸気の流入４６０がウエハ表面に供給されると、ウエハ表面上のすべての流体が、ＤＩＷの流入４７４と混合される。この際、ウエハ表面に供給されるＤＩＷの流入４７４は、ＩＰＡ蒸気の流入４６０と衝突する。ＩＰＡは、ＤＩＷの流入４７４と共に界面４７８（ＩＰＡ／ＤＩＷ界面４７８とも呼ぶ）を形成し、真空４７２と共に、基板２００の表面からＤＩＷの流入４７４とその他すべての流体とを除去する助けとなる。ＩＰＡ／ＤＩＷ界面４７８は、ＤＩＷの張力面を減少させる。動作中、ＤＩＷは、基板表面に供給されると、ほとんど即座に、ソース流出口４６４が提供する真空によって、基板表面上の流体と共に除去される。基板表面に供給されて、一瞬の間、基板表面上の任意の流体と共に近接ヘッドと基板表面との間の領域に存在するＤＩＷは、ＩＰＡ／ＤＩＷ界面４７８を境界とするメニスカス４７６を形成する。したがって、メニスカス４７６は、表面に供給された後に基板表面上の任意の流体とほぼ同時に除去される流体の一定の流れである。基板表面からＤＩＷをほとんど即座に除去することで、処理されている基板表面の領域に流体の液滴が形成することを防止し、それにより、基板２００上で汚染物質が乾燥する可能性を低減できる。ＩＰＡ蒸気を下向きに射出する際の圧力（ＩＰＡ蒸気の流量によって引き起こされる）も、メニスカス４７６を封じ込める助けとなる。
【００５３】
ＩＰＡ蒸気のためのＮ2搬送ガスの流量は、近接ヘッドと基板表面との間の領域から、流体を近接ヘッドから排出するためのソース流出口３０４へと、水の流れを移送すなわち押しやる助けとなる。したがって、ＩＰＡ蒸気およびＤＩＷがソース流出口４６４に引き込まれると、流体と共に気体（例えば、空気）がソース流出口４６４に引き込まれるため、ＩＰＡ／ＤＩＷ界面４７８を形成する境界は、連続的な境界ではなくなる。一実施形態では、ソース流出口４６４による真空が、基板表面上のＤＩＷ、ＩＰＡ蒸気、および、流体を引き込む際に、ソース流出口４６４への流れが不連続になる。この流れの不連続性は、流体と気体とを組み合わせたものに真空を作用させた時に、流体および気体がストローを通して引き上げられる様子に類似している。したがって、近接ヘッド４５０が移動すると、近接ヘッドと共にメニスカス４７６も移動し、メニスカスによって以前に占められていた領域は、ＩＰＡ蒸気／ＤＩＷ界面４７８の移動の結果として処理および乾燥される。装置の構成と、メニスカスの所望のサイズおよび形状とに応じて、任意の適切な数のソース流入口４６２、ソース流出口４６４、および、ソース流入口４６６を用いてよいことを理解されたい。別の実施形態では、液体の流量および真空の流量は、真空流出口への液体の流れ全体が連続的になるよう設定されるため、気体が真空流出口に流れ込まない。
【００５４】
メニスカス４７６を維持できる限りは、任意の適切な流量をＩＰＡ蒸気、ＤＩＷ、および真空に対して用いてよいことを理解されたい。一実施形態では、１組のソース流入口４６６を通るＤＩＷの流量は、毎分約２５ｍｌから約３，０００ｍｌの間である。１組のソース流入口４６６を通るＤＩＷの流量は、毎分約４００ｍｌである。流体の流量は、近接ヘッドのサイズに応じて変化してよいことを理解されたい。一実施形態では、大きいヘッドは、小さい近接ヘッドよりも流体の流量が大きくてよい。これは、一実施形態において、より大きな近接ヘッドは、より多くのソース流入口４６２および４６６とソース流出口４６４とを有するため、ヘッドが大きくなるほど流量が大きくなるからである。
【００５５】
１組のソース流入口４６２を通るＩＰＡ蒸気の流量は、約１標準立方フィート毎時（ＳＣＦＨ）から約１００ＳＣＦＨの間であってよい。ＩＰＡの流量は、約５から５０ＳＣＦＨの間である。１組のソース流出口４６４を通る真空の流量は、約１０標準立方フィート毎時（ＳＣＦＨ）から約１２５０ＳＣＦＨの間である。好ましい実施形態では、１組のソース流出口４６４を通る真空の流量は、約３５０ＳＣＦＨである。代表的な一実施形態では、ＩＰＡ蒸気、ＤＩＷ、および真空の流量を測定するために、流量計を用いてよい。
【００５６】
図５は、本発明の一実施形態に従って、モジュール式処理ツール５００を示す簡略な説明図である。モジュール式処理ステーション５００は、複数の処理モジュール５１２ないし５２０と、共通移送チャンバ５１０と、入力／出力モジュールとを備える。複数の処理モジュール５１２ないし５２０は、１または複数の低圧処理チャンバおよび大気圧処理チャンバを備えてよい。１または複数の低圧処理チャンバは、大気圧未満から約１０ｍＴｏｒｒ未満の真空までの圧力範囲の動作圧力を有する。低圧処理チャンバは、プラズマチャンバ、混合器を備えた銅メッキチャンバ、蒸着チャンバなど、２以上の低圧処理チャンバを含んでよい。大気圧処理チャンバは、１または複数のエッチング／除去チャンバを含んでよい。モジュール式処理ステーション５００は、さらに、複数の処理モジュール５１２ないし５２０と、共通移送チャンバ５１０と、入力／出力モジュール５０２との各々における動作を制御することのできる制御部５３０を備える。制御部５３０は、複数の処理モジュール５１２ないし５２０と、共通移送チャンバ５１０と、入力／出力モジュール５０２との各々における動作のための様々なパラメータを含む１または複数のレシピ５３２を備えてよい。
【００５７】
複数の処理モジュール５１２ないし５２０の内の１または複数が、エッチング動作、洗浄／リンス／乾燥動作、プラズマ動作、および、非アルカリ無電解銅メッキ動作に対応してよい。例えば、チャンバ５１８は、プラズマチャンバであってよく、チャンバ５２０は、銅メッキチャンバ（例えば、メッキ処理ツール４００）であってよく、チャンバ５１２は、エッチング／除去チャンバであってよく、チャンバ５１４は、上述のようにバリア層またはＢＡＲＣ層または触媒層を蒸着するのに適した蒸着チャンバであってよい。
【００５８】
共通移送チャンバ５１０は、移送チャンバ５１０制御された環境下（例えば、低酸素および低水蒸気）で、処理モジュール５１２ないし５２０の各々に対して１または複数の基板２００を移送して出し入れすることを可能にする。例えば、移送チャンバ５１０は、所望の圧力（例えば、大気圧よりも高いまたは低い圧力、真空）、所望の温度、選択されたガス（例えば、約２ｐｐｍ未満の酸素濃度に維持したアルゴン、窒素、ヘリウムなど）、に維持されてよい。
【００５９】
プラズマチャンバ５２０は、従来のプラズマチャンバまたはダウンストリームプラズマチャンバであってよい。図６は、本発明の一実施形態に従って、ダウンストリームプラズマチャンバ６００の一例を示す簡略な説明図である。ダウンストリームプラズマチャンバ６００は、処理チャンバ６０２を備える。処理チャンバ６０２は、処理チャンバ６０２内で処理される基板２００を支持するための支持部６３０を備える。処理チャンバ６０２は、さらに、内部でプラズマ６０４Ａが生成されるプラズマチャンバ６０４を備える。ガス源６０６が、プラズマチャンバ６０４に接続されており、プラズマ６０４Ａの生成に用いるガスを供給する。プラズマ６０４Ａは、プラズマチャンバから導管６１２を通じて処理チャンバ６０２内に移送されるラジカル６２０を生成する。処理チャンバ６０２は、さらに、基板２００にわたってラジカル６２０を実質的に均一に分配する分配装置（例えば、シャワーヘッド）６１４を備えてよい。ダウンストリームプラズマチャンバ６００は、プラズマ６０４Ａの比較的高い電位および温度に基板２００を曝すことなく、ラジカル６２０を生成する。
【００６０】
上述の実施形態を念頭に置いて、本発明は、コンピュータシステムに格納されたデータを含め、コンピュータによって実行される様々な動作を用いてもよいことを理解されたい。これらの動作は、物理量の物理操作を必要とするものである。通常、必ずしも当てはまるわけではないが、これらの物理量は、格納、転送、合成、比較、および、その他の操作を施すことが可能な電気または磁気の信号の形態を取る。さらに、実行される操作は、生成、特定、決定、または、比較などの用語で呼ばれることが多い。
【００６１】
本発明の一部を形成する本明細書で説明した動作はいずれも、有用な機械動作である。本発明は、さらに、これらの動作を実行するためのデバイスまたは装置に関する。装置は、必要な目的に対して特別に構成されてもよいし、コンピュータ内に格納されたコンピュータプログラムによって選択的に起動または構成される汎用コンピュータであってもよい。特に、本明細書の教示に従って記述されたコンピュータプログラムと共に、様々な汎用マシンを用いてもよいし、必要な動作を実行することに特化された装置を構成して利便性を向上させてもよい。
【００６２】
本発明は、コンピュータ読み取り可能な媒体に格納されたコンピュータ読み取り可能なコードとして実施されてもよい。コンピュータ読み取り可能な媒体は、コンピュータシステムによって読み出し可能なデータを格納できる任意のデータ格納装置である。コンピュータ読み取り可能な媒体の例としては、ハードドライブ、ネットワーク接続ストレージ（ＮＡＳ）、読み出し専用メモリ、ランダムアクセスメモリ、ＣＤ−ＲＯＭ、ＣＤ−Ｒ、ＣＤ−ＲＷ、磁気テープ、および、その他の光学および非光学式のデータ格納装置が挙げられる。コンピュータ読み取り可能な媒体は、コンピュータ読み取り可能なコードが、分散的に格納および実行されるように、ネットワーク接続された複数のコンピュータシステムに分布されてもよい。
【００６３】
上述の図面における動作によって表される命令は、図示した順序で実行される必要はなく、それらの動作によって表される処理すべてが、必ずしも本発明の実施に必要なわけではない。さらに、上述の図面のいずれかに記載された処理は、ＲＡＭ、ＲＯＭ、または、ハードディスクドライブのいずれか、もしくは、それらを組み合わせたものに格納されたソフトウェアとして実施されてもよい。
【００６４】
理解を深めるために、上述の発明について、ある程度詳しく説明したが、添付の特許請求の範囲内で、ある程度の変更や変形を行ってもよいことは明らかである。したがって、本実施形態は、例示的なものであって、限定的なものではないとみなされ、本発明は、本明細書に示した詳細に限定されず、添付の特許請求の範囲および等価物の範囲内で変形されてよい。
【図面の簡単な説明】
【００６５】
【図１】本発明の一実施形態に従って、非アルカリ無電解銅メッキで銅構造を形成する際に実行される方法の動作を示すフローチャートである。
【図２Ａ】本発明の一実施形態に従って、基板上に形成された銅構造を示す図である。
【図２Ｂ】本発明の一実施形態に従って、基板上に形成された銅構造を示す図である。
【図２Ｃ】本発明の一実施形態に従って、基板上に形成された銅構造を示す図である。
【図２Ｄ】本発明の一実施形態に従って、基板上に形成された銅構造を示す図である。
【図２Ｅ】本発明の一実施形態に従って、基板上に形成された銅構造を示す図である。
【図２Ｆ】本発明の一実施形態に従って、基板上に形成された銅構造を示す図である。
【図３】本発明の一実施形態に従って、高速非アルカリ無電解銅メッキプロセスで実行される方法動作を示すフローチャートである。
【図４Ａ】本発明の一実施形態に従って、メッキ処理ツールを示す簡略な説明図である。
【図４Ｂ】本発明の一実施形態に従って、近接ヘッドによって実行可能な基板処理の一例の好ましい実施形態を示す図である。
【図５】本発明の一実施形態に従って、モジュール式処理ツールを示す簡略な説明図である。
【図６】本発明の一実施形態に従って、ダウンストリームプラズマチャンバの一例を示す簡略な説明図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上に銅を形成するための方法であって、
銅源溶液を混合器に供給する工程と、
還元溶液を前記混合器に供給する工程と、
前記銅源溶液と前記還元溶液とを混合して、約６．５より大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程と、
を備え、
前記基板は触媒層を備え、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程は、前記触媒層の上に銅を形成する工程を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記メッキ溶液は、前記メッキ溶液を前記基板に供給するのと実質的に同時に形成される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記メッキ溶液は、約７．２から約７．８の間のｐＨを有する、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、さらに、前記触媒の上に銅を形成した後に、前記メッキ溶液を廃棄する工程を備える、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記基板は、パターン化フォトレジスト層を備え、前記パターン化フォトレジスト層は、前記触媒層の第１の部分を露出させ、前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程は、前記触媒層の前記第１の部分の上に銅を形成する工程を備える、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、さらに、
前記メッキ溶液を前記基板から除去する工程と、
前記基板をリンスする工程と、
前記基板を乾燥する工程と、
を備える、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、さらに、
前記パターン化フォトレジストを除去する工程であって、前記触媒層の第２の部分を露出させる、工程と、
前記触媒層の前記第２の部分を除去する工程と、
を備える、方法。
【請求項８】
請求項５に記載の方法であって、前記メッキ溶液は、保護されていないフォトレジストに適合する、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記触媒層の上に形成された前記銅は、実質的に元素銅であり、前記触媒層の上に形成された前記銅は、実質的に水素含有物を含まない、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記触媒層の上に形成された前記銅は、毎分約５００オングストロームよりも大きい速さで形成される、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、前記銅源溶液は、
酸化銅源と、
錯化剤と、
ｐＨ調整剤と、
ハロゲン化イオンと、
を備える、方法。
【請求項１２】
基板の上にパターン化銅構造を形成するための方法であって、
基板を受け入れる工程であって、前記基板は、
前記基板の上に形成された触媒層と、
前記触媒層の上に形成され、前記触媒層の第１の部分を露出させ、前記触媒層の第２の部分を覆うパターン化フォトレジスト層と、を備える、工程と、
銅源溶液を混合器に供給する工程と、
還元溶液を前記混合器に供給する工程と、
前記銅源溶液と前記還元溶液とを混合して、約７．２から約７．８の間のｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程と、
を備え、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程は、前記触媒層の前記第１の部分の上に銅を形成する工程を備える、方法。
【請求項１３】
処理ツールであって、
低圧処理チャンバと、
大気圧処理チャンバと、
前記低圧処理チャンバと前記大気圧処理チャンバとの各々に接続された移送チャンバであって、制御された環境を備え、前記低圧処理チャンバから前記大気圧処理チャンバへ基板を移送する際に制御された環境を提供する、移送チャンバと、
前記低圧処理チャンバと、前記大気圧処理チャンバと、前記移送チャンバとに接続された制御部であって、前記低圧処理チャンバと、前記大気圧処理チャンバと、前記移送チャンバとの各々を制御するためのロジックを備える、制御部と、
を備える、処理ツール。
【請求項１４】
請求項１３に記載の処理ツールであって、前記低圧処理チャンバは、１または複数のプラズマエッチング／除去チャンバを含む２以上の低圧処理チャンバを含み、前記大気圧処理チャンバは、銅メッキチャンバを含む、処理ツール。
【請求項１５】
請求項１４に記載の処理ツールであって、前記銅メッキチャンバは、混合器を備える、処理ツール。
【請求項１６】
請求項１４に記載の処理ツールであって、前記プラズマチャンバは、ダウンストリームプラズマチャンバである、処理ツール。
【請求項１７】
請求項１４に記載の処理ツールであって、前記エッチング／除去チャンバは、湿式処理チャンバである、処理ツール。
【請求項１８】
請求項１３に記載の処理ツールであって、前記移送チャンバは、入力／出力モジュールを備える、処理ツール。
【請求項１９】
請求項１３に記載の処理ツールであって、前記制御部は、レシピを備え、
前記レシピは、
パターン化基板を前記銅メッキチャンバ内にロードするためのロジックと、
銅源溶液を前記混合器に供給するためのロジックと、
還元溶液を前記混合器に供給するためのロジックと、
前記銅源溶液と前記還元溶液とを混合して、約６．５より大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成するためのロジックと、
前記メッキ溶液を前記パターン化基板に供給するためのロジックと、
を備え、
前記パターン化基板は触媒層を備え、前記メッキ溶液を前記基板に供給することは、前記触媒層の上に銅を形成することを含む、処理ツール。
【請求項２０】
請求項１９に記載の処理ツールであって、前記パターン化基板は、前記触媒層の上に形成されたパターン化フォトレジスト層を備え、前記パターン化フォトレジスト層は、前記触媒層の第１の部分を露出させ、前記触媒層の第２の部分を覆う、処理ツール。
【請求項１】
基板の上に銅を形成するための方法であって、
銅源溶液を混合器に供給する工程と、
還元溶液を前記混合器に供給する工程と、
前記銅源溶液と前記還元溶液とを混合して、約６．５より大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程と、
を備え、
前記基板は触媒層を備え、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程は、前記触媒層の上に銅を形成する工程を備える、方法。
【請求項２】
請求項１に記載の方法であって、前記メッキ溶液は、前記メッキ溶液を前記基板に供給するのと実質的に同時に形成される、方法。
【請求項３】
請求項１に記載の方法であって、前記メッキ溶液は、約７．２から約７．８の間のｐＨを有する、方法。
【請求項４】
請求項１に記載の方法であって、さらに、前記触媒の上に銅を形成した後に、前記メッキ溶液を廃棄する工程を備える、方法。
【請求項５】
請求項１に記載の方法であって、前記基板は、パターン化フォトレジスト層を備え、前記パターン化フォトレジスト層は、前記触媒層の第１の部分を露出させ、前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程は、前記触媒層の前記第１の部分の上に銅を形成する工程を備える、方法。
【請求項６】
請求項５に記載の方法であって、さらに、
前記メッキ溶液を前記基板から除去する工程と、
前記基板をリンスする工程と、
前記基板を乾燥する工程と、
を備える、方法。
【請求項７】
請求項６に記載の方法であって、さらに、
前記パターン化フォトレジストを除去する工程であって、前記触媒層の第２の部分を露出させる、工程と、
前記触媒層の前記第２の部分を除去する工程と、
を備える、方法。
【請求項８】
請求項５に記載の方法であって、前記メッキ溶液は、保護されていないフォトレジストに適合する、方法。
【請求項９】
請求項１に記載の方法であって、前記触媒層の上に形成された前記銅は、実質的に元素銅であり、前記触媒層の上に形成された前記銅は、実質的に水素含有物を含まない、方法。
【請求項１０】
請求項１に記載の方法であって、前記触媒層の上に形成された前記銅は、毎分約５００オングストロームよりも大きい速さで形成される、方法。
【請求項１１】
請求項１に記載の方法であって、前記銅源溶液は、
酸化銅源と、
錯化剤と、
ｐＨ調整剤と、
ハロゲン化イオンと、
を備える、方法。
【請求項１２】
基板の上にパターン化銅構造を形成するための方法であって、
基板を受け入れる工程であって、前記基板は、
前記基板の上に形成された触媒層と、
前記触媒層の上に形成され、前記触媒層の第１の部分を露出させ、前記触媒層の第２の部分を覆うパターン化フォトレジスト層と、を備える、工程と、
銅源溶液を混合器に供給する工程と、
還元溶液を前記混合器に供給する工程と、
前記銅源溶液と前記還元溶液とを混合して、約７．２から約７．８の間のｐＨを有するメッキ溶液を形成する工程と、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程と、
を備え、
前記メッキ溶液を前記基板に供給する工程は、前記触媒層の前記第１の部分の上に銅を形成する工程を備える、方法。
【請求項１３】
処理ツールであって、
低圧処理チャンバと、
大気圧処理チャンバと、
前記低圧処理チャンバと前記大気圧処理チャンバとの各々に接続された移送チャンバであって、制御された環境を備え、前記低圧処理チャンバから前記大気圧処理チャンバへ基板を移送する際に制御された環境を提供する、移送チャンバと、
前記低圧処理チャンバと、前記大気圧処理チャンバと、前記移送チャンバとに接続された制御部であって、前記低圧処理チャンバと、前記大気圧処理チャンバと、前記移送チャンバとの各々を制御するためのロジックを備える、制御部と、
を備える、処理ツール。
【請求項１４】
請求項１３に記載の処理ツールであって、前記低圧処理チャンバは、１または複数のプラズマエッチング／除去チャンバを含む２以上の低圧処理チャンバを含み、前記大気圧処理チャンバは、銅メッキチャンバを含む、処理ツール。
【請求項１５】
請求項１４に記載の処理ツールであって、前記銅メッキチャンバは、混合器を備える、処理ツール。
【請求項１６】
請求項１４に記載の処理ツールであって、前記プラズマチャンバは、ダウンストリームプラズマチャンバである、処理ツール。
【請求項１７】
請求項１４に記載の処理ツールであって、前記エッチング／除去チャンバは、湿式処理チャンバである、処理ツール。
【請求項１８】
請求項１３に記載の処理ツールであって、前記移送チャンバは、入力／出力モジュールを備える、処理ツール。
【請求項１９】
請求項１３に記載の処理ツールであって、前記制御部は、レシピを備え、
前記レシピは、
パターン化基板を前記銅メッキチャンバ内にロードするためのロジックと、
銅源溶液を前記混合器に供給するためのロジックと、
還元溶液を前記混合器に供給するためのロジックと、
前記銅源溶液と前記還元溶液とを混合して、約６．５より大きいｐＨを有するメッキ溶液を形成するためのロジックと、
前記メッキ溶液を前記パターン化基板に供給するためのロジックと、
を備え、
前記パターン化基板は触媒層を備え、前記メッキ溶液を前記基板に供給することは、前記触媒層の上に銅を形成することを含む、処理ツール。
【請求項２０】
請求項１９に記載の処理ツールであって、前記パターン化基板は、前記触媒層の上に形成されたパターン化フォトレジスト層を備え、前記パターン化フォトレジスト層は、前記触媒層の第１の部分を露出させ、前記触媒層の第２の部分を覆う、処理ツール。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図２Ｄ】
【図２Ｅ】
【図２Ｆ】
【図３】
【図４Ａ】
【図４Ｂ】
【図５】
【図６】
【公表番号】特表２００９−５０７１３５（Ｐ２００９−５０７１３５Ａ）
【公表日】平成２１年２月１９日（２００９．２．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−５２９３７０（Ｐ２００８−５２９３７０）
【出願日】平成１８年８月３１日（２００６．８．３１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００６／０３４５５５
【国際公開番号】ＷＯ２００７／０２８１５６
【国際公開日】平成１９年３月８日（２００７．３．８）
【出願人】（５９２０１００８１）ラム リサーチ コーポレーション (467)
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
【Ｆターム（参考）】
【公表日】平成２１年２月１９日（２００９．２．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年８月３１日（２００６．８．３１）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＵＳ２００６／０３４５５５
【国際公開番号】ＷＯ２００７／０２８１５６
【国際公開日】平成１９年３月８日（２００７．３．８）
【出願人】（５９２０１００８１）ラム リサーチ コーポレーション (467)
【氏名又は名称原語表記】ＬＡＭ ＲＥＳＥＡＲＣＨ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ
【Ｆターム（参考）】
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