電子部品の製造方法
【課題】 必要なめっき膜と隣接する厚いダミーめっき膜であっても、短時間に確実に除去可能な電子部品の製造方法を提供する。
【解決手段】 前記ダミーめっき用電極パターンの電極２２として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態で、加圧した窒素を吹き付けたり、全体を振動させる等の物理的な刺激を与え、ダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜４５を除去し、残留している低融点金属膜及び不要なめっき用電極パターン２０をエッチング、イオンミリング等の手法で除去する。
【解決手段】 前記ダミーめっき用電極パターンの電極２２として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態で、加圧した窒素を吹き付けたり、全体を振動させる等の物理的な刺激を与え、ダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜４５を除去し、残留している低融点金属膜及び不要なめっき用電極パターン２０をエッチング、イオンミリング等の手法で除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき法により作製される電子部品の製造方法、例えば、めっきバンプを有する電子部品、めっき膜をコイルとして用いるインダクタ、あるいはめっき配線板等の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
めっき法は安価な設備で高速成膜が可能なことから多くの電子部品の製造に活用されている。例えば、半導体その他の電子素子の引き出し電極と外部端子とを電気的に接続するためのバンプ接合は、半導体電極と位置的に整列した外部端子を直接接合する方法であり、めっき法により作製されることが多い。
【０００３】
素子の実装密度向上のためには、バンプ高とバンプ幅の比であるアスペクト比をより大きくすることが望まれている。また素子検査用のプローブ素子の接点部も高アスペクト比のめっきバンプが必要である。
【０００４】
このような要求に応えるべく、本出願に係る発明者は、すでに日本国特許第３３４９６５６号として、めっき膜の異方性成長を利用しためっきバンプおよびその製造方法を提案している。すなわち、パターニングされた下地導電体上に電気めっき法によりめっき形成されるバンプの側面をフォトレジストにより制限しないで作製された微細バンプにおいて、下地導電体から水平方向のめっき厚をＬ１、垂直方向のめっき厚をＬ２とした時にＬ２／Ｌ１＞２であることを特徴とする電気めっき法により作製されたすず、鉛、ニッケル、金、銅のいずれかを主成分とするバンプに関する発明を提示している。
【０００５】
しかしながら、上記提案の方法によると、バンプ群の最外周に位置するバンプは、バンプ群の内部のバンプとは電流密度分布、液の流れによる金属イオンの拡散速度等が異なるため、外側に大きく張り出した形状となってしまう。このため、ＢＧＡ(Ball Grid Array)等のバンプマトリックス群の場合には、バンプ群の最外周に位置するバンプのさらに外側に、また、孤立バンプでは、その周囲にいわゆるダミーパターンを設けることが必要となる。
【０００６】
このダミーパターン上に形成されためっき膜は、本来の素子機能上は不要な物であるため、最終的には除去する必要がある。不要なめっき膜を除去する方法としては、必要なバンプをフォトレジスト等でカバーした後にエッチング処理する方法が一般的である。しかしながら、フォトレジスト等のカバーの作製は工程が複雑であり、かつ、めっき膜厚が厚い場合には十分にカバーできないことがあった。特に、前述の方法による、高アスペクト比バンプではバンプ間の間隔が短いことから特に困難であった。さらに厚いめっき膜の除去には長時間を要していた。
【０００７】
ところで、高アスペクト比のめっき膜をコイルとして用いる方法も知られているが（例えば、特開平１１−２０４３６１号公報）、やはり上記と同様にダミーパターンを設けた場合には、その除去が問題であった。
【０００８】
【特許文献１】特許第３３４９６５６号公報
【特許文献２】特開平１１−２０４３６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このような実状のもとに本発明は創案されたものであって、その目的は、必要なめっき膜と隣接する厚いダミーめっき膜であっても、短時間に確実に除去可能な電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような課題を解決するために、本発明は、めっき用電極パターンの周囲にダミーめっき用電極パターンを設け、これらの電極パターンの上にめっきを行った後に、ダミーめっき用電極パターンの上に形成されたダミーめっき膜を除去してなる、めっき膜を有する電子部品の製造方法であって、前記ダミーめっき用電極パターンの電極として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態でダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜を除去するように構成される。
【００１１】
また、本発明の好ましい態様として、前記低融点金属膜は、その融点が４００℃以下であるように構成される。
【００１２】
また、本発明の好ましい態様として、前記低融点金属膜が、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｄのいずれかの金属、あるいはいずれかを主成分とする合金からなるように構成される。
【００１３】
また、本発明の好ましい態様として、前記形成されるめっき膜は、下地である導電体膜から水平方向のめっき膜厚をＬ１、垂直方向のめっき膜厚をＬ２とした時に、Ｌ２／Ｌ１＞２となるように構成される。
【００１４】
また、本発明の好ましい態様として、前記めっき膜によりバンプまたはコイルが形成されるように構成される。
【００１５】
また、本発明の好ましい態様として、前記ダミーめっき用電極パターンである低融点金属膜と、めっき膜との融点の差は、１００℃以上となるように構成される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のめっき膜を有する電子部品の製造方法は、ダミーめっき用電極パターンの電極として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態でダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜を除去するように構成しているので、必要なめっき膜と隣接する厚いダミーめっき膜であっても、短時間に確実に除去することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
【００１８】
本発明の電子部品の製造方法は、めっき用電極パターンの周囲にダミーめっき用電極パターンを設け、これらの電極パターンの上にめっきを行った後に、ダミーめっき用電極パターンの上に形成されたダミーめっき膜を除去してなる、めっき膜を有する電子部品の製造方法であって、特に、本発明の要部は、ダミーめっき用電極パターンの電極に低融点の材料を用い、めっき形成後に融点以上に加熱した状態でダミーめっき用電極上のめっき膜を除去するようにしている点にある。
【００１９】
以下、具体的な構成について詳細に説明する。
【００２０】
本発明のめっき用電極パターンの周囲には、ダミーパターン（ダミーめっき用電極パターン）が設けられる。ダミーパターンとは、機能上必要なめっきパターン（本来形成しようとしているめっき形成パターンであり、「本パターン」ともいう）の周囲に設けられ、ダミーパターン上にもめっき膜が成長することで、本パターン上のめっき成長速度、形状等を改善することを目的として形成されたパターンである。このようなダミーパターンの形状、配置は、個々の本パターン、めっき条件により決定される。例えば、本パターンがマトリックス状のバンプ群の場合には、最外周のバンプのさらに外側にバンプ列を設ける。バンプ列の替わりにバンプ群を取り囲む矩形形状等も可能である。
【００２１】
本発明においては、ダミーパターンの膜（ダミーめっき用電極パターンの膜）として融点が４００℃以下、好ましくは、安価なＰｂの融点（３２７℃）以下の低融点金属膜が用いられる。具体的には、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｄのいずれかの金属、あるいはこれらのいずれかを主成分とする合金や、ニュートン合金、オニオン合金、ウッド合金およびリポウィッツ合金が特に好ましい。上記の金属や合金の融点は、例えばＳｎ（２３２℃）、Ｐｂ（３２７℃）、ＳｎＰｂ（１８２℃）、Ｂｉ（２７１℃）、Ｃｄ（３２１℃）、Ｉｎ（１５６℃）、ニュートン合金（５０％Ｂｉ ３１％Ｐｂ １９％Ｓｎ ９５℃）、オニオン合金（５０％Ｂｉ ３０％Ｐｂ ２０％Ｓｎ ９５℃）、ウッド合金（５０％Ｂｉ ２４％Ｐｂ １４％Ｓｎ １２％Ｃｄ ７０℃）、リポウィッツ合金（５０％Ｂｉ ２７％Ｐｂ １３％Ｓｎ １０％Ｃｄ ７０℃）である。
【００２２】
また、ダミーパターン膜の膜厚は、０．０１〜５００μｍ、好ましくは０．０５〜５０μｍ、特に好ましくは０．０５〜１０μｍである。この膜厚が０．０１μｍ未満となると、その膜上に形成されためっき膜の除去が困難となり、また、５００μｍを超えると低融点金属が必要なめっき膜に付着してしまい短絡等の問題が発生することがある。
【００２３】
また、前記金属から選ばれる１種を主成分とし、副成分として前記金属から選ばれる１種以上の金属を含むようにした合金や、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ等の高融点金属やＰ、Ｃ、Ｓ等の非金属をさらに１０ｗｔ％以下含有するよう合金組成であっても、その合金としての融点が上記温度以下、すなわち４００℃以下であれば問題はない。なお、融点の下限は実用上利用可能な低融点合金の下限であるが、特に好ましくは、安価なＳｎＰｂ共晶合金の融点（１８２℃）以上である。
【００２４】
また、上記低融点の金属膜として、価格、安全性の観点からＳｎが好ましく、ＳｎまたはＳｎ合金めっき膜とする場合には、公知の各種のめっき浴、めっき条件を使用することが可能である。
【００２５】
また、ダミーパターン膜（ダミーめっき用電極パターンの膜）は、低融点金属の単層膜である必要はなく、下地電極膜として少なくとも低融点金属膜を１層有する多層膜であっても差し支えない。すなわち、密着層としてＴｉ膜を用い、その上に低融点金属層としてＳｎＢｉ膜を成膜し、さらにＣｕ膜、そしてＡｕ膜を用いた４層多層膜等も好ましく用いることが可能である。この場合には実質的なダミーパターンとしての機能、すなわちめっき下地導体としての機能は主としてＣｕ膜がはたす。Ａｕ膜はＣｕ膜の酸化防止のためである。さらには、本パターンの下地導体電極膜と共通の膜に加えて、ダミーパターンのみに低融点金属膜を積層する構成も好ましく用いることができる。
【００２６】
なお、ダミーめっき用電極パターンである低融点金属膜と、めっき膜（低融点金属膜の上や、本パターンの上に形成されるめっき膜）との融点の差は、１００℃以上、好ましくは２００℃以上であり、めっき膜は、ニッケル、金、銅いずれかの金属、あるいはいずれかを主成分とする合金からなることが好ましい。融点の差が１００℃未満であると、低融点金属膜の融点以上の温度でダミーパターン膜上のめっき膜を除去する際に、めっき膜も軟質化して、傷が付き易くなるからである。
【００２７】
本発明においては、めっきを行った後に低融点金属膜の融点以上、好ましくは融点より１０〜５０℃高い温度に加熱しダミーパターン上に形成されためっき膜を除去する。１０℃未満では除去が困難であり、５０℃を超えると加熱のためのコストが高くなる傾向にある。
【００２８】
以下、図１（ａ），（ｂ）〜図７（ａ），（ｂ）を用いて、本発明の電子部品の製造方法、特に、本発明の電気めっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明する。これら各図面において、（ａ）は本発明の電子部品の製造方法を説明するためのめっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。なお、図は説明のために下地導電膜、低融点金属膜等を厚く表現する等デフォルメや簡略化されたものであり、基体１０の表面、内部に設けられている回路は表示していない。
【００２９】
図１に示されるように、基体１０上に導電体膜２０が形成される。
【００３０】
次いで、図２に示されるように、ダミーパターン形成部周辺のみに、さらに低融点金属膜パターン２２が形成される。なお図では簡略化のため、低融点金属膜パターン２２が導電体膜２０の中に埋め込まれたように表現されている。
【００３１】
次いで、図３に示されるようにフォトレジスト３０でパターニングを行いフォトレジスト３０に開口部を形成する。この開口部がめっき用電極パターン３６、およびダミーめっき用電極パターン３５となる。すなわち、導電体膜２０の上にパターン化された開口部がめっき用電極パターン３６を構成し、低融点金属膜パターン２２の上にパターン化された開口部がダミーめっき用電極パターン３５を構成する。図３（ａ）の最外周位置を取り巻く開口部はダミーめっき用電極パターン３５を構成している。
【００３２】
ここで、導電体膜２０はめっき法として電気めっきを用いる場合には通電のために不可欠であり、金、銅等の金属をスパッタ等の真空成膜法や無電解めっき法で成膜することが好ましい。通電を確保するのが目的のため膜厚は０．０５〜５μｍ程度の薄膜で十分である。パターニングはフォトレジストを塗布し、マスクを通じて露光、現像することで行う。本発明においてはフォトレジストの厚さは薄くて構わないため、０．１〜５μｍ程度で十分である。このため汎用の安価なフォトレジストを使用し、露光、現像等のプロセス時間も短い。
【００３３】
このように、ダミーめっき用電極パターン３５は、レジストパターンにより形成することが好ましいが、低融点金属膜パターン２２形成時に作製しておくことも可能である。
【００３４】
次いで、図４に示されるように、めっきにより、バンプを形成する。
【００３５】
本発明では、めっき成膜時の撹拌速度ｖが０．０１〜０．１ｍ／ｓ、電流密度ｉが５〜１０Ａ／ｄｍ2、金属イオン濃度Ｍが０．０１〜０．４モル／リットルであることが好ましい。上記の条件は、本来は水平方向も垂直方向も同じ速度で成膜されるめっき膜を、垂直方向に異方性成長させるために必要となる。撹拌速度ｖが０．０１ｍ／ｓ未満では金属イオンの析出面への拡散が不十分でヤケを起こし、撹拌速度ｖが０．１ｍ／ｓを超えると水平方向への成長が早くなってしまう。また電流密度ｉが５Ａ／ｄｍ2未満では水平方向への成長が早くなってしまい、電流密度ｉが１０Ａ／ｄｍ2を超えるとヤケ現象が起こる。金属イオン濃度Ｍが０．０１モル／リットル未満では金属イオンの析出面への拡散が不十分でヤケを起こし、金属イオン濃度Ｍが０．４モル／リットルを超えると水平方向への成長が早くなってしまう。すなわち、この３つの条件は異方性成長のために同じように寄与する。この３つの条件が全て前記範囲になければならない。特に注意すべきは、必要上ある条件が上限、または下限に近い場合には、他の条件が、それを補うようにやはり上限または下限に近い条件に設定する必要があることである。
【００３６】
図４に示されるように、めっき用電極パターン３６の上に成長したバンプ４６は、バンプ高とバンプ幅の比であるアスペクト比が大きく、しかも、形状も揃っている。これに対して、ダミーめっき用電極パターン３５上に成長したダミーバンプ４５は、バンプ群の内部のバンプとは電流密度分布、液の流れによる金属イオンの拡散速度等が異なるため、外側に大きく張り出した形状となる。
【００３７】
次いで、図５に示されるようにパターニングされたフォトレジスト３０をめっき成膜後に剥離する。
【００３８】
次いで、図６に示されるように、低融点金属膜パターン２２である低融点金属膜の融点以上に加熱した状態で、ダミーめっき用電極パターン３５（低融点金属膜パターン２２）上に形成されためっき膜（ダミーバンプ４５）を除去する。めっき膜（ダミーバンプ４５）の除去は加圧した窒素を吹き付けたり、全体を振動させる等の物理的な刺激を与えることで容易に行える。ダミーめっき用電極パターン３５（低融点金属膜パターン２２）上のめっき膜を除去する際に、多くの低融点金属膜は共に除去されるが、一部は残留する（例えば、図６（ｂ）の符号２２ａ）。
【００３９】
次いで、残留している低融点金属膜および不要なめっき用電極パターンは、エッチング、イオンミリング等の公知の手法で除去され、図７の状態に至る。図７（ａ），（ｂ）は、本発明の一例であるめっき法により作製されたバンプ群の平面図、および断面図である。
【００４０】
なお、本発明の方法で形成されるめっき膜は、下地である導電体膜から水平方向のめっき膜厚をＬ１、垂直方向のめっき膜厚をＬ２とした時に、Ｌ２／Ｌ１＞２となるように構成されることが望ましい。
【００４１】
また、上記の説明では、めっき膜によりバンプを形成する製造例を示したが、コイルを形成する製造例も好ましい態様である。コイル形成については、下記の具体的実施例を参照されたい。
【実施例】
【００４２】
以下、本発明の具体的実施例挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
【００４３】
〔実施例１〕
ＢＧＡ用マトリックスバンプの形成例
図７に示されるような構造のＢＧＡ用マトリックスバンプを製作した。
【００４４】
すなわち、基体を構成するシリコンウエハー１０上に、アルミニウム（１０ｎｍ）、クロム（１０ｎｍ）、金（２００ｎｍ）の順に下地の導電体膜２０として全面にスパッタ成膜した。
【００４５】
さらに、メタルマスクを用いて、スズ（５００ｎｍ）を下地導電膜の一部に所定パターンで形成した（低融点金属膜の形成）。
【００４６】
その後、フォトレジストをスピンコートし、膜厚１μｍのフォトレジスト３０を設けた。そして、バンプ形成のために、直径Ｗ１＝４０μｍの円形バンプパターンが中心距離１００μｍの間隔で多数配置されているフォトマスクを用いてパターニングを行った。このパターンの内、最外周のバンプには、下地膜としてスズが形成されており、ダミーパターンである。
【００４７】
このウエハーをパドル攪拌を行いながら電気めっきを行い、めっき厚５０μｍの金バンプを作製した。使用した金めっき液は日本エレクトロプレーティングエンジニアーズ社製テンペレックス７０７であり、撹拌速度は０．０３ｍ／ｓ、電流密度は７．５Ａ／ｄｍ2、金イオン濃度は０．１モル／Ｌとした。
【００４８】
めっき後に、酸素プラズマアッシング処理を行い、フォトレジストを剥離した。そして、アルゴン雰囲気下、バンプ形成面を下側にしランプ加熱により２６０℃に加熱し軽く揺動したところ、ダミーめっき膜は全て剥落し、所望のめっきバンプのみが基板上に残った。そして、イオンミリングにより下地電極膜を除去することで、所望のバンプ群を有する基板を完成させた。
【００４９】
〔実施例２〕
コイルの形成例
図８（ａ），（ｂ）〜図１１（ａ），（ｂ）に示される手順にて、コイルを作製した。
これら各図面において、（ａ）はめっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【００５０】
図８に示されるように３インチ径のフェライト基板１０（厚さ５００μｍ）の片面にメタルマスクを用いて、低融点金属膜２２であるインジウム膜を、２００ｎｍの厚さに成膜した。
【００５１】
低融点金属膜２２の成膜パターンは図８に示されるように、ダミーめっき膜が成膜される部分とその周囲である。
【００５２】
次に、図９に示されるようにチタンを１０ｎｍ、銅を２００ｎｍを全面に成膜し、下地導電体膜２０とした。そして、ポジ型ホトレジスト（東京応化工業社製、商品名「ＰＭＥＲ Ｐ−ＡＲ９００」）を乾燥膜厚５μｍになるようにスピンコートし、常法に従って露光及び現像処理することによりパターン幅９０μｍ、パターン間隔２０μｍのレジストパターン３０を形成させた。このようにして得たレジストパターン３０はその除去された部分がスパイラル状である。
【００５３】
次いで、このパターンに、硫酸銅濃度７０グラム／リットルのめっき液を用い、小孔を有するパイプをカソード近傍に配置し、２５℃において、これからめっき液を２０ｍｍ／秒の割合で噴出させることによって、カソード近傍での攪拌速度を０．０７ｍ／ｓとし、電流密度６Ａ／ｄｍ2の条件下で光沢硫酸銅めっきを行い膜厚１５０μｍの断面マッシュルーム状のコイル導体めっき層５５，５６を形成させた。符号５５がダミーのめっき部分である。
【００５４】
その後、全面をイオンミリングにて処理し（基板角度８０度）、めっき下地膜として成膜した銅、チタン膜を除去した。しかる後、窒素置換下、２００℃ホットプレートにて基板下面から加熱し、その直後に基板を上下反転したところ、図１１に示されるようにダミーパターン上のめっき膜５５は基板から脱落分離した。なお、インジウムは大部分が脱離した銅ダミーパターンに付着したため、基板面にはわずかのインジウムが残存したのみであった。その後、コイルの両端部に別途、準備した細線を接続し、平面コイル５６を製造した。
【００５５】
以上の実施例からもわかるように、本発明によれば、高密度実装に適した高アスペクト比のめっき膜を均一に形成するために、不可欠なダミーめっき膜部分を容易に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図３】図３（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図４】図４（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図５】図５（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図６】図６（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図７】図７（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図８】図８（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりコイルを作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図９】図９（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりコイルを作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図１０】図１０（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりコイルを作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図１１】図１１（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりコイルを作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【符号の説明】
【００５７】
１０…基体
２０…導電体膜
２２…低融点金属膜
３０…パターニングされたフォトレジスト
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき法により作製される電子部品の製造方法、例えば、めっきバンプを有する電子部品、めっき膜をコイルとして用いるインダクタ、あるいはめっき配線板等の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
めっき法は安価な設備で高速成膜が可能なことから多くの電子部品の製造に活用されている。例えば、半導体その他の電子素子の引き出し電極と外部端子とを電気的に接続するためのバンプ接合は、半導体電極と位置的に整列した外部端子を直接接合する方法であり、めっき法により作製されることが多い。
【０００３】
素子の実装密度向上のためには、バンプ高とバンプ幅の比であるアスペクト比をより大きくすることが望まれている。また素子検査用のプローブ素子の接点部も高アスペクト比のめっきバンプが必要である。
【０００４】
このような要求に応えるべく、本出願に係る発明者は、すでに日本国特許第３３４９６５６号として、めっき膜の異方性成長を利用しためっきバンプおよびその製造方法を提案している。すなわち、パターニングされた下地導電体上に電気めっき法によりめっき形成されるバンプの側面をフォトレジストにより制限しないで作製された微細バンプにおいて、下地導電体から水平方向のめっき厚をＬ１、垂直方向のめっき厚をＬ２とした時にＬ２／Ｌ１＞２であることを特徴とする電気めっき法により作製されたすず、鉛、ニッケル、金、銅のいずれかを主成分とするバンプに関する発明を提示している。
【０００５】
しかしながら、上記提案の方法によると、バンプ群の最外周に位置するバンプは、バンプ群の内部のバンプとは電流密度分布、液の流れによる金属イオンの拡散速度等が異なるため、外側に大きく張り出した形状となってしまう。このため、ＢＧＡ(Ball Grid Array)等のバンプマトリックス群の場合には、バンプ群の最外周に位置するバンプのさらに外側に、また、孤立バンプでは、その周囲にいわゆるダミーパターンを設けることが必要となる。
【０００６】
このダミーパターン上に形成されためっき膜は、本来の素子機能上は不要な物であるため、最終的には除去する必要がある。不要なめっき膜を除去する方法としては、必要なバンプをフォトレジスト等でカバーした後にエッチング処理する方法が一般的である。しかしながら、フォトレジスト等のカバーの作製は工程が複雑であり、かつ、めっき膜厚が厚い場合には十分にカバーできないことがあった。特に、前述の方法による、高アスペクト比バンプではバンプ間の間隔が短いことから特に困難であった。さらに厚いめっき膜の除去には長時間を要していた。
【０００７】
ところで、高アスペクト比のめっき膜をコイルとして用いる方法も知られているが（例えば、特開平１１−２０４３６１号公報）、やはり上記と同様にダミーパターンを設けた場合には、その除去が問題であった。
【０００８】
【特許文献１】特許第３３４９６５６号公報
【特許文献２】特開平１１−２０４３６１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
このような実状のもとに本発明は創案されたものであって、その目的は、必要なめっき膜と隣接する厚いダミーめっき膜であっても、短時間に確実に除去可能な電子部品の製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
このような課題を解決するために、本発明は、めっき用電極パターンの周囲にダミーめっき用電極パターンを設け、これらの電極パターンの上にめっきを行った後に、ダミーめっき用電極パターンの上に形成されたダミーめっき膜を除去してなる、めっき膜を有する電子部品の製造方法であって、前記ダミーめっき用電極パターンの電極として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態でダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜を除去するように構成される。
【００１１】
また、本発明の好ましい態様として、前記低融点金属膜は、その融点が４００℃以下であるように構成される。
【００１２】
また、本発明の好ましい態様として、前記低融点金属膜が、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｄのいずれかの金属、あるいはいずれかを主成分とする合金からなるように構成される。
【００１３】
また、本発明の好ましい態様として、前記形成されるめっき膜は、下地である導電体膜から水平方向のめっき膜厚をＬ１、垂直方向のめっき膜厚をＬ２とした時に、Ｌ２／Ｌ１＞２となるように構成される。
【００１４】
また、本発明の好ましい態様として、前記めっき膜によりバンプまたはコイルが形成されるように構成される。
【００１５】
また、本発明の好ましい態様として、前記ダミーめっき用電極パターンである低融点金属膜と、めっき膜との融点の差は、１００℃以上となるように構成される。
【発明の効果】
【００１６】
本発明のめっき膜を有する電子部品の製造方法は、ダミーめっき用電極パターンの電極として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態でダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜を除去するように構成しているので、必要なめっき膜と隣接する厚いダミーめっき膜であっても、短時間に確実に除去することが可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１７】
以下、本発明の具体的構成について詳細に説明する。
【００１８】
本発明の電子部品の製造方法は、めっき用電極パターンの周囲にダミーめっき用電極パターンを設け、これらの電極パターンの上にめっきを行った後に、ダミーめっき用電極パターンの上に形成されたダミーめっき膜を除去してなる、めっき膜を有する電子部品の製造方法であって、特に、本発明の要部は、ダミーめっき用電極パターンの電極に低融点の材料を用い、めっき形成後に融点以上に加熱した状態でダミーめっき用電極上のめっき膜を除去するようにしている点にある。
【００１９】
以下、具体的な構成について詳細に説明する。
【００２０】
本発明のめっき用電極パターンの周囲には、ダミーパターン（ダミーめっき用電極パターン）が設けられる。ダミーパターンとは、機能上必要なめっきパターン（本来形成しようとしているめっき形成パターンであり、「本パターン」ともいう）の周囲に設けられ、ダミーパターン上にもめっき膜が成長することで、本パターン上のめっき成長速度、形状等を改善することを目的として形成されたパターンである。このようなダミーパターンの形状、配置は、個々の本パターン、めっき条件により決定される。例えば、本パターンがマトリックス状のバンプ群の場合には、最外周のバンプのさらに外側にバンプ列を設ける。バンプ列の替わりにバンプ群を取り囲む矩形形状等も可能である。
【００２１】
本発明においては、ダミーパターンの膜（ダミーめっき用電極パターンの膜）として融点が４００℃以下、好ましくは、安価なＰｂの融点（３２７℃）以下の低融点金属膜が用いられる。具体的には、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｄのいずれかの金属、あるいはこれらのいずれかを主成分とする合金や、ニュートン合金、オニオン合金、ウッド合金およびリポウィッツ合金が特に好ましい。上記の金属や合金の融点は、例えばＳｎ（２３２℃）、Ｐｂ（３２７℃）、ＳｎＰｂ（１８２℃）、Ｂｉ（２７１℃）、Ｃｄ（３２１℃）、Ｉｎ（１５６℃）、ニュートン合金（５０％Ｂｉ ３１％Ｐｂ １９％Ｓｎ ９５℃）、オニオン合金（５０％Ｂｉ ３０％Ｐｂ ２０％Ｓｎ ９５℃）、ウッド合金（５０％Ｂｉ ２４％Ｐｂ １４％Ｓｎ １２％Ｃｄ ７０℃）、リポウィッツ合金（５０％Ｂｉ ２７％Ｐｂ １３％Ｓｎ １０％Ｃｄ ７０℃）である。
【００２２】
また、ダミーパターン膜の膜厚は、０．０１〜５００μｍ、好ましくは０．０５〜５０μｍ、特に好ましくは０．０５〜１０μｍである。この膜厚が０．０１μｍ未満となると、その膜上に形成されためっき膜の除去が困難となり、また、５００μｍを超えると低融点金属が必要なめっき膜に付着してしまい短絡等の問題が発生することがある。
【００２３】
また、前記金属から選ばれる１種を主成分とし、副成分として前記金属から選ばれる１種以上の金属を含むようにした合金や、Ａｇ、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｎｉ等の高融点金属やＰ、Ｃ、Ｓ等の非金属をさらに１０ｗｔ％以下含有するよう合金組成であっても、その合金としての融点が上記温度以下、すなわち４００℃以下であれば問題はない。なお、融点の下限は実用上利用可能な低融点合金の下限であるが、特に好ましくは、安価なＳｎＰｂ共晶合金の融点（１８２℃）以上である。
【００２４】
また、上記低融点の金属膜として、価格、安全性の観点からＳｎが好ましく、ＳｎまたはＳｎ合金めっき膜とする場合には、公知の各種のめっき浴、めっき条件を使用することが可能である。
【００２５】
また、ダミーパターン膜（ダミーめっき用電極パターンの膜）は、低融点金属の単層膜である必要はなく、下地電極膜として少なくとも低融点金属膜を１層有する多層膜であっても差し支えない。すなわち、密着層としてＴｉ膜を用い、その上に低融点金属層としてＳｎＢｉ膜を成膜し、さらにＣｕ膜、そしてＡｕ膜を用いた４層多層膜等も好ましく用いることが可能である。この場合には実質的なダミーパターンとしての機能、すなわちめっき下地導体としての機能は主としてＣｕ膜がはたす。Ａｕ膜はＣｕ膜の酸化防止のためである。さらには、本パターンの下地導体電極膜と共通の膜に加えて、ダミーパターンのみに低融点金属膜を積層する構成も好ましく用いることができる。
【００２６】
なお、ダミーめっき用電極パターンである低融点金属膜と、めっき膜（低融点金属膜の上や、本パターンの上に形成されるめっき膜）との融点の差は、１００℃以上、好ましくは２００℃以上であり、めっき膜は、ニッケル、金、銅いずれかの金属、あるいはいずれかを主成分とする合金からなることが好ましい。融点の差が１００℃未満であると、低融点金属膜の融点以上の温度でダミーパターン膜上のめっき膜を除去する際に、めっき膜も軟質化して、傷が付き易くなるからである。
【００２７】
本発明においては、めっきを行った後に低融点金属膜の融点以上、好ましくは融点より１０〜５０℃高い温度に加熱しダミーパターン上に形成されためっき膜を除去する。１０℃未満では除去が困難であり、５０℃を超えると加熱のためのコストが高くなる傾向にある。
【００２８】
以下、図１（ａ），（ｂ）〜図７（ａ），（ｂ）を用いて、本発明の電子部品の製造方法、特に、本発明の電気めっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明する。これら各図面において、（ａ）は本発明の電子部品の製造方法を説明するためのめっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。なお、図は説明のために下地導電膜、低融点金属膜等を厚く表現する等デフォルメや簡略化されたものであり、基体１０の表面、内部に設けられている回路は表示していない。
【００２９】
図１に示されるように、基体１０上に導電体膜２０が形成される。
【００３０】
次いで、図２に示されるように、ダミーパターン形成部周辺のみに、さらに低融点金属膜パターン２２が形成される。なお図では簡略化のため、低融点金属膜パターン２２が導電体膜２０の中に埋め込まれたように表現されている。
【００３１】
次いで、図３に示されるようにフォトレジスト３０でパターニングを行いフォトレジスト３０に開口部を形成する。この開口部がめっき用電極パターン３６、およびダミーめっき用電極パターン３５となる。すなわち、導電体膜２０の上にパターン化された開口部がめっき用電極パターン３６を構成し、低融点金属膜パターン２２の上にパターン化された開口部がダミーめっき用電極パターン３５を構成する。図３（ａ）の最外周位置を取り巻く開口部はダミーめっき用電極パターン３５を構成している。
【００３２】
ここで、導電体膜２０はめっき法として電気めっきを用いる場合には通電のために不可欠であり、金、銅等の金属をスパッタ等の真空成膜法や無電解めっき法で成膜することが好ましい。通電を確保するのが目的のため膜厚は０．０５〜５μｍ程度の薄膜で十分である。パターニングはフォトレジストを塗布し、マスクを通じて露光、現像することで行う。本発明においてはフォトレジストの厚さは薄くて構わないため、０．１〜５μｍ程度で十分である。このため汎用の安価なフォトレジストを使用し、露光、現像等のプロセス時間も短い。
【００３３】
このように、ダミーめっき用電極パターン３５は、レジストパターンにより形成することが好ましいが、低融点金属膜パターン２２形成時に作製しておくことも可能である。
【００３４】
次いで、図４に示されるように、めっきにより、バンプを形成する。
【００３５】
本発明では、めっき成膜時の撹拌速度ｖが０．０１〜０．１ｍ／ｓ、電流密度ｉが５〜１０Ａ／ｄｍ2、金属イオン濃度Ｍが０．０１〜０．４モル／リットルであることが好ましい。上記の条件は、本来は水平方向も垂直方向も同じ速度で成膜されるめっき膜を、垂直方向に異方性成長させるために必要となる。撹拌速度ｖが０．０１ｍ／ｓ未満では金属イオンの析出面への拡散が不十分でヤケを起こし、撹拌速度ｖが０．１ｍ／ｓを超えると水平方向への成長が早くなってしまう。また電流密度ｉが５Ａ／ｄｍ2未満では水平方向への成長が早くなってしまい、電流密度ｉが１０Ａ／ｄｍ2を超えるとヤケ現象が起こる。金属イオン濃度Ｍが０．０１モル／リットル未満では金属イオンの析出面への拡散が不十分でヤケを起こし、金属イオン濃度Ｍが０．４モル／リットルを超えると水平方向への成長が早くなってしまう。すなわち、この３つの条件は異方性成長のために同じように寄与する。この３つの条件が全て前記範囲になければならない。特に注意すべきは、必要上ある条件が上限、または下限に近い場合には、他の条件が、それを補うようにやはり上限または下限に近い条件に設定する必要があることである。
【００３６】
図４に示されるように、めっき用電極パターン３６の上に成長したバンプ４６は、バンプ高とバンプ幅の比であるアスペクト比が大きく、しかも、形状も揃っている。これに対して、ダミーめっき用電極パターン３５上に成長したダミーバンプ４５は、バンプ群の内部のバンプとは電流密度分布、液の流れによる金属イオンの拡散速度等が異なるため、外側に大きく張り出した形状となる。
【００３７】
次いで、図５に示されるようにパターニングされたフォトレジスト３０をめっき成膜後に剥離する。
【００３８】
次いで、図６に示されるように、低融点金属膜パターン２２である低融点金属膜の融点以上に加熱した状態で、ダミーめっき用電極パターン３５（低融点金属膜パターン２２）上に形成されためっき膜（ダミーバンプ４５）を除去する。めっき膜（ダミーバンプ４５）の除去は加圧した窒素を吹き付けたり、全体を振動させる等の物理的な刺激を与えることで容易に行える。ダミーめっき用電極パターン３５（低融点金属膜パターン２２）上のめっき膜を除去する際に、多くの低融点金属膜は共に除去されるが、一部は残留する（例えば、図６（ｂ）の符号２２ａ）。
【００３９】
次いで、残留している低融点金属膜および不要なめっき用電極パターンは、エッチング、イオンミリング等の公知の手法で除去され、図７の状態に至る。図７（ａ），（ｂ）は、本発明の一例であるめっき法により作製されたバンプ群の平面図、および断面図である。
【００４０】
なお、本発明の方法で形成されるめっき膜は、下地である導電体膜から水平方向のめっき膜厚をＬ１、垂直方向のめっき膜厚をＬ２とした時に、Ｌ２／Ｌ１＞２となるように構成されることが望ましい。
【００４１】
また、上記の説明では、めっき膜によりバンプを形成する製造例を示したが、コイルを形成する製造例も好ましい態様である。コイル形成については、下記の具体的実施例を参照されたい。
【実施例】
【００４２】
以下、本発明の具体的実施例挙げて本発明をさらに詳細に説明する。
【００４３】
〔実施例１〕
ＢＧＡ用マトリックスバンプの形成例
図７に示されるような構造のＢＧＡ用マトリックスバンプを製作した。
【００４４】
すなわち、基体を構成するシリコンウエハー１０上に、アルミニウム（１０ｎｍ）、クロム（１０ｎｍ）、金（２００ｎｍ）の順に下地の導電体膜２０として全面にスパッタ成膜した。
【００４５】
さらに、メタルマスクを用いて、スズ（５００ｎｍ）を下地導電膜の一部に所定パターンで形成した（低融点金属膜の形成）。
【００４６】
その後、フォトレジストをスピンコートし、膜厚１μｍのフォトレジスト３０を設けた。そして、バンプ形成のために、直径Ｗ１＝４０μｍの円形バンプパターンが中心距離１００μｍの間隔で多数配置されているフォトマスクを用いてパターニングを行った。このパターンの内、最外周のバンプには、下地膜としてスズが形成されており、ダミーパターンである。
【００４７】
このウエハーをパドル攪拌を行いながら電気めっきを行い、めっき厚５０μｍの金バンプを作製した。使用した金めっき液は日本エレクトロプレーティングエンジニアーズ社製テンペレックス７０７であり、撹拌速度は０．０３ｍ／ｓ、電流密度は７．５Ａ／ｄｍ2、金イオン濃度は０．１モル／Ｌとした。
【００４８】
めっき後に、酸素プラズマアッシング処理を行い、フォトレジストを剥離した。そして、アルゴン雰囲気下、バンプ形成面を下側にしランプ加熱により２６０℃に加熱し軽く揺動したところ、ダミーめっき膜は全て剥落し、所望のめっきバンプのみが基板上に残った。そして、イオンミリングにより下地電極膜を除去することで、所望のバンプ群を有する基板を完成させた。
【００４９】
〔実施例２〕
コイルの形成例
図８（ａ），（ｂ）〜図１１（ａ），（ｂ）に示される手順にて、コイルを作製した。
これら各図面において、（ａ）はめっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【００５０】
図８に示されるように３インチ径のフェライト基板１０（厚さ５００μｍ）の片面にメタルマスクを用いて、低融点金属膜２２であるインジウム膜を、２００ｎｍの厚さに成膜した。
【００５１】
低融点金属膜２２の成膜パターンは図８に示されるように、ダミーめっき膜が成膜される部分とその周囲である。
【００５２】
次に、図９に示されるようにチタンを１０ｎｍ、銅を２００ｎｍを全面に成膜し、下地導電体膜２０とした。そして、ポジ型ホトレジスト（東京応化工業社製、商品名「ＰＭＥＲ Ｐ−ＡＲ９００」）を乾燥膜厚５μｍになるようにスピンコートし、常法に従って露光及び現像処理することによりパターン幅９０μｍ、パターン間隔２０μｍのレジストパターン３０を形成させた。このようにして得たレジストパターン３０はその除去された部分がスパイラル状である。
【００５３】
次いで、このパターンに、硫酸銅濃度７０グラム／リットルのめっき液を用い、小孔を有するパイプをカソード近傍に配置し、２５℃において、これからめっき液を２０ｍｍ／秒の割合で噴出させることによって、カソード近傍での攪拌速度を０．０７ｍ／ｓとし、電流密度６Ａ／ｄｍ2の条件下で光沢硫酸銅めっきを行い膜厚１５０μｍの断面マッシュルーム状のコイル導体めっき層５５，５６を形成させた。符号５５がダミーのめっき部分である。
【００５４】
その後、全面をイオンミリングにて処理し（基板角度８０度）、めっき下地膜として成膜した銅、チタン膜を除去した。しかる後、窒素置換下、２００℃ホットプレートにて基板下面から加熱し、その直後に基板を上下反転したところ、図１１に示されるようにダミーパターン上のめっき膜５５は基板から脱落分離した。なお、インジウムは大部分が脱離した銅ダミーパターンに付着したため、基板面にはわずかのインジウムが残存したのみであった。その後、コイルの両端部に別途、準備した細線を接続し、平面コイル５６を製造した。
【００５５】
以上の実施例からもわかるように、本発明によれば、高密度実装に適した高アスペクト比のめっき膜を均一に形成するために、不可欠なダミーめっき膜部分を容易に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００５６】
【図１】図１（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図２】図２（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図３】図３（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図４】図４（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図５】図５（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図６】図６（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図７】図７（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりバンプ群を作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図８】図８（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりコイルを作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図９】図９（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりコイルを作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図１０】図１０（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりコイルを作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【図１１】図１１（ａ），（ｂ）は本発明のめっき法によりコイルを作製する過程を経時的に説明するための図面であって、（ａ）は、めっき対象物の平面図を模式的に示したものであり、（ｂ）は（ａ）の断面図を模式的に示したものである。
【符号の説明】
【００５７】
１０…基体
２０…導電体膜
２２…低融点金属膜
３０…パターニングされたフォトレジスト
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき用電極パターンの周囲にダミーめっき用電極パターンを設け、これらの電極パターンの上にめっきを行った後に、ダミーめっき用電極パターンの上に形成されたダミーめっき膜を除去してなる、めっき膜を有する電子部品の製造方法であって、
前記ダミーめっき用電極パターンの電極として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態でダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜を除去することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記低融点金属膜は、その融点が４００℃以下である請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記低融点金属膜が、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｄのいずれかの金属、あるいはいずれかを主成分とする合金からなる請求項１または請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記形成されるめっき膜は、下地である導電体膜から水平方向のめっき膜厚をＬ１、垂直方向のめっき膜厚をＬ２とした時に、Ｌ２／Ｌ１＞２である請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記めっき膜によりバンプまたはコイルが形成されてなる請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記ダミーめっき用電極パターンである低融点金属膜と、めっき膜との融点の差は、１００℃以上である請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項１】
めっき用電極パターンの周囲にダミーめっき用電極パターンを設け、これらの電極パターンの上にめっきを行った後に、ダミーめっき用電極パターンの上に形成されたダミーめっき膜を除去してなる、めっき膜を有する電子部品の製造方法であって、
前記ダミーめっき用電極パターンの電極として低融点金属膜を用い、めっきをした後に前記低融点金属膜の融点以上に加熱した状態でダミーめっき用電極パターン上に形成されたダミーめっき膜を除去することを特徴とする電子部品の製造方法。
【請求項２】
前記低融点金属膜は、その融点が４００℃以下である請求項１に記載の電子部品の製造方法。
【請求項３】
前記低融点金属膜が、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｉｎ、Ｃｄのいずれかの金属、あるいはいずれかを主成分とする合金からなる請求項１または請求項２に記載の電子部品の製造方法。
【請求項４】
前記形成されるめっき膜は、下地である導電体膜から水平方向のめっき膜厚をＬ１、垂直方向のめっき膜厚をＬ２とした時に、Ｌ２／Ｌ１＞２である請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項５】
前記めっき膜によりバンプまたはコイルが形成されてなる請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【請求項６】
前記ダミーめっき用電極パターンである低融点金属膜と、めっき膜との融点の差は、１００℃以上である請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２００６−２９４８９１（Ｐ２００６−２９４８９１Ａ）
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−１１４２２３（Ｐ２００５−１１４２２３）
【出願日】平成１７年４月１２日（２００５．４．１２）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月２６日（２００６．１０．２６）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年４月１２日（２００５．４．１２）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【Ｆターム（参考）】
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