【課題】 信頼性の高い半導体装置を製造する方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、電極パッド１４と、電極パッド１４上に配置された開口１７を有するパッシベーション膜１６と、電極パッド１４における開口１７とオーバーラップする領域を覆う酸化膜１８とを有する半導体基板１０を用意する工程と、パッシベーション膜１６上に樹脂突起２０を形成する工程と、樹脂突起２０を覆うマスク３０を、酸化膜１８の少なくとも一部が露出するように形成する工程と、Ａｒガスを利用して酸化膜１８を除去して、電極パッド１４を露出させる工程と、マスク３０を除去する工程と、電極パッド１４と電気的に接続された配線４０を、樹脂突起２０上に至るように形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体装置は、電極１４を有する半導体基板１０と、半導体基板１０上に形成された樹脂突起２０と、電極１４と電気的に接続されてなり、樹脂突起２０上に至るように形成された配線３０とを含む。配線３０は、樹脂突起２０の上端面に形成された第１の部分３１と、樹脂突起２０の基端部の側方に形成された第２の部分３２とを含む。第２の部分３２は、第１の部分３１よりも幅が狭い。 （もっと読む）

【課題】ダマシン法を用いて形成された銅配線の絶縁破壊耐性（信頼性）を向上する。
【解決手段】シリコン酸化膜３９の配線溝４０に埋め込むＣｕ配線４６ａ〜４６ｅをＣＭＰを用いた研磨で形成する。それから、ＣＭＰ後の洗浄工程を経た後に、シリコン酸化膜３９およびＣｕ配線４６ａ〜４６ｅの表面を還元性プラズマ（アンモニアプラズマ）で処理する。その後、真空破壊することなく、連続的にキャップ膜（シリコン窒化膜４７）を形成する。 （もっと読む）

【課題】短絡や断線のおそれがなく、高精度で信頼性の高い半導体装置を提供する。特に側面から外部取出しを行うに際し、半導体装置の信頼性の向上をはかる。
【解決手段】 素子領域の形成された半導体基板表面に、層間絶縁膜と配線層とを備えた半導体装置であって、前記層間絶縁膜のうち、前記半導体基板端縁部で、少なくとも前記配線層と当接する、不純物を含む層間絶縁膜が、除去されている。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜をドライエッチングして下層のＣｕ配線の上部に配線溝を形成する際、配線溝の底部に露出した下層のＣｕ配線の表面に絶縁性の反応物が付着したり、配線溝の側壁に露出した炭化シリコン膜や有機絶縁膜がサイドエッチングされるという不具合を抑制する。
【解決手段】炭化窒化シリコン膜を含む積層膜をドライエッチングしてＣｕ配線２１の上部に配線溝３０を形成する際、ＣＨＦ_３とＮ_２とからなる混合ガスを使用することにより、配線溝３０の側壁を垂直に加工すると共に、配線溝３０の底部に露出したＣｕ配線２１の表面に堆積物や反応物が付着する不具合を抑制する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の銅配線間の容量低減を実現すると同時に絶縁破壊耐性を向上させ、さらにミスアライメント・ビアを対策する。
【解決手段】基板上の絶縁膜１７上に、銅を主成分として含む配線２６を形成する。それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。その後、低誘電率からなる絶縁膜３６及び絶縁膜３７を成膜する。その際、配線２６の隣接配線間において、対向する配線側面の上方での堆積速度が下方での堆積速度より大きくなるように絶縁膜３６を形成し、エアギャップを形成する。最後に、層間ＣＭＰによって、絶縁膜３７を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】亀裂の無い厚いＰＳＧ膜を単層で形成し、低コストで高信頼性の半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】４５０ｎｍ以上の段差Ｔ１のある酸化膜５の下地を、リン濃度が２ｍｏｌｗｔ％〜５ｍｏｌｗｔ％で膜厚Ｔ１が１．３μｍ以上の単層のＰＳＧ膜７で被覆する。リン濃度を２ｍｏｌｗｔ％〜５ｍｏｌｗｔ％とすることで、下地の段差Ｔ１が４５０ｎｍ以上あり、単層のＰＳＧ膜の厚さＷ１が１．３μｍ以上あった場合でも、高温熱処理によるＰＳＧ膜の収縮時に亀裂が発生するのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】活性領域が定義された半導体基板２１０上にゲート電極パターンを形成した後、その上に層間絶縁膜を形成してから、層間絶縁膜のうち活性領域上に置かれた部分をエリアタイプでエッチングしてゲート電極パターン両側に自己整列方式でコンタクトホールを形成し、次いで、このコンタクトホールを通じてイオン注入を実施してソース／ドレイン領域２４０を形成する半導体素子の製造方法。これにより、熱的負担によりソース／ドレイン領域プロファイルが影響される問題がなく、イオン注入マスク用のフォトレジストパターン形成工程の回数を減らして工程の単純化を図れ、プラグ効果によるトランジスタの特性変動を減少させうる。 （もっと読む）

【課題】中間膜形成後の金属配線層形成工程における不所望な金属配線の残部が残らないようにする。
【解決手段】半導体基板１上にゲート電極２を形成した後、ゲート電極が形成された半導体基板の上側全面にＰＳＧ膜３を形成する工程と、ＰＳＧ膜の上にＢＰＳＧ膜５を形成して両者の膜からなる中間膜８を形成する工程と、中間膜に対して熱処理を施す工程とを備え、ＢＰＳＧ膜の膜厚をＰＳＧ膜の膜厚よりも薄く形成する。特に、ＢＰＳＧ膜の膜厚の比率が、中間膜の膜厚の２０％〜３０％を占めるように形成する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い表示装置を低いコストで歩留まり良く製造することができる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】一導電型の不純物領域を含む半導体層と、半導体層上にゲート絶縁層と、ゲート電極層と、一導電型の不純物領域と接する配線層と、ゲート絶縁層上に設けられ、配線層と接する導電層と、導電層と接する第１の電極層と、第１の電極層上に電界発光層と、第２の電極層とを有し、配線層は導電層を介して第１の電極層と電気的に接続している。 （もっと読む）

【課題】より高性能、高信頼性の記憶装置、及びその記憶装置を備えた半導体装置を低コストで、歩留まりよく作製できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】第１の導電層と、第１の導電層の側端部と接して設けられる第１の絶縁層と、第１の導電層及び第１の絶縁層上に設けられる第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に設けられる第２の導電層とを有し、第２の絶縁層は、絶縁性材料によって形成されており、絶縁性材料が流動化したときの流動化物に対するぬれ性は、第１の導電層より第１の絶縁層の方が高い。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に形成された配線溝または接続孔の内部に埋込配線形成用の導体膜を良好に埋め込む。
【解決手段】半導体基板１上の絶縁膜５ｃに形成された配線溝１０ｂ内に埋込配線１１ｂを形成する際、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｂを、指向性を有し、かつ、スパッタリング粒子が散乱され難い条件を付加したスパッタリング法で被着した後、埋込配線１１ｂを構成する導体膜８ｃをメッキ法で被着する。この導体膜８ｂは、プラチナ、パラジウム、ニッケル、クロム、金または銀の少なくとも１つが添加されている銅を含む導体材料からなる。導体膜８ｂの被着膜厚が導体膜８ｃの被着膜厚と等しいか、または導体膜８ｃの被着膜厚よりも厚い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、通電層を除去する際における第１のめっき膜の損傷を抑制できる半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、ウェハＷ上に通電層４を形成する工程と、所定の位置に開口５ａを有するレジストマスク５を通電層４上に形成する工程と、通電層４に電流を供給して、めっき法により開口５ａ内にめっき膜６を形成する工程と、開口５ａを形成するレジストマスク５の内側面５ｂを後退させて、内側面５ｂとめっき膜６との間隔を広げる工程と、通電層４に電流を供給して、めっき法によりめっき膜６を覆うように内側面５ｂの後退した開口５ａ内にめっき膜７を形成する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】 層間絶縁膜の埋め込み性を向上させ、短絡防止のマージンを向上させる。
【解決手段】 上部がゲート上部絶縁膜で覆われたゲートを半導体基板上に形成し、全面に絶縁膜を形成した後に全面エッチバックを行うことでゲート上部絶縁膜及びゲートの側面に上部の形状が垂直方向から５°〜３０°傾斜したテーパー形状のサイドウォールを形成し、全面に第１の層間絶縁膜を形成し、第１の層間絶縁膜のみをＣＭＰにより平坦化し、ゲート上部絶縁膜よりも第１の層間絶縁膜の方が研磨選択比が高い条件でＣＭＰを行って、第１の層間絶縁膜、ゲート上部絶縁膜及びサイドウォールを平坦化し、全面に第２の層間絶縁膜を形成し、フォトリソグラフィにより第１の層間絶縁膜及び第２の層間絶縁膜にゲート側の側壁が平坦となったサイドウォールの上部にかかるようにコンタクトホールを形成し、コンタクトホールを導電物質で埋め込んでコンタクトパッドを形成する。 （もっと読む）

【課題】 ポリイミド等の有機絶縁膜の表面荒れを抑制しつつ、効果的に有機絶縁膜上の変質層を除去して、半導体装置の表面リークを防止する。
【解決手段】 半導体装置に接続電極を形成する。前記接続電極の中央部が露出するように、隣接する接続電極間を連続的に覆う有機皮膜を形成する。露出した接続電極の表面をドライエッチングで処理する。前記表面処理により有機皮膜の表層に形成された変質層を、酸素を用いないドライ工程により除去する。 （もっと読む）

【課題】第一領域でより高い表面、第二領域でより低い表面を含むように構造化された表面について、簡素化された処理方法を提供する。
【解決手段】表面上には、複数の層が成膜され、下層１３は、上層１４よりも高い研磨速度を示し、また、複数の層の厚さは、段高さよりも大きい。その後、複数の層は、第一領域における下層１３の少なくとも一部が除去されるように化学機械研磨される。この方法によって、平坦化をより一層向上させることができる。更に、ウェット洗浄工程後、小さな上部接触開口部が得られると共に、アニール処理による接触開口部の変形が低減される。 （もっと読む）

【課題】 主配線材料であるＡｌと主電極材料であるＰｔとの反応を効果的に抑制することができる強誘電体キャパシタの配線構造を備えた半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、半導体基板の上方に形成される第１電極と、第１電極上に形成される金属酸化物誘電体からなる容量絶縁膜と、容量絶縁膜上に形成される第２電極と、第２電極の上面の一部を露出する第１開口部を有し第１電極、容量絶縁膜及び第２電極を覆うように形成される絶縁膜と、第１開口部内及び絶縁膜上に形成されるアモルファス構造を有する第１バリア膜と、第１バリア膜の上方に形成される配線膜と、を備えることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】溶融金属充填法における歩留まりや品質の向上を目的として、溶融金属の表面の金属酸化物が基板に付着することを防止する。
【解決手段】内部を減圧する減圧手段１４ａ，１４ｂおよび内部を加圧する加圧手段１５ａ，１５ｂを備えたチャンバー１１と、このチャンバー１１内にて金属を加熱溶融することのできる金属溶融装置１６とを備え、基板２に形成された微細孔へ金属を充填する金属充填装置１０Ａにおいて、前記金属溶融装置１６に、加熱溶融された金属６の表面７を清浄に保つ金属表面浄化機構２０を設ける。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増加及び製造コストの増大を抑制する一方で、製造条件の制御が困難ではなく且つ露光の限界を超えるような微細な寸法のエッチング構造を形成する方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタ等の半導体装置におけるコンタクトホールに代表されるエッチングにより形成される構造の形成方法およびそれを用いた表示装置の製造方法に関し、特に有機膜の溶解リフロー技術を用いたコンタクトホールに代表されるエッチングにより形成される構造の形成方法およびそれを用いた表示装置用の薄膜トランジスタ基板の製造方法に関し、有機膜及び有機溶媒を添加した膜の少なくともいずれか１つを含み且つ被エッチング構成要素上に位置する有機膜をパターニングして、第一の開口部及び第二の開口部を有する有機マスクを形成する工程と、前記有機マスクを有機溶剤に接触させることで前記有機マスクを溶解してリフローし、変形有機マスクを形成する工程とを少なくとも有する。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置において、薄膜トランジスタの点欠陥や線欠陥を完全に排除するのは極めて困難であるのが現状である。その原因の１つである薄膜トランジスタのコンタクト不良を低減することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタの層間絶縁膜に設けられたソース領域又はドレイン領域に達する第一のコンタクトホールと、層間絶縁膜に設けられたゲート電極に達する第二のコンタクトホールと、第一のコンタクトホール及び第二のコンタクトホールにそれぞれ形成された配線とを有し、該配線に第一のチタン膜と、アルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜と、第二のチタン膜とが積層した構造を用い、且つアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜がアルミニウム又はアルミニウムを主成分とする膜に流動性を付与する元素を有することにより、コンタクト不良を低減することができる。 （もっと読む）