【課題】 ２層配線を有するアレイ基板において、第１配線層上に形成される層間絶縁膜に加わる歪み（ストレス）を解消するとともに段差の形成を抑制し、層間絶縁膜におけるクラックの発生や第２配線層のエッチング残りを抑制する。
【解決手段】 表示部と、その周囲に配される額縁部とを有するアレイ基板である。少なくとも第１配線層と、第１配線層上に層間絶縁膜を介して形成される第２配線層とを有する。第１配線層の側壁の傾斜角度θ１は第２配線層の側壁の傾斜角度θ２よりも小さい。第１配線層の側壁の傾斜角度θ１は６５°以下であり、第２配線層の側壁の傾斜角度θ２は７０°以上である。また、第１配線層の膜厚ｄ１は第２配線層の膜厚ｄ２よりも小さい。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチまたはホールにも確実にＣｕを埋め込むことができるＣｕ配線の形成方法を提供すること。
【解決手段】シリコン基板１上に形成されたトレンチ３を有するＬｏｗ−ｋ膜２にバリア層４を介してＣｕ配線を形成するにあたり、バリア層４の上にＣＶＤによりＣｕが濡れる金属材料で構成された被濡れ層５を形成し、被濡れ層５の上にＰＶＤによりＣｕ層６を形成し、Ｃｕ層６を形成した後、シリコン基板１を加熱してＣｕ層６を流動させ、トレンチ３内にＣｕを流し込む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜の平坦性が向上し、信頼性が高く、歩留まりの高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に絶縁膜１０２及び電極層１０３を形成し、所定の領域の電極層１０３、絶縁膜１０２及び半導体基板１００をエッチングして溝Ｔを形成し、上面が電極層１０３の上面と同じ高さになるように溝Ｔ内に素子分離絶縁膜１１０を埋め込み、素子分離絶縁膜１１０及び電極層１０３上に絶縁膜１０４を形成し、所定の領域の絶縁膜１０４、電極層１０３及び素子分離絶縁膜１１０をエッチングしてゲートパターン及びダミーパターンを形成し、前記ゲートパターン及びダミーパターン覆う絶縁膜１０７を形成し、絶縁膜１０４をストッパーとして絶縁膜１０７を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】 製造プロセスへの付加を抑えコスト・ＴＡＴを増大させることなくタイミング最適化が可能となる半導体集積回路装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 タイミング制約違反の有無を判定し、タイミング制約違反が検出された場合にこれを解消する為に信号やクロックの更なる遅延が必要な最適化対象配線３３３とこれに所定間隔以下で近接する隣接配線３６１の間（隣接配線間）の一部又は全部にボイド形成抑止領域３８１を設定し、ボイド形成抑止領域内の最適化対象配線と隣接配線の間（隣接配線間）に絶縁膜を形成し、ボイド形成抑止領域外の最適化対象配線と隣接配線の間（隣接配線間）にボイド３７１ａ，ｂを形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクト抵抗を減らし、ギャップフィル特性を向上させることにより、コンタクトプラグ上に低抵抗金属配線を形成する金属配線形成方法を提供する。
【解決手段】金属配線形成方法は、半導体基板の上部の第２の絶縁膜１６にコンタクトホール１８を形成する段階、上記第２の絶縁膜の表面に沿ってＴｉＮ膜を含む第１のバリアメタル膜２０を形成するが、上記ＴｉＮ膜が上記第２の絶縁膜の側壁及び上部の表面より上記コンタクトホールの下部にさらに薄く形成されるように上記第１のバリアメタル膜を形成する段階、上記コンタクトホールを含む上記第１のバリアメタル膜上に第１の金属層を形成する段階、上記第１の金属層がリフローされ平坦化されながら上記コンタクトホールが満たされるように熱処理を行う段階、上記第１の金属層上に第２の金属層を形成する段階及び上記第２の金属層をパターニングして上部金属配線２４ａを形成する段階を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ構造を有する半導体装置において、高性能化、低消費電力化を目的の一とする。また、より高集積化された高性能な半導体素子を有する半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】絶縁表面を有する基板上に複数の電界効果トランジスタがそれぞれ層間絶縁層を介して積層している半導体装置とする。複数の電界効果トランジスタの有する半導体層は半導体基板より分離されており、該半導体層は絶縁表面を有する基板、又は層間絶縁層上にそれぞれ設けられた絶縁層に接して接合されている。複数の電界効果トランジスタはそれぞれ前記半導体層に歪みを与える絶縁膜で覆われている。 （もっと読む）

【課題】
裏面電極を有するフェイスダウン型の半導体装置の製造方法では、各工程において裏面電極を薬液等から保護するため、何度も保護テープを仮貼りする必要があった。
【解決手段】
本発明では、ソース電極７及びドレイン電極９上に下地電極１１を無電解めっき法により形成する工程を経た後に、半導体ウエハを裏面側から研削する工程と、半導体ウエハの裏面上に裏面電極１２を形成する工程を行い、その後に裏面電極１２上にエポキシ樹脂テープ１３を永久貼り付けする工程と、下地電極１１上にバンプ電極１４を形成する工程と、を行う。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用して半導体基板表面の平坦化プロセスにおいて、平坦化を目的とするためにはレジスト自体の流動性を高くする必要があるが、流動性を高くすると今度は塗布した時に流れてしまい十分な膜厚の平坦化膜ができない、という問題がある。一方、平坦性は悪いが流動性の高いレジストを使用して厚めの膜を塗った後で、加熱リフローにより平坦化を図ろうとすると、加熱リフローではリフロー性が不十分であり膜が十分平坦化されないという問題がある。本願は、レジストを用いて如何に効果的な平坦化膜を造るかを提供するものである。
【解決手段】塗布膜２１に有機溶剤を浸透させて発生する塗布膜２１の溶解リフローを用いれば、加熱処理が低温で済み、塗布膜２１の上層部のみを横方向へ大きく、制御性良く変形させることができるので、平坦性の良い有機絶縁膜１１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＯＦ膜を含む層間絶縁膜にダマシン法で埋め込み配線を形成する半導体集積回路装置において、埋め込み配線用の配線溝を形成する際に用いるエッチングストッパ層とＳｉＯＦ膜との界面剥離を防止する。
【解決手段】ＳｉＯＦ膜２６、２９を含む層間絶縁膜をドライエッチングして形成した配線溝３２の内部にダマシン法でＣｕ配線３３を埋め込む際、上記ドライエッチングのエッチングストッパ層を構成する窒化シリコン膜２８とＳｉＯＦ膜２６との間に酸窒化シリコン膜２７を介在させ、ＳｉＯＦ膜２６中で発生した遊離のＦを酸窒化シリコン膜２７でトラップする。 （もっと読む）

【課題】誘電体メモリの微細化が進むと、上部電極の電位を拡散層へ引き出す構造におけるアスペクト比が大きくなるため、上部電極のカバレッジが悪化し、誘電体を結晶化させる熱処理時に上部電極が断線してしまう。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の上方に形成された第１の導電膜及び第２の導電膜と、第１の導電膜を覆うように形成された第１の絶縁膜と、第２の導電膜を覆うように形成された第２の絶縁膜と、第１の絶縁膜に形成され、第１の導電膜に達する第１の開口部と、第１の開口部の壁部及び底部に沿って形成された第３の導電膜と、第３の導電膜、第１の絶縁膜、及び第２の絶縁膜上に形成された誘電体膜と、第２の絶縁膜及び誘電体膜の積層膜に形成され、第２の導電膜に達する第２の開口部と、誘電体膜の上並びに第２の開口部の壁部及び底部に沿って形成された第４の導電膜とを備える。第２の絶縁膜の膜厚が、第１の絶縁膜の膜厚よりも薄い。 （もっと読む）

【課題】製造時における半導体素子へのプラズマダメージの影響を小さくすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に半導体素子を形成する工程と、マイクロ波をプラズマ源とし、半導体基板の表面近傍において、プラズマの電子温度が１．５ｅＶよりも低く、かつプラズマの電子密度が１×１０^１１ｃｍ^−３よりも高いマイクロ波プラズマを用いたＣＶＤ処理によって半導体素子上に膜を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】本発明は、接着剤の特性に依存せずに電気的な絶縁信頼性を確保することを目的とする。
【解決手段】電子デバイスは、半導体装置と、複数の基板電極４０を有する配線パターン３６が形成されて半導体装置が搭載された配線基板３４と、を有する。複数の配線２４と複数の基板電極４０とが対向して電気的に接続する。樹脂突起１８は、半導体装置と配線基板３４の対向方向に圧縮されて、露出部２８が基板電極４０に密着する。樹脂突起１８の表面は、複数の第１の領域２０と、複数の第１の領域２０よりも低くなった複数の第２の領域２２と、を交互に有する。それぞれの第１の領域２０は、いずれかの配線２４が載る支持部２６と、支持部２６及び第２の領域２２の間で配線２４から露出する露出部２８と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 突起電極と電極パッドとの接着性が良好な半導体装置と、この半導体装置を短い処理工程で形成可能な製造方法を提供することである。
【解決手段】 半導体基板１に形成した絶縁膜３の開口から露出する電極パッド２と、電極パッド表面に形成されたプローブ痕５と電極パッド上とに設ける共通電極層８、９と、共通電極層８、９上に設ける突起電極１３を有する半導体装置において、プローブ痕５の庇５ａの下に感光性樹脂６を設ける半導体装置と、電極パッド２表面にプローブ針４を接触させてプローブテストを行なうプローブテスト工程と、このプローブテスト工程にて電極パッド２表面に生じるプローブ痕５の庇５ａの下に自己整合的に感光性樹脂６を形成する感光性樹脂形成工程と、共通電極層８、９を形成する工程と、共通電極層８、９の上に突起電極１３を形成する工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】応力耐性のより高いシールリング構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】複数の半導体素子を含む半導体層と、半導体層の上に設けられた絶縁膜と、絶縁膜を貫通し且つ半導体素子の全体を囲む筒状体と、を含む半導体装置であり、筒状体は、その周方向において各々が互いに離間し且つ平行な複数の筒状プラグと、筒状プラグの各々と交差する複数の壁部と、を有する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールにおける断線や電流リークがなく、また、絶縁層上に形成された配線パターン同士の残渣による短絡なく、穴径に対する穴深さの比率が例えば２．４以上の高アスペクト比を有する低い導通抵抗のコンタクトホールを形成可能な、半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に第１絶縁層３を形成し、この第１絶縁層を貫通して半導体基板を露出させる第１穴部３ａを形成し、第１絶縁層上にＡｌまたはＡｌ合金からなる導電膜８を成膜し、この導電膜を加熱して流動化させ冷却した後にパターン化して中継電極１０を形成し、第１絶縁層上に中継電極を覆う第２絶縁層１２を形成し、この第２絶縁層を貫通して中継電極を露出させる第２穴部１２ａを形成し、第２絶縁層上に第２穴部を介して中継電極と電気的に接続する配線パターンを形成する。 （もっと読む）

【課題】配線溝や層間接続路表面に形成されたＴａＮからなるバリア層との密着性が良好なＣｕ配線と、このＣｕ配線を製造できる方法を提供する。また、半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝や層間接続路の幅が狭く、深い場合でも、バリア層との密着性が良好で、配線溝や層間接続路の隅々に亘って埋め込まれているＣｕ配線と、このＣｕ配線を製造できる方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に形成された配線溝または層間接続路に埋め込まれたＣｕ配線を、（１）配線溝側または層間接続路側に形成されたＴａＮからなるバリア層と、（２）Ｐｔ、Ｉｎ、Ｔｉ、Ｎｂ、Ｂ、Ｆｅ、Ｖ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｇａ、Ｔｌ、Ｒｕ、ＲｅおよびＯｓよりなる群から選ばれる１種以上の元素を合計で０．０５〜３．０原子％含有するＣｕからなる配線本体部とで構成する。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗が低く、下部導電体と上部導電体間の拡散を防止する、拡散バリアフィルムの形成方法を提供する。
【解決手段】下部導電体１０２を含む基板１００上に層間絶縁膜１０４を形成する。これに形成された開口部１０６に補助拡散バリア膜１０８を形成する。この上に拡散バリアフィルム１２０を形成する。この膜は、金属有機化学気相蒸着法による金属窒化物で形成され、部分的にプラズマ処理される。この結果、プラズマ処理された層とプラズマ処理されない層の積層膜となる。これにより、拡散バリアフィルムの比抵抗を減少させると共に、優れたバリア特性を有することができる。さらにこの上に粘着金属層１２２、第１アルミニウム膜１３０、第２アルミニウム膜１３２を形成する。これらの膜をパターンニングして上部導電体とプラグとする。 （もっと読む）

【課題】高い段差の上方から下方に掛けて段切れすることなく良好にパターン形成された導電性パターンを備えたことにより歩留まりの向上が図られた半導体装置および電子機器、さらには半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０に達する第１開口部１１ａを備えて基板１０上に形成された第１絶縁膜１１と、第１開口部１１ａ内において基板１０に達する第２開口部１３ａを備えて第1絶縁膜１１上を覆う第２絶縁膜１３と、第２開口部１３ａを介して基板１０に接する状態で第２絶縁膜１３上に設けられた導電性パターン１５とを備えた。第２絶縁膜１３は、第１開口部１１ａの上方肩部をラウンド形状に覆う。 （もっと読む）

【課題】電気抵抗率が低く、膜の緻密性や絶縁膜との密着性に優れているといった高品質を安定して発揮する信頼性の高い半導体装置用の配線の形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された凹部３を有する絶縁膜２の表面に、ＡｌまたはＡｌ合金（以下「Ａｌ系金属」という）よりなる薄膜５をスパッタリング法で形成した後、高温高圧処理を施して該Ａｌ系金属を上記凹部内に充填して半導体装置の配線を形成する方法であって、上記スパッタリングを下記条件で行なうことを特徴とする半導体装置の配線形成方法。スパッタリングガス圧：０．５〜１．１ｍＴｏｒｒ、放電パワー密度：３〜１５Ｗ／ｃｍ²、基板温度：１００〜３００℃ （もっと読む）

【課題】半導体チップ１を配線基板に実装することによって製造した半導体装置において、その装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】パッド電極１１を被覆するようにニッケル層１４を形成後、そのニッケル層１４が被覆されたパッド電極１１に対応するようにバンプ２１を形成する。ここでは、まず、ニッケル層１４に銅層２０を形成する。そして、その銅層２０にインジウム層２２を形成する。その後、その銅層２０とインジウム層２２とを合金化させて中間金属化合物層２３を生成するように、熱処理を実施することによって、バンプ２１を形成する。このとき、銅層２０を形成する際においては、インジウム層２２のインジウム原子に対して、銅層２０の銅原子が０．５原子％以上、５原子％以下の割合になるように、この銅層２０を形成する。 （もっと読む）