【課題】電気特性が良好な半導体装置を、歩留まり高く作製する。
【解決手段】半導体領域または導電領域を被覆する絶縁膜に、溝及び該半導体領域または導電領域に達するコンタクトホールの少なくともいずれかを形成し、溝及びコンタクトホールの少なくともいずれかに第一の導電膜を形成し、酸化性ガス及びハロゲン系ガスの混合ガスから生成するプラズマに暴露した後、水を含む雰囲気に暴露して、第一の導電膜の一部または全部を流動化し、その後、第一の導電膜上に第二の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】余分な工程を追加することなく、コンタクト抵抗の増加を抑制する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法では、Ｃｕ配線上の第２層間絶縁膜内に設けたコンタクトホール内に第1のＴｉ膜、ＴｉＮ膜、第２のＴｉ膜、第1のＡｌ膜、及び第２のＡｌ膜をこの順に形成する。第1のＴｉ膜を成膜する際には、コンタクトホール底面上の第１の部分と第２層間絶縁膜上の第２の部分の膜厚の比（第1の部分）／（第２の部分）を０．０５以下とする。また、第２のＡｌ膜はアルミ・リフロー法を用いて形成し、この際に第２のＴｉ膜及び第1のＡｌ膜をアルミニウム・チタン合金膜とする。 （もっと読む）

【課題】応力緩和機能を有するウェハレベルＣＳＰと称される半導体装置において、外部電極の配置自由度が高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層を第１電極が形成された半導体ウェハ表面１０に形成する工程、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、開口径（Ｄ１）の開口部３２を形成し、前記半導体ウェハ表面１０の第１電極を露出させる工程、外部電極と前記第１電極を接続するための再配線層を前記絶縁樹脂層表面に形成する工程、前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、前記再配線保護層の一部を除去して、Ｄ２＞Ｄ１となるような開口径（Ｄ２）の開口部３２を形成し、前記第１電極と、前記外部電極を形成するための第２電極を露出させる工程、前記第１電極及び前記第２電極の表面にめっき層を形成する工程、前記めっき層を溶融することによって前記外部電極を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、パーティクルの発生を抑制可能な製造方法、及びこの製造方法を用いる半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】
２つの金属層の間に金属化合物層が挟まれてなるバリアメタル層を有する半導体装置を製造するに際し、チタン及びタンタルのいずれか一方の金属元素から構成されるターゲットを希ガスの雰囲気でスパッタして、複数の金属層を下地配線上に積層する過程において最下層となる第１金属層に酸化処理を施す。次いで、最下層となる第１金属層の表面に第１金属酸化物層を形成した後に、層間において構成元素が異なるように、一つ以上の金属層を含む下地の表面に対して酸化処理、窒化処理、及び酸窒化処理のいずれかの処理を施す。こうした処理より第２金属化合物層を形成する。上記金属化合物層は、金属酸化物層の他、金属窒化物層や金属酸窒化物層であってもよい。 （もっと読む）

【課題】 銅からなる配線上に半田ボールが設けられた半導体装置において、半田ボール中の錫が配線に拡散するのをより一層抑制することができるようにする。
【解決手段】 配線７のランド上面には錫拡散抑制層１２が設けられ、この錫拡散抑制層１２上に半田ボール１３が設けられている。この場合、錫拡散抑制層１２は、銅含有率が高い非共晶組成の錫銅系鉛フリー半田によって形成され、リフロー時の加熱温度１８０℃以上２８０℃以下で溶融して固化した後同じ加熱温度１８０℃以上２８０℃以下で再溶融しないものからなっている。そして、この半導体装置が大きな電流を扱う電源ＩＣ等であっても、錫拡散抑制層１２の存在により、半田ボール１３中の錫が配線７に拡散するのをより一層抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】接合熱処理温度が低くて済み、凝固後は高い融点を確保し得る高耐熱性の電子デバイス及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】複数枚の基板ＷＦ１〜ＷＦｒのそれぞれは、縦導体３１と、接続導体４とを有している。複数枚の基板ＷＦ１〜ＷＦｒのうち、隣接する基板ＷＦ１、ＷＦ２は、一方の基板ＷＦ２の接続導体（縦導体）３１が、他方の基板ＷＦ１の接続導体４と、接合膜５によって接合されている。接合膜５は、第１金属または合金成分と、それよりも融点の高い第２金属または合金成分とを含み、凝固後の溶融温度が第１金属または合金成分の融点よりも高くなっている。 （もっと読む）

【課題】接着層の厚さを増加させることなく、銅の下部層との接着性が向上し、銅が下部層に拡散することを防止することができる薄膜形成方法、表示板用金属配線、及びこれを含む薄膜トランジスタ表示板とその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜形成方法は、基板上にスパッタリング方法により薄膜を形成する方法であって、薄膜は、電力密度が１．５〜３Ｗ／ｃｍ^２、非活性気体の圧力が０．２〜０．３Ｐａで形成する。薄膜は、非晶質構造を有することができ、チタニウム、タンタル、又はモリブデンのうちのいずれか一つで形成することができる。 （もっと読む）

【課題】工程時間を短縮し、平坦度(又は、ボンディングの均一性)を高め、絶縁層(絶縁基板)とチップとの間の接着力が向上したパッケージおよびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のパッケージは、パターニング層上に形成された第１導電層と、前記パターニング層上に前記第１導電層を埋め込むように形成された絶縁層と、前記絶縁層の外面に形成された第２導電層と、前記第１導電層と第２導電層とを電気的に接続するように前記絶縁層の内部に形成された第３導電層とを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】溶融温度が低く、凝固後は高い融点を確保し得る導電性組成物を提供すること。
【解決手段】第１の金属粒子１は、平均粒径が、微細サイズ効果を生じ融点よりも低い温度で溶融可能なｎｍ領域にある。第２の金属粒子２は、第１の金属粒子１の溶融により溶融する。 （もっと読む）

【課題】上層の電極のコンタクトホール内でのカバレージを向上させること。
【解決手段】本発明の実施形態に係る半導体装置の製造方法において、第１エッチング工程で形成されるコンタクトホール３００ａの上部領域３００Ｕａの中心部分からずれた位置に、第２エッチング工程で形成されるコンタクトホールの下部領域３００Ｄａが形成される。これにより、上部領域３００Ｕａの下底部分に水平領域が存在し、その近くにおいては、第２電極３０のオーバハング３０ｈが生じにくくなり、カバレージが向上する。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶ技術を適用して電子デバイスを製造に当たり、積層時位置合せを、簡単、かつ、確実に、しかも高精度で実行し得る製造方法、そのための基板、積層体及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】複数枚ｒの基板ＷＦ１〜ＷＦｒを位置合せして積層するに当たり、外部から磁界Ｈを印加し、積層されて隣接する基板ＷＦ１〜ＷＦｒの磁性膜４１−５２の間に磁気的吸引力Ｆｍを生じさせ、磁気的吸引力Ｆｍにより、基板ＷＦ１〜ＷＦｒに設けられた縦導体３を位置合せする。 （もっと読む）

【課題】低誘電率層間絶縁膜と多層配線とを備える半導体装置において、低誘電率層間絶縁膜の表面が雰囲気に露出して吸湿するのを防止し、また、金属配線の界面及び低誘電率層間絶縁膜がコンタクトホール内に露出してオーバーエッチングされるのを防止することを目的とする。
【解決手段】水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜１４を低誘電率層間絶縁膜３の表面に形成し、更に、水分の透過を防止しつつエッチングストッパとしても機能するエッチング防止膜６を形成して、吸湿防止効果を有するエッチング防止膜を二重にする。 （もっと読む）

【課題】パッド電極が設けられる層間絶縁膜に低誘電率膜を用いた場合にも、該層間絶縁膜の破壊及び界面剥離を発生させず、高い接続信頼性を確保できるようにする。
【解決手段】半導体基板１の上方に、層間絶縁膜１１、２１等を介在させて形成された外部接続用電極を備えている。外部接続用電極は、上面を露出するパッドメタル層８と、該パッドメタル層８と半導体基板１との間に形成された第１のメタル層２と、層間絶縁膜２１を貫通してパッドメタル層８と第１のメタル層２とを電気的に接続し、且つ、層間絶縁膜２１に形成された少なくとも２つの第１のビア２２とを有している。第１のビア２２同士の最大の間隔ｂは、パッドメタル層８の幅寸法ａよりも大きい。 （もっと読む）

【課題】少ない工程数で樹脂コア及び樹脂保護膜を精度良く形成する。
【解決手段】電極パッド２が形成された基板（半導体基板１）上に、電極パッド２を露出させる開口３ａを有する保護絶縁膜３を形成した後、感光性樹脂膜４を形成する。感光性樹脂膜４を多階調マスク５を用いて露光した後で現像する。この現像により、感光性樹脂膜４により構成される樹脂保護膜７と、樹脂保護膜７よりも厚膜の感光性樹脂膜４のパターンにより構成される樹脂コア６と、を一度に形成する。次に、樹脂コア６上から電極パッド２上に亘って配線８を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁層を貫通する導電性突起体と半導体素子の電極部とが電気的に接続された半導体装置において接続信頼性を向上させる。
【解決手段】半導体素子１０１の一面上に電極部１０２が配置されている。電極部１０２を除いて半導体素子１０１の一面を覆うように絶縁層１０７が形成されている。電極部１０２と電気的に接続する導電性突起体１０３を有する配線１０５が絶縁層１０７上に形成されている。導電性突起体１０３と電極部１０２との間に、錫及び銅を含む合金層１０４が介在している。 （もっと読む）

【課題】樹脂製のバンプコアの上に導電膜を形成したバンプを有する半導体装置の歩留まりを高くしつつ、バンプピッチを狭くする。
【解決手段】保護絶縁膜１２０上に感光性樹脂膜２１０を形成する。次いで、感光性樹脂膜２１０を露光及び現像することにより、保護絶縁膜１２０上に、第１の直線に沿って複数のバンプコアを形成する。次いで、複数のバンプコア上、複数の電極パッド１３０上、及び保護絶縁膜１２０上に導電膜を選択的に形成することにより、複数のバンプ、及び複数のバンプそれぞれをいずれかの電極パッド１３０に接続する複数の配線を形成する。そして複数のバンプコアを形成する工程において、多階調マスク５０を使用して感光性樹脂膜２１０を１回のみ露光することにより、バンプコアの側面のうち配線に面する領域を、第１の直線と交わる領域より傾斜を緩やかにする。 （もっと読む）

【課題】低コストかつ作業効率の高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板１１０の上に回路パターンを形成し、回路パターンが形成されたシリコン基板１１０の上に層間絶縁膜１４０を形成する。層間絶縁膜１４０に対して第１の加速電圧でイオン注入を行い第１イオン層３１０を形成する。続いて第１の加速電圧より高い第２の加速電圧でイオン注入を行い第２イオン層３２０を形成する。その後、層間絶縁膜１４０を、第２イオン層３２０の波形上端部３２０Ｐｕが表出するまで研磨する。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板と、半導体基板の第１面側に形成された半導体素子と、半導体基板の第１面側に形成されて半導体素子と電気的に接続された配線を有する配線層と、半導体基板の第１面側に形成された電極パッド部と、半導体基板の第１面からその反対側の第２面まで貫通する貫通孔内に形成された貫通電極とを備え、前記電極パッド部は、半導体基板の第１面に部分的に積層された単一導電層と、単一導電層に積層された混成導電層とを有し、前記単一導電層は、貫通電極と電気的に接続する導電領域部からなり、前記混成導電層は、単一導電層と前記配線とを電気的に接続する導電領域部と、単一導電層と配線とを電気的に絶縁する絶縁領域部とが混成されてなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】凹面化、空隙、ボイドなどを生じることなく、対象物の微細空間を金属充填材によって満たし、低コスト化と処理効率の向上とを実現しうる金属充填装置を提供すること。
【解決手段】金属充填装置は、微細空間の開口面の一つが開放された状態で、その開口面の反対側から対象物２を支持する第１の支持体１０と、前記開口面側から第１の支持体１０と接合して、対象物２を処理室Ａ内に封入する第２の支持体１１と、処理室Ａに溶融金属Ｍを供給する溶融金属供給部１２と、処理室Ａ内の圧力を制御する圧力制御部１３とを備えており、微細空間内に溶融金属Ｍが充填された後、その溶融金属が冷却により硬化するまで、処理室Ａに圧力を与える加圧手段を有する。 （もっと読む）

【課題】ポリシリコン・ゲート電極作成のためのエッチング処理時に、クランプによって覆われていたポリサイド層上の層間絶縁膜の膜剥がれが起こりにくい半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１０上に、ポリシリコン膜２２０及びタングステン・シリサイド膜２１０をこの順に積層してポリサイド・ゲート電極２３０を形成する。ポリサイド・ゲート電極２３０を含む半導体基板１１０上に、Ｂ濃度が高濃度の下層ＢＰＳＧ膜１４０を第１の成膜速度ｖ１で形成する。下層ＢＰＳＧ膜１４０の上に、Ｂ濃度が下層ＢＰＳＧ膜１４０より低い低濃度の上層ＢＰＳＧ膜１２０を第２の成膜速度ｖ２で形成する。第２の成膜速度は前記第１の成膜速度未満である。 （もっと読む）