【課題】写真製版プロセスのマージンを大幅に拡大でき、かつマイクロローディング効果を低減することによって「開口不良」を抑制できるとともに「ショート」のプロセス裕度を確保しやすくし、かつコンタクト抵抗を低減できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】活性領域に対して傾斜して延びるようにゲート電極層５０と窒素を含む絶縁膜２とが積層される。シリコン酸化膜５が形成される。活性領域の幅より大きくかつ互いに隣り合う活性領域のピッチより小さい帯状の開口パターンが絶縁膜２に形成され、開口パターンから１対の不純物拡散領域の各々が露出させられる。開口パターンが導電層２３で埋め込まれる。導電層２３から１対の不純物拡散領域の各々に電気的に接続されたプラグ導電層２３ａ、２３ｂが形成されるとともに、プラグ導電層２３ａ、２３ｂの各上面と絶縁膜２の上面とが同一平面とされる。 （もっと読む）

【課題】本発明は多層配線構造を有する半導体装置の製造方法に関し、高い集積度が要求される場合に優れた歩留まりと高い信頼性とを確保することを目的とする。
【解決手段】トランジスタのソースドレイン領域の上層にシリコン酸化膜７を形成する。一端面がソースドレイン領域６に導通し、他端面がシリコン酸化膜７の表面に露出するように、シリコン酸化膜７の内部に導電性のパッド１０を設ける。シリコン酸化膜７およびパッド１０の上層にシリコン酸化膜１１を形成する。一端面がパッド１０に接触し、他端面が配線層１４と導通するようにシリコン酸化膜１１の内部にプラグとして機能する導電層を設ける。シリコン酸化膜７の表面と、パッド１０の他端面は平滑な同一平面を形成する。プラグとして機能する導電層は、パッド１０に比して小さく、かつ、パッド１０の中央部近傍に接触するように形成する。 （もっと読む）

【課題】高温雰囲気を維持した状態で溶融金属をハンドリングする必要をなくして工程及び装置を簡略化することができ、また導電ペーストを用いる場合と比較して高密度に金属を貫通孔内に充填することができる貫通電極の形成方法を提供する。
【解決手段】Ｓｉ基板１０の表面に開口を有する第１の非貫通孔２１と、第１の非貫通孔２１の底部に第１の非貫通孔２１よりも小さな開口を有する第２の非貫通孔２２とを形成し、第１の非貫通孔２１の底部に固体金属５０を載置する。Ｓｉ基板１０を減圧雰囲気下に置き、固体金属５０の軟化点近傍まで加熱する。加熱状態を維持して減圧雰囲気から加圧雰囲気に移行し、軟化或いは溶融した金属５０を第２の非貫通孔２２に充填する。 （もっと読む）

【課題】従来の光学素子に電界効果トランジスタを適用するとき、ＰＮ接合部の光リークを抑えるために、トランジスタの周囲に遮光領域を設定する必要が有り、回路面積が大きくなるという課題があった。また、反射光に対して遮光性が十分でないという問題があった。
【解決手段】本発明の電界効果トランジスタは、ゲート電極上に、ＰＮ接合部に平面的に重なるように遮光部材を有する。この遮光部材により、ＰＮ接合部を遮光することができる。また、電界効果トランジスタ面積が増大しないため、回路の面積を小さく設定できる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの半導体集積回路素子に対し電気特性の試験を行い、その試験で不良であると判断された半導体集積回路素子の電極端子を絶縁性樹脂で覆ったのちにウェハバーンインを行い、半導体装置を製造すると、製造歩留まりが低下する場合があり、製造歩留低下を抑制するための半導体装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体集積回路素子を備えている。半導体集積回路素子では、半導体基板３の上面の中央に半導体集積回路５が形成されており、半導体基板３の上面の周縁に複数の接続用電極端子７１，及び検査用電極端子７３が設けられている。半導体基板３の上面上には各電極端子の上面を露出する保護膜９を備えている。そして、検査用電極端子７３は、肉薄部７４、及び肉厚部７２を有している。肉薄部の上面７４ａは、肉厚部の上面７２ａ（又は接続用電極端子７１の上面）よりも下に位置している。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極の上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜
の上に設けられソース領域及びドレイン領域を含む半導体膜と、ソース領域又はドレイン
領域に電気的に接続する配線又は電極と、配線又は電極の上に設けられ第１の開口部を有
する第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜の上に設けられ第２の開口部を有する第２の絶縁膜と
、第２の絶縁膜の上に設けられた画素電極とを有し、第１の絶縁膜は窒化シリコン膜を含
む積層の無機絶縁膜からなり、第２の絶縁膜は有機樹脂膜からなり、第２の絶縁膜の第２
の開口部の底面において、第１の絶縁膜の上面は第２の絶縁膜に覆われていない露呈した
部分を有し、第２の絶縁膜の第２の開口部の断面において、第２の絶縁膜の内壁面は凸状
の曲面を有しており、画素電極は、第１の開口部及び第２の開口部を介して配線又は電極
に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】はんだ直接付けとワイヤボンディングとを両立できるアルミ電極を半導体チップ上に具備した半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体チップ１に設けられたＡｌ電極４上に生成したＡｌ酸化皮膜５の適当な箇所に、該皮膜５を貫通してＡｌ電極４まで届く微小金属１１を形成させており、酸化物貫通微少金属を具備した一種類のＡｌ電極をはんだ直接付け及びワイヤボンディング両用とすることが出来る。 （もっと読む）

【課題】例えばＵＬＳＩ（超大規模集積回路）等に代表されるＳｉ半導体デバイス等の半導体装置において、高性能（低電気抵抗率）かつ高信頼性（高ＥＭ耐性）を示すＣｕ系配線を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に設けられた凹部にＣｕ−Ｔｉ合金が直接埋め込まれてなる半導体装置のＣｕ系配線の製造方法であって、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金が、Ｔｉを０．５原子％以上３．０原子％以下含むものであり、かつ、前記Ｃｕ−Ｔｉ合金をスパッタリング法で形成し、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を前記凹部に埋め込む時または埋め込み後に、該Ｃｕ−Ｔｉ合金を下記加熱条件で加熱する工程を含むことを特徴とする半導体装置のＣｕ系配線の製造方法。
（加熱条件）
加熱温度：３５０〜６００℃
加熱時間：１０〜１２０ｍｉｎ.
室温から上記加熱温度までの昇温速度：１０℃／ｍｉｎ.以上
加熱雰囲気における酸素分圧：１×１０^−７〜１×１０^−４ａｔｍ （もっと読む）

【課題】パターンの高さおよび間隔に応じた最適な膜厚で層間絶縁膜を形成することにより、製造工程数を増加させることなく層間絶縁膜の平坦度を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１上に形成された所定形状のパターン２におけるパターン間隔Ｓとパターン高さｈの縦横比Ｋ＝Ｓ／ｈに応じて、基板１上に形成すべき層間絶縁膜３の最適膜厚Ｔを算出し、パターン２を覆うように最適膜厚Ｔで層間絶縁膜３を基板１上に形成する層間絶縁膜形成工程と、基板１上の層間絶縁膜３を熱処理してリフロー平坦化する平坦化工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン溝（接続孔）内への異物の残留を回避し、配線接続の信頼性および半導体装置性能の向上を図る。
【解決手段】第４配線層の配線３３上に絶縁膜３４〜３８を順次形成し（絶縁膜３４，３６，３８はシリコン窒化膜からなる。絶縁膜３５，３７はシリコン酸化膜からなる）、絶縁膜３８に溝パターン４０ａ、４０ｂをフォトリソグラフィを用いて転写する。絶縁膜３８の溝パターン４０を埋め込む反射防止膜４１を形成し、さらに孔パターン４３を有するレジスト膜４２を形成する。レジスト膜４２の存在下でエッチング処理を施し、絶縁膜３８，３７，３６および絶縁膜３５の一部に孔パターン４３を転写する。その後、レジスト膜４２，反射防止膜４１を除去し、絶縁膜３８をマスクとして溝パターン４０を絶縁膜３７に、孔パターン４３を絶縁膜３５に転写する。 （もっと読む）

【課題】空隙やボイドなどを生じることなく、微細空間を硬化金属によって満たし得る方法を提供すること、微細隙間で冷却された硬化金属の凹面化を回避し得る方法を提供すること、及び、工程の簡素化、歩留りの向上などに寄与し得る方法を提供すること。
【解決手段】処理対象である対象物２に存在する微細空間２１に溶融金属４を充填し硬化させるに当たって、微細空間２１の開口する開口面からその内部に溶融金属４を充填した後、微細空間２１内の充填溶融金属４１を、大気圧を超える強制外力Ｆ１を印加した状態で冷却し硬化させる工程を含む。 （もっと読む）

【課題】窒化珪素膜でＣｕ配線を挟み込むことによりＣｕによりＴＦＴが汚染されるのを防ぐ。
【解決手段】結晶性半導体膜と、結晶性半導体膜上のゲート絶縁膜とゲート絶縁膜上のゲート電極と、結晶性半導体膜及びゲート電極上の第１の層間絶縁膜と、第１の層間絶縁膜に設けられた第１のコンタクト部を介して結晶性半導体膜に電気的に接続される第１の配線と、第１の層間絶縁膜及び第１の配線上の、第１の配線の一部を露出させた第２のコンタクト部が設けられた第１の窒化珪素膜及び第１の窒化珪素膜上の第２の層間絶縁膜と、第２のコンタクト部により露出させた第１の配線上に設けられたＣｕの拡散を防ぐバリア層と、第２のコンタクト部に設けられたバリア層上のＣｕでなる第２の配線と、第２の配線を被覆して設けられた第２の窒化珪素膜とを有する。 （もっと読む）

【課題】配線層間の正常な電気的導通が取れている半導体装置を提供することを課題とする。
【解決手段】基板上又は基板の表面層に少なくとも２層の配線層を備え、前記２層の配線層の内、下層配線層がシリコンからなる際に、前記下層配線層と上層配線層間に炭化珪素層を備えたことを特徴とする半導体装置により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 従来のエアギャップ構造より、さらに容量及び容量ばらつきを低減することができる。
【解決手段】 基板上の絶縁膜１７上に、銅を主成分として含む配線２６を形成する。それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。このとき、狭い配線間スペース底部の絶縁膜１７の膜厚保は、配線２６上の絶縁膜３１の膜厚より、薄く成膜することで細線ピッチの配線容量を効率良く低減する。その後、低誘電率からなる絶縁膜３６及び絶縁膜３７を成膜する。その際、配線２６の隣接配線間において、対向する配線側面の上方での堆積速度が下方での堆積速度より大きくなるように絶縁膜３６を形成し、エアギャップを形成する。最後に、層間ＣＭＰによって、絶縁膜３７を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】凹部の側壁部側からのめっきの成長を抑制して、ボイドの発生を低減することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一の態様によれば、表面に凹部１ａを有するウェハＷの少なくとも凹部１ａの底部１ｂおよび側壁部１ｃに、シード膜３を形成する工程と、シード膜３上に、少なくとも凹部１ａの底部１ｂに位置するシード膜３の部分３ａが露出しかつ凹部１ａの側壁部１ｃに位置するシード膜３の部分３ｂを覆うようにめっき抑制膜４を形成する工程と、シード膜３に電流を供給して、めっき抑制膜４の形成された凹部１ａに埋め込まれるように電解めっき法によりめっき膜５を形成する工程と、めっき膜５に熱処理を施す工程とを備え、めっき抑制膜４が、シード膜３の構成材料より抵抗率が高くかつめっき膜５の構成材料と異なる材料から構成されることを特徴とする、半導体装置の製造方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】
ＤＲＡＭの容量を安定化し、メモリセル部と周辺回路部の高低差を小さくして平坦化を容易にする。
【解決手段】
メモリセルトランジスタ上の第１の絶縁膜に第１のコンタクトプラグを埋め込み、エッチング特性の異なる第２、第３の絶縁膜を形成し、第３、第２の絶縁層を貫くコンタクト窓を形成し、シリンダ型蓄積電極を形成し、第２の絶縁膜をエッチングストッパとして第３の絶縁膜を除去し、キャパシタ絶縁膜、導電膜を形成し、パターニングして対向電極を形成し、対向電極に合わせて第２の絶縁膜も除去してメモリセルを形成し、周縁領域において第１の絶縁膜の上に導電膜、絶縁膜を形成し、第２のコンタクトプラグを埋め込む。第２の絶縁膜端部は、第２のコンタクトプラグに接しない。 （もっと読む）

【課題】素子全体の機械的な強度の低下を防ぎ、配線を伝播する信号の遅延を低減する。
【解決手段】各配線層１００を構成する第１の絶縁層及び前記第３の絶縁層がシリコン炭化窒化膜、シリコン炭化物及び／又はシリコン酸化物を含み、下層配線層の第２の絶縁層はシリコン酸化物を含み、上層配線層の第２の絶縁層はフッ素添加シリコン酸化物及び／又は炭素添加シリコン酸化物を含む。下層配線層の第２の絶縁層の比誘電率を、上層配線層の第２の絶縁層の比誘電率よりも小さくする。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用してドライエッチングにより形成されるパターンの精度を高くすることができるエッチング装置を提供する。
【解決手段】
半導体ウェーハ１上の膜のエッチングを行うエッチング装置において、エッチングチャンバ１０１内において、被パターニング膜１７上に第１レジスト１８が形成されている第１のウェーハ１を載置する第１領域と、エッチングチャンバ１０１内におけるウェーハ上面の総面積に対するレジスト占有率を調整する第２レジスト３３が形成された第２のウェーハ３１を載置する第２領域とを有している。 （もっと読む）

【課題】比較的簡単な低コストの方法で、抵抗値を充分に低くでき、貫通穴に充填される金属の熱応力による基板などの破壊が発生しない貫通電極を有する半導体装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】第１の基板に形成された貫通穴の一端を塞ぐように第２の基板が接合され、前記貫通穴に金属層を設けることにより貫通電極が形成される半導体装置において、前記貫通電極は、前記貫通穴の底面および内壁の表面に形成される第１の金属層と、この第１の金属層の上面に前記貫通穴を充填するように形成される第１の金属層よりも融点の低い第２の金属層、で構成されたことを特徴とするもの。 （もっと読む）

【課題】一部の領域を加圧することにより、加圧した領域と加圧していない領域との間に材料特性の差異を生じさせることが可能な機能性の高い多孔質膜を有する構造体、前記多孔質膜を簡単にパターニングすることができるパターニング方法、および、加圧した領域の前記多孔質膜を導電性の接合膜として、基材と被着体とを効率よく接合可能な接合方法を提供すること。
【解決手段】構造体１は、基材２０と、この上に設けられ、複数の金属粒子１０１、１０２が複数の空孔１０５を囲うように配列した多孔質膜１３とを有し、この多孔質膜１３は、各金属粒子１０１、１０２と複数の樹脂粒子とを含む液状材料を基材２０上に供給し、各金属粒子を自己組織化させた後、前記各樹脂粒子を除去することにより、被膜中に空孔１０５を形成して作製されたものである。この多孔質膜１３は、一部の領域を加圧すると、加圧領域と非加圧領域とで材料特性の差異を発現するものである。 （もっと読む）