【課題】 ワイヤ接合部及びはんだ接合部を形成する方法を提供すること。
【解決手段】 一実施形態において、この方法は、ワイヤ接合部のためのワイヤ接合金属領域及びはんだ接合部のためのはんだ接合金属領域を含む構造体を準備するステップであって、両領域がシリコン酸化物層の上のシリコン窒化物層で覆われたステップと、ワイヤ接合金属領域の上のシリコン酸化物層に至る第１の開口部と、はんだ接合金属領域を露出する第２の開口部とを材料内に形成するステップと、ワイヤ接合金属領域が覆われた状態を保ちながら、はんだ接合金属領域に対するはんだ接合部を形成するステップと、シリコン酸化物層をワイヤ接合金属領域に至るまで除去するステップを含む、ワイヤ接合金属領域を露出させるステップと、ワイヤ接合金属領域に対するワイヤ接合部を形成するステップとを含む。ワイヤ接合部及びはんだ接合部は、必要に応じて、単一のマルチパート・ウェハ（ＭＰＷ）上又は単一チップ上でアクセス可能にすることができ、実質的に同時に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｗ層で形成されたビット線等の配線の上に、シリコン酸化膜による層間絶縁膜を生成する際、Ｗ層の配線の上に酸化防止膜として窒化シリコン膜を形成する場合、配線抵抗の増加の原因となるＷＮ層の形成を抑制することにより、従来例に比較して歩留まりを向上させる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、半導体基板上に絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、第１の絶縁膜の上にタングステン膜を有する配線パターンを形成する配線パターン形成工程と、ジクロルシランとプラズマにてラジカル化されたアンモニアとを用いたＡＬＤ法にて堆積される窒化シリコン膜により、前記配線パターンの露出部を被覆する配線パターン被覆工程と、層間絶縁膜を形成する層間絶縁膜形成工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ウェット雰囲気の熱酸化によって層間絶縁膜に含まれた水分により電極材料が腐食してしまうことを防止する。
【解決手段】層間絶縁膜１０を形成するためのリフロー処理時において、７００℃以下（例えば６００℃）に降温したときに水蒸気雰囲気を不活性ガス雰囲気に置換し、加熱されるようにする。これにより、層間絶縁膜１０を構成するＢＰＳＧ内に含まれる水分を脱水することが可能となる。したがって、層間絶縁膜１０の上層に配置されるソース電極１２などの電極材料が水分によって腐食してしまうことを防止できる。 （もっと読む）

【課題】ＳＡＣ技術を用いてコンタクトホールの開口を行う場合に使用されるストッパー窒化膜に、膜ストレスが発生することを防止した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】サイドウォール窒化膜５２を含めてゲート電極１００を覆うように、半導体基板１上に、シリコン窒化膜のエッチングに対してエッチング選択性を有するレジスト材を塗布し、露光処理および現像処理を行う。この露光処理および現像処理によって、ゲート電極１００間の谷間の部分がレジスト膜６によって埋め込まれ、ゲート電極１００上部においてはストッパー窒化膜５３が露出し、他の部分、特にソース・ドレイン部のストッパー窒化膜５３がレジスト膜６で覆われた構成を得る。その後、露出したゲート電極１００上部のストッパー窒化膜５３を、ドライエッチングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ層とＡｌ含有層とを接続する際に生じるＣｕ−Ａｌ相互拡散による配線抵抗上昇を防止できるようにする。
【解決手段】Ｃｕ材により構成される金属層１０と、Ａｌ材により構成される金属層１４との間に、金属層１０側から金属層１４側にかけて、Ｔｉ層２０ａ、ＴｉＯｘ層２０ｂ、ＴｉＮ層２０ｃ、Ｔｉ層２０ｄの順に構成する。 （もっと読む）

【課題】隣接するコンタクト層同士の接触を抑えつつ、コンタクト抵抗を低減したコンタクトプラグを形成する。
【解決手段】配線構造１４から露出するシリコン基板１１の表面に、単結晶シリコン層をエピタキシャル成長し、第１コンタクト層２１を形成するステップと、第１コンタクト層２１の表面を露出するコンタクトホール２４を有する層間絶縁膜２３を形成するステップと、コンタクトホール２４から露出する第１コンタクト層２１の表面に単結晶シリコン層をエピタキシャル成長し、第２コンタクト層２５を形成するステップとを有する。 （もっと読む）

【課題】材料の利用効率を向上させ、かつ、作製工程を簡略化して作製可能な表示装置及びその作製技術を提供することを目的とする。
【解決手段】導電層上にマスクを設け、マスクを設けた導電層上に絶縁膜を成膜し、マスクを除去することで開口を有する絶縁層を形成する。露出した導電層と接するように開口に導電膜を形成することによって、導電層及び導電膜は絶縁層を介して電気的に接続することができる。開口の形状はマスク形状を反映し、柱状（角柱、円柱、三角柱など）、針状などを用いることができる。 （もっと読む）

【課題】４００℃以上の高温でのリフロー処理を行わなくても、リフロー処理による埋め込み特性が改善された状態で、凹部内にＣｕを主成分とする導電層を形成する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板１１上に設けられた層間絶縁膜１５に配線溝１６を形成する工程を行う。次に、配線溝１６の内壁を覆う状態で、ＣｕＭｎ合金からなる合金層２１を形成する工程を行う。次いで、リフロー処理により合金層２１を流動させて配線溝１６を合金層２１で埋め込むとともに、合金層２１中のＭｎを層間絶縁膜１２、１５の構成成分と反応させて、合金層２１と層間絶縁膜１２、１５との界面に、Ｃｕの拡散バリア性を有するＭｎ化合物からなる自己形成バリア膜２２を形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ領域にアルミニウムを露出させない。
【解決手段】下地１０上にヒューズ領域１３及び配線領域を設定し、下地のヒューズ領域上にヒューズ４０を形成する。下地及びヒューズ上に第１絶縁膜を形成する。配線領域の第１絶縁膜に第１コンタクト用開口部を形成した後、導電材料で埋め込んで第１プラグを形成する。第１絶縁膜上に、第２絶縁膜を形成する。第２絶縁膜に、第１プラグを露出する第２コンタクト用開口部と、ヒューズ領域の第１絶縁膜を露出するストッパ用開口部を形成する。第２コンタクト用開口部を導電材料で埋め込んで第２プラグを形成するとともに、ストッパ用開口部を導電材料で埋め込んでストッパ膜５５を形成する。第２プラグ及びストッパ膜を備える第２絶縁膜上に、導電膜パターン、層間絶縁膜を形成する。ヒューズ領域の層間絶縁膜をエッチングにより除去して、ストッパ膜を露出する。ストッパ膜をエッチングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】複数層の埋め込み配線を有する半導体集積回路装置において、埋め込み配線と底部にて接続するプラグとその埋め込み配線との界面でのストレスマイグレーションによる導通不良を防ぐ。
【解決手段】たとえば、Ｃｕ配線３３Ｗの幅が約０．９μｍ以上かつ約１．４４μｍ未満であり、Ｃｕ配線４３の幅およびプラグ４３Ｐの径が約０．１８μｍである場合において、Ｃｕ配線３３Ｗ上にてＣｕ配線３３ＷとＣｕ配線４３とを電気的に接続するプラグ４３Ｐを２個以上配置する。 （もっと読む）

【課題】パッケージ型の半導体装置及びその製造方法において、製造工程の簡素化、コストの削減、薄型化、小型化を図る。
【解決手段】半導体基板２上にデバイス素子１が形成され、当該デバイス素子１と電気的に接続されたパッド電極４が形成されている。半導体基板２の表面には、接着層６を介して支持体７が貼り付けられている。そして、パッド電極４と対応する位置が開口し、半導体基板２の側面及び裏面を被覆した保護層１１が形成されている。保護層１１に形成された当該開口の位置のパッド電極４上に導電端子１２が形成されている。半導体基板２の裏面上には配線層や導電端子を形成せずに、支持体７の外周部上であって、半導体基板２の側壁の外側に隣接するように導電端子１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】レジストを使用して半導体基板表面の平坦化プロセスにおいて、平坦化を目的とするためにはレジスト自体の流動性を高くする必要があるが、流動性を高くすると今度は塗布した時に流れてしまい十分な膜厚の平坦化膜ができない、という問題がある。一方、平坦性は悪いが流動性の高いレジストを使用して厚めの膜を塗った後で、加熱リフローにより平坦化を図ろうとすると、加熱リフローではリフロー性が不十分であり膜が十分平坦化されないという問題がある。本願は、レジストを用いて如何に効果的な平坦化膜を造るかを提供するものである。
【解決手段】塗布膜２１に有機溶剤を浸透させて発生する塗布膜２１の溶解リフローを用いれば、加熱処理が低温で済み、塗布膜２１の上層部のみを横方向へ大きく、制御性良く変形させることができるので、平坦性の良い有機絶縁膜１１を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ＣＯＰ構造を採用することなしにセル面積の縮小と強誘電体キャパシタ面積の増加を実現することを最も主要な特徴とする。
【解決手段】基板５１と、拡散領域５４Ａと、その上に形成された層間絶縁膜５５と、層間絶縁膜５５に形成され、拡散領域５４Ａに通じるホール５７Ａ及び５７Ｂと、ホール５７Ａ及び５７Ｂ内に形成され、拡散領域５４Ａと電気的に接続された下部電極５９と、下部電極５９上に形成された強誘電体膜６０と、強誘電体膜６０上に形成された上部電極６１とを有し、下部電極５９、強誘電体膜６０及び上部電極６０でそれぞれ強誘電体キャパシタが構成されている。 （もっと読む）

【課題】 トレンチ及びビアを有する相互接続構造体、並びにその製造方法を提供すること。
【解決手段】 層間誘電体（ＩＬＤ）材料内に相互接続構造体を形成する方法であって、この方法は、ＩＬＤ材料内に１つ又は複数のビア開口部を生成するステップと、１つ又は複数のビア開口部の少なくとも１つを覆う第１のライナを形成するステップと、第１のライナで覆われている１つ又は複数のビア開口部の少なくとも１つの上に１つ又は複数のトレンチ開口部を生成するステップと、トレンチ開口部及び第１のライナの少なくとも一部を覆う第２のライナを形成するステップとを含む。この方法により形成される相互接続構造体も提供される。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜に設けられた凹部の最小幅が狭く、深い場合でも、バリア層としてＴｉ濃化層を形成することができ、しかも純Ｃｕを配線材料として凹部の隅々に亘って埋め込むことができる半導体配線の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁膜に最小幅が０．１５μｍ以下、該最小幅に対する深さの比（深さ／最小幅）が１以上の凹部を形成し、この絶縁膜の凹部に、Ｔｉを０．５〜１０原子％含有するＣｕ合金薄膜を凹部形状に沿って１０〜５０ｎｍの厚さで形成した後、Ｃｕ合金薄膜付き凹部に純Ｃｕ薄膜を形成し、３５０℃以上に加熱して絶縁膜とＣｕ合金薄膜との間にＴｉを析出させればよい。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗の低減されたポリシリコンプラグを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上の絶縁層に形成されたホール中に、ポリシリコンプラグが埋めこまれた構造を有する半導体装置の製造方法において、半導体基板上の絶縁層にホールを形成する工程と、前記ホールを埋めるようにポリシリコンを形成させるポリシリコン形成工程と、前記ポリシリコンを、水素雰囲気下で加熱する水素ベーク工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】ＷＰＰ技術を用いた半導体装置の製造歩留まりを向上する。
【解決手段】再配線９とバンプ電極との間に配置される導体膜１２を無電解めっき法によって形成するにあたり、半導体ウエハの外周部のめっき給電領域５２のＡｌ配線２が露出しない状態で行う。フォトリソグラフィ技術およびエッチング技術によって製品取得領域５１のＡｌ配線２上の絶縁膜３に開口部４を形成する際の露光条件を調整して、めっき給電領域５２のＡｌ配線２上の絶縁膜３に開口部を形成しない。 （もっと読む）

【課題】従来のように層間絶縁膜を再度形成して不要な部分にも層間絶縁膜を形成されてしまうことなく、コンタクトホールのアスペクト比を低くして接続用配線層の埋め込み性を向上させて断線などの不具合を防止させる。
【解決手段】電極配線３ａ〜３ｃ上の層間絶縁膜６ａにコンタクトホール３３ａ〜３３ｃを形成する際に、縮小パターンとなる電極配線３ｂ上のコンタクトホールや高段差となる電極配線３ｃ上およびその近傍のコンタクトホールのように、アスペクト比が高くなることが予想される箇所を選んで予めエッチング処理して層間絶縁膜の厚みを薄くする。その後で再度エッチング処理を行って、層間絶縁膜にコンタクトホールを形成する。ここでは、層間絶縁膜の最上層が溶融材料層であり、溶融材料層としてのＢＰＳＧ膜６のメルティング前に高段差箇所３ｃや縮小パターン箇所などを予めエッチング処理してその部分の層間絶縁膜の厚みを薄くする。 （もっと読む）

【課題】動作の高速化、回路の合理的な配置を可能にし、簡単な構成でチップ内の回路レイアウトの自由度を高くした半導体集積回路装置を提供する。
【解決手段】半導体基板の一主面上に回路を構成する回路素子及び配線及びかかる回路と電気的に接続された第１電極と第２電極を設け、上記第１及び第２電極の表面部を除いた上記回路上に有機絶縁膜を形成し、かかる有機絶縁膜上に第１及び第２外部接続用電極を設け、上記第１及び第２外部接続用電極と第ｌ及び第２電極とをそれぞれ電気的に接続するための導電層を上記有機絶縁膜上に被着させ、その交差部において上記導体層の一方を上記半導体基板の一主面に設けられた配線に接続される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の第２主面に導入された不純物を活性化でき、第２主面側を加工しながらも素子の特性劣化を防ぎ、第１主面側に精度良くコンタクトホールを形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０１の第１主面上に層間絶縁膜１０７を形成する工程と、コンタクトホール形成予定領域において、層間絶縁膜１０７を所定厚さ分残して除去する工程と、半導体基板１０１を第２主面側から所定厚さ除去して半導体基板１０１を薄くする工程と、薄くされた半導体基板１０１の第２主面の表層に不純物を導入する工程と、不純物の導入後、金属電極１０８を構成する材料の融点以上の温度で半導体基板１０１を熱処理する工程と、熱処理後、残された層間絶縁膜１０７を除去してコンタクトホール１０９を形成する工程と、コンタクトホール１０９内及び層間絶縁膜１０７上に金属電極１０８を形成する工程と、を備える。 （もっと読む）