【課題】 コンタクトホール側壁に形成するスペーサ用絶縁膜がシリコン基板と接触しない構成とし、且つＲＩＥ加工工数を低減する。
【解決手段】 ＮＡＮＤフラッシュメモリで、メモリセル領域２のゲート電極５、５間のコンタクトホール８と周辺回路領域３の高耐圧トランジスタ６のコンタクトホール９とに、層間絶縁膜２０の側壁にスペーサとしてのシリコン窒化膜２１を形成する構成である。シリコン窒化膜２１の下端部は、シリコン基板１との間に、シリコン酸化膜１７もしくは１８を介在させている。シリコン基板１へのストレスを緩和してゲート酸化膜の電子トラップを低減する。また、シリコン窒化膜のＲＩＥ加工回数を減らすことができる。 （もっと読む）

【課題】 微細化された半導体装置において、半導体素子相互間及び配線相互間に層間絶縁膜が十分に埋め込む。
【解決手段】半導体基板１に形成された半導体素子と、半導体素子上及び半導体基板１上に位置し、下地膜としての第１の絶縁膜９ａと、第１の絶縁膜９ａ上に位置し、Ｏ_３とＴＥＯＳを反応させるＣＶＤ法により形成された第２の絶縁膜９ｂと、第２の絶縁膜９ｂ上に位置し、プラズマＣＶＤ法により形成され、表面がＣＭＰ法により平坦化された第３の絶縁膜９ｃと、第１乃至第３の絶縁膜に形成され、半導体素子上に位置する接続孔１０ａ，１０ｂと、接続孔１０ａ，１０ｂに埋め込まれた導電体１１ａ，１１ｂと、第３の絶縁膜９ｃ上に形成され、導電体１１ａ，１１ｂを介して半導体素子に接続する配線１２ａ，１２ｂとを具備する。 （もっと読む）

【課題】駆動側基板上の信号線と対向側基板上の透明電極との間に形成される寄生容量が大きいと、信号線によって伝送される映像信号に波形のなまりや遅延が生じたり、あるいは基板外部から映像信号を供給する駆動ＩＣの負荷が増大したりする。
【解決手段】ガラス基板４１（駆動側基板）上の第２のガラス基板（対向側基板）４２と対向する領域内に信号線３３（３３Ｒ，３３Ｇ，３３Ｂ，３３Ｐ）を配線する配線構造を採る場合において、ガラス基板４１上の酸化膜４３に凹部４５を形成し、この凹部４５内に信号線３３を配線することにより、透明電極４４と信号線３３との間の距離を拡大して透明電極４４と信号線３３との間に形成される寄生容量を低減する。 （もっと読む）

【課題】 比較的低い温度で、配線層の良好な埋め込みが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、配線層を略平行に形成する工程と、少なくとも配線層の側壁にシリコン層を形成する工程と、配線層を覆うように絶縁膜を形成し、配線層に挟まれた領域にボイドを残す工程と、シリコン層を酸化して体積膨張させ、絶縁膜の間のボイドを押しつぶす工程とを含む。更に、絶縁層上に、絶縁層の酸化を促進する触媒層を形成する工程を含んでも良い。 （もっと読む）

【課題】 気密性や耐湿性、耐薬品性に優れた半導体パッケージ構造を得る。
【解決手段】 半導体基材と、該半導体基材の一方の面側に配置された機能素子及び該機能素子に第１の配線を介して電気的に接続されたパッドと、該パッドと電気的に接続され前記半導体基材の一方の面から他方の面に至る微細な孔内に絶縁膜Ａを介して第１の導電体を充填してなる貫通電極とを少なくとも備えてなる第１の基板、及び前記機能素子の周囲に配置された封止材を用いて前記第１の基板の一方の面と接合されてなる第２の基板からなる半導体パッケージであって、前記絶縁膜Ａは、前記半導体基材の他方の面に配置される絶縁膜Ｂ、前記半導体基材の外側面に配置される絶縁膜Ｃ及び前記封止材の外側面に配置される絶縁膜Ｄと連結して形成した半導体パッケージとした。さらに前記絶縁膜の外側を導電体で二重に覆ったものとすればなお良い。 （もっと読む）

【課題】
酸化シリコン層、窒化シリコン層の積層ライナを備えたＳＴＩを有し、帯電を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】
半導体装置は、シリコン基板と、前記シリコン基板の表面から下方に向かって形成され、前記シリコン基板の表面に活性領域を画定するトレンチと、前記トレンチの内壁を覆う酸化シリコン層の第１ライナ層と、前記第１ライナ層の上に形成された窒化シリコン層の第２ライナ層と、前記第２ライナ層の上に形成され、前記トレンチを埋める絶縁物の素子分離領域と、前記活性領域に形成されたｐチャネルＭＯＳトランジスタと、前記ｐチャネルＭＯＳトランジスタを覆って，前記シリコン基板上方に形成され，紫外光遮蔽能を有さない窒化シリコン層のコンタクトエッチストッパ層と、前記コンタクトエッチストッパ層の上方に形成され、紫外光遮蔽能を有する窒化シリコン層の遮光膜と、を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置におけるセルフアラインドコンタクトを形成する製造方法であって、基板のコアエリアとターミネーションエリアの一部分まで拡張してトレンチをエッチングで形成する方法を提供する。
【解決手段】第一の酸化物はトレンチの壁部に隣接した前記基板上に生成される。ポリシリコン層は前記コアエリアと前記ターミネーションエリアに蒸着される。このポリシリコン層は、前記コアエリアの前記トレンチの一部分にゲート領域を形成するように選択的にエッチングされる。このポリシリコン層のエッチングは、また、前記ゲートインターコネクト領域の第一部分を前記ターミネーションエリアの前記トレンチ部分に形成し、ゲートインターコネクト領域の第二部分を前記ターミネーションエリアにおける前記トレンチの外側に形成する。 （もっと読む）

【課題】 誘電体膜の段差被覆性がよく、かつ誘電体物質の廃棄量を少なくする。
【解決手段】 下地膜８上に、パターニングされた下部電極１１を形成する工程と、インクジェット方式の塗布機構を用いて、下部電極１１上に誘電体物質を塗布する工程と、塗布された誘電体物質を加熱することにより、下部電極１１上に誘電体膜１２を形成する工程と、誘電体膜１２上に上部電極を形成する工程とを具備する。上部電極を形成する工程は、下地膜８上及び誘電体膜１２上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜に、誘電体膜上に位置する開口部を形成する工程と、開口部の中及び層間絶縁膜上に導電体を堆積する工程と、層間絶縁膜上から導電体を除去することにより上部電極を形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子の搭載されたで導電性基板に、導電性基板の表裏面の導通をとる高アスペクト比、小径の貫通孔を、高温プロセスを使用する事なく形成する。
【解決手段】 あらかじめその表面に半導体素子及び該半導体素子と繋がる電気接続部が作りこまれている、半導体基板またはガラス基板からなる導電性基板の所定位置に、少なくとも１つの貫通孔をレーザ等で形成し、該貫通孔の内側表面に蒸着重合法により絶縁層を形成し、該絶縁層の内側表面およびそれと連なる該貫通孔の開孔部周辺部に、無電解メッキ等により導電層を該電気接続部と繋がるように形成する事で、該電気接続部と基板の裏面あるいは側面との導通をとる。 （もっと読む）

【課題】表面上に引っ張り応力を有する層間絶縁膜等の絶縁膜が形成された半導体基板において、反りを抑制しうる半導体基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】シリコンウェーハ１０と、シリコンウェーハ１０の表面上に形成された層間絶縁膜に埋め込まれた多層配線１２と、シリコンウェーハ１０の裏面に形成され、引っ張り応力を有する絶縁膜であるシリコン窒化膜１６ｂとを有している。シリコン窒化膜１６ｂにより、多層配線１２が埋め込まれた層間絶縁膜によりシリコンウェーハ１０に与えられる応力が緩和され、シリコンウェーハ１０の反りが抑制される。したがって、半導体基板の搬送系における吸着不良の発生を防止することができる。 （もっと読む）

本発明により、基板（２０１）上のフィーチャ（２０６）に隣接するサイドウォールスペーサ（２１７、２１８）を形成することができる。フィーチャ（２０６）は１つ以上の保護層（２２０、２０７）に覆われる。スペーサ材料層（２１１）はフィーチャ（２０６）上に蒸着され、異方性エッチングされる。異方性エッチングに使用されるエッチング液はスペーサ材料を選択的に除去することに適しており、一方で１つ以上の保護層（２２０、２０７）はこのエッチング液による影響を実質的に受けない。その結果、１つ以上の層（２２０、２０７）はフィーチャがエッチング液にさらされるのを保護する。
（もっと読む）

１つ以上のコンタクトプラグが通過して延びている基板と、上記基板上に形成された第１の層間絶縁膜とから、強誘電体キャパシタデバイス（例えばＦｅＲＡＭデバイス）が形成されている。上記第１の層間絶縁膜上にはスペーサ層が形成されていて、このスペーサ層上には第１の酸素バリア層が形成されていて、この第１の酸素バリア層上にはバッファ層が形成されている。上記バッファ層上において、上記バッファ層と上記コンタクトプラグとの間に下地材料の層が形成されていて、第１の電極と第２の電極との間に誘電体層が挟まれている。上記デバイスに第２の酸素バリア層が塗布される。上記スペーサ層があれば、上記下地材料と上記コンタクトプラグとの界面まで酸化が及ぶことが抑制される。なぜなら、上記界面が、上記第１の酸素バリア層の下に位置しているからである。この結果、電気コンタクトが破損することはない。
（もっと読む）

【課題】 導体層の研磨中に導体層の剥がれを防止できる配線基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基板１０の一方の面１０ａに少なくとも孔１０ｂを形成する工程と、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上と、孔１０ｂの内面上とに、めっき給電層１４を形成する工程と、電解めっきにより、めっき給電層１４を介して、基板１０の一方の面１０ａ上、他方の面１０ｅ上及び側面１０ｆ上に形成され、かつ孔１０ｂを埋め込む金属層１８を形成する工程と、金属層１８を研磨することにより、孔１０ｂに金属層１８が埋め込まれた金属層のパターン１７ａ，１７ｂを形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 物理的に接着力が向上し、電気的には接触抵抗が良好な特性を有する表示素子用配線及びこれを利用した薄膜トランジスタ基板並びにその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 表示素子用配線を、低融点金属の合金元素が少なくとも一つ以上合金されているＡｇ合金で形成する。液晶表示パネルにおいて、このような表示素子用配線を用いてゲート配線２２，２４，２６及びデータ配線６５，６６，６８を形成すれば、接触部で他の導電物質と連結される過程で腐食が発生して素子の特性を低下させるのを防止できる。 （もっと読む）

【課題】 比抵抗の低い半導体基板の上であっても、その上に形成した高周波用伝送線路の伝送損失を抑制できるようにする。
【解決手段】 信号線１０３およびグランド線１０４と半導体基板１０１との間に介在する絶縁膜１０２と、信号線１０３の両側の半導体基板１０１に形成された溝１０５とを備え、信号線１０３およびグランド線１０５は、半導体基板１０１に接している辺より半導体基板１０１に垂直な隣辺の方が長い長方形状の断面を有する。 （もっと読む）

本発明においては、前面（１４）と背面（１６）とを備える半導体基板（１２）であって、基板を（１２）通って前面（１４）と背面（１６）との間を延びる孔（１８、２０、２２）を備える半導体基板（１２）を用意する。孔（１８、２０、２２）は、部分的に、内壁部分によって規定され、外側導電性シースを形成する。導電性材料（５４）を、内壁部分の少なくとも一部に隣接して形成する。その後に誘電体材料層（５６）を、孔内部に、導電性材料上であってそのラジアル方向内側に形成する。次に第２の導電性材料（６０）を、孔内部に、誘電体材料層（５６）上であってそのラジアル方向内側に形成する。後者の導電性材料は、内側導電性コアキシャル線要素を構成する。 （もっと読む）