【課題】特に表面に銅配線が施された半導体デバイスの表面に存在する有機物汚染やパーティクル汚染を銅配線の腐蝕を引き起こすことなく効果的に除去しうる洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法を提供する。
【解決手段】半導体デバイス製造工程において、表面に銅配線を有する半導体デバイスの化学的機械的研磨工程の後に用いられる洗浄剤であって、下記一般式（Ｉ）〜一般式（ＩＶ）から選ばれる少なくとも１種のアミノポリカルボン酸を含有することを特徴とする洗浄剤、及びこれを用いた洗浄方法。
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【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の上面には第１のパッシベーション膜７が設けられている。そして、第１のパッシベーション膜７および低誘電率膜配線積層構造部３の側面は第２のパッシベーション膜９によって覆われている。これにより、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。 （もっと読む）

【課題】材料にガラスを用いた基体上にＴａＮ（６方晶）、αＴａ、銅がこの順形成された溝配線構造の場合、配線と基体との間で十分な密着強度が得られない場合があった。
【解決手段】本発明は、ガラスからなる基体上に銅配線が形成された、配線基板であって、銅配線が、Ｔａ₂Ｎ膜、αＴａ膜、および、銅あるいは銅を主成分とする合金からなる膜がこの順に形成された積層構造であることを特徴とする配線基板である。 （もっと読む）

【課題】安全性が高く、金属配線の腐食を抑えることができ、かつ、循環再生使用にも適したリンス液、及びそのリンス液を用いた基体の処理方法を提供する。
【解決手段】レジスト膜剥離後の金属配線を有する基体の洗浄に、防食剤及び水を含有するリンス液を用いる。防食剤の含有量は１〜３０質量％が好ましく、水の含有量は２０〜９９質量％が好ましい。このリンス液は、さらに水溶性有機溶剤を含有してもよく、これにより、循環再生使用にさらに好適なものとなる。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ構造体に対して外部空間からの圧力や振動信号を直接受信できるように構成し、かつ、ＭＥＭＳ構造体と集積回路とを形成した半導体チップをバンプ電極でモジュール基板にフェイスダウン実装することにより、小型化を実現できる技術を提供する。
【解決手段】半導体基板１の一方の面に集積回路が形成され、半導体基板１の他方の面にＭＥＭＳ構造体が形成されている。そして、集積回路上に形成されているバンプ電極ＢＰによって実装基板にフリップチップ接続する構造となっている。このとき、トランスデューサは外部空間に向いた状態で配置できる。このため、トランスデューサが外部空間と直接対話する機能を損なうことなく、半導体装置を小型化することができる。なお、集積回路とＭＥＭＳ構造体とは半導体基板１を貫通する貫通電極２０ａ、２０ｂにより電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】線幅精度を低下させることなく、モールド押し付け後の残渣を除去することができ、高精度の微細パターンを形成することのできる微細パターン形成方法を提供する。
【解決手段】基板１１上にシロキサン結合を有する塗布膜（第１の膜１２）を形成し、この第１の膜１２に対して、室温で、モールド１３を押し付けて微細パターンを転写する。第１の膜１２を硬化させて薄膜（第２の膜１４）を形成し、モールド１３を取り外した後、斜め蒸着法によりパターンの凸部１４ａの上にのみ金属薄膜１５を形成し、この金属薄膜１５をマスクとして凹部１４ｂのエッチングを行い、残渣を除去する。 （もっと読む）

【課題】アルミニウムを主成分とするパッドに導電性ボールを容易に接合できる構造を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１に形成された半導体素子を外部に電気的に接続するためのアルミニウムを主成分とするパッド１２と、アルミニウムを主成分とするパッド１２上に形成された焼結導電層１３と、焼結導電層１３上に溶着された導電性ボール１４と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】製造過程において、バリア膜が絶縁層から剥離するのを防止することができる半導体装置を提供すること。
【解決手段】誘電率が２．８であるＳｉＯＣからなる低誘電率層４上には、誘電率が３．２であるＳｉＯＣからなる高誘電率層５が形成されている。高誘電率層５は、所定の膜厚Ｔに形成されている。高誘電率層５上には、ＳｉＯ_２からなる保護層６が形成されている。すなわち、低誘電率層４と保護層６との間には、高誘電率層５が介在されている。低誘電率層４、高誘電率層５および保護層６には、保護層６の上面から低誘電率層４まで掘り下がった配線溝７が形成されている。配線溝７の底面および側面には、Ｔａからなるバリア膜８が形成されている。バリア膜８上には、Ｃｕからなり、配線溝７を埋め尽くすＣｕ配線９が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は半導体素子の集積の分野に関し、より詳細には複数の半導体ウエハの積層に関する。
【解決手段】 本発明のウエハを積層する方法は：第１金属接続層を有する第１ウエハを供する工程；前記第１金属接続層の上に第１保護層を形成する工程；前記第１保護層内に第１結合パッドを形成して第１結合パッド層を形成する工程；第２金属接続層を有する第２ウエハを供する工程；前記第２金属接続層の上に第２保護層を形成する工程；前記第２保護層内に第２結合パッドを形成して第２結合パッド層を形成する工程；前記第１結合パッド層の上に第１導電性接合層を形成する工程、及び／又は前記第２結合パッド層の上に第２導電性接合層を形成する工程；並びに、前記第１導電性接合層及び前記第２導電性接合層のうちの少なくとも１つを介して前記第１結合パッド層と該第１結合パッド層に対応する前記第２結合パッド層の面とを結合することによって、前記第１ウエハ上に前記第２ウエハを積層する工程；を有する。 （もっと読む）

【課題】高誘電率ゲート絶縁膜としての使用に適し、高誘電率窒化金属シリケート膜を含んでなる絶縁膜を形成する。
【解決手段】金属原子及びシリコン原子が酸化反応を生じ難い雰囲気中にてスパッタ法によりシリコン基体１０１上に金属及びシリコンからなる膜１０２を堆積する第１の工程と、膜１０２を窒素プラズマを用いて窒化して窒素、金属及びシリコンからなる膜１０３を形成する第２の工程と、膜１０３を酸素プラズマを用いて酸化して窒化金属シリケート膜１０４を形成する第３の工程とを含む。第１の工程の終了から第２の工程の開始までの間、膜１０２を、その酸化反応が生じ難い雰囲気中に保持する。第３の工程により、膜１０４の下のシリコン基体１０１の表層部を酸化してシリコン酸化膜１０５を形成する。金属は、少なくともハフニウム及びジルコニウムのうちのいずれかを含む。 （もっと読む）

【課題】露出した面に形成された凹部側壁の凹凸を低減して、凹部の側壁の表面荒れが原因の半導体装置の特性劣化を防ぐ。
【解決手段】露出した面に凹部１０４が形成された基板（１００）表面側から、基板の表面に対して斜めの方向からガスクラスタイオンビーム２００を照射することにより凹部１０４の側壁にガスクラスタイオンビーム２００を照射する。 （もっと読む）

【課題】層間誘電体（ＩＬＤ）上でハードマスクを用いながら、ＩＬＤ内のトレンチのアンダーカットを減らしたり、防止したりさえする方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、シリコン層３１０とシリコン層上に配置された誘電体層１０１とを含んでいる。誘電体層は、その間に誘電体層の領域が配置されるように第１トレンチ４０１Ａと第２トレンチ４０２Ａとを有し、第１、第２トレンチは、各々、金属を含み、また誘電体層の上述の領域の炭素濃度よりも高い炭素濃度有する側壁を有する。 （もっと読む）

【課題】カロー酸を用いたウエハ（基板）洗浄工程において、Ｈ_２Ｏ_２の使用量を低減しつつ、フォトレジスト膜（感光性マスキング層）の除去性を向上できる技術を提供する。
【解決手段】基板１の洗浄（フォトレジスト膜の除去）時以外のＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度は、フォトレジスト膜の少なくとも一部を除去できる最低限の第１濃度以上で制御する。そして、基板１をＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ浸漬する直前に、ＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度がフォトレジスト膜を確実に除去できる第２濃度以上となり、また基板１をＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ浸漬した時にＳＰＭ液中のＨ_２Ｏ_２の濃度がその第２濃度未満とならないように、過酸化水素水供給系５４からＳＰＭ槽５１（内槽５１Ａ）へ所定量のＨ_２Ｏ_２を供給する。 （もっと読む）

【課題】エッチング加工後のアモルファスカーボン膜をウエット洗浄した際の酸化による劣化を抑制することができるアモルファスカーボン膜の処理方法を提供すること。
【解決手段】基板上に成膜され、ドライエッチング後にウエット洗浄処理が施されたアモルファスカーボン膜の処理方法であって、ウエット洗浄処理後、上層の形成前に、アモルファスカーボン膜の表面改質処理を行う。 （もっと読む）

【課題】製造工程中にダメージを受けても、良好な品質を示す低誘電率膜を備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、半導体基板上に低誘電率膜１４を形成する工程（ａ）と、低誘電率膜１４に凹部２０を形成する工程（ｂ）と、工程（ｂ）の後、低誘電率膜１４に有機溶液４を塗布する工程（ｃ１）と、シリル化溶液５を用いて低誘電率膜１４をシリル化する工程（ｃ２）とを順に行う工程（ｃ）と、工程（ｃ）の後、凹部２０に金属を埋め込むことで、低誘電率膜１４にビアプラグ及び金属配線のうち少なくとも１つを形成する工程（ｄ）とを備えている。工程（ｃ２）の前に、工程（ｃ１）を行うことで、シリル化溶液５の低誘電率膜１４に対する浸透性が向上する。 （もっと読む）

【課題】シェアードコンタクト構造が用いられた場合にも、小さい抵抗で電極との電気的接続をとることができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ポリシリコン電極５ａ上に、シリコンと化合することによりシリサイドを形成することができる金属元素を含有する第１の膜が形成され、第１のシリサイド膜ＳＬ１ａが形成される。ソース／ドレイン領域７ａおよび第１のシリサイド膜ＳＬ１ａを覆う絶縁膜が形成される。絶縁膜に、ソース／ドレイン領域７ａ上と、第１のシリサイド膜ＳＬ１ａ上とに跨る開口部が形成される。開口部の底面の上に、シリコンと化合することによりシリサイドを形成することができる金属元素を含有する第２の膜が形成され、第２のシリサイド膜ＳＬ２ａが形成される。開口部を導体で充填することにより、ソース／ドレイン領域７ａ上と、第２のシリサイド膜ＳＬ２ａ上とに跨るプラグＰＧａが形成される。 （もっと読む）

【課題】銅素地に直接均一な金皮膜を形成できる非シアン系の置換金めっき液を提供する。
【解決手段】亜硫酸金塩を金イオン濃度として0.5〜10g/Lと、水溶性アミノカルボン酸化合物10〜150g/Lとを含有する銅素地用置換無電解金めっき液であって、亜硫酸金塩以外の亜硫酸塩を含まない銅素地用置換無電解金めっき液。水溶性アミノカルボン酸化合物は、亜硫酸金錯体の安定化に寄与し、金属不純物の錯化剤として作用する。そのため、本発明の金めっき液は、亜硫酸塩を含まないにもかかわらず亜硫酸金塩のめっき液中での自己分解が抑制され、高い液安定性を示す。 （もっと読む）

【解決手段】本発明の一つの実施形態は、集積回路の製造方法である。製造方法は、まず、金属-誘電体ダマシン・メタライゼーション（金属化）層を備える基板を準備し、金属上にキャップを析出させる。キャップの析出後、アミンを加えてｐＨを約７から１３に調節した洗浄溶液で基板を洗浄する。本発明の別の実施形態は、基板の洗浄方法である。本発明のさらに別の実施形態は、洗浄溶液の組成である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜上に析出しためっき成分を選択的に除去して、埋め込み配線を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法が、半導体基板上に層間絶縁膜を形成する工程と、層間絶縁膜にトレンチを形成する工程と、層間絶縁膜の表面およびトレンチの内部を覆うように、バリアメタル層を形成する工程と、バリアメタル層の上に、トレンチを埋め込むように銅からなる金属層を形成する工程と、層間絶縁膜上の金属層とバリアメタル層とを、ＣＭＰ法を用いて除去し、バリアメタル層と金属層をトレンチ内に残す工程と、金属層の上にキャップメタル層を形成する工程と、熱処理によりキャップメタル層の材料を金属層内に拡散させ、キャップメタル層の下部にキャップ拡散層を形成する工程と、ＣＭＰ法を用いてキャップメタル層を除去し、キャップ拡散層で被覆された金属層をトレンチ内に残して配線層とする工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜に対するストップ層の選択比を大きくすることができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】Ｃ_ｗＦ_ｘ（ｘ、ｗは所定の自然数）からなる低誘電率層間絶縁膜４１とストップ層４２とを備え、該ストップ層４２は低誘電率層間絶縁膜４１に形成されたビアホール４６の底部において露出するウエハＷに施される半導体デバイス製造処理において、ＣＦ_４ガス及びＣＨ_２Ｆ_２ガスから生じたプラズマに低誘電率層間絶縁膜４１及びストップ層４２を晒して該ストップ層４２をエッチングする。 （もっと読む）