【課題】隣接する膜パターンの間隔を制御することが可能なパターン付基板の作製方法を
提供する。また、膜パターンの幅の制御が可能で、特に、幅が細く且つ厚みのあるパター
ン付基板の作製方法を提供する。また、アンテナのインダクタンスのバラツキが少なく、
起電力の高い導電膜を有する基板の作製方法を提供することを課題とする。また、歩留ま
り高く半導体装置を作製する方法を提供することを課題とする。
【解決手段】基板、絶縁膜又は導電膜上に珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な
基が結合する膜を形成した後、珪素及び酸素が結合し且つ前記珪素に不活性な基が結合す
る膜表面に印刷法を用いて組成物を印刷し、組成物を焼成して膜パターンを形成すること
を特徴とする。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕを主要な成分とする再配線に設けられた外部接続用Ａｕパッドの剥離を抑制する。
【解決手段】Ｃｕ膜１５ａの上部にＮｉ膜１５ｂを積層した２層膜からなる再配線１５の表面には、ワイヤが接続されるパッド１８が形成されている。パッド１８は、Ｎｉ膜１９ａの上部にＡｕ膜１９ｂを積層した２層膜からなり、再配線１５の上面および側面を覆うように一体形成されている。これにより、再配線１５とパッド１８の接触面積が大きくなるので、パッド１８が再配線１５から剥がれ難くなる。 （もっと読む）

【課題】大画面化しても低消費電力、歩留まり及び信頼性の向上を実現するための半導体
装置の構造及びその作製方法を提供する。
【解決手段】画面で使われる画素薄膜トランジスタを逆スタガ型薄膜トランジスタで作製
する。その逆スタガ型薄膜トランジスタにおいて、ソース配線、ゲート電極を同一平面上
に作製する。また、ソース配線と逆スタガ型薄膜トランジスタ、画素電極と逆スタガ型薄
膜トランジスタをつなぐ金属配線を同一工程で作製する。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗が低く配線間の絶縁性の高い回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に、Ｃｕを含む導電性材料の配線構造体を形成し、配線構造体の表面に、Ｃｕ−Ｎ結合を有する絶縁性の拡散防止膜を形成した後、拡散防止膜が形成された配線構造体を覆うように、絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】微小なコンタクトホールを形成し、集積回路を微細化することを目的とする。
【解決手段】スイッチング素子および各配線を覆う層間絶縁膜１１１として有機材料を用い、且つ、金属膜１１２のマスクを用い、ドライエッチング法によってコンタクトホールを形成し、配線１１４を形成する。 （もっと読む）

【課題】ｌｏｗ−ｋ膜のワイヤーボンディング時の荷重による変形やクラッキングの発生を回避し、半導体装置の信頼性の低下を抑制することが可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置において、基板上に形成された絶縁層と、絶縁層上に形成された複数の層間絶縁膜と、層間絶縁膜中にそれぞれ形成される複数の配線層及びビアからなる多層配線と、複数の配線層のうち最下層の配線層より基板側に形成されたメタルパッドと、メタルパッドの一部の領域上の絶縁層及び層間絶縁膜が除去されて形成された開口部と、メタルパッド上に、複数の層間絶縁膜を貫通し、開口部を取り囲むように設けられるパッドリングと、を備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造コストの増加を抑制可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板部１０、誘電体膜２２、再配線２４、上部電極２５、絶縁膜２６、及び外部接続端子２８を有する。半導体基板部１０は、回路が形成され、回路にそれぞれ接続される下部電極１５、上部電極パッド１６、接続パッド１７、１８を上面に有する。誘電体膜２２は、下部電極１５を被い、上部電極パッド１６、接続パッド１７、１８の上面に達する開口部を有する。再配線２４は、一部の接続パッド１７、１８に電気的に接続される。上部電極２５は、誘電体膜２２を介して下部電極１５の上面に対向して配置され、上部電極パッド１６に接続され、再配線２４を含む。絶縁膜２６は、誘電体膜２２、再配線２４、及び上部電極２５を被う。外部接続端子２８は、絶縁膜２６を貫通し再配線２４に接続され、絶縁膜２６の上面から露出する。 （もっと読む）

【課題】 配線の特性の劣化を生じさせることなく、額縁面積を削減することが可能な回路基板、及び、該回路基板を備える表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 支持基板上にトランジスタ及び外部接続端子が載置されたトランジスタ基板と、該トランジスタ基板上に取り付けられた外付け部材とを含んで構成される回路基板であって、上記外付け部材は、導電部材を介して外部接続端子と電気的かつ物理的に接続されており、上記トランジスタは、外部接続端子と横並びに配置されている回路基板である。 （もっと読む）

【課題】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜の信頼性を向上させる。
【解決手段】ポーラスＬｏｗ−ｋ膜からなる第２ファイン層の層間絶縁膜ＩＬ２内の空孔１０および空孔１１の平均径を１．０ｎｍ以上１．４５ｎｍ未満とすることで、プロセスダメージによって層間絶縁膜ＩＬ２の表面に変質層ＣＬが形成されることを防ぐ。また、水分を含む変質層ＣＬの形成を抑えることで、各配線を構成するバリア膜および主導体膜の酸化を防ぎ、各配線間の耐圧の劣化を防ぐ。これにより、層間絶縁膜ＩＬ２に隣接して形成される配線のＥＭ寿命および前記配線の線間ＴＤＤＢ寿命の劣化を防ぐ。 （もっと読む）

【課題】少ない層間接続プロセス工程数で、コンタクト部分の面積を小さくすることのできる半導体装置及び製造方法を提供する。
【解決手段】多層導体配線１０は、スルーホール１５は、導体１３の一部は、ひさし部１３Ｃとしてスルーホール１５の内側に露出する。そして、スルーホール１５のスルーホール用孔の内側に埋め込まれた埋め込み金属１６とひさし部１３Ｃとで、側面コンタクト構造を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】マスク数を増加させることなく、ブラックマスクを用いずに反射型または透過型の表示装置における画素開口率を改善する。
【解決手段】画素間を遮光する箇所は、画素電極１６７をソース配線１３７と一部重なるように配置し、ＴＦＴはＴＦＴのチャネル形成領域と重なるゲート配線１６６によって遮光することによって、高い画素開口率を実現する。 （もっと読む）

【課題】パッド電極に荷重または衝撃力が加わっても、周囲の絶縁膜にクラックが発生しにくい構造の半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、平面形状が、略円形、略楕円形、少なくとも１つの内角が９０°より大きい略多角形、および、少なくとも１つの角部に面取りや丸みをつけた略多角形、ならびに、これらの少なくとも一部分を含む形状の組合せからなる群から選ばれた平面形状となるような凹部を形成する凹部形成工程と、前記凹部の内面に少なくとも一部を被覆する下敷膜を形成する下敷膜形成工程と、絶縁膜で覆われた前記凹部に導電性の電極材質を埋め込むパッド部形成工程とを含み、前記凹部形成工程は、第１の凹部を形成する工程と、前記第１の凹部の一部分においてさらに深く凹む第２の凹部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】ビア深さのバラツキを抑制することができる半導体装置の構造およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基板上に、ＳｉおよびＣを含むキャップ絶縁膜を形成する工程と、キャップ絶縁膜上に、キャップ絶縁膜と比較して、シリコン原子数に対する炭素原子数の組成比が高い、有機シリカ膜を形成する工程と、不活性ガス、Ｎを含むガス、フッ化炭素ガスおよび酸化剤ガスを含む混合ガスを用いたプラズマ処理により、有機シリカ膜に、異なる開口径を有する２以上の凹部を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】積層チップパッケージを、低コストで短時間に大量生産できるようにする。
【解決手段】積層チップパッケージ１は、本体２と複数の貫通電極２１とを備えている。本体２は、積層された複数の階層部分１０と、それぞれ複数の階層部分１０の全てを貫通する複数の貫通孔とを含んでいる。複数の貫通電極２１は、本体２における複数の貫通孔内に設けられて複数の階層部分１０の全てを貫通している。複数の階層部分１０の各々は半導体チップを含んでいる。複数の階層部分１０のうちの少なくとも１つは、半導体チップと複数の貫通電極２１とを電気的に接続する配線３１を含んでいる。配線３１は、それぞれ複数の貫通孔のいずれかの壁面において露出してその貫通孔を通過する貫通電極２１に接触する複数の導体３２を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】第１半導体チップで発生した熱を、熱伝導端子を介して実装基板に放熱することができ、かつ第１半導体チップにクラックが発生することを抑制できるようにする。
【解決手段】第１半導体チップ２００は、配線基板１００の第１面（本実施形態では裏面）にフリップチップ実装されている。接続端子１２０は例えばハンダボールであり、配線基板１００の第１面に設けられている。熱伝導端子２２０は、第１半導体チップ２００のうち配線基板１００に対向しない面に設けられており、互いに離間している。 （もっと読む）

【課題】本発明は、表面平滑性に優れ、薄膜素子の特性劣化を抑制することが可能な薄膜素子用基板が得られる新規な薄膜素子用基板の製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、金属基材に薬液処理を施す金属基材表面処理工程と、上記金属基材上にポリイミド樹脂組成物を塗布して絶縁層を形成する絶縁層形成工程とを有し、上記絶縁層の表面粗さＲａが３０ｎｍ以下であることを特徴とする薄膜素子用基板の製造方法を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】応力緩和機能を有するウェハレベルＣＳＰと称される半導体装置において、外部電極の配置自由度が高い半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁樹脂層を第１電極が形成された半導体ウェハ表面１０に形成する工程、前記絶縁樹脂層の一部を除去して、開口径（Ｄ１）の開口部３２を形成し、前記半導体ウェハ表面１０の第１電極を露出させる工程、外部電極と前記第１電極を接続するための再配線層を前記絶縁樹脂層表面に形成する工程、前記再配線層の表面に再配線保護層を形成する工程、前記再配線保護層の一部を除去して、Ｄ２＞Ｄ１となるような開口径（Ｄ２）の開口部３２を形成し、前記第１電極と、前記外部電極を形成するための第２電極を露出させる工程、前記第１電極及び前記第２電極の表面にめっき層を形成する工程、前記めっき層を溶融することによって前記外部電極を形成する工程を含む、半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】新規な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置の製造方法は、下層配線としてＣｕ配線を含む多層配線と、前記Ｃｕ配線を形成するために用いられるＣｕアクセサリとが形成された半導体基板を、ポリイミド膜で覆う工程と、前記多層配線の最上層配線の表面および前記Ｃｕアクセサリの表面を露出させる工程と、前記半導体基板をＣｕ腐食防止剤の蒸気にさらして、前記最上層配線の表面および前記Ｃｕアクセサリの表面にＣｕ腐食防止膜を形成する工程と、前記最上層配線の表面に形成されたＣｕ腐食防止膜を選択的に除去する工程と、前記Ｃｕアクセサリの表面にＣｕ腐食防止膜が形成された状態で、前記ポリイミド膜をベーク処理する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ＴＳＶを形成した後の工程においては、Ｃｕの拡散防止膜である絶縁膜形成後に、当該絶縁膜に割れが発生し、その後のエッチングやアッシングなどのパターン加工を行う工程において、露出したＣｕが変色する問題が発生する場合がある。これは、拡散防止膜の成膜工程における熱履歴によりＣｕが体積膨張したことが問題の要因と考えられる。このような、膜割れが発生した場合には、Ｃｕ拡散防止膜の機能破壊、ＴＳＶ上部のＣｕの酸化による上部配線との導通不良等の種々の問題を誘発する。
【解決手段】本願の一つの発明は、貫通電極を有する半導体集積回路装置において、プリメタル配線層形成よりも後に貫通ビアを形成する場合において、貫通電極の上端に当たる層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、窒化シリコン系絶縁膜を使用し、それ以外の層間絶縁膜の界面に、メタル拡散防止絶縁膜として、炭化シリコン系の絶縁膜を使用するものである。 （もっと読む）

【課題】半導体チップ領域内へのクラック伝播を抑制でき新規な構造を持つ金属リングを有する半導体ウエハを提供する。
【解決手段】半導体ウエハは、半導体素子が形成された第１半導体チップ領域と、半導体素子が形成された第２半導体チップ領域と、第１半導体チップ領域と第２半導体チップ領域との間に挟まれたスクライブ領域とを有し、第１半導体チップ領域は、第１半導体チップ領域に形成された半導体素子を囲む金属リングを含み、金属リングは、下側金属層と下側金属層上に重なる上側金属層とを含む複数の金属層で形成され、上側金属層の第１半導体チップ領域外側の側面が、下側金属層の外側の側面と揃っているか、または、下側金属層の外側の側面に対して第１半導体チップ領域内側に位置しているように、下側金属層上に上側金属層が重なっている。 （もっと読む）