【課題】 アンダーフィル材を用いなくとも、柱状電極と半田端子との接合強度不足や、信頼性の低下を抑制する。
【解決手段】 半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に設けられた複数の配線と、複数の配線上にそれぞれ接続された複数の半田端子と、複数の配線の少なくとも一部を覆う樹脂層と、を備えている。樹脂層上には、少なくとも半田端子の周囲を覆うオーバーコート膜が被膜され、隣接する半田端子間のオーバーコート膜の高さは、半田端子の高さよりも低い。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハの保護層に形成された溝のアスペクト比が０．５以上である場合においても、再配線を形成する際のレジスト膜に破壊が生じることを防止する手段を提供する。
【解決手段】半導体ウェハが、集積回路を形成した複数の能動領域と、隣合う能動領域間に設けられたダイシング領域と、能動領域とダイシング領域とを覆う保護層５と、保護層の能動領域の外側を掘込んで形成されたガイド溝２１と、能動領域の保護層上を覆う保護膜７と、保護膜上に形成され、集積回路に電気的に接続する第２の配線９とを備え、ガイド溝のアスペクト比が０．５以上の場合にそのガイド溝を保護膜で覆う。 （もっと読む）

【課題】抵抗値の温度依存性の小さい抵抗素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、金属抵抗素子層Ｒｍ１，Ｒｍ２を有する。金属抵抗素子層Ｒｍ１は、金属抵抗膜層Ｒｍ１１を含む。金属抵抗素子層Ｒｍ２は、金属抵抗膜層Ｒｍ１２を含む。金属抵抗膜層Ｒｍ１１は、窒化チタン抵抗および窒化タンタル抵抗のうちの一方であり、金属抵抗膜層Ｒｍ１２は、窒化チタン抵抗および窒化タンタル抵抗のうちの他方である。窒化チタン抵抗の抵抗値は正の温度係数を有する一方、窒化タンタル抵抗の抵抗値は負の温度係数を有する。コンタクトプラグＣＰ２によって、金属抵抗膜層Ｒｍ１１と金属抵抗膜層Ｒｍ１２とが電気的に接続されるので、窒化チタン抵抗の温度係数と窒化タンタル抵抗との温度係数が相殺される。これにより温度係数を小さくすることができる。 （もっと読む）

【課題】 外部接続用電極の周囲を封止膜で覆ったＣＳＰと呼ばれる半導体装置において、封止膜の上面側を研削するとき、外部接続用電極の上面にバリが発生しないようにする。
【解決手段】 メッキレジスト膜を用いた電解メッキにより外部接続用電極１０を形成した後に、サーフェスプレーナーを用いて全ての外部接続用電極１０の上部およびそれに対応するメッキレジスト膜の上面側を切って除去し、外部接続用電極１０の高さを揃える。この場合、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。次に、メッキレジスト膜を剥離し、封止膜１１を形成し、封止膜１１の上面側を研削し、外部接続用電極１０上に封止膜１１が僅か例えば厚さ数μｍ〜１０μｍ残るようにする。この場合、外部接続用電極１０の上部は研削しないため、外部接続用電極１０の上面にバリが発生することはない。次に、外部接続用電極１０の上面中央部に対応する部分における封止膜１１に、レーザビームを照射するレーザ加工により、開口部１２を形成する。 （もっと読む）

【課題】再配線のパターン形成後のレジストパターンの剥離性を確保しつつ、再配線のパターン形成前のレジストパターンとその下地との密着性を向上させる。
【解決手段】半導体チップ上に形成されたメタル膜５の表層には、レジスト膜６との密着性を上げる表面改質層１６が形成され、表面改質層１６を介してメタル膜５上に再配線７ａ〜７ｃが形成される。 （もっと読む）

【課題】レーザー光の強度を弱めずに、スルーホールの形成に要する時間を短縮できるようにする。
【解決手段】半導体ダイ１が、半導体基板１１と、半導体基板１１上に設けられた配線２３と、配線２３上に設けられたレーザー光防護電極２７と、を備える。半導体装置４０が、半導体ダイ１と、半導体ダイ１を覆い、レーザー光防護電極２７に対応する部分に設けられたスルーホール４３ａを有する封止層４３と、封止層４３のスルーホール４３ａ内に設けられた導体４４と、を備える。レーザー光防護電極２７の上面は、導体４４と接触する第一領域２７ｄと、導体４４と接触していない第二領域２７ｃと、を有する。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜上に設けた電極パッドに導体バンプなしにＡlワイヤを確実に接合でき、ポリイミド膜からの電極パッドの剥離や電極パッドとＡlワイヤとの接合不良を防止できるパワーデバイスを提供する。
【解決手段】絶縁基板１上に設けられた半導体素子(２,３,６)と、絶縁基板１上に形成され、半導体素子(２,３,６)を覆う軟質ポリイミド膜１１と、軟質ポリイミド膜１１上に形成された電極パッド９と、電極パッド９にワイヤボンディングにより一端が接合されたＡlワイヤ１２とを備える。 （もっと読む）

【課題】簡単な工程で絶縁膜、半導体膜、導電膜等の膜パターンを有する基板を作製する方法、さらには、低コストで、スループットや歩留まりの高い半導体装置の作製方法を提供することを目的とする。
【解決手段】基板上に形成された絶縁膜、半導体膜又は導電膜上に接して第１の膜を形成する工程と、第１の膜上に第１のマスク材料を含有する溶液を吐出して第１の膜上に第１のマスクを形成する工程と、第１のマスクを用いて第１の膜をパターニングして絶縁膜、半導体膜又は導電膜表面上に塗れ性の低い領域と塗れ性の高い領域を形成する工程と、第１のマスクを除去する工程と、塗れ性の低い領域に挟まれた塗れ性の高い領域に、第２のマスク材料を含有する溶液を吐出して第２のマスクを形成する工程と、第２のマスクを用いて、パターニングされた第１の膜をエッチングするとともに絶縁膜、半導体膜又は導電膜をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】封止膜の材料を容易に選定することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１１上に複数の接続端子１２が形成された半導体デバイスウェハ１０と、前記半導体デバイスウェハ１０の表面を覆うとともに前記接続端子１２を露出させる開口１４ａが設けられた第１絶縁膜１４と、前記第１絶縁膜１４上に形成され一端面が前記接続端子１２と接続された複数の再配線３０と、前記再配線３０の他端面上に形成された複数の柱状電極２１と、前記再配線３０の側面を被覆する第２絶縁膜１５と、前記再配線３０及び前記第２絶縁膜１５を封止するとともに前記柱状電極２１の表面を露出させる封止膜２２と、を備えることを特徴とする半導体装置１Ｂである。 （もっと読む）

【課題】高周波領域において優れた電気的特性が得られるように、寄生容量を低減し得る半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】第１のソース電極、ゲート電極、ドレイン電極、及び第２のソース電極が、所定方向に沿ってこの順に並んで半導体基板の上面上に形成された構造を有するトランジスタを形成する。犠牲層を、トランジスタを覆って半導体基板の上面上に形成する。犠牲層を部分的に除去することにより、第１のソース電極及び前記第２のソース電極を露出する。第１のソース電極及び第２のソース電極に接続され、所定方向に沿って延在する配線を、犠牲層の上面上に形成する。犠牲層を除去する。トランジスタ及び配線を覆う形状に加工されたシート、テープ、又は基板を、トランジスタ及び配線を覆って半導体基板の上面上に貼り付ける。 （もっと読む）

【課題】１つの実施形態は、例えば、検査工程における検査用パッドへのコンタクトを容易化することに適した半導体装置、及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】１つの実施形態によれば、半導体装置は、表面に垂直な方向から見た場合にチップエリアを内側に含む半導体基板と、前記チップエリアを保護するように、前記表面上における前記チップエリアの周囲に配されたエッジシールと、前記表面上における縁部に配された複数のパッド片と、前記表面上における前記チップエリアに対して第１の方向の少なくとも片側と第２の方向の少なくとも片側とのそれぞれにおいて、前記パッド片における前記エッジシールの側の縁部を覆う絶縁膜パターンとを備える。 （もっと読む）

【課題】高温にさらされても、Ａｕ配線表面に析出物が発生することを抑制できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１上の、Ａｕからなる下部配線層３ａと上部配線層３ｂの上部を覆って、Ａｕより薄膜応力が小さく高融点を有する金属であるタンタルあるいはチタンからなる配線被覆層５と５’をスパッタにより形成する。 （もっと読む）

【課題】マイクロバンプの半導体素子側への接着力を向上できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体素子２と半導体素子の電極パッドと、電極パッド２０を露出する開口４１を有するバッファーコート膜４０と、開口を介して電極パッドに電気的に接続されたマイクロバンプ５０とを備え、マイクロバンプと開口の側面４１ｂとの接触面積は、マイクロバンプと開口の底面６０ａとの接触面積より大きいことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】配線の検査効率を向上させる。
【解決手段】複数の接続パッド１２が設けられた半導体デバイスウエハ１０と、半導体デバイスウエハ１０の接続パッド１２が設けられた面を被覆するとともに、接続パッド１２を露出させる開口１４ａが設けられた絶縁膜１４Ａと、開口１４ａから露出された接続パッド１２及び絶縁膜１４Ａの上部に設けられた配線１５Ａと、を備える半導体装置である。配線１５Ａは、無電解めっき用シード層１６Ａと、無電解めっき用シード層１６Ａを核とする無電解めっきにより形成される配線層１９Ａと、を含む。 （もっと読む）

【課題】切削刃の磨耗を抑制して切削刃の寿命を延ばすことが可能なウエハレベルパッケージ製造方法を提供する。
【解決手段】ウエハレベルパッケージ製造方法は、例えば、基板４５０の表面に、配線が形成される溝４６２を含む絶縁性の第１の樹脂４６０を形成する樹脂形成工程４００と、第１の樹脂４６０の表面に、配線の一部となる第１の金属４７０を、物理気相成長によって成膜する第１の成膜工程４１０と、第１の金属４７０の表面に、配線の一部となる、第１の金属４７０より硬度が低い第２の金属４８０を、更に成膜する第２の成膜工程４２０と、溝４６２の側面において第１の金属４７０が成膜されていない場所または薄くなっている場所に該当する高さＨ０、Ｈ１に切削刃４９０を設置する設置工程４３０と、切削刃４９０を走査することにより、少なくとも第１の樹脂４６０を切削する切削工程４４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】有機絶縁層を有する電子素子の配線短絡を簡素な工程により絶縁することが可能な電子素子の製造方法および電子素子を提供する。
【解決手段】配線層２１，２２の上に有機絶縁層１２を形成したのち、配線層２１，２２の短絡部２３に、有機絶縁層１２に対して透過性を持つ波長のレーザ光ＬＢを有機絶縁層１２を介して照射、または基板１１に対して透過性を持つ波長のレーザ光ＬＢを基板１１を介して照射する。レーザ照射領域２４では短絡部２３が消失して、配線層２１と配線層２２との間の絶縁が回復する。短絡部２３の上下に接する有機絶縁層１２または基板１１は残されている一方、レーザ照射領域２４（短絡部２３が消失した部分）には空洞２５が生じる。 （もっと読む）

【課題】再配線間のリークを抑制しつつ、再配線のピッチを微細化するとともに、再配線上のビア開口時のマージンを上げる。
【解決手段】緩衝層４上には再配線７ｂが形成され、再配線７ｂ上には表面層８ｂが形成されている。表面層８ｂは、再配線７ｂから幅方向にはみ出すようにして再配線７ｂに沿うように配置され、再配線７ｂよりもエッチング耐性が高い。 （もっと読む）

【課題】
支持基板上に形成された第１導電層と、層間絶縁層上に形成された第２導電層とをコンタクトホールによって電気的に接続した半導体装置において、安価に、前記第１導電層と第２導電層とのコンタクト不良を抑制した半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
開口部内における第１導電層１０２の状態は、開口部端部付近１０２ｂよりも中心部付近１０２ｃにおいて表面粗さがより大きい、もしくは導電性は薄膜の粒径がより大きくなるように形成されている。従って、コンタクトホール１０４における第１導電層１０２と第２導電層１０５との電気的接続が良好となってコンタクト不良の発生を抑制可能としている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、ヒューズ層を覆う絶縁膜の膜厚を精度良く調整する。
【解決手段】半導体基板１０上の第２の層間絶縁膜１７上にヒューズ層１８Ｔが形成され、ヒューズ層１８Ｔは第３の層間絶縁膜２０で覆われる。第３の層間絶縁膜２０上には、キャップメタル２４に覆われたパッド電極２３が形成され、それらは第１及び第２のパッシベーション膜２５，２６に覆われる。次に、ヒューズ層１８Ｔ上で開口する第１のレジスト層２７をマスクとして、ヒューズ層１８Ｔ上で第２のパッシベーション膜２６から第３の絶縁膜の厚さ方向の途中までをエッチングする。その後、パッド電極２３上で開口する第２のレジスト層３０をマスクとして、パッド電極２３上で第１及び第２のパッシベーション膜２５，２６及びキャップメタル層２４をエッチングしてパッド電極２３の表面を露出する。その後、保護膜３２を形成する。 （もっと読む）

【課題】コンタクトホールの形状制御が容易な半導体装置の製造方法を得る。
【解決手段】実施形態の半導体装置の製造方法は、基板1上にゲート絶縁膜2、ゲート電極3,4、第１ハードマスク5を形成し、第１ハードマスクをパターンニングして第１マスクを形成し、これをマスクにゲート電極及びゲート絶縁膜を基板が露出するまでエッチングしラインパターンを形成し、露出した基板及び第１マスクを覆うようにライナー膜7を形成する。更にライナー膜に覆われたラインパターンの間隙を有機系絶縁膜で埋め込み、少なくともライナー膜が露出するまで有機系絶縁膜を平坦化してその上に第２ハードマスク9を形成し、第２ハードマスクを第１マスクと交差するようにパターンニングして第２マスクを形成し、第１及び第２マスクをマスクに有機系絶縁膜をライナー膜が露出するまでエッチングしてコンタクトホールを形成する。 （もっと読む）