【課題】半導体基体同士が張り合わされた構成を有する半導体装において、接合精度の向上を可能とする。
【解決手段】第１半導体基体３１と、第２半導体基体４５とを備え、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側と、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側が接合されている。そして、第１半導体基体３１の第１主面３１Ａ側、第２半導体基体４５の第１主面４５Ａ側、第１半導体基体３１の第２主面３１Ｂ側、及び、第２半導体基体４５の第２主面４５Ｂ側から選ばれる少なくとも１つ以上に形成されている反り補正層１３，１４を備える半導体装置７９を構成する。 （もっと読む）

【課題】十分なキャパシタ容量が得られ、リーク電流や寄生容量を抑制した薄膜トランジスタ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタを備え、そのゲート電極１１１、ソース電極１３１、ドレイン電極１３２、バス配線、画素電極１３３、ゲート絶縁膜１２１、層間絶縁膜１２２、半導体層１４１の全部もしくは一部が塗布法もしくは印刷法で形成されてなり、ゲート絶縁膜１２１および／もしくは層間絶縁膜１２２が連続膜から構成され、連続膜が薄膜部と厚膜部から構成されてなる。 （もっと読む）

【課題】配線を設計通りの形状に形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、半導体基板と、前記半導体基板の第１の面に位置する電極と、前記第１の面に設けられ、前記電極とオーバーラップする位置に開口部を有する絶縁膜と、を有する構造体を用意する工程と、前記絶縁膜の前記第１の面側の面とは反対側の第２の面に、樹脂突起を形成する工程と、前記電極および前記樹脂突起を覆う第１導電膜を前記第２の面に形成する工程と、前記第１導電膜の前記第２の面側の面とは反対側の第３の面に、前記第１導電膜の前記第３の面より反射率の低い第２導電膜を形成する工程と、前記第２導電膜の前記第３の面側の面とは反対側の第４の面に、フォトレジスト層を形成する工程と、前記フォトレジスト層の一部をマスク層で覆った状態で、前記フォトレジスト層を露光する工程と、前記フォトレジスト層を現像し、フォトレジストパターンを形成する工程と、前記フォトレジストパターンをマスクとして前記第１導電膜および前記第２導電膜をエッチングすることにより、前記第１導電膜から形成された配線であって、前記樹脂突起の少なくとも一部を覆い、かつ、前記電極と接続する前記配線を形成する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造コストの増大を抑制しつつ、簡易な構成で、絶縁膜とさらに上部に形成された絶縁膜との界面の電荷を低減することができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、（ａ）ＳｉＣ半導体を用いた基板を用意する工程と、（ｂ）前記基板の表層部において、前記基板の素子領域を囲むように、リセス構造と前記リセス構造の下部にガードリング層とを形成する工程と、（ｃ）前記ガードリング層を覆って、第１絶縁膜を形成する工程と、（ｄ）前記第１絶縁膜を覆って、前記第１絶縁膜とは異なる材質の第２絶縁膜を形成する工程と、（ｅ）前記第１絶縁膜上に蓄積する電荷とは逆電荷のイオンを、前記工程（ｄ）の前、又は、前記工程（ｄ）中、又は前記工程（ｄ）の後に照射する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】小型化、薄型化、軽量化を実現した半導体装置の提供を課題とする。また、作製時間を短縮し、歩留まりを向上することができる半導体装置の作製方法の提供を課題とする。
【解決手段】トランジスタと、トランジスタ上に設けられた絶縁層と、絶縁層に設けられた開口部を介して、トランジスタのソース領域又はドレイン領域に電気的に接続された第１の導電層（ソース配線又はドレイン配線に相当）と、絶縁層及び第１の導電層上に設けられた第１の樹脂層と、第１の樹脂層に設けられた開口部を介して、第１の導電層に電気的に接続された導電性粒子を含む層と、第２の樹脂層及びアンテナとして機能する第２の導電層が設けられた基板とを有する。上記構成の半導体装置において、第２の導電層は、導電性粒子を含む層を介して、第１の導電層に電気的に接続されている。また、第２の樹脂層は、第１の樹脂層上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】簡略化された構成を有するトランジスタアレイを、簡易的に製造することが可能なトランジスタアレイの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】金属基板を用い、上記金属基板上に、絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、ドレイン電極が上記絶縁層に形成された貫通孔を介して上記金属基板に接続されるように薄膜トランジスタを形成する、薄膜トランジスタ形成工程と、上記金属基板をパターニングすることにより、上記金属基板を画素電極とする画素電極形成工程と、を有することを特徴とする、トランジスタアレイの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】対向するバンプ、パッド等を良好に接続し、接続部分の水平強度を高めるための半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２の上方に形成される第１絶縁膜１５と、第１絶縁膜１５内に形成される導電パターン１９と、第１絶縁膜１５上に形成される第２絶縁膜２１と、第２絶縁膜２１内に形成され、導電パターン１９に接続されるビアプラグ２４と、記ビアプラグ２４の上に接続され、開口部２５ａを有する電極パッド２５と、第２絶縁膜２１内でビアプラグ２４の周辺に形成される内部空間２１ａとを有し、電極パッド２５上面及び開口部２５ａ内には外部の突起状電極５８が接続される。 （もっと読む）

【課題】再配線のランド部にバンプ電極が接続された半導体集積回路装置において、再配線と半田バンプとの接着強度を向上させる。
【解決手段】再配線２０のランド部２０Ａは、再配線２０を構成する５層の金属膜（バリアメタル膜１３、シード膜１４、Ｃｕ膜１５、第１Ｎｉ膜１６および第２Ｎｉ膜１７）のうち、最上層の第２Ｎｉ膜１７の面積が他の金属膜（バリアメタル膜１３、シード膜１４、Ｃｕ膜１５、第１Ｎｉ膜１６）の面積よりも大きくなるように構成され、この第２Ｎｉ膜１７の表面に半田バンプ２１が接続されている。そして、半田バンプ２１の端部では、第２Ｎｉ膜１７の直下にポリイミド樹脂膜２２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】ピラーを確実に配置することが可能な半導体装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様にかかる半導体装置３０は、内部回路領域２０と、内部回路領域２０の外側に設けられたＩ／Ｏ領域１０と、を備える半導体チップ１と、半導体チップ１とフリップチップ接続されたパッケージ基板６と、半導体チップ１とパッケージ基板６との間に配置され、半導体チップ１の最上層配線層１２に含まれる２本以上の接地配線１２ａ上に形成されて、２本以上の接地配線１２ａを接続する導電性のピラー４と、を備えるものである。 （もっと読む）

【課題】入力の整合回路における損失の低減、並びに、回路の簡略化及び小型化が可能な電力分配合成器を提供する。
【解決手段】入力信号が入力される１次巻線としての環状の第１金属配線、及び、２次巻線としての複数の第２金属配線を有し、入力インピーダンスの整合をとるとともに、入力信号を複数の分配信号に分配する入力側トランスフォーマ１２０と、出力信号が出力される２次巻線としての環状の第３金属配線、及び、１次巻線としての複数の第４金属配線を有し、複数の分配信号を合成することで出力信号を出力するとともに、出力インピーダンスの整合をとる出力側トランスフォーマ１３０とを備え、入力側トランスフォーマ１２０が有する金属配線と出力側トランスフォーマ１３０が有する金属配線とは、互いに異なる金属配線層を用いて構成され、かつ、平面視した場合に交差している。 （もっと読む）

【課題】ウェハ貫通ビア（ＴＷＶ）を使用した相互接続において、ダイ区域の消費を低減し、ダイ区域を利用可能とする、バッチ製作された３Ｄ相互接続を提供する。
【解決手段】１つまたは複数の垂直相互接続を製作する。ウェハ積層体を形成するために複数のウェハをパターニングおよび積層するステップを含む。ウェハ積層体の１つまたは複数の切断刃の通り道内でウェハ積層体に複数の開口を形成し、導電性材料を複数の開口の側壁に堆積させる。ウェハ積層体は、側壁の導電性材料が、結果として得られる積層ダイの縁部部分に露出されるように、１つまたは複数の切断刃の通り道に沿い、複数の開口を通ってダイシングする。 （もっと読む）

【課題】プロセス再現性が高く、微細なホールを効率よく低コストで形成することができるホール形成方法、並びに、該ホール形成方法を用いてビアホールを形成した多層配線、半導体装置、表示素子、画像表示装置、及びシステムの提供。
【解決手段】基材上にピラー形成液を付与してピラーを形成するピラー形成工程と、前記ピラーが形成された基材上に絶縁膜形成材料を付与して絶縁膜を形成する絶縁膜形成工程と、前記ピラーを除去して前記絶縁膜に開口部を形成するピラー除去工程と、前記開口部が形成された絶縁膜を熱処理する熱処理工程とを含むホール形成方法である。 （もっと読む）

【課題】再配線構造を有する半導体装置において、外部接続電極の接合性の低下、層間剥離、クラックの発生等を抑制して信頼性を向上する。
【解決手段】半導体装置５０は、配線層絶縁膜３内に形成された信号配線１と、配線層絶縁膜３上に形成された絶縁膜６及び７と、絶縁膜６及び７内で且つ信号配線１上に形成された配線電極４と、絶縁膜６及び７内で且つ配線電極４上に形成された第１の金属層１０ａと、絶縁膜６及び７上に形成され、第１の金属層１０ａの上面に接続された金属配線１０ｃと、金属配線１０ｃ上に形成された外部接続電極１３ａとを備える。更に、絶縁膜６及び７内で且つ外部接続電極１３ａの下方に形成され、金属配線１０ｃの下面に接続された第２の金属層１０ｂを備える。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】 導電体部を有し、複数の絶縁膜を除去して形成される半導体装置において、金属汚染を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 導電パターンを有する配線層と、導電パターンの側面を囲む第１の絶縁膜を含む複数の絶縁膜と、を有する半導体装置の製造方法において、半導体ウエハ上に複数の絶縁膜を形成する工程と、配線層を形成する工程と、を有する。そして、半導体ウエハ上に複数の絶縁膜を形成する工程及び配線層を形成する工程の後に、複数の絶縁膜の一部の領域を除去し、開口を形成する工程と、を有する。ここで、第１の絶縁膜は、導電パターンの配置位置のうちウエハの最外周に最も近い位置よりも半導体ウエハの外周に近い位置まで配置されている。 （もっと読む）

【課題】凹形状を有するホールの内壁側面上に側壁保護膜の一部を残留させることにより、ホールの内壁側面を平滑化する。後の工程でホール内に材料を埋設する際にも、ボイドを発生させることなく優れた埋設性でホール内を材料で埋設させる。
【解決手段】半導体基板の裏面上にマスクを設ける工程と、マスクを用いて半導体基板を貫通すると共に凹形状の内壁側面を有するホールであって内壁側面が側壁保護膜で覆われたホールを形成する工程と、側壁保護膜の一部を残留させるようにマスクを除去する工程と、を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド膜に対して高い密着性を有するコバルト膜を成膜する方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００の処理容器１内で、処理容器１内にＣＯガスを導入しながら、ポリイミド膜８１が形成されたウエハＷを１１０℃以上４００℃以下の温度で加熱し、ポリイミド膜８１を熱処理する。熱処理によって、ポリイミド膜８１中の分子が熱分解し、膜密度が減少するとともに、表面粗度が大きくなる。その後、処理容器１内に成膜原料であるＣｏ_２（ＣＯ）_８を導入してＣＶＤ法によりポリイミド膜８１上にコバルト膜８３を堆積させる。 （もっと読む）

【課題】複数の金属層が積層された電極構造を有する半導体装置を容易に製造することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体層と、その半導体層の表面に形成されている第１金属層と、第１金属層の少なくとも一部が露出するように第１金属層に隣接する位置に形成されている絶縁層とを有する半導体基板を用いて、半導体装置を製造する方法であって、露出部分の第１金属層の表面及び絶縁層の表面に、絶縁層に対するよりも第１金属層に対する接着性が高い第２金属層を形成する工程と、第１金属層の表面に形成された第２金属層を残存させながら、絶縁層の表面に形成された第２金属層を絶縁層から剥離する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】 ＭＯＳＦＥＴのゲート電極を基板の周囲において引き出すゲート引き出し配線の引き出し部は、素子領域内と同等の効率で機能するＭＯＳＦＥＴのトランジスタセルＣを配置することができない非動作領域となる。つまり、ゲート引き出し配線を、例えばチップの４辺に沿って配置すると、非動作領域が増加し、素子領域の面積拡大や、チップ面積の縮小に限界があった。
【解決手段】 ゲート引き出し配線と、ゲート引き出し配線と保護ダイオードとを接続する導電体とを、チップの同一辺に沿って曲折しない一直線状に配置する。又これらの上に重畳して延在し、これらと保護ダイオードを接続する第１ゲート電極層の曲折部を１以下とする。更に保護ダイオードを導電体またはゲート引き出し配線と隣接して配置し、保護ダイオードの一部をゲートパッド部に近接して配置する。 （もっと読む）

【課題】配線及び絶縁膜へダメージを与えることなく、絶縁膜上の導電性の不純物によるめっきの異常成長を抑制することができる表面被覆方法、並びに該方法を用いて製造される半導体装置、及び実装回路基板の提供。
【解決手段】水溶性樹脂、有機溶剤、及び水を含有する表面被覆材料を、表面に露出した絶縁膜及び表面に露出したパターニングされた金属配線を有する積層体の少なくとも前記絶縁膜の表面を覆うように塗布し、前記絶縁膜の表面に被膜を形成する表面被覆方法である。 （もっと読む）