【課題】低誘電率膜でのパターン差を低減して均一な加工を行なうため、低誘電率膜の吸湿量と吸湿物質の脱離量を考慮した半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、マスクの初期開口率α_０を算出する（ステップＳ５１）。続いて、低誘電率膜からの吸湿物質の脱離量Ｘと吸湿時間の関係を算出する（ステップＳ５２）。そして、算出した吸湿物質の脱離量Ｘと吸湿時間の関係に基づいて、脱離量Ｆ（α）（＝Ｘ）と開口率との関係を求める。次に、脱離量Ｆ（α）（＝Ｘ）と開口率との関係から、脱離量が許容値以下となる許容開口率α_１を算出する（ステップＳ５３）。続いて、初期開口率α_０と許容開口率α_１とを比較する（ステップＳ５４）。このとき、初期開口率α_０が許容開口率α_１よりも小さい場合には、マスクパターンにダミーパターンを追加する（ステップＳ５６）。 （もっと読む）

【目的】タングステン膜の成膜時にタングステン膜の剥れを防止できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】アルミ配線２を形成した半導体基板１上に第１Ｐ−ＴＥＯＳ膜３を形成し、その上にＯ３−ＮＳＧ膜４を形成し、その上に第２Ｐ−ＴＥＯＳ膜５を形成し、その上に有機ＳＯＧ膜６を形成し、エッチバックした後、その上に第３Ｐ−ＴＥＯＳ膜７を形成し、アルミ配線２上の前記の積層された層間絶縁膜にＶｉａコンタクト８を形成し、その上にＴｉＮ膜９を形成し、その後でＴｉＮ膜９のアニール１０を行った後、次工程でタングステン膜１１を形成する。ＴｉＮ膜９のアニールを行うことでタングステン膜１１の剥れが防止できる。 （もっと読む）

【課題】埋め込まれた金属の酸化、及びパターン欠損の発生を抑制しつつ、低誘電率絶縁膜自体の電気的特性を十分に回復できる低誘電率絶縁膜のダメージ回復方法を提供すること。
【解決手段】低誘電率絶縁膜の表面に加工処理によって生じたダメージ性官能基を、疎水性官能基に置換し（ＳＴ．２）、低誘電率絶縁膜の表面に置換処理によって生じたデンス層の下に存在するダメージ成分を、紫外線加熱処理を用いて回復させる（ＳＴ．３）。 （もっと読む）

【目的】配線幅の微細化を図る半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基板上に第１の絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０２〜Ｓ１０４）と、第１の絶縁膜に開口部を形成する開口部形成工程（Ｓ１０６）と、開口部の側面および底面に触媒特性膜を形成する触媒特性膜形成工程（Ｓ１０８）と、触媒特性膜が側面および底面に形成された開口部にＣｕ膜を埋め込むめっき工程（Ｓ１１２）と、開口部の側面に形成された触媒特性膜を除去する触媒特性膜除去工程（Ｓ１１６）と、触媒特性膜が除去された後に、第１の絶縁膜およびＣｕ膜上に第２の絶縁膜を形成する第２の絶縁膜形成工程（Ｓ１２０）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐湿性を向上させることができる半導体装置を得る。
【解決手段】ＧａＡｓ基板１１（半導体基板）上に第１，第２層目のパッシベーション膜１５，１６（第１パッシベーション膜）が形成されている。そして、パッシベーション膜１５，１６上に、触媒化学気相成長法を用いて、最上層のパッシベーション膜としてＳｉＮ膜１９（第２パッシベーション膜）が形成されている。このように触媒化学気相成長で形成したＳｉＮ膜は、従来のようにプラズマ化学気相成長で形成したＳｉＮ膜に比べて吸湿性が低い。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜の表面および絶縁膜の凹部に沿ってシード層を成膜し、凹部に銅配線を埋め込んだ後、加熱によりバリア膜を形成すると共にシード層を構成する金属の余剰分を配線から除去するにあたって、配線中における前記金属およびその酸化物の残留を抑えて、配線抵抗の上昇を抑えること。
【解決手段】凹部の底部に露出した、銅からなる下層側導電路の表面における、前記銅の自然酸化物を還元するかまたは除去する工程と、前記自然酸化物が還元または除去された基板に対し、銅よりも酸化傾向が高く、酸化物となって銅の拡散防止機能を発揮する自己形成バリア用の金属、またはこの金属と銅との合金からなるシード層を形成する工程と、凹部に銅を埋め込んだ後に前記自己形成バリア用の金属を酸化してバリア層を形成すると共に余剰の自己形成バリア用の金属を埋め込まれた銅の表面に析出させるために基板を加熱する工程と、を含むように半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】回路素子にダメージをあまり与えることなく配線を形成する技術を提供する。
【解決手段】半導体モジュールの製造方法において、絶縁層１６の一方の面上に導電性バンプ２０を形成する第１の工程と、絶縁層１６の他方の面から導電性バンプ２０を露出させる第２の工程と、導電性バンプ２０の露出した箇所および絶縁層１６の他方の面上に第１の配線層１８を設ける第３の工程と、回路素子が形成された半導体基板であって、基板の表面に電極が形成されている半導体基板を用意する第４の工程と、第３の工程により第１の配線層１８が設けられた導電性バンプ２０と、電極とを対向させた状態で、絶縁層１６と半導体基板とを圧着して導電性バンプ２０を絶縁層１６に埋め込む第５の工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の層にそれぞれ異なるパターンを与えること。
【解決手段】パターニング方法が、第１の層と第２の層とを有した多層構造のうちの前記第１の層に、浅い部分と深い部分とを有した凹パターンが与えられるように、少なくとも２つの異なる高さの部分を有したエンボスツールを用いて前記第１の層にエンボス処理を施す工程（ａ）と、前記深い部分の底部で、前記第２の層の下地表面が露出するように、前記第１の層を介して前記第２の層をエッチングする工程（ｂ）と、前記浅い部分の底部で前記第２の層の表面が露出するように、前記第１の層をエッチングする工程（ｃ）と、を包含している。 （もっと読む）

【課題】従来と異なる方法によりチャネル領域に歪みを発生させたＭＩＳＦＥＴ構造を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置は、半導体基板と、前記半導体基板上に形成された第１のソース・ドレイン領域および第１のチャネル領域を有するｎ型ＭＩＳＦＥＴと、前記半導体基板上に形成された第２のソース・ドレイン領域および第２のチャネル領域を有するｐ型ＭＩＳＦＥＴと、前記第１のソース・ドレイン領域に接続され、前記第１のチャネル領域に伸張歪みを与える第１のコンタクトプラグと、前記第２のソース・ドレイン領域に接続され、前記第２のチャネル領域に圧縮歪みを与える第２のコンタクトプラグと、を有する。 （もっと読む）

【目的】多層配線において配線層間の剥がれ耐性を向上させた装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、基板２００上に積層配置され、共に第１の最小配線幅の配線と積層された複数の絶縁膜部とを有する複数の第１の配線層１１１〜１１４と、複数の第１の配線層の最上層１１４上に積層配置され、共に第２の最小配線幅の配線と積層された複数の絶縁膜部とを有する複数の第２の配線層１２１〜１２４と、を備え、複数の第２の配線層の最下層１２１の主たる絶縁膜３２０として、比誘電率が他の第２の配線層１２２〜１２４の主たる絶縁膜３２５の比誘電率と略同一で、ヤング率が他の第２の配線層１２１〜１２４の主たる絶縁膜３２５のヤング率より小さく第１の配線層１１１〜１１４の主たる絶縁膜２２０，２２１のヤング率より大きい絶縁膜が用いられることを特徴とする。 （もっと読む）

【解決手段】化学機械研磨後に半導体ウェーハを洗浄するための方法を提供する。方法の一例では、ウェーハに酸化環境における熱処理を施し、その後、還元環境における熱処理を施す。酸化環境における熱処理では、残留物を除去すると共に、露出した銅を酸化して酸化銅層を形成する。還元環境における熱処理では、その後、酸化銅を元素銅へ還元する。これにより、露出した銅は清浄となり、無電解メッキ等、更なる処理のための状態となる。 （もっと読む）

【課題】デュアルダマシン加工プロセスにおいて、配線の信頼性を向上させ、かつ、トレンチ幅の拡大を防ぐ。
【解決手段】第１金属配線１０３上に層間絶縁膜１０５を形成し、前記層間絶縁膜１０５にビアホールをする。前記ビアホール内の側壁に第１バリアメタル１０９を形成し、前記第１バリアメタル１０９が形成されたビアホール内に有機膜を形成する。前記有機膜を所定の位置までエッチバックした後、当該エッチバックによって露出された前記第１バリアメタル１０９を有機膜をマスクとしてエッチングする。前記層間絶縁膜１０５を所定の位置までエッチングし、トレンチ溝を形成する。前記ビアホール内に残存する有機膜１１０を除去し、当該ビアホール内の前記第１バリアメタル１０９上及び前記トレンチ溝の側壁に第２バリアメタル１１３を形成する。前記第２バリアメタル１１３が形成された前記ビアホール及び前記トレンチ溝内に第２金属配線１１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】写真製版におけるフォトマスクの重ね合わせズレが生じた場合にもエアギャップと上層配線層のビアホールとが接続することを防止できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】隣り合う配線用導電層５はエアギャップ８を挟んでおり、材質に銅を含んでいる。導電性のキャップ層６は、配線用導電層５上に選択的に形成され、かつ配線用導電層５中の銅の拡散のバリアとして機能する。絶縁膜７は、配線用導電層５、キャップ層６およびエアギャップ８の上に延在し、かつキャップ層６の上面および側面を覆っている。上層配線用のビアホールはキャップ層６に達し、かつ絶縁膜７を貫通していない。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、かつ、機械的強度が強い絶縁膜を持つ半導体装置を提供することである。
【解決手段】層間絶縁膜および配線間絶縁膜を有する半導体装置であって、
上層配線膜と下層配線膜との間に位置する一つの層間絶縁膜が、二つ以上の多孔性絶縁層の積層によって構成されてなり、又、配線膜における配線と配線との間に位置する一つの配線間絶縁膜が、二つ以上の多孔性絶縁層の積層によって構成されてなり、前記多孔性絶縁層の空孔の連続性が多孔性絶縁層の積層界面領域において遮断されてなる。 （もっと読む）

【目的】合わせずれにより下層配線層の絶縁膜が大きくエッチングされてしまうことを抑制する半導体装置の製造方法及びその方法で製造された半導体装置を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置は、下層配線となるＣｕ膜２６０と、Ｃｕ膜２６０の側面側に配置された有機絶縁膜２２０と、Ｃｕ膜２６０の側面側であって有機絶縁膜２２０上に配置された有機絶縁膜２２０よりも比誘電率が高いＳｉＯＣ膜２２２と、ＳｉＯＣ膜２２２側に一部がはみ出して配置された、Ｃｕ膜２６０を上層配線２６５側へと接続するプラグ２６３と、Ｃｕ膜２６２のＳｉＯＣ膜２２２側にはみ出した部分の下部に配置された、ＳｉＯＣ膜２２２よりもエッチングレートが低い膜質の改質膜２８０と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】性能劣化を抑制することが可能な高信頼性の配線を提供する。
【解決手段】第１導電膜に一端を接続し、第１導電膜と離間した第２導電膜に他端を接続する束状のカーボンナノチューブからなる複数の導電部材２０と、導電部材２０の間に分散されたダイヤモンド結晶構造を有する炭素粒子２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】接続ブロックを用いたＣＮＴによる横配線を有する電子デバイスであって、接続ブロックとカーボンナノチューブの接続を良好にすること。
【解決手段】側面に第１の面を有する導電性の第１の接続ブロック１３ａと、第１の面に対向する第２の面を有する第２の接続ブロックと、第１の面上に形成される触媒金属微粒子１７ａ、触媒薄膜のいずれかを有する触媒領域１７と、第２の接続ブロックの第２の面上に形成される炭素吸収金属１８ａ、１８ｂを有する炭素元素円筒型構造体吸収領域兼成長阻止領域１８と、触媒領域１７から炭素元素円筒型構造体吸収領域兼成長阻止領域１８に伸びて第１の接続ブロック１３ａと第２の接続ブロック１３ｂを電気的に接続する炭素元素円筒型構造体１９ｂとを有する。 （もっと読む）

【課題】抵抗を低減することが可能な配線を提供する。
【解決手段】第１導電膜１２と第１導電膜１２の上層の第２導電膜２６とを電気的に接続する配線２４であって、第１導電膜１２の上の複数の第１金属粒子１６と、複数の第１金属粒子１６のそれぞれを介して第１導電膜１２の表面に一端を接続する複数の導電部材１８と、複数の導電部材１８のそれぞれの他端側の側面上の複数の第２金属粒子２０と、複数の第２金属粒子２０のそれぞれを介して複数の導電部材１８のそれぞれの表面に一端を接続し、第２導電膜２６にそれぞれ接続する複数の導電部材２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】カーボンナノチューブを用いた配線構造を備える電子デバイスの製造方法について、炭素元素円筒型構造体からなるビアを歩留まり良く形成すること。
【解決手段】基板１上の第１絶縁膜２上に導電パターン５を形成する工程と、第１絶縁膜２と導電パターン５を覆う第２絶縁膜７を形成する工程と、第２絶縁膜７のうち導電パターン５の上にホール７ａを形成する工程と、少なくともホール７ａ内の底面と第２絶縁膜７の上面に金属膜９を形成する工程と、金属膜９の表面に触媒粒子又は触媒膜からなる触媒面１０を形成する工程と、触媒面１０から炭素元素円筒型構造体１１の束を成長する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１０の間隙に埋込膜１２を形成する工程と、炭素元素円筒型構造体の束１１及び埋込膜１２及び金属膜９を研磨して第２絶縁膜７の上面から除去するとともに、埋込膜１２及び炭素元素円筒型構造体の束１１をホール７ａ内に残してビア１３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】金属抵抗素子の形成位置を画定するための写真製版技術における露光時にレジスト膜中に定在波が発生するのを防止して金属抵抗素子の寸法バラツキを低減する。
【解決手段】金属抵抗素子２７の下地絶縁膜２３は、金属抵抗素子２７の長手方向において、金属抵抗素子２７の接続孔２５，２５間における上面の４０％以上の部分を占める上側に凸の１つの曲面を備えている。金属抵抗素子２７はその長手方向において下地絶縁膜２３の曲面に起因して、コンタクト、コンタクト間における上面及び下面の４０％以上の部分を占める上側に凸の１つの曲面を備えている。金属抵抗素子２７の形成位置を画定するための写真製版技術における露光時に、金属抵抗素子２７を形成するための金属膜の上面及び下面で露光光の反射光は上記曲面により散乱されるので、反射光と入射光によるレジスト膜中での定在波の発生が防止される。 （もっと読む）