【課題】 電子装置及びその製造方法に関し、エッチングストッパ膜となる絶縁膜に過度のダメージを与えることなく、塗布系の低誘電率膜との密着性をバラツキなく改善する。【解決手段】 基板９上に形成されたＳｉ−ＣＨ₂ −Ｓｉ構造を１０〜９０重量％含有するシリコンオキシカーバイドからなる第１の絶縁膜１と、第１の絶縁膜１上に形成されたポーラスシリカ系の第２の絶縁膜３とを有し、第１の絶縁膜１と第２の絶縁膜３の界面において、第１の酸素４と二重結合している炭素５を介して、第１の珪素６と、第２の珪素７と結合した第２の酸素８とが連結された構造を形成する。 （もっと読む）

【課題】誘電率が低く、且つ、良好な品質を有する絶縁膜を備え、配線間の寄生容量が抑制された半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板と、半導体基板上に形成され、第１の溝（第２の配線溝２８）を有し、高さ方向において組成比が異なる第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）と、第１の溝（第２の配線溝２８）を埋める第１の金属配線（第２の金属配線２５）とを備えている。第１の絶縁膜（第３の絶縁膜２４）では、上部における機械的強度がその他の部分における機械的強度に比べて大きくなっている。 （もっと読む）

【課題】従来よりも低温で、または加熱により迅速に緻密なシリカ質膜を形成させることができポリシラザン化合物含有組成物の提供。
【解決手段】ポリシラザン化合物と特定のアミン化合物と溶媒とを含んでなるポリシラザン化合物含有組成物と、それを基板上に塗布し、シリカ質物質に転化させるシリカ質物質の形成方法。特定のアミン化合物は、ふたつのアミン基の間隔が、Ｃ−Ｃ結合５つに相当する距離以上であることが好ましく、アミン基は炭化水素基により置換されていることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】ビアホールやトレンチの底部や側面に残渣が付着するのを防止することができるプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷに形成されたＣ_ｗＦ_ｘ（ｘ、ｗは所定の自然数）からなる低誘電率層間絶縁膜４１と、エッチングストップ層４２と、銅配線４３と、メタルハードマスク４５とを有する半導体デバイス４０に施されるエッチングストップ層除去処理において、低誘電率層間絶縁膜４１と銅配線４３及び／又はメタルハードマスク４５とが、ＣＦ_４ガス及びＮ_２ガスを含む処理ガスから生じたプラズマへ同時に晒される際、当該処理ガスにおけるＣＦ_４ガス及びＮ_２ガスの流量比はＣＦ_４ガス：Ｎ_２ガス＝１：Ｘ（但し、Ｘ≧７）で示される。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】成膜チャンバ４０Ｄの内部空間Ｓに吸着期間の間だけＺｒ（ＢＨ_４）_４を導入した。そして、シリコン基板２の表面、すなわち第２層間絶縁膜の表面及び第１配線の表面に、あるいはハードマスクの表面及び第２配線の表面にＺｒ（ＢＨ_４）_４を吸着させ、吸着分子からなる単分子層を形成した。また、吸着期間の経過後、照射管４７の内部に改質期間の間だけマイクロ波を照射し、プラズマ化したＨ_２を、すなわち水素活性種をシリコン基板２の表面に供給した。そして、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４の供給と、水素活性種の供給と、を交互に繰り返した。 （もっと読む）

【課題】有機基を含まず且つ、比較的低温の硬化においても比誘電率４以下を達成できるシリカ系被膜を形成することができるシリカ系被膜形成用組成物、それより得られるシリカ系被膜、及び、その形成方法、並びに、そのシリカ系被膜を備える電子部品を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物を加水分解する際に用いる触媒が（ａ）カルボン酸であり、且つ（ｂ）オニウム塩を含有する塗布型シリカ系被膜形成用組成物であって、４５０℃以上で被膜を硬化した際の比誘電率が４以下である、塗布型シリカ系被膜形成用組成物。
ＳｉＸ_４ ・・・（１）
（各Ｘは加水分解性基を示し、同一でも異なっていてもよい） （もっと読む）

【課題】同一配線層の配線間における実効誘電率の増大及び配線幅のばらつきの増加を解消しつつ、ナノホールパターンの形成時における反射率差に起因する課題と、エッチングによる配線信頼性低下の課題とを同時に解決できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板の主面に垂直な方向に筒状に延びる複数の空間部である第１のナノコラム型ホール１１ｂを有する第１の層間絶縁膜１１と、該第１の層間絶縁膜１１に選択的に形成された下層配線１２とを有している。下層配線１２の上部には、金属又は金属を含む材料からなるキャップ膜１２ｃが形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来の方法では、疎水化処理時間が短縮され、かつ、比誘電率の上昇が抑制された疎水化多孔質膜をえることができない。
【解決手段】 基板１上に有機シリカ絶縁膜２を形成する工程と、有機シリカ絶縁膜２が形成された基板１が配置された装置内で基板１の温度をシリル化ガスの露点温度以上気化温度以下として、装置内へシリル化ガスと不活性ガスとからなる混合ガス３を導入する工程と、装置内への混合ガス３の導入を停止する工程と、有機シリカ絶縁膜２が形成された基板１を加熱する工程と、を含むことによって、有機シリカ絶縁膜２の表面および細孔の表面が疎水化され、比誘電率の上昇が抑制された疎水化有機シリカ絶縁膜を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造のバリアメタル膜の欠陥を、ＣｕＭｎ層のＭｎと層間絶縁膜との自己形成反応による拡散バリア膜で補間する半導体装置の製造方法において、ＣｕＭｎ層上のＣｕ層の比抵抗を低減する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜の上面と、凹部の側壁面および底面を含めて、第１金属元素を含みＣｕの拡散防止膜として作用する第１導電膜２６を形成し、第１導電膜を、ＣｕおよびＣｕとは異なる第２金属元素を含む第２導電膜２６Ｍにより覆い、第１および第２導電膜を介して、Ｃｕを主成分とする配線層２７を堆積し、配線層を熱処理して第２導電膜中の第２金属元素を、欠陥部分２６Ｘにおいて露出された表面部分と反応させ、Ｃｕの拡散防止化合物を形成し、反応に使われなかった余剰の第２金属元素を、配線層を介して、配線層表面２７Ｍまで拡散させる。前期熱処理は、配線層の温度を７℃／秒未満の平均昇温速度で昇温させる。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、層間絶縁層のＳＯＧ膜から発生する脱ガスにより接続用電極が酸化し、接続用電極上の抵抗値が低減され難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、接続用電極２６上のＴＥＯＳ膜２７、ＳｉＮ膜２８に開口領域２９、３１が形成される。開口領域２９、３１では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３２、Ｃｕメッキ層３４が積層される。そして、接続用電極２６が開口領域２９、３１から露出する際、ＳＯＧ膜１４、２２が露出することがなく、接続用電極２６がＳＯＧ膜１４、２２から発生する脱ガスにより酸化されず、接続用電極２６上の抵抗値が低減される。 （もっと読む）

【課題】意図する電気的特性を得ることができる。
【解決手段】半導体基板上に第１の絶縁層１、第２の絶縁層２、第３の絶縁層３の順番に積層する。次に、第３の絶縁層３の所定部位に第１の絶縁層１が露出する開口部４を形成する。次に、第３の絶縁層３をマスクにして開口部４から露出する第１の絶縁層１を、その一部が残るように選択的に除去する。また、第３の絶縁層３を剥離する。次に、開口部４から露出する第１の絶縁層１の残りを選択的に除去する。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、層間絶縁層のＳＯＧ膜から発生する脱ガスにより接続用電極が酸化し、接続用電極上の抵抗値が低減され難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、接続用電極２６上のＴＥＯＳ膜２７、ＳｉＮ膜２８に開口領域２９が形成される。開口領域２９では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３４、Ｃｕメッキ層３６が積層される。そして、接続用電極２６が開口領域２９から露出する際、ＳＯＧ膜１４、２２が露出することがなく、接続用電極２６がＳＯＧ膜１４、２２から発生する脱ガスにより酸化されず、接続用電極２６上の抵抗値が低減される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、良好な絶縁膜性能と各積層膜間の密着性を達成でき、さらには優れた生産性を有する絶縁膜の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】下記一般式（Ｉ）で表される化合物の重合体を含有する塗布液を基板上に塗布し、乾燥して銅拡散防止膜を形成する工程と、前記銅拡散防止膜上に無機ポリマーを含有する塗布液を塗布し、乾燥して無機ポリマー膜を形成する工程と、前記無機ポリマー膜上に絶縁膜用樹脂を含有する塗布液を塗布し、乾燥して有機ポリマー膜を形成する工程と、その後、加熱またはエネルギー線の照射により、前記銅拡散防止膜、前記無機ポリマー膜、および前記有機ポリマー膜を一度に硬化する工程、を有する積層型絶縁膜の製造方法。
(Ｘ)_ｍ−Ｑ−(Ｙ)_ｎ 一般式（Ｉ）
（一般式（Ｉ）中、Ｑは環員数５または６の含窒素複素環基、またはそれらのベンゾ縮合環基を表す。Ｘは任意の置換基を表す。ｍは０〜１０の整数を表す。ｍが２以上の場合は、Ｘは同一でも異なっていてもよい。Ｙは下記一般式（Ｙ−１）〜（Ｙ−６）のいずれかで表される基を表す。ｎは1〜１０の整数を表す。ｎが２以上の場合は、Ｙは同一でも異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、層間絶縁層のＳＯＧ膜から発生する脱ガスにより接続用電極が酸化し、接続用電極上の抵抗値が低減され難いという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、接続用電極２６上のＴＥＯＳ膜２７、ＳｉＮ膜２８に開口領域２９、３３が形成される。開口領域２９、３３では、接続用電極２６上にメッキ用金属層３４、Ｃｕメッキ層３６が積層される。そして、接続用電極２６が開口領域２９、３３から露出する際、ＳＯＧ膜１４、２２が露出することがなく、接続用電極２６がＳＯＧ膜１４、２２から発生する脱ガスにより酸化されず、接続用電極２６上の抵抗値が低減される。 （もっと読む）

【課題】耐熱性や絶縁性の劣化などの不良の発生が抑えられた絶縁膜と、金属配線とを備えた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に吸湿性を有する絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜にダミーコンタクトホールとコンタクトホールとを形成する。基板を熱処理して絶縁膜に含まれる水分を脱離させた後、金属膜で構成されるコンタクト１０３およびダミーコンタクト１１０をそれぞれ形成する。熱処理により、コンタクトホールおよびダミーコンタクトホールを通して絶縁膜中の水分を脱離させることができる。 （もっと読む）

【課題】シリカ系絶縁膜を用いた半導体装置の製造方法に関し、ドライエッチングのダメージに起因する誘電率増加を回復するとともに、大気放置による誘電率の増加を防止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１００上に、シリカ系の絶縁材料の絶縁膜１０２を形成し、絶縁膜１０２をドライエッチングにより加工し、加工した絶縁膜１０２にシラン化合物を作用させることにより、ドライエッチングのダメージによって絶縁膜１０２内に導入されたＳｉ−ＯＨ結合にシラン化合物を反応させて疎水化し、絶縁膜１０２に光照射又は電子線照射を行うことにより、シラン化合物と反応していないＳｉ−ＯＨ結合を縮合させる。 （もっと読む）

半導体構造（３００）は、半導体基板（３０１）を有する。前記半導体基板（３０１）の上に電気絶縁材料の層（３０４）が形成されている。前記電気絶縁材料の層（３０４）に導電性の特徴（３１２）が形成されている。前記導電性の特徴（３１２）と前記電気絶縁材料の層（３０４）の間に第１の半導体材料の層（３２０）が形成されている。
（もっと読む）

【課題】 低誘電性であり、かつ塗膜形成後の経時によって一旦上昇した誘電率を加熱処理によって回復させる能力（k値回復性）を良化させた絶縁膜形成用組成物を提供する。
【解決手段】 (A)少なくとも一種の有機ポリマーまたは２つ以上の不飽和基を置換基として有するカゴ型シルセスキオキサン化合物を重合させた高分子化合物、(B)溶剤、(C)下記一般式(C-1)〜(C-3)の何れかで表される少なくとも一種の有機シリコーン化合物を含有することを特徴とする。
【化１】


（R₁はメチル基等を表し、x₁は0〜95mol%, x₂は5〜100mol%、x₁+ x₂ = 100mol%であり、R₂, R₃はアルキル基等を、R₄はメチル基等を表し、X₃は5〜100mol%, x₄は0〜95mol%、x₃ +
x₄ = 100mol%であり、Rfはフルオロアルキル基を表し、x₅は0〜95mol%, yは5〜100mol%、x₅ + x₆ = 100mol%である。） （もっと読む）

【課題】製造プロセスを容易にして、特性を向上させる。
【解決手段】導電部１４ａと、導電部１４ａと対向する導電部１４ｂと、導電部１４ａと導電部１４ｂとを接続するシート状炭素構造体１５ａと、を有する配線構造体１０により、シート状炭素構造体１５ａのカイラリティの制御が容易にできて、シート状炭素構造体１５ａの電子状態に従って、シート状炭素構造体１５ａにバリスティック伝導を発現させることができるようにした。これにより、理想的な抵抗を得ることができ、配線にＣＮＴを利用した場合と、同等もしくはそれ以上の特性を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の層間絶縁膜として用いられる有機ＳＯＧ膜にコンタクトを形成する際のポイズンドビアの発生を抑制する。
【解決手段】半導体基板４２上に配置した複数の下層配線４６とその間隙４７とを覆って、有機ＳＯＧ膜を塗布し平坦化する。有機ＳＯＧ膜をイオン注入により改質し、コンタクトホール５６より深い位置まで改質ＳＯＧ膜５２に変える。特に、下層配線４６の上からずれて形成されるコンタクトホール５６ｂは、下層配線４６の上面より低い位置まで到達する。改質ＳＯＧ膜５２は、このコンタクトホール５６ｂが到達する深さより深い位置まで形成される。この改質ＳＯＧ膜５２の形成後、コンタクトホール５６が形成される。コンタクトホール５６の内部には、未改質の有機ＳＯＧ膜５０が現れず、プラグ６０を埋め込む際にポイズンドビアとなることが防止される。 （もっと読む）