【目的】パターン密度の違いによるエッチング差を抑制する半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【構成】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上にポロジェン材料を含む絶縁膜を形成する工程（Ｓ１０４）と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の一部を除去する工程（Ｓ１０６）と、前記ポロジェン材料の一部が除去された前記絶縁膜に前記絶縁膜の底部を残すように開口部を形成する工程（Ｓ１１２）と、前記絶縁膜に含まれる前記ポロジェン材料の残部を除去する工程（Ｓ１１４）と、前記開口部の前記底部をエッチングする工程（Ｓ１１６）と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体素子の性能劣化を引き起こすことなく、小型化が可能かつ高信頼性を有する安価なウエハレベルＣＳＰの半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１００であって、半導体基板の第１の面に配置された電極パッド１０６と、前記半導体基板の第２の面から該電極パッドが露出するように、該電極パッド直下の該半導体基板内に開けられた貫通孔と、前記半導体基板の第２の面と該貫通孔の内側面とを覆い、前記電極パッドが露出するように配置された電気絶縁膜と、該電気絶縁膜を介して、前記貫通孔の内側面及び前記電極パッドの露出部を覆うように配置され、該電極パッドと電気的に接続された金属薄膜からなる貫通電極１０８と、該貫通電極と前記半導体基板の第２の面１０１ｂに設けられた外部配線領域とを接続するために貫通電極から延長された外部配線１０９と、該外部配線領域に外部端子と接続するための接続部１１１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、ダマシン構造を有する銅多層配線を構成するトレンチのＣＭＰ工程後に露出した低誘電率膜表面のダメージを回避して配線信頼性を確保するとともに、直列抵抗の増大を抑制する。
【解決手段】 ポーラス絶縁膜に設けた凹部に埋め込まれた第１の金属膜の少なくとも頂面を、前記ポーラス絶縁膜の頂面と整合する高さまでＺｒ及びＢを含む第２の金属膜で覆う。 （もっと読む）

【課題】電磁波検出素子の製造に際し、フォトダイオードなどの半導体層の下層に配置される層間絶縁膜の材料制約を緩和する。例えば、有機系材料からなる層間絶縁膜の配置を可能にする。
【解決手段】ＴＦＴアレイが形成された基板１の上に、ＴＦＴアレイを覆うように層間絶縁膜１２を形成した後、ＰＩＮ型のフォトダイオード層６の形成前に、フォトダイオード層６よりエッチング速度の遅いＩＺＯ膜１４を形成し、フォトダイオード層６の一部を、ＩＺＯ膜１４が露出するまでドライエッチング処理により除去してパターニングした後、露出したＩＺＯ膜１４をフォトリソグラフィー技術により除去してパターン化することにより下部電極１４ａを形成する。 （もっと読む）

【課題】所定の形状に精度よくパターニングすることができる導電膜の形成方法を提供することである。
【解決手段】電気絶縁性を有する被成膜体の表面上に、金属微粒子を含む導電膜用の塗布液を塗布して導電膜用の膜を形成し、被成膜体に塗布された前記導電膜用の膜を第１の温度で加熱し、前記低電気抵抗の導電膜よりも電気抵抗が高い高電気抵抗の導電膜を形成し、前記高電気抵抗の導電膜の一部を除去し、高電気抵抗の導電膜を所定の形状にパターニングし、パターニングされた高電気抵抗の導電膜を第２の温度で加熱して電気抵抗を低下させ、低電気抵抗の導電膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置に用いる低誘電率のシリカ系被膜形成用塗布液を提供する。
【解決手段】一般式（Ｉ）


（ただし、式中、Ｒ¹は炭素数１〜６のアルキル基、アリール基またはフルオロアルキル基、Ｒ²はアルキレン基またはアリーレン基を示し、Ｘはハロゲンまたはアルコキシ基であり、ｎは０〜２の整数を示す）で表せられるシラン化合物を加水分解縮重合させてなるポリシロキサン樹脂を含有するシリカ系被膜２形成用塗布液を基板１上に塗布し、５０〜２５０℃で乾燥した後、窒素雰囲気下２００〜６００℃で加熱硬化する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＧ層の表面を平坦に形成することができる、半導体装置を提供する。
【解決手段】層間絶縁膜２上には、配線３が所定のパターンで形成されている。層間絶縁膜２および配線３上には、それらの表面に沿ってＳｉＯＣ膜７が形成されている。ＳｉＯＣ膜７上には、ＳＯＧ層８が形成されている。ＳＯＧ層８は、ＳｉＯＣ膜７における配線３上に形成された部分を露出させ、その露出したＳｉＯＣ膜７の表面と面一をなす表面を有している。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の外部端子に加わる外力により外部端子の下方の絶縁膜にクラックが生じるのを抑制または防止する。
【解決手段】半導体基板１の主面上には複数の配線層が形成されている。この複数の配線層のうちの最上の配線層ＭＨの直下の第５配線層Ｍ５において、最上の配線層ＭＨのボンディングパッドＰＤのプローブ接触領域ＰＡの直下には、導体パターン（第５配線５Ｆ、ダミー配線およびプラグ６Ｃ）を形成しない。上記第５配線層Ｍ５において、最上の配線層ＭＨのボンディングパッドＰＤのプローブ接触領域ＰＡの直下以外の領域には、導体パターン（第５配線５Ｆ、ダミー配線およびプラグ６Ｃ）を形成する。 （もっと読む）

【課題】メタル材をハードマスクにして絶縁膜をエッチングする際の加工ダメージを抑制する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様の半導体装置の製造方法は、基体上に絶縁膜を形成する工程Ｓ１０４と、絶縁膜上に、金属含有膜を形成する工程Ｓ１０８と、金属含有膜上に、Ｓｉ及びＣを含有するか又はＮ及びＣを含有する炭素含有膜を形成する工程Ｓ１１０と、炭素含有膜を選択的にエッチングする工程Ｓ１１８と、エッチングにより形成された開口部が転写されるように金属含有膜を選択的にエッチングする工程Ｓ１２６と、炭素含有膜の開口部とは異なる表面が露出した状態で、炭素含有膜と金属含有膜とをマスクとして絶縁膜をエッチングする工程Ｓ１２８と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 異種ＳＯＧ材料を搭載するＳＯＧコート装置において、ノズルからの不所望なＳＯＧの滴下を防止し、かつ、結晶化または固化したパーティクルの塗布を防止する。
【解決手段】 ＳＯＧの供給方法は、ロットに対して第１のノズルから第１のスピンオンガラスを供給する処理を実行するとき、当該ロットへの処理の開始時または終了時に、第２のノズルから第２のスピンオンガラスを一定量だけ吐出するステップを含む。さらにＳＯＧの供給方法は、ロットに含まれる基板の処理開始時に第２のノズルを洗浄するステップを含む。 （もっと読む）

【課題】より高い結晶化温度を有する改良型誘電体層の構造及び該構造の製造方法には、誘電体層の等価酸化膜厚を減らすこと並びに界面特性の改良によってデバイス性能を改良する必要が今も残っている。
【解決手段】例えば金属ケイ酸塩又は金属酸窒化ケイ素の膜のような金属含有膜の化学気相成長又は原子層成長による堆積法が本書に開示されている。一実施形態における金属含有膜の堆積法は、金属アミド前駆体、ケイ素含有前駆体、及び酸素源を燃焼室に導入する工程（ただし、パージガスを導入した後に各前駆体を導入する）を含む。 （もっと読む）

【課題】熱の費用に悪い影響を与えることなく、機械的特性を向上できる、低ｋ誘電体の形成方法の提供。
【解決手段】基板の表面上に低ｋ誘電体を形成する方法であって、表面上に低ｋ誘電体を成膜し、低ｋ誘電体の機械的特性を効果的に向上させる時間と強さで紫外線に低ｋ誘電体を露光して、これによって、この機械的特性を、紫外線に露光されない低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、炉で硬化される低ｋ誘電体の対応する機械的特性や、紫外線の露光の前に過度の活性化エネルギーにさらされる低ｋ誘電体の対応する機械的特性と比べて相当向上させ、この際、過度の活性化エネルギーには、過度のホットプレートベークシーケンス、炉の硬化、焼鈍硬化、複数の温度の硬化プロセス又はプラズマ処理であって、紫外線照射に先立つものが含まれる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置内で使用される多孔性の低ｋの誘電体を形成すること。
【解決手段】 ポロゲン材料を包含する低ｋの誘電体フィルムから多孔性の低ｋの誘電体材料を形成するプロセスが、紫外線照射へ低ｋの誘電体フィルムを露光することを含んでいる。一実施形態では、該フィルムが、２４０ｎｍ未満の広帯域の紫外線照射へ露光される。他の実施形態では、低ｋの誘電体フィルムが、フィルムのマトリックスの架橋結合密度を高めるのに効果的な第一の照射パターンへ露光される。このとき同時に、この第一の紫外線照射パターンへの露光の前後で、ポロゲン材料の濃度は、実質的に同一に維持している。低ｋの誘電体フィルムは、それから、そこで金属の相互接続構造を形成するために処理され、連続して、低ｋの誘電体フィルムから、ポロゲン材料を除去するのに有効な第二の紫外線照射パターンへ露光され、多孔性の低ｋの誘電体フィルムを形成する。 （もっと読む）

【課題】配線上の信号遅延を小さくして、配線上の信号遅延特性を所望の状態に改善することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造工程中に、配線溝２６ｃおよびビアホール２７ａの内側表面をポロジェンを含む第４の絶縁膜２５で覆うことで、バリアメタルスパッタ工程などの半導体装置の製造工程において、配線溝２６ｃおよびビアホール２７ａの内側表面の低誘電率膜である第４の絶縁膜２５の比誘電率上昇を抑制する。 （もっと読む）

【課題】電気を流すことができる。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４と、を有する配線構造１０により、基板１１と、基板１１上に形成された、開口孔を有する絶縁膜１２と、開口孔の底部に形成された、内部にアルカリ金属原子（またはハロゲン原子）１６ａを有する筒状炭素構造体１４とにより、筒状炭素構造体１４が金属性を示す。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ配線パターンの表面に自己形成されるＭｎ酸化物膜よりなるバリア膜を有する多層配線構造において、配線の寿命を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ−Ｍｎ合金層を側壁に形成したＣｕ配線パターンの表面に、炭素および酸素源となる炭素含有膜を接触させ、熱処理により、前記Ｃｕ−Ｍｎ合金層中のＭｎ原子と前記炭素源からの炭素原子と酸素原子を反応させ、炭素を含むＭｎ酸化物膜をバリア膜として形成する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン基板および該シリコン基板上に設けられた低誘電率膜と配線との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部を備えた半導体装置において、低誘電率膜が剥離しにくいようにする。
【解決手段】 シリコン基板１の上面の周辺部を除く領域には低誘電率膜４と配線５との積層構造からなる低誘電率膜配線積層構造部３が設けられている。低誘電率膜配線積層構造部３の上面にはパッシベーション膜７が設けられている。パッシベーション膜７および低誘電率膜配線積層構造部３の側面は金属膜１４および封止膜１８によって覆われている。これにより、低誘電率膜４が剥離しにくい構造となっている。この場合、低誘電率膜配線積層構造部３の側面と封止膜１８との金属膜１４を介在させているのは、耐湿環境からの保護を十分とするためである。 （もっと読む）

【課題】配線層間に形成しても耐水性および耐酸化性に優れた、ＭＩＭキャパシタを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置が、半導体基板と、半導体基板上に形成された第一の絶縁膜１０３と、第一の絶縁膜１０３に埋め込まれた第一の配線層１０１と、第一の配線層１０１を覆う配線キャップ膜１０５と、配線キャップ膜１０５上に設けられたＭＩＭキャパシタ１１４と、ＭＩＭキャパシタ１１４上を覆う水素遮断膜１１７と、水素遮断膜１１７上に形成された第二の絶縁膜１０６と、第二の絶縁膜１０６および水素遮断膜１１７を貫通し、ＭＩＭキャパシタ１１４の上部電極１１１および下部電極１０７にそれぞれ接続された導電体プラグ１１９と、導電体プラグ１１９に接続され、ＭＩＭキャパシタ１１４の上部電極１１１および下部電極１０７にそれぞれ接続された第二の配線層１２１と、を有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥を低減しつつ有機膜を平坦化して、高い歩留まりでデュアルダマシン配線を形成可能な半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に設けられ凹部を有する絶縁膜の上に、溶剤と有機成分とを含む溶液を塗布して塗膜を形成する工程と、前記塗膜を、前記有機成分の架橋が終了しない第１の温度でベークして有機膜前駆体を得る工程と、前記有機膜前駆体を、樹脂粒子を含有するスラリーを用いて研磨して前記凹部内に残置する工程と、前記研磨に引き続いて、前記有機膜前駆体を前記第１の温度より高い第２の温度でベークして前記溶剤を除去し、前記凹部内に埋め込まれた第１の有機膜１９を得る工程と、前記第１の有機膜が埋め込まれた絶縁膜の上に、塗布法により第２の有機膜２０を形成して下層膜を得る工程と、前記下層膜の上に中間層２２及びレジスト膜２３を順次形成する工程と、前記レジスト膜をパターン露光する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】高精度のドライエッチング加工とＬＥＲの低減をともに実現することのできる被エッチング膜の加工方法を提供する。
【解決手段】被エッチング膜の上部に、下層より順に有機マスク層４０、シリコン含有層５０およびレジスト層７０を形成する工程と、フォトリソグラフィー法により前記レジスト層７０に所定のパターンを形成する工程と、前記レジスト層７０をマスクとして、第一エッチングガスを用いて前記シリコン含有層５０をエッチングする工程と、前記エッチングされたシリコン含有層５０をマスクとして、第二エッチングガスを用いて前記有機マスク層４０をエッチングする工程と、前記エッチングされた有機マスク層４０をマスクとして、第三エッチングガスを用いて前記被エッチング膜をエッチングする工程と、を含み、前記第一エッチングガスがＣＦ_３Ｉを含むことを特徴とする被エッチング膜の加工方法。 （もっと読む）