【課題】多層配線構造において、配線容量を低減しつつ、高いエレクトロマイグレーション耐性を有する半導体装置およびその製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】銅配線の最上部に金属キャップ膜１２ｄを堆積し、ガルバニック反応を利用して金属キャップ膜１２ｄを溶解させる。このようにすると、銅配線の最上部に空間領域１２ｃを形成し、従来のＥＭ発生箇所であった銅配線と絶縁性のバリア膜１３界面を形成しないため、ＥＭ耐性を大幅に向上させることができる。また、銅配線の最上部に位置する空間領域１２ｃは、みかけ上、比誘電率１の絶縁膜が堆積されていると考えることができ、配線トータル容量が大幅に低減し、電子デバイスの実効誘電率を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】エアギャップによる配線間寄生容量の低下を考慮した配線構造の設計方法およびその装置を提供する。
【解決手段】配線後のレイアウトデータからタイミングエラー箇所を特定し（3_007）、エアギャップの有無による容量値の変動を評価することにより、タイミングを改善するのに必要最低限のエアギャップ禁止領域を算出する（3_008）。また、配線時には、エアギャップを考慮したタイミング計算を行ない、エアギャップによる容量値の変動を考慮して配線パターンを変更する。面積を増加することなく、配線時のタイミング収束、および配線後のタイミング改善の工数を削減することができる。 （もっと読む）

【課題】配線間に空隙領域と絶縁膜とを設ける従来の半導体装置では、絶縁膜からの脱ガスにより配線が変質し、半導体装置としての信頼性が低下するといった問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置は、配線間に設ける絶縁膜を第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とから構成し、第１の絶縁膜と第２の絶縁膜とは、半導体基板に対して垂直方向に積層して設けるかまたは水平方向に互いに接して設け、第２の絶縁膜は、第１の絶縁膜と配線と隣接する空隙領域との間に設ける。このような構造を有すると、第１の絶縁膜からの脱ガスの影響を防ぐことができる。 （もっと読む）

【課題】ゲートとゲート間の空間を誘電率の低い空気層で形成し、お互い隣接したゲートとゲート間の干渉キャパシタンスを減少させるための半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】フローティングゲート、誘電体膜、コントロールゲート、タングステンシリサイド膜及びハードマスク膜の積層構造からなるゲートが形成された半導体基板を提供する工程と、前記ゲートの間に前記ゲートより低い高さまで犠牲絶縁膜を形成する工程と、前記露出されたゲートの側壁にスペーサを形成するが、前記スペーサの間に前記犠牲絶縁膜の一部が露出される工程と、前記犠牲絶縁膜を除去して前記スペーサの下に空間を形成する工程と、前記スペーサ間の空間が塞がるように絶縁膜を形成して前記スペーサの下部の前記ゲート同士の間に空気層を形成する工程とを含む半導体素子の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】出力特性劣化などの不具合の発生を抑え、良好な信頼性を得ることが可能な電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１１に形成される動作領域１２、動作領域１２上に形成されるゲート電極１３と、動作領域１２上にゲート電極１３を挟んで交互に形成されるソース電極１４及びドレイン電極１５と、外部回路と接続されるためのボンディングパッド１８、１９と、ソース電極１４又はドレイン電極１５と接続される電極接続部２０ａと、ボンディングパッド１８、１９と接続されるパッド接続部２０ｂと、電極接続部２０ａ及びパッド接続部２０ｂ間を接続する空中配線部２０ｃを有するエアブリッジ２０を備え、夫々エアブリッジ２０の幅方向の断面において、電極接続部２０ａの断面積が、空中配線部２０ｃの断面積以下及び／又は電極接続部の幅が、空中配線部の幅より狭いことを特徴とする。 （もっと読む）

本発明は、基板及び突起電極を有する半導体部品に関するものである。突起電極は、基板に対面する基板面を有し、この基板面は、ギャップによって基板から分離された第１基板面部分を備えている。このギャップは、突起電極の基板に対する応力補償変形を可能にする。突起電極の基板面はさらに、基板に機械的に固定接続及び電気接続された第２基板面部分を備えている。突起電極と基板との機械接続のより小さいフットプリントにより、突起電極は、同量の応力を基板上またはアセンブリ内の外部基板に伝えることなしに、加えられた機械的応力に三次元的に追従することができる。このことは、半導体部品を突起電極によって外部基板に接続したアセンブリの改善された寿命を生じさせる。
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【課題】出力特性劣化などの不具合の発生を抑え、良好な信頼性を得ることが可能な高周波用半導体装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体基板１１に形成される動作領域１２と、動作領域１２上に形成されるゲート電極１３と、動作領域１２上にゲート電極１３を挟んで交互に形成されるソース電極１４及びドレイン電極１５と、外部回路と接続されるためのボンディングパッド１８、１９と、一方の端部がソース電極１４又はドレイン電極１５と動作領域１２外上で接続され、他方の端部がボンディングパッド１８、１９と接続されるエアブリッジ２０を備える。 （もっと読む）

【課題】配線の表面に配線保護膜を形成した後、配線間の絶縁膜を効率よく除去し、しかも、その後、配線間に所望形状の空隙を形成しながら、基板の表面に絶縁膜を成膜できるようにする。
【解決手段】絶縁膜の内部に表面を露出させ周囲をバリア層で覆った配線を形成した基板を用意し、配線の露出表面に第１配線保護膜を選択的に形成し、第１配線保護膜を表面に形成した配線間の絶縁膜をエッチング除去し、第１配線保護膜を下地として該第１配線保護膜の表面に第２配線保護膜を選択的に形成する。 （もっと読む）

【課題】微細化された場合においても、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、主表面を有する半導体基板と、それぞれがフローティングゲートＦＧとコントロールゲートＣＧとを有するように半導体基板の主表面上に形成された複数の凸状パターンと、複数の凸状パターンのそれぞれの上面および側面を覆うように、かつ、凸状パターンの下側側面を覆う部分よりも上側側面を覆う部分の方が幅が大きくなるように形成された第１の絶縁膜１１と、隣り合う前記凸状パターンの間の空隙ＧＰを閉塞するように第１の絶縁膜１１の上面および側面を覆う第２の絶縁膜１２とを備えている。空隙ＧＰの前記第２の絶縁膜１２により閉塞される位置は、フローティングゲートＦＧの上面より高い位置であって、コントロールゲートＣＧの上面より低い位置である。 （もっと読む）

アンダーフィルド熱排出部（群）（４６，４６’, ７８，７８’）付き半導体デバイス（４０，６１−１３，６１−１５，６１−１８，６１−１９）用の構造（４０，６１−１３，６１−１５，６１−１８，６１−１９）及び方法（６０−５．．．６０−１９，１００，２００）が提供される。デバイス（４０，６１−１３，６１−１５，６１−１８，６１−１９）は、上側表面（３７）及び下側表面（６３，７３）を有する基板（４８，７２）を備える。半導体（３８，７２）は、素子領域（２６）を含む上側表面（３７）に近接して位置する。素子領域（２６）の下方に設けられる一つ以上の空洞（６７，７７）は、下側表面（６３，７３）から延びるように基板（４８，７２）内にエッチングにより形成される。高熱伝導率材料（６８）は基板（４８，７２）において一つ以上の空洞（６７）を充填し、そして素子領域（２６）の下方の下側表面（６３，７３）の位置に、または下側表面（６３，７３）を超えた位置に露出表面（６９，６９’, ７９，７９’）を有する。これによりアンダーフィルド熱排出部（群）（４６，４６’, ７８，７８’）が形成される。複合基板（４８）が好ましく、複合基板は、素子領域（２６）を含む上側表面（３７）にまで延びる第１半導体領域（３８）と、下側表面（６３）にまで延びる第２半導体領域（４２）と、そして第１半導体領域と第２半導体領域との間の絶縁層（３６）と、を有し、一つ以上の空洞（６７）が下側表面（６３）から絶縁層（３６）にまで延び、そしてエッチング深さ（６７１）は自動的に決まる。
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【課題】犠牲層残渣の発生や配線細りなどの不具合を抑制する、エアギャップ構造を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に複数の配線を形成する半導体装置の製造方法であって、基板１上に、複数の配線と、複数の配線に対して選択してエッチングできる金属からなり、複数の配線の間隙に埋め込まれている犠牲層とを形成する工程と、犠牲層を複数の配線に対して選択比を有するエッチングにより除去して、複数の配線の間隙にエアギャップ構造を形成する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 誘電体空隙を有する相互接続構造体を提供する。
【解決手段】 多相フォトレジスト材料を用いて誘電体層内部に空隙を形成することにより改善された性能及びキャパシタンスを有する相互接続構造体が提供される。相互接続構造部は、相互接続構造部の周りの誘電体層の部分の中に円柱状空隙構造体を有する誘電体層内に埋め込まれる。相互接続構造部はまた、生成される異なる誘電率を有する２つ又は複数の相を有する誘電体内に埋め込むこともできる。この相互接続構造体は現行の後工程プロセスに適合する。 （もっと読む）

【課題】複雑・長時間の工程を追加することなく、配線疎密に依存しないエアーギャップ構造を有する配線を容易に形成することを可能とする。
【解決手段】基板上に形成した第１絶縁膜を除去して形成された空洞２０と、第１絶縁膜上に形成されたもので空洞２０上の第２絶縁膜１３と、第２絶縁膜１３に形成された配線溝１４より基板に達するようにバリア膜１５を介して形成された配線１７とを備えた半導体装置１であって、配線１７の側壁に空洞２０につながるスリット１８を備えたことを特徴とするもので、第２絶縁膜１３上の余剰な材料を除去する工程で配線１７側壁に第１絶縁膜に達するスリット１８を形成し、スリット１８から第１絶縁膜を除去して該除去領域に空洞２０を形成したものである。 （もっと読む）

【課題】基材の内部に空隙を形成するための方法を提供する。
【解決手段】基材を用意する工程；少なくとも１つの犠牲材料前駆体の堆積によって犠牲材料を堆積する工程；複合層を堆積する工程；該複合層中のポロゲン材料を除去して多孔質層を形成する工程；及び積層基材を除去媒体と接触させて前記犠牲材料を実質的に除去し、前記基材の内部に空隙を与える工程を含み、前記少なくとも１つの犠牲材料前駆体が、有機ポロゲン、シリコン、極性溶媒に可溶な金属酸化物、及びそれらの混合物からなる群より選択される方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】外力を受けても変形あるいは破壊しにくい半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１上に設けられた複数の配線電極３及び上記複数の配線電極３のうち所定の配線電極間に設けられたエアーブリッジ電極６を備え、上記配線電極３とエアーブリッジ電極６との接続は、上記配線電極３に掘り込み部３ｂを形成し、上記エアーブリッジ電極６の脚部の接続部６ｂを上記掘り込み部３ｂに埋め込むことによって行う構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、空隙を含む複数レベルの相互接続構造及びその製造方法を提供する。
【解決手段】空隙を含む複数レベルの相互接続構造は、散在したライン・レベル及びビア・レベルの集合を含み、ビア・レベルは、１つ以上の誘電体層に埋め込まれた導電性ビアを含み、ビア・レベルの誘電体層は、隣接レベルのライン機構の上下に位置する固体であり、ライン機構の間でミシン目が入れられている。ライン・レベルは導電性ラインと、空隙を含む誘電体とを含む。導電性接点を含み、有孔誘電体層内に充填することによって形成された固体誘電性ブリッジ層は、散在したライン及びビア・レベルの集合上に配置されている。 （もっと読む）

【課題】所定厚みの導電膜で形成した配線構造体及びその形成方法において、高周波の電流を通電する際に表皮効果による電流密度の局部的な増大が生じることを抑制できる配線構造体及びその形成方法を提供する。
【解決手段】所定厚みの導電膜３０で形成した配線構造体において、導電膜３０は、通電方向を横断する断面による断面形状を上方に向けて膨出した湾曲形状とする。そのために、所定のパターンに導電膜３０で配線が形成される基板の配線形成領域にパターンに沿って絶縁膜２０を配設する工程と、配設された絶縁膜２０の上面を上方に向けて膨出した湾曲面とする工程と、基板の上面に所定の膜厚の導電膜３０を製膜する工程と、製膜された導電膜をパターンニングしてパターンを形成する工程とによって形成する。 （もっと読む）

本発明は、集積回路デバイスの相互接続スタックを製造する方法に関する。相互接続スタック内には、１つ以上の相互接続レベルにエアギャップが形成される。この方法は、下部エッチバリヤ層(236)と上部中間相互接続レベル(224)の上の上部エッチバリヤ層(211)の間に局所エッチビア(216、218)を形成するステップを具える。従来の技術のデバイスと比較すると、上部中間相互接続レベルの誘電率の横方向の不均一さが除去される。これは、完成された相互接続スタックにおいては誘電率の局部的な変化は、エアキャビティの存在によって見えるか、あるいは、次のレベル間誘電体層の誘電材料を後で満たすことによってほどんど見えないかである、（前の）エッチビアにおいて起こり得るのみであるからである。本発明の集積回路デバイスは、金属相互接続線部分から隣接するレベル間誘電体層または金属間誘電体層への銅の侵入を完全に防止することができる。
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【課題】 Ｃｕ膜と絶縁膜との間に所定幅の空気層が設けられた配線構造で信頼性が高い半導体装置を提供することである。
【解決手段】 配線膜４の側部に空気層５および固体絶縁層１が構成された配線構造の半導体装置であって、
配線膜４と固体絶縁層１との間に空気層５が配線膜４に隣接して設けられてなり、
配線膜４と固体絶縁層１との間に設けられた空気層５は幅が５〜１００ｎｍであり、
配線膜４と配線膜４との間の固体絶縁層１は幅が１０〜５００ｎｍである。 （もっと読む）

【課題】エアギャップ構造において酸化に起因する配線信頼性劣化を抑制することができる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態に係る半導体装置は、基板１上に形成された第１配線５と、第１配線５の上層に形成され、第１配線５との間にエアギャップ２０を介在させて配置された第２配線１６と、エアギャップ２０内に形成され、第１配線５と第２配線１６とを接続するカーボンナノチューブ１１とを有する。 （もっと読む）