【課題】ベースフィルムの剥離工程において、絶縁層の一部が配線層から剥離してしまうことを防ぎ、絶縁層でのリーク電流を無視できる程小さくする半導体装置の層間絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に、フォトリソグラフィで所望のレジストパターンを形成する工程、レジストパターンに基づいて、配線層となる所定の金属膜１５を形成する工程、レジストパターンを保持したまま上記金属膜１５上に密着層１９aを形成する工程、該密着層１９aに所定の熱処理を行う工程のあと、ベースフィルムに塗布形成された未架橋の高分子材料からなる絶縁層１９ｂを加熱して押圧し、上記基板１０上に層間絶縁膜１９ｂを形成する。 （もっと読む）

本発明はＩＣのビアミスアライメントを克服するために改良されたエアキャビティを形成する方法を提供することである。集積回路の金属線の間にエアキャビティトレンチを形成する方法は、内部接続表面の金属線の頂部表面とトラック間誘電体表面の間の高さを制御するために内部接続構造表面上に堆積されたトラック間誘電体を除去するステップ（４２）と、内部間接続表面上の誘電体ライナを堆積するステップ（４４）と、内部間接続表面上の誘電体ライナの少なくとも一部を除去するステップ（４６）と、複数のエアキャビティトレンチを形成するための残存誘電体ライナによって内部間接続表面が十分に保護されている限り、内部接続表面上の誘電体ライナを堆積するステップと除去するステップを繰り返すステップ（４８）と、及び、トラック間誘電体材料のエッチングによって金属線間の少なくとも一つのエアキャビティを形成するステップ（５０）と、を含んでいる。
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【課題】エアギャップの大きさを確保して配線間容量の低下を促進すると共に、エアギャップの形成による半導体装置の形成精度の低下を防止することを目的とする。
【解決手段】エアギャップ溝１１１を形成するための絶縁膜のエッチングとして等方性の高いエッチングを実施することにより、配線側壁の近傍の絶縁膜が十分に除去できるようになるため、エアギャップの大きさを十分確保することができ、配線間の容量を十分に低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 極太ワイヤを有する半導体デバイスと、デュアル・ダマシン・プロセスを使用してそれを製造する方法を提供することにある。
【解決手段】 この方法では、スタック構造内で少なくとも１つの部分ビア（２６）がエッチングされ、少なくとも１つの部分ビア（２６）の周りにボーダ（３２）が形成される。この方法は、少なくとも１つのエッチング・ストップ層（２２）までビア・エッチングを続行しながら、選択エッチングを使用して太い配線を形成するステップをさらに含む。 （もっと読む）

【課題】基板の面に対して平行な方向にヘリカル構造の軸が向くようにするとともに、基板の面に垂直方向（縦方向）の高さを従来に比べて充分に高くして寄生容量や配線抵抗の小さなインダクタを得る。
【解決手段】基板５０に縦穴を形成し、その内部に縦配線５５を形成し、基板５０の表面に上部横配線５６を形成し、縦配線５５の深さにほぼ等しい深さの溝６０を形成し、この溝６０の底面に下部横配線６１を形成する。その後、下部横配線６１の少なくとも上面、縦配線５５、および上部横配線５６が露出するように基板５０をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】導電層パターン間の寄生キャパシタンスを減少させてデバイスの動作特性を安定化させるにことができる半導体デバイスの配線形成方法を提供する
【解決手段】半導体基板の上に複数の導電層パターンを形成する段階と、前記導電層パターンの間を埋めるように第１絶縁膜を形成する段階と、全体構造上部に小さい半球が不規則に並ぶようにＨＳＧシリコン層を形成した後、これをマスクとして前記第１絶縁膜をエッチングして複数の孔を形成するえ段階と、前記第１絶縁膜と導電層パターンを覆うように半導体基板上に第２絶縁膜を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体デバイスの配線形成方法。 （もっと読む）

【課題】スイッチＭＭＩＣにおいて、ゲート配線と、ソース配線電極またはドレイン配線電極との交差部では容量が大きく、高周波信号の漏れが発生し、歪特性が悪い問題があった。
【解決手段】ゲート配線上を、比誘電率の大きい窒化膜（膜厚３０００Å）と、比誘電率の小さい中空部（厚さ２μｍ）で被覆し、その上にソース配線電極またはドレイン配線電極を設ける。これにより交差部での容量を低減できる。またゲート電極の一端を延在して曲折部を形成し、曲折部をソース電極−ドレイン電極間に配置する。これによりスイッチＭＭＩＣの全てのソース電極−ドレイン電極間に、ゲート電極（曲折部）またはゲート配線を配置できる。オフ側ＦＥＴのゲート電極は高周波信号としてＧＮＤ電位であるので、ドレイン電極−ソース電極間の高周波信号の漏れを防止でき、交差部の中空部の配置と併せてスイッチＭＭＩＣの歪特性を大幅に向上できる。 （もっと読む）

【課題】容易にかつ安価に多層配線構造を構築することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハＷの薄膜担持面に、予めシートフィルムに塗布形成した金属薄膜を押し付け、該金属薄膜を転写する。その金属薄膜に凹凸パターンを型押しすることによって該パターンを転写し、エッチングによって配線１および隣接する配線１間の溝部を形成する。続いて、その上にシートフィルムに塗布形成した絶縁薄膜を押し付け、該絶縁薄膜８を転写する。そして、その絶縁薄膜８に凹凸パターン有するスタンパ３１を押し付けることによって該パターンを転写する。このような転写形成による成膜、凹凸面を有するスタンパを使用したパターンニングおよびエッチングを金属層および絶縁層の双方について繰り返すことによって多層配線構造を構築する。 （もっと読む）

【課題】結合容量の低下、機械的、電気的特性が向上した導体トラック配列及び製造方法の提供。
【解決手段】基材１、２と、少なくとも２つの導体トラック４と、空洞６と、導体トラック４を覆い、空洞６を塞ぐレジスト層５とを含む、導体トラック配列に関する。導体トラック４の幅Ｂ１よりも小さい幅Ｂ２のキャリアトラックＴＢを形成することにより、結合容量と信号遅延を低減するためのエアギャップが、導体トラック４の下にその側面に沿ってセルフアライン技術により形成される。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁体、あるいは層内絶縁体および層間絶縁体としてエアギャップを統合する銅のインタコネクトを製造する方法を提供すること。
【解決手段】層間絶縁構造の形成方法であって、第１の金属層を提供する工程と、第１の犠牲層を堆積する工程と、エッチング停止層を堆積する工程と、第２の犠牲層を堆積する工程と、２層のハードマスクを形成する工程と、２層のハードマスクをパターニングしてビアマスクおよびトレンチマスクを生成する工程と、第２の犠牲層をエッチングしてビアを形成する工程と、エッチング停止層の剥き出し部分と第１の犠牲層とをエッチングして第１の金属層を剥き出しにする工程と、第２の犠牲層をエッチングしてトレンチを形成する工程と、バリア金属および銅を堆積し、平坦化して第２の金属層を形成する工程と、第１および第２の犠牲層を分解して上記犠牲層をエアギャップと交換する工程とを包含する。 （もっと読む）

【課題】配線間分離内における層間絶縁膜にボイドを形成する場合に、層間絶縁膜の上部を平坦にする。
【解決手段】本発明の半導体装置において、配線間分離溝５は、第１の側面６と、第１の側面６よりも深い位置に設けられ、第１の側面６よりもテーパー角の大きい第２の側面７と、第２の側面７よりも深い位置に設けられ、第２の側面７よりもテーパー角の大きい第３の側面８とを有し、ボイド１０が、配線間分離溝５内における第３の側面の深さに形成されている。 （もっと読む）

【課題】耐酸化性を向上でき、信頼性を向上できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、空洞１５中に設けられＣｕを主成分とする配線層２２−１と、前記配線層と電気的に接続されて所定の構成元素を含む層間絶縁膜１７中に設けられＣｕを主成分とするビア層２３−１とを備えた空中配線Ｗ１と、前記空中配線上に設けられたポーラス膜１１−２と、前記空中配線の表面上を覆うように設けられ、前記所定の構成元素と所定の金属元素との化合物を主成分としたバリア膜（Ｍｎ_ｘＳｉ_ｙＯ_ｚ膜）２５−１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】多層配線を有する半導体装置において、空孔率の高い配線間構造を用い、配線間の電気的短絡を抑制する。
【解決手段】基板上にそれぞれ同一レベルに備えられた第一および第二の配線層１１０、３１０と空孔率６０％以上を有する第一および第二の空洞層１２０、３２０を有する配線構造において、第一および第二の空洞層１２０、３２０と接する配線層の側壁に第一および第二の酸化チタン層１６０、３６０からなる絶縁層を備え、配線層と接する側壁に第二および第四のチタン層１５０ａ、３５０ａを備え、バリアメタル層と絶縁層の間に酸素バリア層として第一のおよび第二の窒化チタン層１５０ｂ、３５０ｂを備えることにより、隣り合う配線間の電気的耐圧を向上し、配線間短絡を抑制する。 （もっと読む）

【課題】 製造工程を複雑にせず、多層配線構造を有する配線基板の膜間の絶縁性を向上させる。
【解決手段】 基板１０１と、基板１０１の上に形成された第１配線１０２と、第２配線１０３と、第１配線１０２と第２配線１０３との間に形成された絶縁性材料を含む絶縁膜１０４とを備え、絶縁膜１０４の少なくとも一部と第１配線１０２との間に空間１０５が形成されている。絶縁膜１０４の少なくとも一部は第１配線１０２と接し、第２配線１０３の一部が空間１０５に位置する。 （もっと読む）

【課題】相互接続エアキャビティの集積化制御および信頼性向上を提供すること。
【解決手段】本発明は、相互接続スタック内の相互接続ラインおよびバイアの側壁へのポリマー材料の導入に基づいて高速銅相互接続内に高度に制御されたエアキャビティを導入する改良された集積回路および集積回路製造法であって、エアキャビティ形成を含み、これを制御し、それによって半導体相互接続の信号伝搬性能を向上させる集積回路および集積回路製造法を提供する。 （もっと読む）

【課題】エアーギャップ構造を有する半導体素子のインターポーザを提供する。
【解決手段】空き空間を含む半導体基板３１と、前記半導体基板３１の前記空き空間内部に位置する金属配線３２と、を備え、前記半導体基板３１の前記空き空間は、絶縁エアーギャップ３３を形成することによって前記金属配線を絶縁させ、金属配線ライン、前記金属配線３２の周囲をエアーギャップ３３で絶縁させた、絶縁手段、前記金属配線ラインの一側に形成された半導体集積回路と電気的に連結される接触手段、及び前記金属配線ライン及び前記接触手段を固定させたインターポーザ３０。 （もっと読む）

【課題】 多孔体からなる低誘電率膜の機械的強度の増大を実現できるようにする。
【解決手段】 多孔体からなる低誘電率膜である。低誘電率膜１内に存在する微細孔２の直径をｒし、このｒよりも大きな微細孔２の数をＮ（ｒ）とし、Ｄを正の実数としたときに、低誘電率膜１内に存在する微細孔２の数分布が、Ｎ（ｒ）∝ｒ^−Ｄというべき乗関係を満たす。 （もっと読む）

【課題】集積回路におけるＲＣ遅延の容量成分Ｃを低くするための改良された方法の提供。
【解決手段】基板上に犠牲膜となる第１の絶縁材が堆積され、該第１の絶縁材上に、犠牲部分を有する第２の絶縁材が堆積される。上記第１および第２の絶縁層をパターニングして導電性材料を蒸着し余剰な導電材を除去して導電線が形成される。上記犠牲部分を除去するために上記第２の絶縁材の内部に気孔または開口部を形成して、透過性とする。この気孔または開口を通じて第１の絶縁材が除去され、上記導電線間に空隙が形成される。上記処理後に、第２の絶縁膜と導電膜の上にキャップ層を形成する。この結果、導電線間に空隙が形成される。 （もっと読む）

【課題】 配線間の寄生容量が小さく、安定な構造を有する半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の絶縁層に埋設される、導電材料よりなる配線構造を形成する配線構造形成工程と、前記第１の絶縁層を除去して前記配線構造を露出させる第１の絶縁層除去工程と、前記配線構造を埋めるように第２の絶縁層を形成する絶縁層埋設工程と、前記第２の絶縁層上にキャップ膜を形成するキャップ膜形成工程と、前記第２の絶縁層を除去する第２の絶縁層除去工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の銅配線間の容量低減を実現すると同時に絶縁破壊耐性を向上させ、さらにミスアライメント・ビアを対策する。
【解決手段】基板上の絶縁膜１７上に、銅を主成分として含む配線２６を形成する。それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。その後、低誘電率からなる絶縁膜３６及び絶縁膜３７を成膜する。その際、配線２６の隣接配線間において、対向する配線側面の上方での堆積速度が下方での堆積速度より大きくなるように絶縁膜３６を形成し、エアギャップを形成する。最後に、層間ＣＭＰによって、絶縁膜３７を平坦化する。 （もっと読む）