【課題】集積回路の配線間に空隙を形成することにより、容量成分が低減された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２０２上に第１の絶縁材が堆積され、この上に、犠牲部分を有する第２の絶縁材２３２が堆積される。上記第１および第２の絶縁層内に、導電線２１０がダマシン法により形成される。犠牲部分となる第１の絶縁材を除去するために第２の絶縁材が処理され開口部２３８が形成される。そして第１の絶縁材が除去されて、導電線間に空隙２４２が形成される。第２の絶縁材は、堆積時には不透過性であるが、処理後により透過性とし、これを介して犠牲部分を除去する。第２の絶縁材の処理はエッチングによる開口、あるいは熱感受性成分のアニールによる除去である。 （もっと読む）

【課題】高速動作可能な半導体装置を歩留まりよく製造する。
【解決手段】エアギャップを形成させない領域１、及び、エアギャップを形成させる領域２がそれぞれ設けられた絶縁膜１０２を用意し、領域１の表面をレジスト１０４で覆い、領域１がレジスト１０４で覆われた絶縁膜１０２の領域２をプラズマ処理し、プラズマ処理された絶縁膜１０２からレジスト１０４を除去し、レジスト１０４を除去した絶縁膜１０２の領域１、２にＣｕ配線１０５を埋め込み、プラズマ処理された領域２の絶縁膜１０２を除去してＣｕ配線１０５の側面にエアギャップ１０８を形成して半導体装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの微細化が進展しても、広いキャパシタ面積を確保し、容量を増大させることが可能なキャパシタを備える、半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、基板１１１と、基板上に、第１の電極材で形成された複数の第１の電極層と、第１の電極材と異なる第２の電極材で形成された複数の第２の電極層とが、キャパシタ絶縁膜を介して交互に積層されたキャパシタ１０２と、第１及び第２の電極層の側方に形成されており、第１の電極層と電気的に接続され、第２の電極層と電気的に絶縁されている、１つ以上の第１のコンタクトプラグ１７１Ａと、第１及び第２の電極層の側方に形成されており、第２の電極層と電気的に接続され、第１の電極層と電気的に絶縁されている、１つ以上の第２のコンタクトプラグ１７１Ｂとを備える。 （もっと読む）

【課題】第２絶縁層にビアとなる接続孔を形成するときにビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。エッチングストッパー膜２００は、第１絶縁層１２０上、エアギャップ１２８上、及び配線１６２上に形成されている。第２絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２００上に形成されている。ビア２６２は第２絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。そしてエッチングストッパー膜２００は、エアギャップ１２８上に位置する部分２０２が、配線１６２上に位置する部分より厚い。 （もっと読む）

【課題】配線間容量の低い半導体装置を安定的に形成する。
【解決手段】配線１間に、仕切層５ａで仕切られた複数の空洞の溝２を形成し、その後、それらの溝２を覆うように、配線１及び仕切層５ａの上側に絶縁膜を形成する。配線１間に仕切層５ａを設けることにより、絶縁膜形成に用いる絶縁膜原料３ａの溝２内への進入が抑えられ、溝２内の絶縁膜形成が抑えられるようになる。それにより、配線１間の容量が低く、また、容量のばらつきが抑えられた半導体装置が形成可能になる。 （もっと読む）

【課題】ビアと配線の間に位置ずれが生じても、エアギャップとビアが繋がることを抑制できるようにする。
【解決手段】配線１６２は第１絶縁層１２０に埋め込まれており、上面が第１絶縁層１２０の上面より高い。エアギャップ１２８は、配線１６２と第１絶縁層１２０の間に位置している。第２絶縁層２００は、少なくとも第１絶縁層１２０上及びエアギャップ１２８上に形成されている。本図に示す例では、第２絶縁層２００は配線１６２を被覆していない。エッチングストッパー膜２１０は、少なくとも第２絶縁層２００上に形成されている。本図に示す例では、エッチングストッパー膜２１０は、第２絶縁層２００上及び配線１６２上に形成されている。第３絶縁層２２０はエッチングストッパー膜２１０上に形成されている。ビア２６２は第３絶縁層２２０に埋め込まれており、配線１６２に接続している。 （もっと読む）

【課題】所定の配線間距離を確保すると共に、配線間距離を確保するために形成される絶縁膜をパターニング等によって形成する際に、下層配線の損傷を防ぐ。
【解決手段】本発明に係る半導体装置は、半導体基板１１と、半導体基板１１上に形成された第１配線１と、半導体基板１１上の第１配線１との交差部において、隙間９を介して第１配線１を跨ぐように形成された第２配線２と、交差部の第２配線２下において、少なくとも第１配線１を覆うように半導体基板１１上に形成された保護膜８と、交差部の第２配線２下の保護膜８上において、保護膜８の端部よりも内側に形成され、交差部の第１配線１を覆うように島状に形成された絶縁膜３と、備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ボンディング作業を過度に困難にすることなく、寄生容量を低減させる技術を提供する。
【解決手段】本発明は、ボンディングパッドが形成されている半導体基板を提供する。この半導体基板は、導電性の基板層と、基板層の表面の一部に積層されている絶縁性の絶縁体と、絶縁体の表面に積層されている固定部と、絶縁体の存在範囲を超えて伸びる張り出し部と、を有するボンディングパッドと、を備える。張り出し部は、張り出し部の裏面が基板層の表面に接するまで弾性変形可能である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜における寄生容量の影響を低減させ、レーザトリミングにおいて残膜管理を不要とし、かつヒューズの再結合の低減を可能とする半導体装置、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１と、間隔を設けて配置されたパッド開口１１を備え、半導体基板１上に形成された層間絶縁膜２と、パッド開口１１に対応する位置に設けられた下層金属層５と、下層金属層５上、及び層間絶縁膜２に対向する位置に形成された上層金属層６と、を有し、上層金属層６は、下層金属層５を柱とする空中配線を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、裏面コンタクト電極と拡散層とのコンタクト抵抗が低減して、半導体装置の動作速度の向上を図ることを可能にする。
【解決手段】基板１０の表面側に形成された拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎと、前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎの表面に形成されていて前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎよりも抵抗が低い低抵抗部２７Ｐ、２８Ｐ、２７Ｎ、２８Ｎと、前記基板１０の裏面側より前記基板１０を貫通して前記拡散層２５Ｐ、２６Ｐ、２５Ｎ、２６Ｎを通して前記低抵抗部２７Ｐ、２８Ｐ、２７Ｎ、２８Ｎに接続された裏面コンタクト電極６３Ｐ、６４Ｐ、６３Ｎ、６４Ｎを有する。 （もっと読む）

【課題】 シリコン貫通ビアを有する半導体デバイスを提供する。
【解決手段】 回路面と前記回路面とは逆の背面を有する半導体基板、前記半導体基板を穿通して延伸するシリコン貫通ビア、及び前記シリコン貫通ビアと前記半導体基板の間に設置され、前記半導体基板の前記背面の表面の少なくとも一部の上に延伸する誘電体層を含む半導体デバイス。 （もっと読む）

【課題】 横方向（基板表面に平行な方向）にカーボンナノチューブを成長させるためには、側壁に平坦かつ微小な表面を持つ触媒膜を形成する必要がある。ところが、このような触媒膜を形成することは困難である。
【解決手段】 基板表面の相互に離隔した２つの縦配線領域に、第１の厚さの縦配線用触媒膜を形成し、１つの縦配線領域から他の縦配線領域まで連続する横配線領域に、第１の厚さよりも厚い第２の厚さの横配線用触媒膜を形成する。縦配線用触媒膜及び横配線用触媒膜の上に、カーボンを含む構造体を気相成長させる。気相成長の初期段階には、縦配線用触媒膜及び横配線用触媒膜の上にグラファイトが形成され、その後、縦配線領域の前記グラファイトと基板との間にカーボンナノチューブが成長し、横配線領域の前記グラファイトが、縦配線領域に成長したカーボンナノチューブによって中空に支持されるように第１の厚さ及び第２の厚さが設定されている。 （もっと読む）

【課題】固体構造、特に半導体構造内部に一つ乃至複数のエアギャップを形成して金属線の如き電気部品間の誘電的カップリングを減じる方法を提供する。
【解決手段】半導体構造内にエアギャップを形成する方法は、（ｉ）半導体構造内の閉鎖された内部空間を占めるための犠牲材料としてノルボルネン型ポリマーを利用し、（ｉｉ）該犠牲材料を一つ以上のガス状分解物へと分解（好ましくは熱処理によって自己分解）し、（ｉｉｉ）該内部空間に隣接する固体層の少なくとも一つを通じて上記ガス状分解物の少なくとも一つを排除する、工程からなる。 （もっと読む）

【課題】エアギャップ部を有し、かつ、高い機械的強度を有する半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】酸素を含有する層間絶縁膜ＩＬ１の複数の溝部の側壁を被覆するバリア金属層ＡＬが形成される。複数の溝部を充填するように配線金属層ＰＣが形成される。層間絶縁膜ＩＬ１の酸素を熱拡散させることによってバリア金属層ＡＬの少なくとも一部を酸化することで、酸化物バリア層ＢＬ１が形成される。配線金属層のうち複数の溝部の外側の部分を除去することによって、第１および第２の配線間領域ＩＷ１，ＩＷ２と第１〜第３の配線ＷＲ１〜ＷＲ３とが形成される。第１の配線間領域ＩＷ１を覆い、かつ第２の配線間領域ＩＷ２上に開口部ＯＰを有するライナー膜ＬＮ１が形成される。開口部ＯＰを介したエッチングが行なわれる。 （もっと読む）

【課題】電極パッドのダメージを低減し、高信頼性の貫通電極を提供することを目的とする。
【解決手段】工程（ａ）〜（ｃ）では、基板（１）の他方の面から電極パッド（５）に達する孔（１ａｂ）を形成し、工程（ｄ）では、孔（１ａｂ）の内側に一端が電極パッド（５）に接触し他端が基板（１）の他方の面に達する導電経路（２）を形成し、工程（ｅ）では、基板（１）をエッチングして導電経路（２）の周囲に凹部（１ｃ）を形成し、更に凹部（１ｃ）の内側で導電経路（２）の周面に絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】エアーギャップ型の多層配線構造を有する半導体装置の上部配線のたわみを少なくするとともに、前記半導体装置の製造方法を簡略化するという課題があった。
【解決手段】半導体素子１０２を含む層間膜層９５と、層間膜層９５上に備えられ、エアーギャップ部９６ｃを有する多層配線部９６と、層間膜層９５の上に立設され、多層配線部９６を構成する複数の配線部のうちいずれか一つの配線部を支持するものであって、前記配線部と同一の材料からなり、前記一の配線部のみと電気的に接続された柱状の支持体５１と、を具備してなる半導体装置１１１を用いることにより、上記課題を解決できる。 （もっと読む）

【課題】 従来のエアギャップ構造より、さらに容量及び容量ばらつきを低減することができる。
【解決手段】 基板上の絶縁膜１７上に、銅を主成分として含む配線２６を形成する。それから、リザーバーパターン用絶縁膜２１、２２及びバリア絶縁膜２９を形成し、配線２６の上面および側面上と絶縁膜１７及び絶縁膜２９上に銅の拡散を抑制または防止する機能を有する絶縁膜３１を形成する。このとき、狭い配線間スペース底部の絶縁膜１７の膜厚保は、配線２６上の絶縁膜３１の膜厚より、薄く成膜することで細線ピッチの配線容量を効率良く低減する。その後、低誘電率からなる絶縁膜３６及び絶縁膜３７を成膜する。その際、配線２６の隣接配線間において、対向する配線側面の上方での堆積速度が下方での堆積速度より大きくなるように絶縁膜３６を形成し、エアギャップを形成する。最後に、層間ＣＭＰによって、絶縁膜３７を平坦化する。 （もっと読む）

【課題】隣接したメモリセル間の干渉を抑制できるようにする。
【解決手段】素子分離絶縁膜４の空洞部の形成領域Ｒが、浮遊ゲート電極ＦＧａと、浮遊ゲート電極ＦＧｃ、ＦＧｄの直下方に位置する活性領域Ｓａとの間に対向した領域内に設けられるため、当該浮遊ゲート電極ＦＧａと素子分離領域Ｓｂを挟んで対向する活性領域Ｓａとの間の結合容量を低減できる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性に優れ、不均一動作が抑制される高周波高出力半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成される複数の電界効果トランジスタが並列接続される単位セルを、さらに複数並列接続する半導体装置において、この単位セルを構成する電界効果トランジスタの複数のゲート電極同士を接続するゲートバス配線に接続され、複数の導電層が積層した構造を有するゲートパッド電極と、隣接するゲートパッド電極間同士を接続し、ゲートパッド電極外周部の少なくとも一辺に沿って形成され、ゲートパッド電極を構成する複数の導電層の少なくとも一つの導電層で形成される抵抗体とを有することを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】エアギャップ内への水分や絶縁材料の侵入を防ぎ、動作信頼性の劣化や電気容量の増加を抑えることのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方法は、半導体素子を有する半導体基板上に、内部に配線が設けられた層間犠牲膜、および前記層間犠牲膜上に位置する絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜および前記層間犠牲膜にエッチングを施し、前記層間犠牲膜に達する溝を形成する工程と、前記溝内にガス透過性膜を形成する工程と、前記層間犠牲膜をガス化させ、前記溝および前記ガス透過性膜を通して除去する工程と、前記層間犠牲膜を除去した後、前記ガス透過性膜上に、前記溝の開口部近傍を封止する封止膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）