ボンディング・パッド下方に各回路を有する集積回路。一実施例において、集積回路は基板と、最上部導電層と、１つ以上の中間導電層と、絶縁材料から成る各層と、各デバイスとを具備する。最上部導電層は少なくとも１個のボンディング・パッド及び比較的硬質の材料から成る副層を有する。１つ以上の中間導電層は最上部導電層及び基板の間に形成する。絶縁材料から成る各層は各導電層を分離する。更に、絶縁材料から成る各層のうちの１つの層は比較的硬質で、最上部導電層及びこの最上部導電層に最も近接した中間導電層の間に位置する。各デバイスは集積回路に形成する。また、最上部導電層に最も近接した少なくとも中間導電層は、ボンディング・パッド下方の各選択デバイスの機能的相互接続部に対して適合する。

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ナノパターンの複製方法を開示する。この方法は、基板を特定すること(110)と；基板の表面を液体層で被覆すること(120)と；ナノパターンのネガを規定する複数の凹部を有する成形型を被覆液体層に十分に近接して位置決めして成形型の複数の凹部の少なくとも一部分を液体層で自己充填させること(130)と；液体層を化学変換させて変換膜がナノパターンを実質的に保持しうるようにすること(140)と；成形型を分離すること(150)と；を含む。 （もっと読む）

【課題】 多層配線において、ショートやビア抵抗増加のような目合わせずれによる問題を回避し、信頼性の高い多層配線を得る。
【解決手段】 半導体装置は、第１配線層（２０１）と、層間絶縁層（２０２〜２０８）とを具備する。第１配線層（２０１）は、基板の上面側に設けられ、第１配線を含む。層間絶縁層（２０２〜２０８）は、前記第１配線層（２０１）上に設けられ、一方の端を前記第１配線に接続されたビアと、前記ビアの他方の端に接続された第２配線とを含む。前記層間絶縁層（２０２〜２０８）はシリコン酸化膜より低い比誘電率を有する。前記層間絶縁層（２０２〜２０８）の上部は、下側から順に、シリコン酸化膜（２０６）、シリコン窒化膜（２０７）、シリコン酸化膜（２０８）を備える。 （もっと読む）

デバイスの下層（２）にコンタクトを形成する方法は、コンタクトホール（５）を形成するステップと、デバイスのコンタクトホール内にバリア材からなるコンタクトホールバリア層（７）を形成するステップと、コンタクトホールの底面のコンタクトホールバリア層をエッチングするステップと、コンタクトホール内にライナ材（８）を堆積するステップと、コンタクトホールに導電性材料（９）を充填するステップとを有する。半導体、受動素子、キャパシタ又はＦｅＲＡＭなどのデバイスが上記方法に従って形成される。コンタクトホールの側壁にあるコンタクトホールバリア層（７）が、水素及び／又は酸素の側方拡散を抑制する。コンタクトホールバリア層は、ウェットエッチングプロセスによって生じる既存のバリア層（３）内のボイド（６）を充填するために上記プロセス後に、又は既存のバリア層への損傷を抑制するために上記プロセス前に行うことができる。

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【課題】　配線抵抗による電圧降下の影響や画素への信号の書き込み不良や階調不良などを防止し、より高画質のＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】　本発明はＥＬ表示装置や液晶表示装置を代表とする表示装置に用いられる電極や配線として、Ｃｕを有する配線を設ける。また、該配線のＣｕを主成分とする導電膜は、マスクを用いたスパッタ法により形成する。このような構成により、電圧降下や信号のなまりを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｃｕを含有する材料に代表されるような層間絶縁膜に対する易拡散性の材料を用いて配線を構成した場合に、前記易拡散性の材料の層間絶縁膜への拡散や材料の剥離を確実に防止するとともに、層間容量を低減させ、しかも高い耐酸化性を保持する。
【解決手段】 Ｃｕ配線に対応した保護膜として、当該Ｃｕの拡散防止及びビア孔２３形成時のエッチングストッパーとしての機能を有し、しかも低誘電率を示す構造の保護膜１６を提案する。この保護膜１６は、水素化シリコンカーバイド膜（ＳｉＣ：Ｈ膜）２１上にシリコン窒化膜（ＳｉＮ膜）２２が積層されてなる２層構成のものである。 （もっと読む）

【課題】 積層絶縁膜を良好に加工する方法、並びにその方法を用いた配線構造の形成方法を提供すること。
【解決手段】 互いに異なる複数の絶縁膜４、５（更には３）のそれぞれについて少なくとも反応ガスの種類及び／又はその供給量に対するエッチング速度の関係を求めておき、この関係に基づいて反応ガスの供給量を設定してエッチング速度を選択し、エッチングを行う。各絶縁膜のエッチング速度をそれぞれ適切に選択するので、複数の絶縁膜が積層していても、常に良好な加工形状を得ることができる。膜種ごとに異なるエッチング速度の反応ガスの供給量に対する依存性を、複数の絶縁膜の相互間で差別化し、積層絶縁膜のエッチング選択比を目的にあわせて適切に設定する。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜及びその上のＡＲＬ膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１１の外側の銅膜１１３及び１１４を研磨により除去した後、各配線用溝１１１の外側の窒化タンタル膜１１２を研磨により除去する。その後、研磨時に研磨パッド及び基板１００に付着した異物を同時に除去した後、ＡＲＬ膜１１０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】銅配線の寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させる。
【解決手段】Ｃｕ１６とバリアメタル１２、あるいはＣｕ１６とキャップ層１９との界面近傍に、不純物１５を固溶させる、不純物１５を析出させる、非晶質Ｃｕ１４を存在させるまたはＣｕとの化合物を形成することにより、界面近傍の空孔を減らし、Ｃｕのエレクトロマイグレーション（ＥＭ）に対する界面拡散の寄与を減少させ、寿命を増大させ、同時に、密着性を高め、ストレスマイグレーション耐性を向上させた。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜及びその上のＡＲＬ膜に埋め込まれた配線同士の間における短絡を防止する。
【解決手段】 基板１００上に形成されたＦＳＧ膜１０９及びＡＲＬ膜１１０に複数の配線用溝１１１を形成した後、各配線用溝１１１が完全に埋まるようにＡＲＬ膜１１０の上にバリアメタル膜（窒化タンタル膜１１２）及び配線用導電膜（銅膜１１３及び１１４）を順次堆積する。その後、各配線用溝１１１の外側の銅膜１１３及び１１４を研磨により除去した後、各配線用溝１１１の外側の窒化タンタル膜１１２を研磨により除去する。その後、研磨時に基板１００に付着した異物を除去した後、ＡＲＬ膜１１０の表面を研磨する。 （もっと読む）

【課題】 配線構造と他の電極間のショートを防ぐ。
【解決手段】 ＳｉＯ_２により構成されたゲート絶縁膜１２およびその上に積層され、ＳｉＮにより構成された層間絶縁膜１３に、緩衝フッ酸を用いたエッチングによりコンタクトホールを形成する。このコンタクトホールに、高融点金属により構成された第１の保護金属層１７０と、高融点金属よりも抵抗の低い金属により構成された配線層１７２と、および高融点金属により構成され、ゲート絶縁膜１２よりも厚く形成された第２の保護金属層１７４とがこの順で積層された電極５３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 配線遅延を抑止し配線の微細化及び多層配線化を可能とする配線構造、及び当該配線構造の材料に固有の諸問題、例えば一方の材料の他方の材料への溶出等の不都合を解決して、信頼性の高い配線構造を実現する。
【解決手段】 Ｃｕ配線１０１と電気的に接続されるWプラグ１０２を形成するに際して、■ＷＦ₆ガスを一定時間連続して供給する工程、■。ＷＦ₆ガス雰囲気を一定時間連続して排気除去する工程、■ＳｉＨ₄ガスを一定時間連続して供給する工程、■ＳｉＨ₄ガス雰囲気を一定時間連続して排気除去する工程からなる一連工程（工程■〜■）を繰り返し行い、Ｗ核形成を行う。 （もっと読む）

【課題】 アルミニウムを主成分とする導体膜パターンを有する半導体集積回路装置の信頼性を向上させる。
【解決手段】 アルミニウムを主成分とする導体膜１６ｄを有する第１層配線Ｌ１をドライエッチング法によってパターニングした後、その加工側壁の側壁保護膜１８およびエッチングマスクとして使用したフォトレジストパターン１７ａをプラズマアッシング処理によって除去する。続いて、絶縁膜１５ｂおよび第１層配線Ｌ１の表面に付着した塩素成分を、酸素ガスとメタノールガスとの混合ガスを用いたプラズマアッシング処理によって除去する。この際、フォトレジストパターン１７ａ等のアッシング除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に低くなるようにし、塩素成分の除去処理時は、ウエハの主面温度が相対的に高くなるようにする。また、それらのプラズマアッシング処理を別々の処理室で行う。 （もっと読む）

【課題】 低コストにて歩留まり，信頼性，電気的特性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】 絶縁膜６０上の下層絶縁膜６１に銅の下層配線６２を形成（Ｓ６１）した後、プラズマＣＶＤ法により層間絶縁膜６３，ストッパ膜６４を順次形成し、ストッパ膜６４における下層配線６２上に孔６４ａを形成してから、ドライエッチングして層間絶縁膜６３にコンタクトホール６３ａを形成する（Ｓ６２）。その後、上層絶縁膜６５を形成しマスク６６を介してドライエッチングすることにより、上層絶縁膜６５に溝部６５ａを形成すると共に、コンタクトホール６３ａ中の上層絶縁膜６５を除去する（Ｓ６３）。そして、バリア膜６７を形成（Ｓ６４）した後、Ｃｕ−Ｎｉ膜，Ｃｕ−Ｚｎ膜，Ｃｕ−Ｚｎ−Ｎｉ膜のうち何れかを堆積してシード膜６８を形成する（Ｓ６５）。 （もっと読む）